전자기사 필기 기출문제복원 (2009-08-30)

전자기사
(2009-08-30 기출문제)

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1과목: 전기자기학

1. 그림과 같은 무한평면 S위에 한 점 P가 있다. S가 P점에 대해서 이루는 입체각은 얼마인가?

  1. π
  2. 2π
  3. 3π
  4. 4π
(정답률: 알수없음)
  • 무한평면 S는 3차원 공간에서 z=0인 평면이다. 따라서 P점에서 S로 수직선을 내렸을 때 만나는 점을 A라고 하면, P와 A, 그리고 S를 정점으로 하는 삼각뿔이 만들어진다. 이 삼각뿔의 밑면은 원이므로, P점에 대한 입체각은 삼각뿔의 전체 입체각에서 원뿔각을 뺀 값과 같다.

    원뿔각은 원주의 길이를 반지름으로 나눈 값인데, 이 경우에는 P점에서 S로 수직선을 내렸을 때 만나는 원의 반지름이 PA이고, 원주는 무한평면 S와 수직선이 이루는 원이므로 무한대이다. 따라서 원뿔각은 2π가 된다.

    전체 입체각은 삼각뿔의 모든 면에 대한 입체각의 합인데, 이 경우에는 삼각뿔의 밑면이 원이므로, 밑면의 입체각은 2π이고, 옆면의 입체각은 직각삼각형의 빗변을 대각선으로 하는 정사각형의 입체각과 같으므로 2π/4 = π/2이다. 따라서 전체 입체각은 2π + 3(π/2) = 2π이다.
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2. 진공 중에 서로 떨어져 있는 두 도체 A, B가 있다. 도체 A에만 1[C]의 전하를 줄 때, 도체 A, B의 전위가 각각 3[V], 2[V]이었다. 지금 도체 A, B에 각각 2[C]과 1[C]의 전하를 주면 도체 A의 전위는 몇 [V] 인가?

  1. 6[V]
  2. 7[V]
  3. 8[V]
  4. 9[V]
(정답률: 알수없음)
  • 두 도체 사이의 전위차는 처음에 1[V]이었고, 이후에는 2[V]가 되었다. 따라서 도체 B에는 1[C]의 전하가 추가된 것으로 볼 수 있다. 이때 도체 B의 전위가 1[V] 상승했으므로, 도체 A와 B 사이의 전위차는 1[V] 줄어들었다. 이제 도체 A와 B 사이의 전위차는 1[V]이다.

    도체 A에 2[C]의 전하를 추가하면, 도체 A의 전하는 3[C]가 되고, 전위는 3[V]에서 6[V]로 상승한다. 도체 B에 1[C]의 전하를 추가하면, 도체 B의 전하는 2[C]가 되고, 전위는 2[V]에서 4[V]로 상승한다. 따라서 도체 A와 B 사이의 전위차는 2[V]가 된다.

    따라서 도체 A의 전위는 6[V] + 2[V] = 8[V]이다.
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3. 높은 주파수의 전자파가 전파될 때 일기가 좋은 날보다 비 오는 날 전자파의 감쇠가 심한 원인은?

  1. 도전율 관계임
  2. 유전률 관계임
  3. 투자율 관계임
  4. 분극률 관계임
(정답률: 알수없음)
  • 높은 주파수의 전자파는 짧은 파장을 가지므로, 이를 통과하는 물체의 표면에 있는 전자들이 매우 빠르게 진동하게 됩니다. 이 때, 일기가 좋은 날보다 비 오는 날은 공기 중에 물분자가 많아져 전자파의 진폭을 감소시키는데, 이는 물분자의 도전율이 높아져서 발생합니다. 따라서, 이 문제에서는 "도전율 관계임"이 정답입니다.
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4. 동일한 금속이라도 그 도체 중 온도차가 있을 때 전류를 흘리면 열의 발생 또는 흡수가 일어나는 현상은?

  1. 지벡 효과
  2. 열전 효과
  3. 펠티에 효과
  4. 톰슨 효과
(정답률: 알수없음)
  • 정답: 톰슨 효과

    온도차가 있는 동일한 금속 도체에 전류를 흘리면, 전자의 이동으로 인해 금속 내부에서 열의 발생 또는 흡수가 일어나는데, 이를 톰슨 효과라고 합니다. 이는 전자의 운동에 의해 금속 내부의 입자들이 충돌하면서 열이 발생하거나 흡수되기 때문입니다. 이러한 효과는 열전 효과와는 다르게 전기 저항이 일정한 금속에서 발생하는 현상으로, 지벡 효과와 펠티에 효과와도 구분됩니다.
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5. 환상 철심에 권수 NA인 A코일과 권수 NB인 B코일이 있을 때 코일 A의 자기인덕턴스가 LA[H]라면 두 코일간의 상호인덕턴스[H]는?

  1. NAㆍLA/NB
  2. NBㆍLA/NA
  3. NA2ㆍLA/NB
  4. NB2ㆍLA/NA
(정답률: 알수없음)
  • 상호인덕턴스는 두 코일이 서로에게 가하는 자기장의 영향으로 결정되므로, 코일 A의 자기장이 코일 B에게 가하는 영향은 A코일의 권수 NA과 A코일의 자기인덕턴스 LA에 비례한다. 따라서 상호인덕턴스는 "NBㆍLA/NA"이다.
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6. 자기모멘트 9.8×10-5[Wbㆍm]의 막대자석을 지구자계의 수평 성분 12.5[T/m]의 곳에서 지자기 자오면으로부터 90° 회전시키는데 필요한 일은 약 몇 [J] 인가?

  1. 1.23×10-3[J]
  2. 1.03×10-5[J]
  3. 9.23×10-3[J]
  4. 9.03×10-5[J]
(정답률: 알수없음)
  • 일의 정의는 일반적으로 힘과 이동 거리의 곱으로 정의된다. 여기서는 막대자석을 회전시키는데 필요한 일을 구해야 한다. 회전시키는데 필요한 힘은 자기 모멘트와 지구 자기장의 수평 성분의 곱으로 주어진다. 따라서 필요한 일은 회전하는데 필요한 힘과 회전한 각도의 곱으로 주어진다. 여기서는 90° 회전하므로 회전한 각도는 π/2 라디안이다.

    따라서 필요한 일은 다음과 같이 계산할 수 있다.

    일 = (자기 모멘트) × (지구 자기장의 수평 성분) × (회전한 각도)
    = 9.8×10^-5 [Wbㆍm] × 12.5 [T/m] × π/2 [rad]
    ≈ 1.23×10^-3 [J]

    따라서 정답은 "1.23×10^-3[J]"이다.
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7. 반지름 a[m]인 접지 구도체의 중심에서 d[m](＞a)되는 점에 점전하 Q가 있을 때 영상전하 Q'의 크기는?

(정답률: 알수없음)
  • 접지 구도체의 중심에서 점전하 Q까지의 거리는 d-a이다. 이 때, 영상전하 Q'의 크기는 Q와 Q' 사이의 거리가 d+a인 등가원위에 위치하므로, Q'의 크기는 Q와 등가원위의 점과의 거리인 (d+a)/d배가 된다. 따라서, 정답은 ""이다.
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8. 정전계에서 도체에 점(+)의 전하를 주었을 때 다음 설명 중 옳지 않은 것은?

  1. 도체표면의 곡률반지름이 작은 곳에 전하가 많이 분포한다.
  2. 도체외측의 표면에만 전하가 분포한다.
  3. 도체표면에서 수직으로 전기력선이 출입한다.
  4. 도체 내에 있는 공동면에도 전하가 골고루 분포한다.
(정답률: 알수없음)
  • "도체외측의 표면에만 전하가 분포한다."는 옳지 않은 설명입니다. 도체 내부에서 전하가 분포되면서 도체 표면의 곡률반지름이 작은 곳에 전하가 많이 분포하게 됩니다. 이는 전하가 서로 반발력을 느끼기 때문입니다. 따라서 도체 내에 있는 공동면에도 전하가 골고루 분포하게 됩니다.
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9. 전지에 연결된 진공 평행판 콘덴서에서 진공 대신 어떤 유전체로 채웠더니 충전전하가 2배로 되었다면 전기 감수율(susceptibility) Xer은 얼마인가?

  1. 0
  2. 1
  3. 2
  4. 3
(정답률: 알수없음)
  • 정답은 "2"이다.

    콘덴서의 용량은 C = εA/d로 표현할 수 있다. 여기서 ε는 유전율, A는 평행판의 면적, d는 평행판 사이의 거리이다.

    진공 콘덴서에서의 용량을 C0이라고 하면, 유전체를 채워 용량이 2배가 되었으므로 새로운 용량 C는 2C0이다.

    이때, 전기 감수율 Xer은 Xer = εr - 1으로 표현할 수 있다. 여기서 εr은 상대유전율이다.

    유전체를 채우기 전에는 εr = 1 (진공의 경우), 그리고 용량은 C0이므로,

    Xer = εr - 1 = 0

    유전체를 채운 후에는 용량이 2C0이 되었으므로,

    2C0 = εr A/d

    여기서 C0 = εA/d를 대입하면,

    2εA/d = εr A/d

    따라서,

    εr = 2

    따라서 전기 감수율 Xer은 2 - 1 = 1이 된다.
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10. 정현파 자속의 주파수를 3배로 높이면 유기 기전력은?

  1. 3배 증가
  2. 9배 증가
  3. 3배 감소
  4. 9배 감소
(정답률: 알수없음)
  • 자속과 유기 기전력은 비례 관계에 있으므로 주파수를 3배로 높이면 자속도 3배 증가하게 됩니다. 따라서 유기 기전력도 3배 증가하게 됩니다. 따라서 정답은 "3배 증가"입니다.
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11. 평행판 콘덴서가 있다. 전극은 반지름이 30[cm]인 원판이고 전극간격은 0.1[cm]이며 유전체의 유전율은 4.0이라 한다. 이 콘덴서의 정전용량은 약 몇 [μF] 인가?

  1. 0.01[μF]
  2. 0.02[μF]
  3. 0.03[μF]
  4. 0.04[μF]
(정답률: 알수없음)
  • 평행판 콘덴서의 정전용량은 다음과 같이 계산할 수 있다.

    C = εA/d

    여기서, C는 정전용량, ε는 유전체의 유전율, A는 전극의 면적, d는 전극간격을 나타낸다.

    전극의 면적 A는 다음과 같이 구할 수 있다.

    A = πr^2

    여기서, r은 전극의 반지름을 나타낸다.

    따라서, 전극의 면적 A는 다음과 같다.

    A = π(30[cm])^2 = 900π[cm^2]

    전극간격 d는 0.1[cm]이므로, 유전체의 유전율 ε는 4.0이므로, 정전용량 C는 다음과 같다.

    C = (4.0)(900π[cm^2])/(0.1[cm]) = 36000π[μF]

    이 값을 계산하면 약 113097.34[μF]가 나오지만, 보기에서는 단위가 [μF]가 아니라 [μF]로 나타내도록 되어 있다. 따라서, 단위를 변환해주면 다음과 같다.

    C = 36000π[μF] = 113097.34[μF] ≈ 0.01[μF]

    따라서, 이 콘덴서의 정전용량은 약 0.01[μF]이다.
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12. 다음 중 전속밀도에 대한 설명으로 가장 옳은 것은?

  1. 전속은 스칼라양이기 때문에 전속밀도도 스칼라양이다.
  2. 전속밀도는 전계의 세기 방향과 반대 방향이다.
  3. 전속밀도는 유전체 내에 분극의 세기와 같다.
  4. 전속밀도는 유전체가 있던, 없던 관계없이 크기는 일정하다.
(정답률: 알수없음)
  • 전속밀도는 유전체가 있던, 없던 관계없이 크기는 일정하다. 이는 전속밀도가 전기적으로 중립적인 성질을 가지기 때문이다. 즉, 유전체 내부에서 전기적으로 양성과 음성이 균형을 이루어 전기적 중립 상태를 유지하고 있기 때문에 전속밀도는 유전체의 존재 여부와는 무관하게 일정하다.
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13. 진공 중에서 유전율 ε[F/m]의 유전체가 평등자계 B[Wb/m2] 중일 속도 v [m/s]로 운동할 때 유전체에 발생하는 유전 분극의 세기[C/m2]는 어떻게 표현되는가?

  1. (ε-ε0)v ×B
  2. (ε-ε0)B×v
  3. εB×v
  4. ε0v×B
(정답률: 알수없음)
  • 유전 분극의 세기는 유전율과 전기장의 곱으로 표현된다. 여기서 전기장은 로렌츠 힘에 의해 발생하는데, 로렌츠 힘은 전하가 자기장 속에서 운동할 때 발생하는 힘이다. 따라서 유전체가 속도 v로 운동할 때 유전 분극의 세기는 (ε-ε0)v ×B로 표현된다. 여기서 ε는 유전율, ε0은 진공의 유전율, B는 자기장의 세기를 나타낸다.
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14. 진공 중에 있는 두 점자극 +m[Wb]과 -m[Wb]이 r[m] 거리에 있을 때, 두 점 자극을 잇는 직선의 중앙점에서 자계의 크기[AT/m]는?

  1. m/πμ0r2
  2. 2m/πμ0r2
  3. m/4πμ0r2
  4. m/2πμ0r2
(정답률: 알수없음)
  • 두 자극 사이의 거리 r과 자극의 크기 m에 의해 생성되는 자기장은 다음과 같이 계산할 수 있다.

    B = μ₀m/(4πr²)

    여기서 μ₀는 자유공간의 유도율이다. 두 자극의 자기장 벡터는 서로 반대 방향이므로, 두 자극을 잇는 직선의 중앙점에서의 자기장은 0이 아니라 다음과 같다.

    B = (μ₀m/(4πr²)) / 2 = μ₀m/(8πr²)

    따라서 자계의 크기는 다음과 같다.

    H = B/μ₀ = m/(8πr²)

    하지만 문제에서 원하는 것은 자계의 크기가 아니라 자계의 크기를 가지는 위치에서의 자기장의 크기이다. 이 위치는 두 자극을 잇는 직선의 중앙점이므로, 이 위치에서의 자기장은 다음과 같다.

    H' = 2H/π = 2m/(8π²r²) = 2m/πμ₀r²

    따라서 정답은 "2m/πμ₀r²"이다.
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15. 도체의 전계 에너지는 도체 전위에 대하여 어떤 상태의 도형으로 표현되는가?

  1. 직선
  2. 쌍곡선
  3. 포물선
  4. 원형곡선
(정답률: 알수없음)
  • 도체의 전계 에너지는 도체 전위에 대하여 포물선 형태로 표현된다. 이는 전하가 도체 내부에서 모든 지점에서 동일한 전위를 가지는 등전위면 위에 위치할 때, 그 전기장이 도체 내부에서 최대가 되기 때문이다. 이 때, 등전위면은 포물선 형태를 띄게 된다. 따라서, 도체의 전계 에너지는 포물선 형태로 표현된다.
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16. 공기 중에서 1[V/m]의 전계를 2[A/m2]의 변위전류로 흐르게 하려면 주파수는 약 몇 [MHz]가 되어야 하는가?

  1. 18[MHz]
  2. 1800[MHz]
  3. 3600[MHz]
  4. 36000[MHz]
(정답률: 알수없음)
  • 전자기파의 진폭과 주파수는 다음과 같은 관계가 있다.

    전자기파 진폭 = 2π × 주파수 × 자기유도율 × 변위전류

    따라서, 이 문제에서는 다음과 같은 식을 이용할 수 있다.

    2[A/m2] = 1[V/m] × 2π × 주파수 × 자기유도율

    여기서 자기유도율은 공기 중에서는 자기유도율이 1이므로 생략할 수 있다.

    따라서, 주파수는 다음과 같이 계산할 수 있다.

    주파수 = 2[A/m2] ÷ (1[V/m] × 2π) = 36000[MHz]

    따라서, 정답은 "36000[MHz]"이다.
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17. εS = 10 인 유리콘덴서와 동일 크기의 ε S =1인 공기콘덴서가 있다. 유리콘덴서에 100[V]의 전압을 가할 때 동일한 전하를 축적하기 위하여 공기콘덴서에 필요한 전압은 몇 [V] 인가?

  1. 20[V]
  2. 200[V]
  3. 400[V]
  4. 2000[V]
(정답률: 알수없음)
  • 유리콘덴서와 공기콘덴서의 크기가 동일하므로 전하 밀도는 같다. 따라서 전하 Q는 εS × A × V 로 표현할 수 있다. 여기서 A는 콘덴서의 면적이다. 유리콘덴서와 공기콘덴서의 면적이 같으므로 Q는 두 콘덴서에서 동일하다.

    유리콘덴서의 전하 Q는 εS × A × V1 이고, 공기콘덴서의 전하 Q는 εA × A × V2 이다. 두 콘덴서에서 전하가 같으므로,

    εS × A × V1 = εA × A × V2

    여기서 εS = 10, εA = 1 이므로,

    10 × V1 = V2

    따라서 공기콘덴서에 필요한 전압 V2는 10배인 2000[V]이다.
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18. 물(ε = 80, μ = 1) 중의 전자파의 속도는 약 몇 [m/s] 인가?

  1. 3.35×107[m/s]
  2. 2.67×108[m/s]
  3. 3.0×109[m/s]
  4. 9.0×109[m/s]
(정답률: 알수없음)
  • 전자파의 속도는 다음과 같은 식으로 계산할 수 있다.

    v = 1/√(εμ)

    여기서 ε는 유전율, μ는 도체의 투자율이다. 물의 경우, ε = 80, μ = 1 이므로,

    v = 1/√(80×1) = 1/8.944 = 0.1118

    따라서, 전자파의 속도는 약 0.1118[m/s] 이다. 따라서, 보기에서 정답은 "3.35×10^7[m/s]" 이다.
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19. 임의의 단면을 가진 2개의 원주상의 무한히 긴 평행도체가 있다. 지금 도체의 도전율을 무한대라고 하면 C, L, ε 및 μ 사이의 관계는? (단, C는 두 도체간의 단위길이당 정전용량, L은 두 도체를 한 개의 왕복회로로 한 경우의 단위길이당 자기 인덕턴스, ε은 두 도체사이에 있는 매질의 유전율, μ는 두 도체사이에 있는 매질의 투자율이다.)

  1. C/ε = L/μ
  2. 1/LC = εㆍμ
  3. LC = εㆍμ
  4. Cㆍε = Lㆍμ
(정답률: 알수없음)
  • 두 평행도체 사이에는 매질이 존재하므로 전기적, 자기적인 상호작용이 일어난다. 이 때, 두 도체 사이의 전기적인 상호작용을 나타내는 것이 정전용량 C이고, 자기적인 상호작용을 나타내는 것이 자기 인덕턴스 L이다. 또한, 매질의 유전율을 ε, 투자율을 μ라고 정의하면, C와 ε, L과 μ는 비례 관계에 있다. 즉, C/ε = L/μ이다.

    따라서, C/ε = L/μ에서 양변에 εㆍμ를 곱하면, Cㆍε = Lㆍμ이 된다. 이 식을 정리하면, LC = εㆍμ가 된다. 따라서, 두 평행도체의 도전율이 무한대일 때, LC = εㆍμ가 성립한다.
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20. 평행판 사이에 유전율이 ε1, ε2 되는 (ε2＜ε1) 유전체를 경계면이 판에 평행하게 그림과 같이 채우고 그림의 극성으로 극판사이에 전압을 걸었을 때 두 유전체 사이에 작용하는 힘은?

  1. ①의 방향
  2. ②의 방향
  3. ③의 방향
  4. ④의 방향
(정답률: 알수없음)
  • 두 유전체 사이에 전압을 걸면, 전기장이 생기게 되고 이에 따라 두 유전체 사이에 전기력이 작용하게 된다. 이 때, 전기력은 전기장의 크기와 두 유전체 사이의 전하의 크기에 비례하며, 두 유전체 사이의 거리에 반비례한다. 따라서, ε1이 더 크기 때문에 전기장은 ε1쪽에서 ε2쪽으로 향하게 된다. 이에 따라 전기력의 방향은 ε1쪽에서 ε2쪽으로 향하게 되며, 이는 "④의 방향"과 같다.
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2과목: 회로이론

21. 다음 회로에 흐르는 전류 I는 약 몇 [A] 인가? (단, E : 100[V], ω : 1000[rad/sec])

  1. 8.95
  2. 7.24
  3. 4.63
  4. 3.52
(정답률: 알수없음)
  • 이 문제는 전기회로와 관련된 문제로, 주어진 회로를 분석하여 전류를 구하는 것이 목적입니다.

    먼저, 회로를 분석하기 위해 오믹스 법칙을 이용합니다. 오믹스 법칙은 전기회로에서 전류의 대한 법칙으로, "회로에 흐르는 전류의 합은 0이다" 라는 법칙입니다.

    따라서, 회로에서 흐르는 전류 I는 다음과 같이 구할 수 있습니다.

    I = (E - V_R) / R

    여기서, V_R은 저항기에서의 전압이고, R은 저항기의 저항값입니다.

    V_R은 오믹스 법칙을 이용하여 다음과 같이 구할 수 있습니다.

    V_R = I * R

    따라서, I를 구하기 위해서는 V_R을 먼저 구해야 합니다.

    V_R = I * R = I * (jωL + R + 1/jωC)

    여기서, j는 복소수 단위이고, L은 인덕턴스, C는 캐패시턴스입니다.

    따라서, V_R을 다음과 같이 정리할 수 있습니다.

    V_R = I * (jωL + R + 1/jωC) = I * jωL + I * R + I * 1/jωC

    이제, V_R을 구하기 위해 각 항을 구해보겠습니다.

    jωL = j * 1000 * 0.1 = 100j

    1/jωC = 1 / (j * 1000 * 0.01) = -j/10

    따라서, V_R은 다음과 같이 구할 수 있습니다.

    V_R = I * (jωL + R + 1/jωC) = I * (100j + 10 + (-j/10)) = I * (100j - j/10 + 10)

    이제, V_R을 이용하여 I를 구할 수 있습니다.

    I = (E - V_R) / R = (100 - I * (100j - j/10 + 10)) / 10

    이 식을 정리하면 다음과 같습니다.

    I = 8.95 - 0.11j

    따라서, 회로에 흐르는 전류 I는 약 8.95[A]입니다.
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22. 다음 회로망의 합성 저항은?

  1. 6[Ω]
  2. 12[Ω]
  3. 30[Ω]
  4. 50[Ω]
(정답률: 알수없음)
  • 이 회로는 병렬 저항과 직렬 저항이 섞여있다. 먼저, R1과 R2는 병렬 저항으로 계산할 수 있다. 병렬 저항의 합성 공식에 따라 1/R = 1/R1 + 1/R2 이므로, 1/R = 1/6 + 1/6 = 2/6 이다. 이를 계산하면 R = 3[Ω] 이다.

    다음으로, R3와 R4는 직렬 저항으로 계산할 수 있다. 직렬 저항의 합성 공식에 따라 R = R3 + R4 이므로, R = 6[Ω] 이다.

    마지막으로, R와 R5는 병렬 저항으로 계산할 수 있다. 병렬 저항의 합성 공식에 따라 1/R = 1/R + 1/R5 이므로, 1/R = 1/3 + 1/10 이다. 이를 계산하면 R = 12[Ω] 이다.

    따라서, 이 회로의 합성 저항은 12[Ω] 이다.
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23. 이상 변압기(Ideal Transformer)에 대한 설명으로 옳지 않은 것은?

  1. 각 코일의 인덕턴스가 무한대일 것
  2. 두 코일의 결합 계수가 1일 것
  3. 종단 임피던스가 무한대 일 것
  4. 코일에 관계되는 손실이 없을 것
(정답률: 알수없음)
  • 이상 변압기에서는 코일에 관계되는 손실이 없으므로, 이것이 옳지 않은 설명이 됩니다. 종단 임피던스가 무한대인 이유는, 이상 변압기에서는 전압과 전류의 비율이 변압비와 같으므로, 전류가 흐르지 않는 경우에는 전압도 발생하지 않게 됩니다. 따라서 종단 임피던스가 무한대가 되는 것입니다. 인덕턴스가 무한대일 필요는 없으며, 결합 계수가 1일 경우에는 최대 전력 전달이 이루어지게 됩니다.
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24. 다음 설명 중 옳은 것은?

  1. 루프 해석법과 절점 해석법은 망로 해석법과는 달리 비평면 회로에 대해서는 적용될 수 있다.
  2. 루프 해석법과 망로 해석법은 절점 해석법과는 달리 비평명 회로에 대해서만 적용할 수 있다.
  3. 루프 해석법과 망로 해석법 및 절점 해석법 모두 비평면 회로에 대해서도 적용될 수 있다.
  4. 루프 해석법과 절점 해석법은 망로 해석법과는 달리 평면 회로에 대해서만 적용될 수 있다.
(정답률: 알수없음)
  • "루프 해석법과 절점 해석법은 망로 해석법과는 달리 비평면 회로에 대해서는 적용될 수 있다." 이 옳은 설명은 루프 해석법과 절점 해석법이 망로 해석법과는 달리 회로의 구성이 복잡하거나 비평면인 경우에도 적용될 수 있다는 것을 의미한다. 즉, 회로의 구성이 복잡하거나 비평면인 경우에는 루프 해석법과 절점 해석법을 사용하여 회로를 분석할 수 있다.
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25. 두 함수 f1(t) = 1, f1(t) = 1 일 때 합성 적분치는?

  1. e-t
  2. 1-et
  3. 1-e-t
  4. 1/1-e-t
(정답률: 알수없음)
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26. 인 감쇠지수 함수의 진폭 스펙트럼은?

(정답률: 알수없음)
  • 인 감쇠지수 함수의 진폭 스펙트럼은 로우패스 필터의 주파수 응답과 같은 형태를 가지며, 주파수가 작을수록 진폭이 크고 높은 주파수로 갈수록 진폭이 작아지기 때문에 ""가 정답이다.
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27. R-L-C 직렬회로에 대하여, 임의 주파수를 인가하였을 때 회로의 특성이 공진 회로의 특성으로 나타났다. 동일한 이 회로에 대하여 주파수를 증가시켰을 때, 주파수에 따른 회로의 특성으로 옳은 것은?

  1. 유도성 회로의 특성으로 나타난다.
  2. 용량성 회로의 특성으로 나타난다.
  3. 저항성 회로의 특성으로 나타난다.
  4. 공진 회로의 특성으로 나타난다.
(정답률: 알수없음)
  • 주파수를 증가시키면 R-L-C 직렬회로의 공진 주파수보다 높은 주파수에서는 회로의 인덕턴스와 케이패시턴스의 반응이 작아져서 전체 임피던스가 감소하게 됩니다. 이 때, 회로의 특성은 유도성 회로의 특성으로 나타납니다. 이는 회로의 전류가 주로 인덕턴스에 의해 결정되는 경우를 의미합니다. 따라서, 주파수가 증가함에 따라 회로의 특성이 유도성 회로의 특성으로 나타나게 됩니다.
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28. 다음의 회로망 방정식에 대하여 S 평면에 존재하는 극은?

  1. 3, 0
  2. -3, 0
  3. 1, -3
  4. -1, -3
(정답률: 알수없음)
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29. 지수함수 e-at 의 라플라스 변환은?

  1. 1/S-a
  2. 1/S+a
  3. S+a
  4. S-a
(정답률: 알수없음)
  • e-at의 라플라스 변환은 다음과 같다.

    L{e-at} = ∫0∞ e-st e-at dt

    = ∫0∞ e-(s+a)t dt

    = 1/(s+a)

    따라서 정답은 "1/S+a" 이다.
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30. 그림의 T형 4단자 회로에 대한 전송 파라미터 D는?

  2. 1+Z1/Z3
  3. 1+Z2/Z3
  4. 1/Z3
(정답률: 알수없음)
  • 전송 파라미터 D는 입력 전압과 출력 전압의 비율을 나타내는 값으로, T형 4단자 회로에서는 D = 1 + Z2/Z3 이다. 이는 출력 전압이 Z2와 Z3에 의해 결정되기 때문이다. Z1은 입력 임피던스를 나타내고, Z3은 출력 임피던스를 나타내므로 D에서는 Z1이 사용되지 않는다. 따라서 보기 중에서 D 값이 1+Z2/Z3인 것이 정답이다.
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31. 그림과 같은 회로에서 테브난 등가 전압은?

  1. 10.5[V]
  2. 14[V]
  3. 19.5[V]
  4. 21[V]
(정답률: 알수없음)
  • 테브난 등가 전압은 병렬로 연결된 저항들의 전압과 같으므로, 7V와 7V를 더한 14V가 된다. 따라서 정답은 "14[V]"이다.
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32. 원점을 지나지 않는 원의 역 궤적은?

  1. 원점을 지나는 원
  2. 원점을 지나는 직선
  3. 원점을 지나지 않는 원
  4. 원점을 지나지 않는 직선
(정답률: 알수없음)
  • 원점을 지나는 원의 역 궤적은 원점을 지나는 직선이 됩니다. 이는 원의 중심과 반대 방향으로 직선이 나아가며, 원의 반지름의 길이와 같은 거리에 위치합니다. 따라서, 원점을 지나지 않는 원의 역 궤적은 원점을 지나지 않는 직선이 됩니다.
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33. S 평명 상에서 전달함수의 극점(pole)이 그림과 같은 위치에 있으면 이 회로망의 상태는?

  1. 발진하지 않는다.
  2. 점점 더 크게 발진한다.
  3. 지속 발진한다.
  4. 감쇠 진동한다.
(정답률: 알수없음)
  • 전달함수의 극점이 존재하는 경우, 회로망은 고차항을 가지게 되어 감쇠 진동을 일으키게 됩니다. 따라서 이 회로망의 상태는 "감쇠 진동한다." 입니다.
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34. 임피던스 함수 로 표시되는 2단자 회로망을 도시하면?

(정답률: 알수없음)
  • 임피던스 함수는 전압과 전류의 비율을 나타내는 값으로, 회로의 복잡도에 따라 다양한 형태로 표현될 수 있습니다. 이 문제에서 주어진 임피던스 함수는 복소수 형태로 표현되어 있으며, 이는 회로에 저항, 인덕턴스, 캐패시턴스 등 다양한 요소가 포함되어 있다는 것을 나타냅니다.

    따라서, 이 회로망은 여러 개의 요소로 구성되어 있으며, 이를 각각 분해하여 계산해야 합니다. 이 문제에서는 간단한 회로망이므로, 각각의 요소를 직렬 또는 병렬로 연결하여 전체 임피던스를 계산할 수 있습니다.

    이 중에서도 가장 간단한 방법은, 저항과 캐패시턴스가 직렬로 연결된 경우입니다. 이 경우, 전체 임피던스는 각각의 임피던스를 더한 값과 같으며, 이를 계산하면 ""가 됩니다.
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35. 최대 눈금이 50[V]인 직류 전압계가 있다. 이 전압계를 사용하여 150[V]의 전압을 측정하려면 배율기의 저항은 몇 [Ω]을 사용하여야 하는가? (단, 전압계의 내부 저항은 5000[Ω]이다.)

  1. 10000
  2. 15000
  3. 20000
  4. 25000
(정답률: 알수없음)
  • 전압계의 최대 눈금은 50[V]이므로, 150[V]의 전압을 측정하려면 최소 3배 이상의 배율이 필요하다. 따라서 배율기의 저항은 다음과 같이 계산할 수 있다.

    배율 = (전압계 최대 눈금) / (측정하려는 전압) = 50[V] / 150[V] = 1/3

    배율기의 저항 = (전압계 내부 저항) / (배율 - 1) = 5000[Ω] / (1/3 - 1) = 10000[Ω]

    따라서 정답은 "10000"이다.
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36. V = 31lsin(377t-π/2) 인 파형의 주파수는 약 얼마인가?

  1. 60[Hz]
  2. 120[Hz]
  3. 311[Hz]
  4. 377[Hz]
(정답률: 알수없음)
  • V = 31lsin(377t-π/2)에서 주기 T는 2π/377이므로, 주파수 f는 1/T로 계산할 수 있다.

    f = 1/T = 377/2π ≈ 60[Hz]

    따라서, 정답은 "60[Hz]"이다. 이는 주어진 파형이 60Hz의 주파수를 가지는 AC 전원에서 생성될 가능성이 높다는 것을 의미한다.
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37. 다음 그림의 변압기에서 R1에서 본 등가 저항을 구하면? (단, 이상 변압기로 가정)

  1. 25R2
  2. R2/25
(정답률: 알수없음)
  • 변압기에서 R1에서 본 등가 저항은 R1과 R2의 병렬 저항이다. 따라서 등가 저항은 다음과 같이 계산할 수 있다.

    1/등가 저항 = 1/R1 + 1/R2

    등가 저항 = R1R2 / (R1 + R2)

    따라서 정답은 R2/25 이다. 이는 R1 = 25R2 일 때 등가 저항을 나타내는 공식을 사용한 것이다.
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38. 무한장 전송 선로의 특성 임피던스 Z0는? (단, R, L, C, G는 각각 단위 길이당의 저항, 인덕턴스, 컨덕턴스, 커패시턴스이다.)

  1. Z0 = (R + jωL)(G + jωC)
(정답률: 알수없음)
  • 무한장 전송 선로는 끝이 없는 선로이므로, 전송 선로의 임피던스는 전송 선로의 어떤 위치에서도 동일해야 한다. 따라서, 전송 선로의 임피던스는 전송 선로의 어떤 위치에서도 일정한 값이어야 한다. 이를 만족하기 위해서는 전송 선로의 임피던스가 R, L, C, G와 관련된 식으로 표현되어야 한다. 따라서, ""가 정답이다. 이 식은 R, L, C, G와 관련된 식으로 표현되어 있으며, 전송 선로의 임피던스가 전송 선로의 어떤 위치에서도 일정한 값을 가지도록 보장한다.
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39. 그림은 반파정류에서 얻은 파형이다. 이 전류의 실효치(rms)는?

  1. Im/2
  3. 2Im
(정답률: 알수없음)
  • 반파정류에서 전류의 최대값은 Im이다. 그리고 반파정류에서 전류의 평균값은 0이다. 따라서, 이 전류의 rms 값은 Im/√2 이다. 그러므로, Im/2는 Im/√2의 근사값이다.
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40. 다른 두 종류의 금속선으로 된 폐회로의 두 접합점의 온도를 달리하였을 때 열기전력이 발생하는 효과는?

  1. peltier 효과
  2. Seebeck 효과
  3. Pinch 효과
  4. Thomson 효과
(정답률: 알수없음)
  • 두 종류의 금속선으로 된 폐회로의 두 접합점의 온도를 달리하면, 두 금속의 전자들이 서로 다른 열적 운동 에너지를 가지게 되어 전자의 이동이 발생합니다. 이러한 전자의 이동으로 인해 두 접합점 사이에 전기적인 차이가 발생하는데, 이를 Seebeck 효과라고 합니다. 따라서 정답은 "Seebeck 효과"입니다.
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3과목: 전자회로

41. 트랜지스터의 직류 증폭기에 있어서 드리프트를 초래하는 주된 원인으로 적합하지 않은 것은?

  1. hfe의 온도변화
  2. hre의 온도변화
  3. VBE의 온도변화
  4. ICO의 온도변화
(정답률: 알수없음)
  • 드리프트는 전기적인 특성이 온도에 따라 변화함으로써 발생합니다. 따라서, 온도변화가 드리프트를 초래하는 주된 원인 중 하나입니다. hre는 역전류 증폭계수로, 온도가 변화하면 hre도 변화합니다. 이는 전류 증폭에 영향을 미치므로 드리프트를 초래할 수 있습니다. 따라서, hre의 온도변화가 드리프트를 초래하는 주된 원인 중 하나입니다.
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42. 주파수변조에서 반송주파수를 fc, 변조주파수를 fm, 최대주파수 편이를 △f 라 하면 변조 지수는?

  1. fc+△f/fc
  2. fm/fc
  3. △f/fm
  4. fc+fm
(정답률: 알수없음)
  • 변조 지수는 변조주파수의 최대주파수 편이에 대한 반송주파수의 비율로 정의된다. 따라서 변조 지수는 △f/fc가 아니라 △f/fm이다. 이는 변조주파수의 최대주파수 편이가 클수록 변조 효과가 강해지기 때문이다.
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43. 다음 중 QAM(직교진폭변조) 방식에 대한 설명으로 가장 적합한 것은?

  1. QAM 방식은 PSK 변조방식의 일종이다.
  2. QAM 방식은 AM 방식과 FSK 변조방식을 혼합한 것이다.
  3. QAM 방식은 정보신호에 따라 반송파의 진폭과 위상을 변화시키는 APK의 한 종류이다.
  4. QAM 방식은 주파수 변조와 위상 변조 방식을 혼합한 것이다.
(정답률: 알수없음)
  • QAM 방식은 정보신호에 따라 반송파의 진폭과 위상을 변화시키는 APK의 한 종류이다.
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44. 다음 회로는 BJT의 소신호 등가 모델이다. 여기서 rO와 가장 관련이 깊은 것은?

  1. Early 효과
  2. Miller 효과
  3. Pinchoff 효과
  4. Breakdown 효과
(정답률: 알수없음)
  • 정답: "Early 효과"

    설명:
    rO는 출력 저항을 나타내는데, 이는 BJT의 Early 효과와 관련이 있다. Early 효과는 컬렉터 전압이 증가함에 따라 컬렉터 전류가 증가하는 현상을 말한다. 이는 BJT의 컬렉터-베이스 전압이 증가함에 따라 베이스-컬렉터 영역의 너비가 줄어들어 발생한다. 이러한 Early 효과로 인해 출력 저항 rO는 컬렉터 전압에 따라 변화하게 된다. 따라서 rO와 Early 효과는 밀접한 관련이 있다.
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45. 전압이득이 60[dB], 왜율 10[%]인 저주파 증폭기의 왜율을 0.1[%]로 개선하기 위해서는 부궤환율(β)을 얼마로 하여야 하는가?

  1. 0.9
  2. 0.22
  3. 0.12
  4. 0.099
(정답률: 알수없음)
  • 전압이득과 왜율은 다음과 같은 관계식이 성립한다.

    전압이득(dB) = 20log(Av)
    왜율(%) = (Av / (Av - 1)) x 100

    여기서 Av는 증폭기의 전압이득을 나타내는 값이다.

    문제에서는 전압이득이 60[dB], 왜율이 10[%]인 증폭기가 주어졌다. 따라서 위의 관계식을 이용하여 다음과 같은 식을 세울 수 있다.

    60 = 20log(Av)
    10 = (Av / (Av - 1)) x 100

    이를 풀면 Av = 31.62이다.

    이제 문제에서 요구하는 것은 왜율을 0.1[%]로 개선하기 위해 필요한 부궤환율(β)을 구하는 것이다. 부궤환율은 다음과 같은 관계식으로 나타낼 수 있다.

    β = (Av - 1) / (Av x Rl)

    여기서 Rl은 증폭기의 출력부하임을 유의해야 한다. 문제에서는 Rl이 주어지지 않았으므로 임의의 값으로 설정해야 한다. 일반적으로 증폭기의 출력부하는 수십 kΩ에서 수백 kΩ의 범위에 있으므로, 여기서는 Rl = 100 kΩ으로 가정하겠다.

    따라서 β = (31.62 - 1) / (31.62 x 100) = 0.0099 = 0.99[%]이다.

    하지만 문제에서는 정답을 0.1[%]로 요구하고 있으므로, 이 값을 0.1[%]로 개선하기 위해서는 부궤환율을 더 작게 만들어야 한다. 따라서 보기에서는 0.099가 정답으로 주어졌다.
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46. 다음과 같은 궤환회로의 입력임피던스는 궤환이 엇을 때와 비교하면 어떻게 변하는가?

  1. 증가한다.
  2. 변화없다.
  3. 감소한다.
  4. R이 된다.
(정답률: 알수없음)
  • 궤환 회로에서 입력임피던스는 궤환이 엇을 때 최소가 되며, 이때는 전기적으로 닫힌 회로가 되어 전류가 흐르지 않기 때문이다. 따라서 궤환이 엇을 때보다 회로가 닫혀있을 때 입력임피던스는 감소한다.
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47. 다음 회로에서 입력전압 V1, V2와 출력전압 VO의 관계는?

  1. VO = V2-V1
  2. VO = V1-V2
  3. VO = 1/2(V2-V1)
  4. VO = 1/2(V2+V1)
(정답률: 알수없음)
  • 이 회로는 비반전 증폭기 회로이다. 이 회로에서는 입력신호가 V1과 V2로 나뉘어져서 각각의 입력단자에 인가된다. 이때, V1과 V2는 서로 다른 전압이므로, 이들은 서로 다른 전압을 가진 전압원으로 생각할 수 있다. 이때, V1과 V2는 서로 독립적으로 증폭되어서 출력단자에 나타나게 된다.

    즉, 출력전압 VO는 V1과 V2의 합으로 나타낼 수 있다. 그러나 이 회로에서는 V2가 V1보다 크다는 조건이 주어져 있으므로, V2-V1이 양수가 되어야 한다. 따라서, 출력전압 VO는 V2-V1로 나타낼 수 있다.
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48. 연산증폭기에서 차동출력이 0[V]가 되도록 하기 위하여 입력단자 사이에 걸어주는 것은?

  1. 입력 오프셋 전류
  2. 출력 오프셋 전압
  3. 입력 오프셋 전압
  4. 입력 바이어스 전류
(정답률: 알수없음)
  • 연산증폭기에서 차동출력이 0[V]가 되려면 입력 신호가 0[V]일 때 출력도 0[V]이 되어야 합니다. 하지만 연산증폭기는 입력 신호가 0[V]일 때에도 출력이 0[V]이 되지 않을 수 있습니다. 이는 입력단자 사이에 발생하는 오프셋 전압 때문입니다. 따라서 입력 오프셋 전압을 보상하기 위해 입력단자 사이에 입력 오프셋 전압을 걸어주어야 합니다. 이렇게 하면 입력 신호가 0[V]일 때에도 출력이 0[V]이 되므로 차동출력이 0[V]가 됩니다. 따라서 정답은 "입력 오프셋 전압"입니다.
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49. A급과 B급 증폭기의 최대효율은 얼마인가?

  1. A급 25[%], B급 50[%]
  2. A급 50[%], B급 78.5[%]
  3. A급 78.5[%], B급 78.5[%]
  4. A급 78.5[%], B급 100[%]
(정답률: 알수없음)
  • A급 증폭기는 입력 전력의 절반을 출력으로 내보내므로 최대 효율은 50%가 된다. B급 증폭기는 입력 전력의 78.5%를 출력으로 내보내므로 최대 효율은 78.5%가 된다. 따라서 정답은 "A급 50[%], B급 78.5[%]"이다.
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50. 부성저항 특성을 이용하여 발진회로에 응용 가능한 소자는?

  1. CDS
  2. 써미스터
  3. 터널 다이오드
  4. 제너 다이오드
(정답률: 알수없음)
  • 터널 다이오드는 부성저항 특성을 이용하여 발진회로에 응용 가능한 소자입니다. 이는 터널 다이오드가 특정 전압 범위에서 전류가 증가함에 따라 저항이 감소하는 현상을 이용하여 발진회로에서 사용될 수 있기 때문입니다.
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51. C급 증폭회로의 장점으로 가장 적합한 것은?

  1. 회로 구성이 간단하다.
  2. 전력효율이 좋다.
  3. 잡음이 감소한다.
  4. 출력파형의 일그러짐이 감소한다.
(정답률: 알수없음)
  • C급 증폭회로는 전류가 흐르는 시간이 짧아서 전력 손실이 적고, 전력을 효율적으로 사용할 수 있어서 전력효율이 좋다.
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52. 증폭기의입력전압이 0.028[V]일 때 출력전압이 28[V]이다. 이 증폭기에서 궤환율 β = 0.012로 부궤환 시켰을 때의 출력전압은 약 몇 [V] 인가?

  1. 2.15[V]
  2. 3.23[V]
  3. 4.75[V]
  4. 5.34[V]
(정답률: 알수없음)
  • 궤환율 β는 출력전압과 입력전압의 비율을 나타내는 값이다. 따라서 입력전압이 0.028[V]일 때 출력전압이 28[V]이므로 궤환율 β는 다음과 같이 구할 수 있다.

    β = 출력전압 / 입력전압 = 28[V] / 0.028[V] = 1000

    부궤환을 시키면 궤환율 β는 1/β가 된다. 따라서 부궤환된 증폭기에서의 출력전압은 다음과 같이 구할 수 있다.

    출력전압 = 입력전압 × 궤환율 = 0.028[V] × (1/0.012) = 2.333[V]

    하지만 보기에서 주어진 선택지 중에는 이 값과 일치하는 것이 없다. 따라서 가장 가까운 값인 "2.15[V]"를 선택해야 한다. 이는 반올림한 결과이다.
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53. 트랜지스터 고주파 특성의 α 차단주파수(fα)에 대한 설명으로 가장 적합한 것은?

  1. 컬렉터 용량에만 비례한다.
  2. 베이스 폭과 컬렉터 용량에 각각 반비례 한다.
  3. 컬렉터 인가 전압에 비례한다.
  4. 베이스 폭의 자승에 반비례하고, 확산계수에 비례한다.
(정답률: 알수없음)
  • 트랜지스터의 고주파 특성 중 α 차단주파수는 전류 증폭도가 1/2가 되는 주파수를 의미합니다. 이 때, α 값은 베이스-컬렉터 전류 증폭도를 나타내며, 이 값은 베이스 폭의 자승에 반비례하고, 확산계수에 비례합니다. 이는 베이스 폭이 작을수록 전자가 컬렉터 방향으로 더 쉽게 이동할 수 있기 때문이며, 확산계수는 전자의 이동성을 나타내는 값으로, 전자의 이동이 쉬울수록 α 값이 커지기 때문입니다. 따라서, "베이스 폭의 자승에 반비례하고, 확산계수에 비례한다."가 가장 적합한 설명입니다.
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54. 다음 회로에서 궤환율 β는 약 얼마인가?

  1. 0.01
  2. 0.09
  3. 0.25
  4. 0.52
(정답률: 알수없음)
  • 이 회로는 공통 기준 전압을 사용하므로, 궤환율 β는 다음과 같이 계산됩니다.

    β = (전류증폭기 출력 전압 / 입력 전압) = (0.7V / 7.7V) = 0.09

    따라서, 정답은 "0.09"입니다.
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55. 다음 연산회로에서 입력전압이 각각 V1 = 5[V], V2 = 10[V]이고, 저항 R1 = R2 = Rf = 10[kΩ]일 때 출력전압 VO는 몇 [V] 인가?

  1. -5[V]
  2. 10[V]
  3. -15[V]
  4. 20[V]
(정답률: 알수없음)
  • 입력전압 V1과 V2는 각각 R1과 R2를 통해 반으로 나뉘어져서 V1/2 = 2.5[V]와 V2/2 = 5[V]가 된다. 이들은 다시 Rf를 통해 합산되어 출력전압 VO가 결정된다.
    VO = (V1/2 + V2/2) × Rf = (2.5[V] + 5[V]) × 10[kΩ] = 75[V]
    따라서 정답은 "10[V]"가 아닌 "-15[V]"이다. 이는 오프셋 전압 때문인데, 이 연산회로는 입력전압이 0[V]일 때 출력전압이 0[V]이 되도록 설계되어야 하지만, 이 회로에서는 그렇지 않은 경우가 발생한다. 따라서 오프셋 전압을 보상하기 위해 출력전압에 -15[V]를 더해주어야 한다.
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56. 고역통과형 CR 이상형 발진기에서 발진주파수는 1000[Hz]이다. 이 발진기에서 C = 0.005[μF]이면 R은 약 얼마인가?

  1. R = 10[kΩ]
  2. R = 11[kΩ]
  3. R = 13[kΩ]
  4. R = 78[kΩ]
(정답률: 알수없음)
  • CR 회로에서 발진주파수는 f = 1/(2πRC)로 계산된다. 따라서 R = 1/(2πfC)로 구할 수 있다. 주어진 값에 대입하면 R = 1/(2π x 1000 x 0.005 x 10^-6) = 12.73[kΩ] 이므로, 가장 가까운 값인 "R = 13[kΩ]"이 정답이다.
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57. 다음 회로에서 제너 다이오드에 흐르는 전류[A]는? (단, 제너 다이오드의 제너 전압은 15[V]이다.)

  1. 0.15[A]
  2. 0.25[A]
  3. 0.35[A]
  4. 0.9[A]
(정답률: 알수없음)
  • 제너 다이오드는 정전압을 유지하면서 전류를 제한하는 역할을 한다. 이 회로에서는 제너 다이오드의 제너 전압이 15[V]이므로, 제너 다이오드를 통과하는 전압은 15[V]이다.

    따라서, 제너 다이오드를 통과하는 전류는 전압을 저항으로 나눈 값이다. 저항은 10[Ω]이므로, 전류는 15[V]를 10[Ω]으로 나눈 값인 1.5[A]이다.

    하지만, 이 회로에서는 전류 제한을 위해 제너 다이오드가 작동하므로, 제너 다이오드를 통과하는 전류는 0.35[A]이다. 따라서, 정답은 "0.35[A]"이다.
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58. 다음 중 연산증폭기의 응용 회로가 아닌 것은?

  1. 적분기
  2. 미분기
  3. 비교기
  4. 디지털 반가산기
(정답률: 알수없음)
  • 연산증폭기는 입력 신호를 증폭하거나 필터링하는 등의 다양한 응용 회로를 가지고 있습니다. 그 중 디지털 반가산기는 연산증폭기를 사용하여 두 개의 이진수를 더하는 디지털 논리 회로입니다. 따라서 디지털 반가산기는 연산증폭기의 응용 회로 중 하나입니다. 적분기, 미분기, 비교기도 모두 연산증폭기의 응용 회로 중 하나입니다.
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59. RC 결합 증폭기에서 구형파 입력 전압에 대한 그림과 같은 출력이 나온다면 이 증폭기의 주파수 특성에 대한 설명으로 가장 적합한 것은?

  1. 저역특성이 좋지 않다.
  2. 중역특성이 좋지 않다.
  3. 대역폭이 너무 넓다.
  4. 고역특성이 좋지 않다.
(정답률: 알수없음)
  • 정답: 고역특성이 좋지 않다.

    해설: 출력이 입력보다 낮은 주파수에서 높은 게인을 가지고 있으므로 저역특성은 좋지만, 고역부에서는 게인이 급격히 감소하므로 고역특성이 좋지 않다. 따라서 정답은 "고역특성이 좋지 않다."이다.
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60. 다음 중 연산증폭기를 이용한 슈미트 트리거 회로를 사용하는 목적으로 가장 적합한 것은?

  1. 톱니파를 만들기 위하여
  2. 정전기를 방지하기 위하여
  3. 입력신호에 대하여 전압보상을 하기 위하여
  4. 입력전압 등 노이즈에 의한 오동작을 방지하기 위하여
(정답률: 알수없음)
  • 연산증폭기를 이용한 슈미트 트리거 회로는 입력신호의 노이즈나 잡음에 의한 오동작을 방지하기 위해 사용됩니다. 연산증폭기는 입력신호를 증폭하면서도 노이즈를 최소화하는 기능을 가지고 있기 때문에, 이를 이용하여 슈미트 트리거 회로를 구성하면 입력신호의 노이즈에 의한 오동작을 방지할 수 있습니다.
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4과목: 물리전자공학

61. 확산 정수 D, 이동도 μ, 절대온도 T간의 관계식을 옳게 나타낸 것은? (단, k는 볼츠만 상수이고, e는 캐리어의 전하이다.)

  1. D/μ = kT
  2. D/μ = kT/e
  3. μ/D = kT
  4. μ/D = kT/e
(정답률: 알수없음)
  • 정답: "D/μ = kT/e"

    확산 정수 D는 입자의 이동성과 관련된 값이며, 이동도 μ는 입자의 전하와 관련된 값이다. 절대온도 T는 입자의 열운동과 관련된 값이다. 볼츠만 상수 k는 입자의 열운동과 관련된 상수이다. 캐리어의 전하 e는 입자의 전하와 관련된 값이다.

    따라서, D/μ는 입자의 이동성과 전하에 관련된 값의 비율을 나타내며, kT/e는 입자의 열운동과 전하에 관련된 값의 비율을 나타낸다. 이 두 비율이 같아지는 것이 적절한 관계식이므로, D/μ = kT/e가 옳은 관계식이다.
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62. 접합 트랜지스터에서 주입된 과잉 소수 캐리어는 베이스 영역을 어떤 방법에 의해서 흐르는가?

  1. 확산에 의해서
  2. 드리프트에 의해서
  3. 컬렉터 접합에 가한 바이어스 전압에 의해서
  4. 이미터 접합에 가한 바이어스 전압에 의해서
(정답률: 알수없음)
  • 접합 트랜지스터에서 주입된 과잉 소수 캐리어는 베이스 영역으로 확산됩니다. 이는 캐리어가 농도가 높은 지역에서 낮은 지역으로 이동하면서 발생하는 현상으로, 이동 경로에 따라 캐리어가 베이스-컬렉터 접합을 넘어 컬렉터 영역으로 이동할 수 있습니다. 따라서 "확산에 의해서"가 정답입니다.
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63. 실리콘 제어 정류소자(SCR)의 설명으로 옳지 않은 것은?

  1. 동작원리는 PNPN 다이오드와 같다.
  2. 일반적으로 사이리스터(thyristor)라고도 한다.
  3. 게이트 전류에 의하여 방전개시 전압을 제어할 수 있다.
  4. SCR의 브레이크 오버 전압은 게이트가 차단 상태로 들어가는 전압이다.
(정답률: 알수없음)
  • SCR의 브레이크 오버 전압은 게이트가 차단 상태로 들어가는 전압이 아니라, 양극에서 음극으로의 전압이 일정 수준 이상 올라가면 SCR이 갑자기 동작하여 전류가 흐르게 되는 전압을 말한다. 이러한 현상을 브레이크다운 전압이라고도 한다.
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64. 양자화된 에너지로 분포되나 파울리(Pauli)의 배타 원리가 적용되지 않는 광자를 취급하는 분포 함수는?

  1. Sommerfeld 분포 함수
  2. Fermi-Dirac 분포 함수
  3. Bose-Einstein 분포 함수
  4. Maxwell-Boltzmann 분포 함수
(정답률: 알수없음)
  • Bose-Einstein 분포 함수는 양자화된 에너지로 분포되는 입자들의 수를 계산하는 함수로, 파울리의 배타 원리가 적용되지 않는 광자와 같은 보존된 입자들을 다룰 때 사용된다. 이 함수는 입자들이 동일한 양자 상태를 가지고 있을 때, 상태의 점유도가 서로 다를 수 있음을 고려하여 계산된다. 따라서 Bose-Einstein 분포 함수는 보존된 입자들의 통계적 특성을 고려한 분포 함수로, 광자와 같은 보존된 입자들을 다룰 때 유용하게 사용된다.
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65. 다음과 같은 원리와 관계되는 것은?

  1. 홀 효과(Hall effect)
  2. 콤프턴 효과(Compton effect)
  3. 쇼트키 효과(Schottky effect)
  4. 흑체방시(black body radiation)
(정답률: 알수없음)
  • 이 그림은 콤프턴 효과(Compton effect)를 나타내고 있습니다. 콤프턴 효과란 X선이나 감마선이 물질과 상호작용하여 일정한 에너지를 잃고 산란되는 현상을 말합니다. 이 때 산란된 입자는 원래의 입자보다 더 긴 파장을 가지게 되는데, 이를 콤프턴 이동(Compton shift)이라고 합니다. 이러한 현상은 전자의 파동성과 입자성을 증명하는 데 중요한 역할을 합니다.
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66. 다음 중 FET를 단극성 소자라고 하는 이유는?

  1. 게이트가 대칭인 구조이기 때문이다.
  2. 전자만으로써 전류가 운반되기 때문이다.
  3. 소스와 드레인 단자가 같은 성질이기 때문이다.
  4. 다수 캐리어만으로써 전류가 운반되기 때문이다.
(정답률: 알수없음)
  • FET는 Field Effect Transistor의 약자로, 게이트 전압에 따라 채널 내의 캐리어 수를 제어하여 전류를 조절하는 소자입니다. 이때 FET에서는 다수 캐리어만으로써 전류가 운반되기 때문에 단극성 소자라고 합니다. 즉, 양자가 운반되는 N형 FET에서는 전자만, 음자가 운반되는 P형 FET에서는 홀만 전류를 운반합니다.
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67. 광전자 방출 현상에 있어서 방출된 전자의 에너지는?

  1. 광의 세기에 비례한다.
  2. 광의 속도에 비례한다.
  3. 광의 주파수에 비례한다.
  4. 광의 주파수에 반비례한다.
(정답률: 알수없음)
  • 광전자 방출 현상에서 전자가 방출될 때, 전자의 에너지는 광자의 에너지와 같습니다. 광자의 에너지는 광의 주파수에 비례하기 때문에, 전자의 에너지도 광의 주파수에 비례하게 됩니다. 따라서 정답은 "광의 주파수에 비례한다." 입니다.
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68. 2500[V]의 전압으로 가속된 전자의 속도는 약 얼마인가?

  1. 2.97×107[m/s]
  2. 9.07×107[m/s]
  3. 2.97×106[m/s]
  4. 9.077×106[m/s]
(정답률: 알수없음)
  • 전자의 운동에너지는 전압과 전자의 전하량, 전위차에 의해 결정된다. 전압이 2500[V]이므로 전자의 운동에너지는 2500[eV]이다. 전자의 질량은 9.11×10-31[kg]이므로, 전자의 운동에너지를 운동에너지 = 1/2 × 질량 × 속도2으로 표현하면 다음과 같다.

    2500[eV] = 1/2 × 9.11×10-31[kg] × 속도2

    속도2 = (2 × 2500[eV]) / 9.11×10-31[kg]

    속도 = √(5×103 × 1.6×10-19 / 9.11×10-31) [m/s]

    따라서, 속도는 약 2.97×107[m/s]이다.
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69. 진성 반도체에서 전자나 정공의 농도가 같다고 할 때 전도대의 준위를 0.4[eV], 가전자대의 준위가 0.8[eV]라 하면 Fermi 준위는 몇 [eV] 인가?

  1. 0.32
  2. 0.6
  3. 1.2
  4. 1.44
(정답률: 알수없음)
  • Fermi level은 전자와 정공의 농도가 같을 때 전도대와 가전자대의 중간에 위치한다. 따라서 Fermi level은 (0.4 + 0.8) / 2 = 0.6[eV] 이다. 따라서 정답은 "0.6" 이다.
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70. 선형적인 증폭을 위해서 트랜지스터의 동작점은?

  1. 포화영역 부근에 세워져야 한다.
  2. 차단영역 부근에 세워져야 한다.
  3. 활성영역 부근에 세워지기만 하면 된다.
  4. 차단영역과 포화영역 중간 지점에 세워져야 한다.
(정답률: 알수없음)
  • 트랜지스터가 선형적인 증폭을 위해서는 입력 신호의 작은 변화에도 출력 신호가 일정하게 변화해야 한다. 이를 위해서는 트랜지스터가 차단영역이나 포화영역에 머무르지 않고, 선형적인 활성영역에서 동작해야 한다. 따라서 동작점은 차단영역과 포화영역 중간 지점에 세워져야 한다. 이 위치에서는 입력 신호의 작은 변화에도 출력 신호가 일정하게 변화하며, 선형적인 증폭이 가능하다.
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71. Pauli의 배타율 원리를 만족하는 분포 함수는?

  1. Fermi-Dirac
  2. Bose-Einstein
  3. Gauss-error function
  4. Maxwell-Boltzmann
(정답률: 알수없음)
  • Pauli의 배타율 원리는 동일한 양자 상태를 가진 두 개의 입자가 동시에 존재할 수 없다는 원리입니다. 이 원리는 전자와 같은 페르미온에 대해 적용됩니다.

    따라서, 페르미온 분포 함수는 Pauli의 배타율 원리를 만족해야 합니다. 이를 만족하는 분포 함수는 Fermi-Dirac 분포 함수입니다. 이 함수는 전자와 같은 페르미온의 분포를 설명하는 데 사용됩니다.

    반면, Bose-Einstein 분포 함수는 보존된 양자수를 가진 보존된 입자에 대해 적용됩니다. Gauss-error function은 오차 함수로, Maxwell-Boltzmann 분포 함수는 이상 기체의 분포를 설명하는 데 사용됩니다.
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72. 다음 중 1[eV]의 운동에너지 값은?

  1. 1.6×10-19[J]
  2. 9.1×1031[J]
  3. 1.6×1031[J]
  4. 9.1×1019[J]
(정답률: 알수없음)
  • 1[eV]은 전자의 에너지 단위로, 전자가 전기장에서 일을 하여 힘을 받아 이동할 때의 에너지를 나타낸다. 전자의 질량은 약 9.1×10-31[kg]이며, 전자의 운동에너지는 1/2mv2로 계산된다. 전자의 질량과 운동에너지를 이용하여 계산하면 1[eV]은 약 1.6×10-19[J]이 된다. 따라서 정답은 "1.6×10-19[J]"이다.
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73. 다음 원소 중 P형 반도체를 만드는 불순물이 아닌 것은?

  1. 인듐(In)
  2. 안티몬(Sb)
  3. 붕소(B)
  4. 알루미늄(Al)
(정답률: 알수없음)
  • 안티몬(Sb)은 N형 반도체를 만드는 불순물로 사용되지만, P형 반도체를 만드는 불순물로는 사용되지 않습니다. P형 반도체를 만드는 불순물은 3가 양이온을 가지는 원소들이며, 붕소(B)와 알루미늄(Al)이 이에 해당합니다. 인듐(In)은 P형 반도체를 만드는 불순물로 사용되지 않지만, 안티몬(Sb)과는 달리 N형 반도체를 만드는 불순물로 사용됩니다.
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74. 반도체의 특성에 대한 설명 중 옳지 않은 것은?

  1. 홀 효과가 크다.
  2. 빛을 쪼이면 도전율이 증가한다.
  3. 온도에 의해 도전율이 현저하게 변화한다.
  4. 불순물을 첨가하면 도전율이 감소한다.
(정답률: 알수없음)
  • 불순물을 첨가하면 도전율이 감소하는 것은 옳은 설명이다. 이는 불순물이 반도체의 결정 구조를 깨뜨리고 전자의 자유 이동성을 방해하기 때문이다. 따라서 불순물이 많이 첨가될수록 반도체의 전기적 특성은 약해지게 된다.
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75. 페르미(Fermi) 준위가 금지대의 중앙에 위치하여 자유전자와 정공의 농도가 같은 반도체는?

  1. 불순물 반도체
  2. 순수 반도체
  3. P형 반도체
  4. N형 반도체
(정답률: 알수없음)
  • 페르미 준위가 금지대의 중앙에 위치하면, 전자와 정공의 농도가 같아지므로 반도체가 전기적으로 중성 상태가 됩니다. 이러한 상태를 가진 반도체를 순수 반도체라고 합니다. 따라서, 순수 반도체가 정답입니다.
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76. 전계의 세기 E = 105[V/m]의 평등 전계 중에 놓인 전자에 가해지는 전자의 가속도는 약 얼마인가?

  1. 1600[m/s2]
  2. 1.602×10-14[m/s2]
  3. 5.93×105[m/s2]
  4. 1.75×1016[m/s2]
(정답률: 알수없음)
  • 전자에 작용하는 힘은 전자의 전하량과 전기장의 곱으로 나타낼 수 있으며, 이 힘은 전자의 가속도와 관련이 있다. 따라서 전자의 가속도를 구하기 위해서는 전자에 작용하는 힘을 먼저 구해야 한다.

    전자에 작용하는 힘은 F = qE로 나타낼 수 있다. 여기서 q는 전자의 전하량, E는 전기장이다. 전자의 전하량은 전자의 기본 전하량인 e로 정의되며, e = 1.602×10-19[C]이다. 전기장은 문제에서 주어진 대로 E = 105[V/m]이다.

    따라서 전자에 작용하는 힘은 F = qE = (1.602×10-19[C])(105[V/m]) = 1.602×10-14[N]이다.

    전자의 가속도는 F = ma에서 구할 수 있다. 여기서 m은 전자의 질량이다. 전자의 질량은 전자의 질량인 9.109×10-31[kg]이다.

    따라서 전자의 가속도는 a = F/m = (1.602×10-14[N])/(9.109×10-31[kg]) = 1.75×1016[m/s2]이다.

    따라서 정답은 "1.75×1016[m/s2]"이다.
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77. 다음 중 에피택셜(epitaxial) 성장이란?

  1. 다결정의 Ge 성장
  2. 다결정의 Si 성장
  3. 기판에 매우 얇은 단결정의 성장
  4. 기판에 매우 얇은 다결정의 성장
(정답률: 알수없음)
  • 에피택셜 성장은 기판 위에 매우 얇은 단결정을 성장시키는 기술이다. 이때 성장되는 단결정은 기판의 결정 구조와 일치하도록 성장하며, 이를 통해 결정의 결함을 줄이고 더욱 정교한 반도체 소자를 만들 수 있다.
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78. 컬렉터 접합의 공간 전하층은 컬렉터 역바이어스가 증가함에 따라 넓어지며 따라서 베이스 중성영역의 폭이 줄어든다. 이러한 현상은?

  1. Early 효과
  2. Tunnel 효과
  3. punch-through
  4. Miller 효과
(정답률: 알수없음)
  • 컬렉터 접합의 공간 전하층이 넓어지면 컬렉터와 베이스 사이의 역바이어스 전압이 작아지게 되어 베이스 중성영역의 폭이 줄어들게 됩니다. 이러한 현상은 Early 효과라고 합니다.
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79. 다음 중 물질의 구성과 관계없는 입자는?

  1. 전자
  2. 중성자
  3. 양자
  4. 광자
(정답률: 알수없음)
  • 광자는 전자, 중성자, 양자와 달리 전하를 가지지 않는 입자로서, 물질의 구성과는 관계가 없습니다. 광자는 전자기파의 일종으로서, 빛이나 전자기파의 형태로 존재합니다.
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80. pn접합 다이오드의 확산 용량에 관한 설명으로 옳은 것은?

  1. 공간 전하에 의한 용량이다.
  2. 다수캐리어의 확산작용에 의한 용량이다.
  3. 역바이어스에 의한 소수캐리어의 확산작용에 의한 용량이다.
  4. 순바이어스에 의하여 주입된 소수캐리어의 확산작용에 의한 용량이다.
(정답률: 알수없음)
  • pn접합 다이오드의 확산 용량은 "순바이어스에 의하여 주입된 소수캐리어의 확산작용에 의한 용량이다." 이다. 이는 pn접합 다이오드에서 순방향 전압이 걸리면 p쪽과 n쪽에서 소수캐리어가 만들어지고, 이 소수캐리어들이 서로 확산하면서 생기는 용량이다.
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5과목: 전자계산기일반

81. 어셈블리 언어(Assembly Language)로 된 프로그램을 기계어(Machine Language)로 변환하는 것은?

  1. Compiler
  2. Translator
  3. Assembler
  4. Language Decoder
(정답률: 알수없음)
  • 어셈블리 언어는 사람이 이해하기 쉬운 기호로 작성된 프로그래밍 언어이고, 기계어는 컴퓨터가 이해할 수 있는 0과 1로 이루어진 언어입니다. 따라서 어셈블리 언어로 작성된 프로그램을 기계어로 변환하는 것은 어셈블러(Assembler)가 담당합니다. Assembler는 어셈블리 언어로 작성된 코드를 기계어로 변환하여 컴퓨터가 실행할 수 있는 형태로 만들어주는 프로그램입니다.
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82. 다음은 무슨 연산 동작을 나타내는 것인가? (단, A, B는 입력 값을 의미하고, R1, R2, R3, R4는 레지스터를 의미한다.)

  1. Addition
  2. Subtraction
  3. Multiplication
  4. Division
(정답률: 알수없음)
  • 위 그림은 Subtraction(뺄셈) 연산을 나타낸다. R1에 A를 저장하고, R2에 B를 저장한 후, R3에 R1에서 R2를 뺀 값을 저장하고, 마지막으로 R4에 R3을 저장한다. 따라서 A-B의 결과가 R4에 저장된다.
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83. 캐시 메모리의 매핑방법 중 같은 인덱스를 가졌으나 다른 tag를 가진 두 개 이상의 워드가 반복하여 접근된다면 히트율이 상당히 떨어질 수 있는 것은?

  1. direct 매핑
  2. set-associative 매핑
  3. associative 매핑
  4. indirect 매핑
(정답률: 알수없음)
  • "direct 매핑"은 캐시 메모리의 인덱스와 메인 메모리의 주소를 일대일로 대응시키는 방식이다. 따라서 같은 인덱스를 가진 두 개 이상의 워드가 반복하여 접근된다면 둘 중 하나는 캐시에서 버려지고 다른 하나만 캐시에 남아있게 된다. 이로 인해 히트율이 상당히 떨어지게 된다.
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84. 다음 중 버스 사용을 중재하는 방법이 아닌 것은?

  1. 중앙 집중식 병렬 중재
  2. 직렬 중재 혹은 데이지 체인
  3. 폴링에 의한 중재
  4. 핸드셰이크에 의한 중재
(정답률: 알수없음)
  • 핸드셰이크에 의한 중재는 버스 사용을 중재하는 방법이 아닙니다. 핸드셰이크는 컴퓨터 네트워크에서 두 장치 간의 연결을 확인하는 과정으로, 버스 사용을 중재하는 방법이 아닙니다. 따라서 이 보기에서 정답은 "핸드셰이크에 의한 중재"입니다.
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85. 다음 알고리즘이 나타내고 있는 연산은?

  1. 덧셈
  2. 뺄셈
  3. 곱셈
  4. 나눗셈
(정답률: 알수없음)
  • 이 알고리즘은 두 수를 더한 후 그 결과를 2로 나누는 연산을 나타냅니다. 따라서 이 연산은 "덧셈"과 "나눗셈"을 포함하고 있습니다. 그러나 덧셈과 나눗셈 중에서 결과값이 2로 나누어 떨어지는 경우는 나눗셈뿐이므로 정답은 "나눗셈"입니다.
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86. 다음 중 타이머(timer)에 의하여 발생하는 인터럽트에 해당하는 것은?

  1. 외부적 인터럽트
  2. 내부적 인터럽트
  3. 트랩(trap)
  4. 프로그램 인터럽트
(정답률: 알수없음)
  • 타이머(timer)는 외부적인 인터럽트에 해당한다. 이는 CPU 외부에서 발생하는 인터럽트로, 주로 하드웨어 장치나 외부 신호에 의해 발생한다. 타이머는 정해진 시간이 지나면 인터럽트를 발생시켜 CPU가 해당 작업을 처리할 수 있도록 한다.
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87. 컴퓨터의 명령어 형식이 다음과 같다고 할 때 이에 대한 설명으로 틀린 것은?

  1. 이 마이크로컴퓨터가 만들어 낼 수 있는 최대의 동작수는 32가지이다.
  2. 프로세서를 지정하는 필드가 2비트이므로 4개의 레지스터를 가질 수 있다.
  3. MBR은 24비트를 가진다.
  4. 한 워드당 비트 수는 24비트이므로 MAR의 크기는 24 비트이다.
(정답률: 알수없음)
  • 한 워드당 비트 수가 24비트이므로 MAR의 크기가 24비트인 것은 맞지만, 이는 정답과는 무관한 사실이다. 따라서, 이유를 설명할 필요가 없다.
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88. 두 수의 부호 비교 판단에 적합한 것은?

  1. NOR
  2. OR
  3. NAND
  4. EX-OR
(정답률: 알수없음)
  • 두 수의 부호를 비교할 때는 두 수의 부호가 같으면 양수, 다르면 음수라는 것을 이용할 수 있습니다. 이를 판단하기 위해서는 두 수의 부호를 비교해야 하는데, 이때 EX-OR 연산이 적합합니다. EX-OR 연산은 두 비트가 다를 때 1을 반환하므로, 두 수의 부호가 다르면 1을 반환하고 같으면 0을 반환합니다. 따라서 EX-OR 연산을 이용하여 두 수의 부호를 비교할 수 있습니다.
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89. 다음 RAID 중 대형 렠코드가 많이 사용되는 업무에서 단일 사용자시스템에 적합한 것은?

  1. RAID-1
  2. RAID-2
  3. RAID-3
  4. RAID-4
(정답률: 알수없음)
  • RAID-3은 대형 레코드가 많이 사용되는 업무에서 단일 사용자 시스템에 적합한 RAID이다. 이는 데이터를 여러 개의 디스크에 분산하여 저장하며, 패리티 정보를 별도의 디스크에 저장하여 데이터 손실을 방지하는 방식을 사용한다. 대형 레코드를 다루는 경우, RAID-3은 높은 처리량과 데이터 안정성을 제공하면서도 비교적 저렴한 비용으로 구성할 수 있다. 또한 단일 사용자 시스템에서는 RAID-3의 단일 패리티 디스크가 병목 현상을 일으키지 않으므로 적합하다.
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90. DSP(digital signal processor)에 대한 설명으로 틀린것은?

  1. 디지털 신호 처리를 위해 특별히 제작된 마이크로프로세서이다.
  2. 멀티태스킹을 지원하는 하드웨어 구조이다.
  3. 특히 실시간 운영체제 계산에 사용된다.
  4. 프로그램과 데이터 메모리를 분리한 구조이다.
(정답률: 알수없음)
  • DSP는 멀티태스킹을 지원하지 않는 하드웨어 구조입니다. DSP는 디지털 신호 처리를 위해 특별히 제작된 마이크로프로세서로, 특히 실시간 운영체제 계산에 사용됩니다. 또한 프로그램과 데이터 메모리를 분리한 구조를 가지고 있습니다.
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91. 서브루틴 또는 프로시저라고 하는 프로그램의 일부분으로 분기하는데 유용하게 사용되는 명령어는?

  1. LOAD
  2. SKIP
  3. PUSH
  4. BSA
(정답률: 알수없음)
  • BSA는 Branch and Save Address의 약자로, 현재 위치를 저장하고 지정된 서브루틴으로 분기하는 명령어입니다. 서브루틴을 호출할 때마다 BSA를 사용하여 코드의 재사용성과 유지보수성을 높일 수 있습니다. 따라서 서브루틴 또는 프로시저를 구현하는 데 유용하게 사용됩니다. LOAD는 데이터를 메모리에 로드하는 명령어, SKIP은 조건에 따라 명령어를 건너뛰는 명령어, PUSH는 스택에 데이터를 저장하는 명령어입니다.
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92. 컴퓨터가 직접 해독할 수 있는 2진 숫자(binary digit)로 나타낸 언어는?

  1. 기계어(machine language)
  2. 컴파일러 언어(compiler language)
  3. 어셈블리 언어(assembly language)
  4. 기호식 언어(symbolic language)
(정답률: 알수없음)
  • 기계어는 컴퓨터가 직접 이해하고 실행할 수 있는 0과 1로 이루어진 언어이다. 다른 언어들은 기계어로 번역되어야 컴퓨터가 실행할 수 있지만, 기계어는 번역 과정 없이 직접 실행될 수 있다. 따라서 컴퓨터의 하드웨어와 밀접하게 연관된 언어로, 가장 기본적인 언어이다.
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93. 다음은 ADD(addition) 명령어의 마이크로오퍼레이션이다. t2 시간에 가장 알맞은 동작은? (단, MAR : Memory Address Register) MBR : Memory Buffer Register, M[addr] : Memory, AC : 누산기)

  1. AC ← MBR
  2. MBR ← AC
  3. M[MBR] ← MBR
  4. AC ← AC+MBR
(정답률: 알수없음)
  • ADD 명령어는 누산기(AC)에 메모리(M[addr])의 값을 더하는 명령어이다. 따라서, MBR 레지스터에 M[addr]의 값을 가져오고, AC 레지스터에 저장된 값과 MBR 레지스터에 저장된 값을 더한 후, 그 결과를 다시 AC 레지스터에 저장해야 한다. 따라서, 정답은 "AC ← AC+MBR" 이다.
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94. 컴퓨터에 쓰이는 버퍼(buffer)에 관한 설명으로 가장 옳은 것은?

  1. 입ㆍ출력장치와 주기억장치 사이의 속도차를 보완하기 위한 일시적 기억장소이다.
  2. CPU와 주기억장치 사이의 속도차를 해결하기 위한 영구 기억장치이다.
  3. CPU와 입ㆍ출력장치 사이의 속도차를 해결하기 위한 용량 확대 장치이다.
  4. 주기억장소보다 넓은 기억장소를 확보하기 위하여 CPU의 일부를 가상으로 사용하는 기억장소이다.
(정답률: 알수없음)
  • 입ㆍ출력장치와 주기억장치 사이의 속도차를 보완하기 위한 일시적 기억장소이다. 버퍼는 입ㆍ출력장치와 주기억장치 사이의 속도차를 보완하기 위해 사용되며, 일시적으로 데이터를 저장하는 기억장소입니다. 이를 통해 입ㆍ출력장치와 주기억장치 간의 데이터 전송 속도를 맞춰서 데이터 전송이 원활하게 이루어질 수 있습니다.
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95. BCD 코드 1001에 대한 해밍 코드를 구하면? (단, 짝수 패리티 체크를 수행한다.)

  1. 1000011
  2. 0100101
  3. 0011001
  4. 0110010
(정답률: 알수없음)
  • BCD 코드 1001은 9를 나타내는 코드이다. 이 코드를 4비트 해밍 코드로 변환하면, 3개의 패리티 비트와 1개의 데이터 비트로 구성된다.

    먼저, 데이터 비트를 해밍 코드의 첫 번째, 두 번째, 네 번째 비트에 배치한다. 그리고 나머지 세 개의 비트는 짝수 패리티 체크를 수행하여 배치한다.

    1001의 경우, 데이터 비트는 1이므로 해밍 코드의 첫 번째, 두 번째, 네 번째 비트에 1을 배치한다. 나머지 세 개의 비트는 짝수 패리티 체크를 수행하여 배치하면, 0011001이 된다.

    따라서, 정답은 "0011001"이다.
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96. 기억된 프로그램의 명령을 하나씩 읽고 해독하여 각 장치에 필요한 지시를 하는 기능은?

  1. 기억 기능
  2. 연산 기능
  3. 제어 기능
  4. 입ㆍ출력 기능
(정답률: 알수없음)
  • 제어 기능은 기억된 프로그램의 명령을 하나씩 읽고 해독하여 각 장치에 필요한 지시를 하는 기능이다. 즉, 컴퓨터 시스템의 작동을 제어하는 역할을 수행한다. 다른 보기들은 각각 기억, 연산, 입출력 기능을 수행하는데 초점을 둔다.
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97. 연산 결과를 일시적으로 기억하고 있는 레지스터는?

  1. 누산기(accumulator)
  2. 기억 레지스터(storage register)
  3. 메모리 레지스터(memory register)
  4. 인스트럭션 카운터(instruction counter)
(정답률: 알수없음)
  • 누산기는 연산 결과를 일시적으로 기억하고 있는 레지스터로, 다른 레지스터나 메모리에 저장하지 않고 연산 결과를 바로 저장할 수 있습니다. 따라서 계산 작업을 수행할 때 매우 유용하며, CPU의 핵심적인 구성 요소 중 하나입니다.
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98. 10비트로 표현된 어떤 수 A를 2의 보수로 변환하였다. 이 때 변환한 결과를 B라고 할 때 A와 B의 합은?

  1. 0
  2. 512
  3. 1024
  4. 2048
(정답률: 알수없음)
  • 10비트로 표현된 수 A를 2의 보수로 변환하면, 우선 A의 모든 비트를 반전시킨 후 1을 더해준다. 이 과정을 거치면 A의 최상위 비트가 1인 경우 음수로 표현된다.

    따라서 A가 양수인 경우, A와 B의 합은 A + B = A + (A의 모든 비트를 반전시킨 후 1을 더한 값) = 2^10 = 1024 이다.

    반면에 A가 음수인 경우, A와 B의 합은 A + B = A + (A의 모든 비트를 반전시킨 후 1을 더한 값) = 2^10 - 2^9 = 512 이다.

    따라서 정답은 "1024"이다.
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99. 비주얼 베이직(Visual Basic) 기본 문법 설명 중 옳은 것은?

  1. 한 행에 복수의 문장을 쓸 수 없다.
  2. 변수명과 프로시저명에는 한글을 사용할 수 없다.
  3. 대문자와 소문자를 구분하지 않는다.
  4. 컨트롤, 폼, 클래스 및 표준 모듈의 이름에는 한글을 사용할 수 있다.
(정답률: 알수없음)
  • 정답은 "대문자와 소문자를 구분하지 않는다." 이다.

    Visual Basic에서는 변수명, 함수명, 프로시저명 등의 이름에서 대문자와 소문자를 구분하지 않는다. 즉, "myVariable"과 "MyVariable"은 같은 변수로 인식된다. 이는 코드 작성 시 오타를 줄이고, 코드 가독성을 높이는 데 도움이 된다.
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100. 다음 그림은 어떤 주소 지정 형식인가?

  1. 즉시주소지정(Immediate Address)
  2. 직접주소지정(Direct Address)
  3. 간접주소지정(Indirect Address)
  4. 상대주소지정(Relative Address)
(정답률: 알수없음)
  • 이 그림은 직접주소지정(Direct Address) 형식이다. 이유는 주소 필드에 실제 메모리 주소가 직접 지정되어 있기 때문이다. 다른 주소 지정 형식들은 간접적으로 메모리 주소를 참조하거나 상대적인 위치를 이용하여 주소를 지정한다.
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