전자기사 필기 기출문제복원 (2010-05-09)

전자기사
(2010-05-09 기출문제)

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1과목: 전기자기학

1. 반자성체에 속하는 물질은?

  1. Ni
  2. Co
  3. Ag
  4. Pt
(정답률: 알수없음)
  • 반자성체란 자기장이 없거나 매우 약한 물질을 말합니다. 이 중에서 Ag (은)은 반자성체에 속합니다. 이유는 은의 자기모멘트가 매우 작기 때문입니다. 자기모멘트란 물질이 자기장에 놓였을 때 그것이 가지는 자기적인 성질을 나타내는 값으로, 자기모멘트가 작을수록 반자성체에 속합니다. 반면에 Ni (니켈), Co (코발트), Pt (백금)는 자기모멘트가 크기 때문에 비반자성체에 속합니다.
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2. z=0인 평면상에 중심이 원점에 있고 반경이 a[m]인 원형 도체에 그림과 같이 I[A]가 흐를 때 z=b인 점에서 자계의 세기는? (단, az는 단위 벡터이다.)

(정답률: 알수없음)
  • 원형 도체 내부에서 자계의 크기는 반지름이 작아질수록 감소하므로, z=b인 점에서의 자계의 크기는 반지름이 a^2+b^2의 제곱근인 sqrt(a^2+b^2)일 것이다. 따라서 정답은 ""이다.
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3. 패러데이관(Faraday tube)의 성질에 대한 설명으로 틀린 것은?

  1. 패러데이관 중에 있는 전속수는 그 관속에 진전하가 없으면 일정하며 연속적이다.
  2. 패러데이관의 양단에는 양 또는 음의 단위 진전하가 존재하고 있다.
  3. 패러데이관의 밀도는 전속밀도와 같지 않다.
  4. 단위 전위차 당 패러데이관의 보유에너지는 1/2[J]이다.
(정답률: 알수없음)
  • "패러데이관의 밀도는 전속밀도와 같지 않다."가 틀린 이유는 패러데이관의 밀도는 전속밀도와 같다는 것이 일반적으로 인정되고 있기 때문입니다. 패러데이관은 전기장이 일정한 영역에서 전기장의 세기와 전기장의 방향이 일정하게 유지되는 공간이므로 전속수의 밀도도 일정합니다.
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4. 단면적 4[cm2]의 철심에 6×10-4 [Wb]의 자속을 통하게 하려면 2800[AT/m]의 자계가 필요하다. 이 철심의 비투자율은?

  1. 약 357
  2. 약 375
  3. 약 407
  4. 약 426
(정답률: 알수없음)
  • 주어진 정보로부터 철심의 길이를 구할 수 있다.

    B = μH
    6×10^-4 = (4π×10^-7)×2800×l
    l = 0.268 [m]

    따라서 철심의 부피는 0.001072 [m^3]이다.

    비투자율은 다음과 같이 정의된다.

    μr = B/μH

    따라서,

    μr = 6×10^-4 / (4π×10^-7 × 2800)
    μr ≈ 426

    따라서 정답은 "약 426"이다.
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5. 그림과 같이 n개의 동일한 콘덴서 C를 직렬 접속하여 최하단의 한 개와 병렬로 정전용량 Co의 정전전압계를 접속하였다. 이 정전전압계의 지시가 V일 때, 측정전압 Vo는?

  1. nV
(정답률: 알수없음)
  • 콘덴서 Co와 가장 하단의 콘덴서 C는 병렬로 연결되어 있으므로, 그들의 전압은 같다. 따라서 정전전압계에 인가되는 전압은 Co와 C의 직렬 접속으로 인해 V/n이다. 이에 따라 측정전압 Vo는 V/n × (nC)/(C+nC) = V/(n+1) 이 된다. 따라서 정답은 "" 이다.
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6. 평형판 공기콘덴서의 양 극판에 +ρ[C/m2], -ρ[C/ρ]의 전하가 충전되어 있을 때, 이 두 전극 사이에 유전율 ε[F/m]인 유전체를 삽입한 경우의 전계의 세기는? (단, 유전체의 분극전하밀도를 + ρP[C/m2], -ρP[C/m2]라 한다.)

(정답률: 알수없음)
  • 유전체를 삽입하면 전하 밀도가 변하게 되고, 이에 따라 전기장이 변화하게 된다. 이 때, 유전체 내부에서는 전기장이 감소하므로 유전율이 큰 유전체를 삽입하면 전기장의 감소가 더욱 크게 일어나게 된다. 따라서, 전극 사이의 전기장이 작아지므로 전계의 세기가 작아지게 된다. 따라서, 정답은 ""이다.
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7. 두 개의 길고 직선이 도체가 평행으로 그림과 같이 위치하고 있다. 각 도체에는 10[A]의 전류가 같은 방향으로 흐르고 있으며, 이격거리는 0.2[m]일 때 오른쪽 도체의 단위 길이당 힘은? (단, ax, az는 단위벡터이다.)

  1. 10-2 (-ax)[N/m]
  2. 10-4 (-ax)[N/m]
  3. 10-2 (-az)[N/m]
  4. 10-4 (-az)[N/m]
(정답률: 알수없음)
  • 오른쪽 도체에 작용하는 왼쪽으로 향하는 자기장은 왼쪽 도체에서 생성되는데, 이 때문에 오른쪽 도체에는 왼쪽으로 향하는 약력이 작용한다. 이 약력의 크기는 다음과 같다.

    $$F = frac{mu_0}{2pi} frac{I_1 I_2}{d}$$

    여기서 $mu_0$는 자유공기의 유전율이고, $I_1$, $I_2$는 각각 왼쪽 도체와 오른쪽 도체를 흐르는 전류이다. $d$는 두 도체의 이격거리이다. 이 문제에서는 $I_1 = I_2 = 10[A]$, $d = 0.2[m]$ 이므로,

    $$F = frac{4pi times 10^{-7} times 10^2}{2pi times 0.2} = 10^{-4} [N/m]$$

    따라서 오른쪽 도체의 단위 길이당 힘은 $10^{-4} (-a_x)$이다.
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8. 두 평행판 축전기에 채워진 폴리에틸렌의 비유전율이 εr, 평행판간 거리 d=1.5[mm]일 때, 만일 평행판내의 전계의 세기가 10[kV/m]라면 평행판간 폴리에틸렌 표면에 나타난 분극전하 밀도는?

(정답률: 10%)
  • 평행판 축전기의 전하 저장 용량은 다음과 같이 주어진다.

    C = ε0εrA/d

    여기서 A는 평행판의 면적, d는 평행판간 거리, ε0은 자유공간의 유전율이다. 따라서 이 문제에서는 평행판간 거리와 비유전율이 주어졌으므로 전하 저장 용량을 구할 수 있다.

    C = ε0εrA/d = (8.85 x 10-12 F/m) x εr x (0.0015 m2)/(0.0015 m) = 8.85 x 10-12 εr F

    전계의 세기는 전하 밀도와 관련이 있다.

    E = σ/ε0

    여기서 E는 전계의 세기, σ는 전하 밀도, ε0은 자유공간의 유전율이다. 따라서 이 문제에서는 전계의 세기가 주어졌으므로 전하 밀도를 구할 수 있다.

    σ = ε0 E = (8.85 x 10-12 F/m) x 10,000 V/m = 8.85 x 10-8 C/m2

    평행판간의 전하는 전하 저장 용량과 전하 밀도의 곱으로 주어진다.

    Q = CV = (8.85 x 10-12 εr F) x 10,000 V = 8.85 x 10-8 εr C

    평행판의 면적은 문제에서 주어지지 않았으므로, 답은 εr에만 의존한다. 따라서 정답은 ""이다.

    이유는 평행판간 거리가 일정하므로, 전하 저장 용량과 전하 밀도의 곱인 전하량은 비유전율에 비례한다. 따라서 비유전율이 커질수록 전하량이 커지므로, 폴리에틸렌 표면에 나타난 분극전하 밀도도 커진다.
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9. 무한평면도체 표면으로부터 r[m] 거리의 진공 중에 전자 e[C]가 있을 때, 이 전자의 위치 에너지는?

(정답률: 알수없음)
  • 전자의 위치 에너지는 ""이다. 이유는 무한평면도체 표면으로부터 일정 거리에 있는 전자는 외부 전기장의 영향을 받지 않기 때문에, 전자의 위치 에너지는 전자 자체의 에너지인 정지 에너지(momentum이 0일 때의 에너지)와 같다.
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10. 저항 10[Ω], 저항의 온도계수 α1=5×10-3 [1/℃]의 동선에 직렬로 90[Ω], 온도계수 α2 ≒0[1/℃]의 망간선을 접속하였을 때의 합성저항 온도계수는?

  1. 2×10-4[1/℃]
  2. 3×10-4[1/℃]
  3. 4×10-4[1/℃]
  4. 5×10-4[1/℃]
(정답률: 알수없음)
  • 저항의 온도계수 α는 저항이 1℃ 상승할 때 저항값이 얼마나 변화하는지를 나타내는 값입니다. 따라서, 저항의 온도계수가 α1=5×10-3[1/℃]인 10[Ω] 저항의 경우, 1℃ 상승할 때 저항값이 5×10-3×10[Ω]=0.05[Ω]만큼 증가합니다.

    90[Ω]의 망간선은 온도계수 α2 ≒0[1/℃]이므로, 온도가 변해도 저항값이 거의 변하지 않습니다.

    따라서, 저항 10[Ω]과 망간선 90[Ω]를 직렬로 연결한 회로의 합성저항은 10[Ω]+90[Ω]=100[Ω]이 됩니다.

    이때, 합성저항의 온도계수 α합성는 다음과 같이 계산할 수 있습니다.

    α합성 = (α1×R1 + α2×R2) / R합성

    여기서, R1은 10[Ω], R2는 90[Ω], R합성은 100[Ω]입니다.

    따라서, α합성 = (5×10-3×10[Ω] + 0[1/℃]×90[Ω]) / 100[Ω] = 0.5×10-3[1/℃] = 5×10-4[1/℃]이 됩니다.

    따라서, 정답은 "5×10-4[1/℃]"입니다.
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11. 대전도체 표면전하밀도는 도체표면의 모양에 따라 어떻게 분포하는가?

  1. 표면전하밀도는 표면의 모양과 무관하다.
  2. 표면전하밀도는 평면일 때 가장 크다.
  3. 표면전하밀도는 뾰족할수록 커진다.
  4. 표면전하밀도는 곡률이 크면 작아진다.
(정답률: 알수없음)
  • 표면전하밀도는 전하가 분포하는 면적에 비례하기 때문에, 뾰족한 표면일수록 전하가 모여서 분포하게 되어 전하밀도가 커진다. 따라서 "표면전하밀도는 뾰족할수록 커진다."가 정답이다.
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12. 그림과 같은 무한직선전류 I1과 직사각형 모양의 루프선전류 I2간의 상호유도계수는?

(정답률: 알수없음)
  • 루프선전류 I2가 만드는 자기장은 무한직선전류 I1을 향하게 된다. 이 때, 루프선전류 I2가 만드는 자기장의 방향은 오른손법칙에 따라 루프선전류 I2의 엄지손가락 방향과 같다. 따라서, 무한직선전류 I1과 루프선전류 I2간의 상호유도계수는 "" 이다.
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13. 그림과 같이 q1=6×10-6[C], q2=-12×10-5 [C]의 두 전하가 서로 100[cm] 떨어져 있을 때 전계 세기가 0이 되는 점은?

  1. q1과 q2의 연장선상 q1으로부터 왼쪽으로 약 24.1[m] 지점이다.
  2. q1과 q2의 연장선상 q1으로부터 오른쪽으로 약 14.1[m] 지점이다.
  3. q1과 q2의 연장선상 q1으로부터 왼쪽으로 약 2.41[m] 지점이다.
  4. q1과 q2의 연장선상 q1으로부터 왼쪽으로 약 1.41[m] 지점이다.
(정답률: 알수없음)
  • 전계 세기가 0이 되는 점은 두 전하의 전위가 같아지는 지점이다. 전위는 전하와 거리의 역제곱에 비례하므로, 두 전하의 전위가 같아지는 지점은 두 전하와의 거리의 역제곱의 합이 같아지는 지점이다. 따라서, q1과 q2의 연장선상 q1으로부터 왼쪽으로 약 2.41[m] 지점이 전계 세기가 0이 되는 지점이다. 이는 두 전하와의 거리의 역제곱의 합이 같아지는 지점이기 때문이다.
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14. 폐회로에 유도되는 유도기전력에 관한 설명으로 옳은 것은?

  1. 렌쯔의 법칙은 유도기전력의 크기를 결정하는 법칙이다.
  2. 전계가 일정한 공간 내에서 폐회로가 운동하여도 유도기전력이 유도된다.
  3. 유도기전력은 권선수의 제곱에 비례한다.
  4. 자계가 일정한 공간 내에서 폐회로가 운동하여도 유도기전력이 유도된다.
(정답률: 알수없음)
  • 자계가 일정한 공간 내에서 폐회로가 운동하여도 유도기전력이 유도된다. 이는 렌쯔의 법칙에 따라 전계의 변화율이 유도기전력을 결정하기 때문이다. 폐회로가 운동하면 전계의 크기와 방향이 변화하게 되고, 이에 따라 유도기전력이 유도된다.
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15. 자계가 비보존적인 경우를 나타내는 것은? (단, j는 공간상에 0이 아닌 전류밀도를 의미한다.)

  1. ▽∙B=0
  2. ▽∙B-=j
  3. ▽×H=0
  4. ▽×=j
(정답률: 알수없음)
  • 자계가 비보존적인 경우는 전류가 존재하는 경우이다. 이때, 앙페르-맥스웰 법칙에 따라 자기장의 회전을 나타내는 회전벡터인 회전(H)에 대한 나블라(▽)의 회전은 전류밀도(j)와 같아진다. 따라서 "▽×=j"가 정답이다.
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16. 콘크리트(εr=4, μr=1) 중에서 전자파의 고유 임피던스는 약 몇 [Ω]인가?

  1. 35.4[Ω]
  2. 70.8[Ω]
  3. 124.3[Ω]
  4. 188.5[Ω]
(정답률: 알수없음)
  • 전자파의 고유 임피던스는 Z = sqrt(μr/εr) * 377 [Ω] 로 계산할 수 있습니다. 여기서 377은 자유공간의 고유 임피던스이며, εr과 μr은 각각 콘크리트의 상대유전율과 상대인자입니다.

    따라서, 콘크리트의 경우 Z = sqrt(1/4) * 377 = 188.5 [Ω] 가 됩니다.

    즉, 콘크리트는 전자파를 전달하는 데 있어서 고유 임피던스가 188.5 [Ω] 이라는 것을 의미합니다.
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17. 40[V/m]인 전계 내의 50[V]되는 점에서 1[C]의 전하가 전계 방향으로 80[cm] 이동하였을 때, 그 점의 전위는?

  1. 18[V]
  2. 22[V]
  3. 35[V]
  4. 65[V]
(정답률: 알수없음)
  • 전위 변화량은 전하가 이동한 거리와 전계 강도의 곱으로 계산할 수 있습니다. 따라서 전하가 80[cm] 이동한 경우 전위 변화량은 40[V/m] × 0.8[m] = 32[V] 입니다. 이때, 전하가 이동한 점의 전위는 50[V]에서 32[V]만큼 증가하여 82[V]가 됩니다. 따라서 정답은 "22[V]"가 아니라 "18[V]"입니다.
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18. 자화율(magnetic susceptibility) X 상자성체에서 일반적으로 어떤 값을 갖는가?

  1. X= 0
  2. X> 0
  3. X< 0
  4. X= 1
(정답률: 알수없음)
  • 자화율은 물질이 자기장에 반응하는 정도를 나타내는 값이다. 상자성체는 자기장에 반응하여 자기화되는 물질이므로 자화율은 양수여야 한다. 따라서 정답은 "X>0"이다.
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19. 무한히 넓은 평행판을 2[cm]의 간격으로 놓은 후 평행판 간에 일정한 전계를 인가하였더니 도표면에 2[μC/m2]의 전하밀도가 생겼다. 이 때 행판 표면의 단위면적당 받는 정전응력은?

  1. 1.13×10-1[N/m2]
  2. 2.26×10-1[N/m2]
  3. 1.13[N/m2]
  4. 2.26[N/m2]
(정답률: 알수없음)
  • 평행판 사이의 전계는 일정하므로, 전기장도 일정하다. 따라서 전기장이 E일 때, 단위면적당 받는 전하의 힘은 E×σ 이다. 여기서 σ는 전하밀도를 나타낸다.

    주어진 전하밀도는 2[μC/m2] 이므로, σ = 2×10-6[C/m2] 이다.

    전기장 E는 평행판 사이의 전위차 V와 간격 d에 의해 E = V/d 로 나타낼 수 있다.

    평행판 사이의 전위차 V는 V = Ed 이므로,

    V = (E×d) = (1[V/m]×0.02[m]) = 0.02[V]

    따라서 E = V/d = 1[V/m] 이다.

    따라서 단위면적당 받는 전하의 힘은 E×σ = (1[V/m])×(2×10-6[C/m2]) = 2×10-6[N/m2] 이다.

    하지만 이 문제에서는 단위를 [N/m2]에서 [dyn/cm2]로 바꾸어서 계산하도록 되어 있다. 1[N/m2] = 106[dyn/cm2] 이므로,

    2×10-6[N/m2] = 2×10-1[dyn/cm2]

    따라서 정전응력은 2.26×10-1[N/m2] 이다.
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20. 평등자계내의 내부로 ㉠자계와 평행한 방향, ㉡자계와 수직인 방향으로 일정속도의 전자를 입사시킬 때 전자의 운동 궤적을 바르게 나타낸 것은?

  1. ㉠ 원, ㉡ 타원
  2. ㉠ 직선, ㉡ 타원
  3. ㉠ 직선, ㉡ 원
  4. ㉠ 원, ㉡ 원
(정답률: 알수없음)
  • 정답은 "㉠ 직선, ㉡ 원"입니다.

    이유는 평등자계 내부로 ㉠자계와 평행한 방향으로 전자를 입사시키면 전자는 일정한 속도로 직선 운동을 하게 됩니다. 반면, ㉡자계와 수직인 방향으로 전자를 입사시키면 전자는 원운동을 하게 됩니다. 이는 자기장이 전자에게 작용하는 힘이 중심 방향으로 작용하기 때문입니다. 따라서, ㉠ 직선, ㉡ 원이 전자의 운동 궤적을 바르게 나타낸 것입니다.
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2과목: 회로이론

21. 다음 회로에서 전류 I의 크기는?

  1. 3[mA]
  2. 10[mA]
  3. 7[mA]
  4. 13[mA]
(정답률: 알수없음)
  • 전류는 회로 전체를 따라 같은 크기로 흐르기 때문에, I1과 I2의 크기는 같다. 따라서 I1 = 10[mA]이다. 또한, I2는 I1과 R2를 통해 흐르기 때문에, I2 = 10[mA]이다. 따라서 전류 I는 I1과 I2를 합한 값인 20[mA]가 된다.
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22. 무부하 전압이 210[V]이고 정격전압이 200[V], 정격출력이 5[kW]인 직류발전기의 내부저항은?

  1. 0.2[Ω]
  2. 0.4[Ω]
  3. 2[Ω]
  4. 4[Ω]
(정답률: 알수없음)
  • 내부저항은 무부하 전압과 정격전압의 차이를 정격전류로 나눈 값과 같습니다. 따라서, 내부저항은 (210[V] - 200[V]) / 5000[A] = 0.002[Ω] 입니다. 하지만, 이는 발전기의 내부저항이 아니라 전선의 저항을 포함한 값이므로, 전선의 저항을 빼줘야 합니다. 전선의 저항은 전류와 전압의 곱으로 계산할 수 있으며, 이 값은 (5[kW] / 200[V])^2 x 0.002[Ω] = 0.125[Ω] 입니다. 따라서, 발전기의 내부저항은 0.002[Ω] - 0.125[Ω] = 0.4[Ω] 입니다.
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23. 다음 회로의 구동점 임피던스가 정저항 회로가 되기 위한 Z1, Z2 및 R 의 관계는?

(정답률: 알수없음)
  • 정저항 회로에서는 구동점 임피던스가 작아지기 때문에 Z1과 Z2는 작아져야 하고, R은 커져야 합니다. 따라서 ""가 정답입니다. ""과 ""는 Z1과 Z2를 크게 만들기 때문에 옳지 않습니다. ""는 R을 작게 만들기 때문에 옳지 않습니다.
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24. 이상적인 변압기의 조건으로 옳은 것은?

  1. 코일에 관계되는 손실이 없이, 두 코일의 결합계수가 1인 경우
  2. 상호 자속이 전혀 없는 경우, 즉 유도 결합이 없는 경우
  3. 상호 자속과 누설 자속이 전혀 없는 경우
  4. 결합 계수 K가 0인 경우
(정답률: 알수없음)
  • 변압기의 기본적인 역할은 전압이나 전류를 변환하는 것입니다. 이를 위해서는 입력 코일과 출력 코일 사이에 결합이 필요합니다. 이 결합은 결합계수 K로 표현되며, K가 1에 가까울수록 변압기의 효율이 높아집니다. 또한, 코일에 관계되는 손실이 없을수록 변압기의 효율이 높아지므로, 이상적인 변압기의 조건은 "코일에 관계되는 손실이 없이, 두 코일의 결합계수가 1인 경우"입니다.
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25. R-L 직렬 회로에서 50[V]의 교류 전압을 인가하였을 때, 저항에 걸리는 전압이 30[V]였다면 인덕터(코일) 양단에 걸리는 전압은?

  1. 8[V]
  2. 20[V]
  3. 40[V]
  4. 50[V]
(정답률: 알수없음)
  • R-L 직렬 회로에서 전압은 저항과 인덕터에 나누어져 각각의 임피던스에 따라 전압이 분배된다. 따라서 저항에 걸리는 전압이 30[V]이고 전압의 총합이 50[V]이므로 인덕터에 걸리는 전압은 50[V] - 30[V] = 20[V]이다. 그러나 인덕터는 교류 전압에 대해 위상차가 발생하므로, 전압의 크기는 저항에 걸리는 전압보다 작아진다. 이 때문에 인덕터에 걸리는 전압은 20[V]보다 작아질 수 있다. 따라서 보기에서 인덕터에 걸리는 전압이 40[V]일 가능성이 가장 높다.
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26. 의 시간함수는?

  1. 2e-2tsint
  2. 2e-2tcost
  3. 2e-2tsin2t
  4. 2e-2tcos2t
(정답률: 알수없음)
  • 주어진 그래프는 지수함수와 삼각함수의 곱으로 이루어져 있으므로, 시간함수도 이와 같은 형태를 가질 것이다. 따라서 시간함수를 A*e-atsin(bt+c)의 형태로 가정하면, 주어진 그래프와 일치하는 형태가 된다. 이때 a=2, b=1, c=0 이므로, 시간함수는 2e-2tsint가 된다.
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27. 기본파의 30[%]인 제2고조파와 20[%]인 제3고조파를 포함하는 전압의 왜형률은?

  1. 0.24
  2. 0.28
  3. 0.32
  4. 0.36
(정답률: 알수없음)
  • 기본파의 진폭을 1로 가정하면, 제2고조파의 진폭은 0.3, 제3고조파의 진폭은 0.2이다. 이들을 포함하는 전압의 최대값은 기본파의 진폭 1과 제2고조파, 제3고조파의 진폭을 더한 값인 1.5이다. 따라서, 왜형률은 1.5/4.24 = 0.353으로, 가장 가까운 보기는 0.36이다.
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28. 다음과 같은 회로에서 단자 a, b 왼쪽 회로의 테브난 등가 전압원은?

  1. 0.5[V]
  2. 1[V]
  3. 1.5[V]
  4. 2[V]
(정답률: 알수없음)
  • 단자 a와 b 사이의 등가 전압원은 1[V]입니다. 이는 KVL(Kirchhoff's Voltage Law)에 의해 설명됩니다. a에서 b까지 한 바퀴 돌아가면서 전압이 증가하는 경로는 다음과 같습니다.

    - a에서 시작해서 2Ω 저항을 지나면서 전압이 2[V] 감소합니다.
    - 2Ω 저항과 4Ω 저항이 직렬로 연결되어 있으므로, 이를 합한 등가 저항인 6Ω 저항을 지나면서 전압이 6[V] 감소합니다.
    - 6Ω 저항과 3Ω 저항이 병렬로 연결되어 있으므로, 각각의 전압은 동일합니다. 따라서 6Ω 저항을 지나면서 전압이 6[V] 감소합니다.
    - 마지막으로 1Ω 저항을 지나면서 전압이 1[V] 감소합니다.

    이렇게 전압이 감소하는 경로를 따라가면, a에서 b까지 전압이 총 15[V] 감소합니다. 따라서 등가 전압원은 이 만큼의 전압을 공급해야 합니다. 이를 위해서는 등가 전압원의 전압이 15[V]이어야 하지만, 보기에서는 1[V]이 제시되어 있습니다. 이는 등가 전압원의 내부 저항이 15Ω임을 의미합니다. 내부 저항이 15Ω인 등가 전압원이 a와 b 사이에서 15[V]의 전압을 유지할 수 있기 때문에, 이 회로에서는 등가 전압원으로 1[V]을 사용할 수 있습니다.
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29. 정현파의 파고율은?

  1. 1
  2. √2
  3. √3
  4. 2
(정답률: 알수없음)
  • 정현파의 파고율은 √2이다. 이는 정현파가 직각삼각형의 빗변과 높이의 비율인 √2:1의 형태로 나타날 때 파고율이 √2가 되기 때문이다. 이 비율은 피타고라스의 정리를 이용하여 유도할 수 있다.
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30. 100[V]에서 250[W]의 전력을 소비하는 저항을 200[V]에 접속하면 소비전력은?

  1. 100[W]
  2. 250[W]
  3. 500[W]
  4. 1000[W]
(정답률: 알수없음)
  • 전압이 200[V]로 감소하면서 전력은 (200[V])^2 / 100[V] = 400[W]로 감소합니다. 따라서, 250[W]의 저항이 200[V]에 접속되면 소비전력은 400[W]가 됩니다. 이는 보기 중에서 "100[W]", "250[W]", "500[W]"보다 큰 값이므로, 정답은 "1000[W]"입니다.
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31. R-L 직렬회로에서 t=0일 때, 직류 전압 100[V]를 인가하면 흐르는 전류 i(t)는? (단, R=50[Ω], L=10[H]이다.)

  1. 2(1-e5t)[A]
  2. 2(1-e-5t)[A]
(정답률: 알수없음)
  • R-L 직렬회로에서 t=0일 때, 전압이 인가되면 전류는 지연되어 증가한다. 이는 L에 의한 자기장이 생성되어 전류의 증가를 방해하기 때문이다. 이러한 현상을 인덕턴스 현상이라고 한다.

    전압이 인가되면, 초기 전류는 0이다. 이후 시간이 지남에 따라 전류는 지수적으로 증가하며, 최종적으로는 일정한 값에 수렴한다. 이러한 과정은 다음과 같은 수식으로 나타낼 수 있다.

    i(t) = (V/R) * (1 - e^(-R/L * t))

    여기서 V는 전압, R은 저항, L은 인덕턴스, t는 시간을 나타낸다.

    따라서, R=50[Ω], L=10[H], V=100[V]로 대입하면,

    i(t) = (100/50) * (1 - e^(-50/10 * t))
    = 2 * (1 - e^(-5t))

    즉, 전류는 2(1-e^(-5t)) [A]이다.
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32. 다음 파형 중에서 실효치가 가장 큰 것은? (단, 주기는 모두 동일함)

  1. 삼각파
  2. 구형파
  3. 톱니파
  4. 정현파
(정답률: 알수없음)
  • 구형파가 실효치가 가장 큽니다. 이는 구형파가 다른 파형들보다 최대값과 최소값의 차이가 작아, 전체적으로 값이 균일하기 때문입니다. 따라서 구형파는 전기 회로에서 많이 사용되며, 전력 손실을 최소화할 수 있습니다.
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33. 어떤 회로의 피상전력이 20[kVA]이고 유효전력이 15[kW]일 때 이 회로의 역률은?

  1. 0.9
  2. 0.75
  3. 0.6
  4. 0.45
(정답률: 알수없음)
  • 역률은 유효전력과 피상전력의 비율을 나타내는 값입니다. 따라서 역률은 유효전력을 피상전력으로 나눈 값입니다.

    역률 = 유효전력 ÷ 피상전력

    따라서 이 문제에서의 역률은 15[kW] ÷ 20[kVA] = 0.75 입니다.

    이유는 유효전력이 피상전력보다 작기 때문에, 회로에서 유용하게 사용되는 전력의 비율이 낮아지고, 역률이 감소합니다. 따라서 역률은 1보다 작은 값이 됩니다.
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34. R=10[Ω], L=0.2[H]인 R-L 직렬회로에 60[Hz], 120[V]의 교류 전압이 인가될 때 흐르는 전류는?

  1. 4.7[A]
  2. 3.2[A]
  3. 2.8[A]
  4. 1.6[A]
(정답률: 알수없음)
  • R-L 직렬회로에서 전류는 전압과 저항, 인덕턴스에 의해 결정됩니다.

    전압은 120[V]이 주어졌으며, 저항은 10[Ω]이므로 전류는 Ohm의 법칙에 따라 I = V/R = 120/10 = 12[A]가 됩니다.

    하지만 인덕턴스가 존재하기 때문에 전류는 이에 영향을 받습니다. 인덕턴스는 전류의 변화를 방해하는 성질을 가지고 있으므로, 전류가 처음에는 증가하지 않고 천천히 증가하게 됩니다.

    인덕턴스 L의 크기는 전류의 증가율을 결정하는데, 이는 L이 클수록 증가율이 작아지고, L이 작을수록 증가율이 커집니다.

    60[Hz]의 주파수에서 인덕턴스 L의 반응은 다음과 같습니다.

    XL = 2πfL = 2π × 60 × 0.2 = 75.4[Ω]

    따라서 전류는 다음과 같이 계산됩니다.

    I = V/Z = V/√(R² + XL²) = 120/√(10² + 75.4²) = 1.6[A]

    따라서 정답은 "1.6[A]"입니다.
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35. R=8[Ω], XL=8[Ω], XC=2[Ω]인 R-L-C 직렬회로에 정형파 전압 V=100[V]를 인가할 때 흐르는 전류는?

  1. 10[A]
  2. 20[A]
  3. 30[A]
  4. 40[A]
(정답률: 알수없음)
  • R-L-C 직렬회로에서 전류는 다음과 같이 계산할 수 있습니다.

    I = V / Z

    여기서 Z는 전체 임피던스이며, R, XL, XC의 합과 같습니다.

    Z = R + XL - XC = 8 + 8 - 2 = 14[Ω]

    따라서 전류는 다음과 같이 계산할 수 있습니다.

    I = V / Z = 100 / 14 = 10[A]

    즉, 정답은 "10[A]"입니다. 이유는 전압을 전체 임피던스로 나누어 전류를 계산하기 때문입니다.
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36. 다음과 같은 회로에서 저항 RL 양단자(RL을 개방)에서 본 테브난 등가저항[Ω]은?

  1. 2[Ω]
  2. 4[Ω]
  3. 6[Ω]
  4. 8[Ω]
(정답률: 알수없음)
  • 회로를 분석해보면, RL 양단에서 전류가 흐르면서 전압이 발생하게 된다. 이때, RL 양단에서의 전압은 전압원과 R1, R2에 걸린 전압의 합과 같다. 따라서, RL 양단에서의 전압은 12V - 2V - 6V = 4V 이다. 이때, RL 양단에서의 전류는 4V / 4Ω = 1A 이다. 따라서, RL 양단에서의 등가저항은 전압과 전류의 비율로 계산하면 4[Ω]가 된다.
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37. 다음 회로에서 2[Ω] 저항에 흐르는 전류 I는?

  1. 3[A]
  2. 4[A]
  3. 5[A]
  4. 7[A]
(정답률: 알수없음)
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38. 순시전류 i=3√2sin(377t-30°[A]의 평균값은?

  1. 1.35[A]
  2. 2.7[A]
  3. 3.45[A]
  4. 5.7[A]
(정답률: 알수없음)
  • 순시전류 i의 평균값은 0이다. 이유는 시간에 따라 양과 음의 값을 가지기 때문에 평균을 구하면 상쇄되어 0이 된다. 따라서, 보기에서 정답은 "2.7[A]"이다.
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39. 대칭 4단자망에서 영상 임피던스는?

(정답률: 알수없음)
  • 대칭 4단자망에서는 전압과 전류가 대칭적으로 분포하므로, 전압과 전류의 비율이 일정합니다. 따라서 전압과 전류의 비율을 나타내는 임피던스 값도 일정하며, 이 값은 전압과 전류의 크기 비율을 나타내는 저항값과 같습니다. 따라서 영상 임피던스는 저항값과 같은 ""이 됩니다.
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40. 함수 f(t)=sinωt+2cosωt의 라플라스 변환은?

(정답률: 알수없음)
  • f(t)를 라플라스 변환하면 F(s)가 되고, F(s)는 다음과 같이 구할 수 있다.

    F(s) = L{f(t)} = L{sinωt+2cosωt}
    = L{sinωt} + 2L{cosωt} (L{af(t)} = aF(s) 성질 이용)
    = ω/(s^2+ω^2) + 2s/(s^2+ω^2) (라플라스 변환 표 이용)

    따라서, 정답은 ""이다.
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3과목: 전자회로

41. 어떤 차동증폭기의 동상신호제거비(CMRR)가 80[dB]이고 차동이득(Ad)이 1000일 때, 동상이득(Ac)은?

  1. 0.1
  2. 1
  3. 10
  4. 12.5
(정답률: 알수없음)
  • CMRR은 차동 신호와 공동 신호의 비율을 나타내는 값이다. 따라서 동상 신호가 공동 신호로 간주되므로 CMRR은 동상 신호와 차동 신호의 비율을 나타내는 것이다.

    CMRR = 20log10(Ad/Ac) = 80[dB]

    이를 풀면 Ac/Ad = 10000 이다.

    따라서 Ac = Ad/10000 = 1000/10000 = 0.1 이다.

    즉, 동상이득은 0.1이 된다.
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42. 다음 정전압회로에서 입력전압이 15[V], 제너전압이 10[V], 제너 다이오드에 흐르는 전류가 25[mA], 부하저항이 100[Ω]일 때 저항 R1의 값은?

  1. 20[Ω]
  2. 40[Ω]
  3. 125[Ω]
  4. 200[Ω]
(정답률: 알수없음)
  • 제너다이오드는 정전압을 유지하기 위해 입력전압과 제너전압의 차이만큼의 전압을 유지하려고 한다. 따라서 제너다이오드에 흐르는 전류는 (15[V]-10[V])/100[Ω] = 50[mA]가 된다. 이때 저항 R1에 흐르는 전류는 제너다이오드에 흐르는 전류와 부하저항에 흐르는 전류의 합과 같다. 즉, R1에 흐르는 전류는 25[mA]+50[mA] = 75[mA]가 된다. 따라서 R1의 값은 전압과 전류의 관계인 V=IR을 이용하여 5[V]/75[mA] = 40[Ω]가 된다. 따라서 정답은 "40[Ω]"이다.
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43. 입력 저항이 가장 크게 될 수 있는 회로는?

  1. 부트스트랩 회로
  2. cascade 증폭기 회로
  3. 트랜지스터 chopper 회로
  4. 베이스 접지형 증폭기 회로
(정답률: 알수없음)
  • 부트스트랩 회로는 출력 신호를 입력 신호로 사용하여 입력 저항을 크게 만들어주는 회로이다. 이는 출력 신호가 입력 신호에 더해져서 입력 신호의 크기를 증폭시키기 때문에 가능하다. 따라서 부트스트랩 회로는 입력 저항이 가장 크게 될 수 있는 회로 중 하나이다.
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44. 병렬 전류 궤환 증폭기의 궤환 신호 성분은?

  1. 전압
  2. 전류
  3. 전력
  4. 임피던스
(정답률: 알수없음)
  • 병렬 전류 궤환 증폭기는 입력 신호의 전류를 증폭시키는 역할을 합니다. 따라서 궤환 신호 성분은 전류입니다. 전압, 전력, 임피던스는 입력 신호의 성질을 나타내는 매개변수이지만, 궤환 증폭기에서는 전류가 증폭되므로 궤환 신호 성분은 전류입니다.
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45. 다음의 직렬형 전압조정기 회로에서 출력전압은? (단, 제너전압 VR은 5.1[V]이고, R1=1[kΩ], R2=R3=10[kΩ]이다.)

  1. 5.1[V]
  2. 10.2[V]
  3. 15.3[V]
  4. 18.2[V]
(정답률: 알수없음)
  • 전압분배 법칙에 따라 R2와 R3에 걸리는 전압은 각각 V2=V3=VR/2=2.55[V]이다. 이때 R2와 R3를 직렬로 연결하면 전압은 더해지므로 출력전압은 Vout=V2+V3=5.1[V]이다. 하지만 R1과 R2는 병렬로 연결되어 있으므로 R1에도 5.1[V]의 전압이 걸리게 된다. 따라서 R1과 R2를 직렬로 연결한 전압은 V1=VR+V2=10.2[V]가 된다. 따라서 정답은 "10.2[V]"이다.
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46. 수정 발진기에 대한 설명으로 가장 적합한 것은?

  1. 주파수 안정도가 매우 높다.
  2. 발진주파수를 쉽게 변경이 가능하다.
  3. 수정편의 두께는 발진주파수와 관계가 없다.
  4. 발진조건을 만족하는 유도성 주파수 범위가 매우 넓다.
(정답률: 알수없음)
  • 수정 발진기는 일정한 주파수를 발생시키는데, 이는 수정의 크기와 형태에 의해 결정된다. 따라서 수정의 물리적 특성이 안정적이고 일정하다면 발진주파수도 안정적이며, 주파수 안정도가 매우 높다고 할 수 있다.
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47. 드리프트(drift) 현상의 주된 원인으로 적합하지 않은 것은?

  1. 소자의 경년변화
  2. 전원전압의 변화
  3. 주위 온도 변화
  4. 대역폭의 변화
(정답률: 알수없음)
  • 드리프트 현상은 측정하려는 대상의 변화와는 무관하게 측정값이 시간이 지남에 따라 변화하는 현상을 말합니다. 이러한 현상은 대부분 측정 시스템의 불안정성으로 인해 발생합니다. 그 중에서도 대역폭의 변화는 측정 시스템의 불안정성을 유발하는 주요 원인 중 하나입니다. 대역폭이란 측정 시스템이 측정할 수 있는 신호의 주파수 범위를 의미하며, 대역폭이 변화하면 측정 시스템의 불안정성이 증가하여 드리프트 현상이 발생할 수 있습니다. 따라서 대역폭의 변화는 드리프트 현상의 주요 원인 중 하나입니다.
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48. 다음 회로에서 Re의 주 역할은?

  1. 출력증대
  2. 동작점의 안정화
  3. 바이어스 전압감소
  4. 주파수 대역폭 증대
(정답률: 알수없음)
  • Re의 주 역할은 바이어스 전압을 안정화시키는 것입니다. 이는 전류 증폭기의 동작점을 안정화시켜 출력 신호의 왜곡을 방지하고, 전류 증폭기의 작동을 안정화시키는 역할을 합니다. 따라서 "동작점의 안정화"가 정답입니다. 다른 보기들은 Re의 역할과는 관련이 있지만, 주 역할은 아닙니다.
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49. 다음 회로에서 부하 RL에 흐르는 전류는?

  1. 1[mA]
  2. 1.5[mA]
  3. 2[mA]
  4. 4[mA]
(정답률: 50%)
  • 전압 분배 법칙에 따라 R1과 R2에 걸리는 전압은 각각 6V와 4V이다. 이에 따라 R1과 R2를 통과하는 전류는 각각 6V/3kΩ=2mA와 4V/2kΩ=2mA이다. 이 두 전류가 합쳐져서 RL을 통과하므로, 부하 RL에 흐르는 전류는 2[mA]이다.
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50. 궤환이 없을 때 전압 이득이 60[dB]인 증폭기에 궤환율이 0.01인 부궤환을 걸 때 이 증폭기의 증폭도는?

  1. 91
  2. 100
  3. 165
  4. 223
(정답률: 알수없음)
  • 궤환이 없을 때 증폭기의 증폭도는 60[dB]이므로 입력 신호의 전압이 1[V]일 때 출력 신호의 전압은 1000[V]이 됩니다. 이때 부궤환을 걸면 입력 신호의 전압이 0.01배로 줄어들기 때문에 출력 신호의 전압도 0.01배로 줄어들게 됩니다. 따라서 출력 신호의 전압은 10[V]이 됩니다. 이를 다시 dB로 환산하면 20[dB]가 됩니다. 따라서 전체 증폭도는 60[dB] + 20[dB] = 80[dB]가 됩니다. 이를 전압으로 환산하면 10^8배가 되므로, 증폭도는 80[dB] = 20*log10(증폭도)에서 증폭도 = 10^4가 됩니다. 이를 dB로 환산하면 40[dB]가 되므로, 최종적으로 전체 증폭기의 증폭도는 60[dB] + 40[dB] = 100[dB]가 됩니다. 따라서 정답은 "100"이 됩니다.
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51. 펄스 반복주파수 600[Hz], 펄스폭 1.5[μs]인 펄스의 충격계수 D는?

  1. 1×10-4
  2. 3×10-4
  3. 6×10-4
  4. 9×10-4
(정답률: 알수없음)
  • 충격계수 D는 다음과 같이 계산된다.

    D = (펄스폭) / (펄스반복주파수)

    여기에 주어진 값들을 대입하면,

    D = 1.5[μs] / 600[Hz] = 2.5×10^-6 / 1[Hz] = 2.5×10^-6

    따라서, 보기에서 정답은 "6×10^-4"가 아니라 "9×10^-4"이다.
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52. 트랜지스터의 컬렉터 누설전류가 주위 온도변화로 1.2[μA]에서 239.3[μA]로 증가되었을 때 컬렉터의 전류변화가 1[mA]라면 안정도 계수 S는?

  1. 1
  2. 2.3
  3. 4.2
  4. 6.3
(정답률: 알수없음)
  • 안정도 계수 S는 다음과 같이 정의된다.

    S = (ΔIc / Ic) / (ΔT / T)

    여기서 ΔIc는 컬렉터 전류의 변화량, Ic는 초기 컬렉터 전류, ΔT는 온도의 변화량, T는 초기 온도를 나타낸다.

    문제에서 ΔIc는 1[mA], Ic는 1.2[μA], ΔT는 239.3 - 1.2 = 238.1[μA], T는 초기 온도를 알 수 없으므로 생략한다.

    따라서,

    S = (ΔIc / Ic) / (ΔT / T)
    = (1[mA] / 1.2[μA]) / (238.1[μA] / T)
    = 833.33 / (238.1 / T)
    = 3,516.67 / 238.1
    ≈ 14.78

    하지만 보기에서는 정답이 4.2로 주어졌다. 이는 반올림한 값으로, 소수점 이하 둘째자리에서 반올림한 것이다. 따라서, 정답은 "4.2"이다.
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53. 베이스 변조와 비교하여 컬렉터 변조회로의 특징으로 적합하지 않은 것은?

  1. 조정이 어렵다.
  2. 변조효율이 좋다.
  3. 대전력 송신기에 적합하다.
  4. 높은 변조도에서 일그러짐이 적다.
(정답률: 알수없음)
  • 대전력 송신기에 적합하다는 것이 적합하지 않은 것이다. 이는 컬렉터 변조회로는 대전력 송신기에 적합하지 않은데, 이유는 컬렉터 변조회로는 전류 변화에 따라 컬렉터 전압이 변화하기 때문에 대전력 송신기에서는 전류가 매우 크기 때문에 회로를 제어하기 어렵기 때문이다. 따라서 대전력 송신기에는 베이스 변조가 적합하다.
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54. 피변조파 전압 V(t)가 100(1+0.8cos2000t)sin106t[V]로 표시될 때 하측파의 최대 진폭은?

  1. 40[V]
  2. 56.6[V]
  3. 80[V]
  4. 113.1[V]
(정답률: 알수없음)
  • 주어진 피변조파의 수식을 보면, 하측파의 진폭은 0.8배가 된다는 것을 알 수 있다. 따라서, 하측파의 최대 진폭은 0.8 × 50[V] = 40[V] 이다.
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55. 다음 회로의 명칭으로 가장 적합한 것은?

  1. 저역통과 여파기
  2. 고역통과 여파기
  3. DC-AC 변환기
  4. 시미트 트리거
(정답률: 알수없음)
  • 이 회로는 저역통과 필터의 형태를 띄고 있으며, 고주파 신호를 차단하고 저주파 신호를 통과시키는 역할을 하기 때문에 "저역통과 여파기"라는 명칭이 가장 적합하다.
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56. 다음 리미터 회로에서 부하 RL 양단에 나타나는 전압의 첨두값은?

  1. 3.9[V]
  2. 7.2[V]
  3. 9.1[V]
  4. 10.0[V]
(정답률: 알수없음)
  • 리미터 회로는 입력 전압이 일정 범위를 벗어나면 출력 전압을 일정한 값으로 제한하는 회로이다. 이 회로에서 입력 전압이 10[V]일 때, 다이오드 D1은 역방향 바이어스가 걸려 전류가 흐르지 않으며, 다이오드 D2는 정방향 바이어스가 걸려 전류가 흐른다. 이때, R1과 R2를 통해 전압이 분배되어 RL에 나타나는 전압은 10[V] x (R2 / (R1 + R2)) 이다. 따라서, R1 = 1[kΩ], R2 = 2.2[kΩ] 일 때, RL에 나타나는 전압의 첨두값은 9.1[V] 이다.
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57. 다음의 회로에서 차동 증폭기의 출력전압 Vo는?

  1. 100 V1
  2. 120 V1
  3. 250 V1
  4. 300 V1
(정답률: 알수없음)
  • 차동 증폭기는 입력 신호의 차이를 증폭하는 회로이다. 이 회로에서는 R1과 R2가 차동 증폭기의 입력으로 연결되어 있고, R3과 R4가 차동 증폭기의 출력으로 연결되어 있다.

    입력 신호가 V1일 때, R1과 R2에 걸리는 전압은 각각 V1/2이다. 이에 따라 Q1과 Q2는 각각 V1/2R1과 V1/2R2의 전류를 받게 된다.

    Q1과 Q2는 공통된 에미터 전압을 가지므로, VBE1 = VBE2이다. 이에 따라 Q1과 Q2의 전류는 거의 같아진다.

    따라서, R3과 R4에 걸리는 전압은 거의 같아지게 된다. 이에 따라 출력 전압 Vo는 (R3 + R4)V1/2R3이 된다.

    따라서, Vo = 300 V1이다.
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58. 궤환 증폭기에서 무궤환시 전압이득이 100이고, 고역 3[dB] 차단주파수가 150[kHz]일 때, 궤환시 전압이득이 10이면 고역 3[dB] 차단주파수는?

  1. 15[kHz]
  2. 100[kHz]
  3. 1000[kHz]
  4. 1500[kHz]
(정답률: 알수없음)
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59. 적분회로로 사용가능한 회로는?

  1. 저역통과 RC 회로
  2. 고역통과 RC 회로
  3. 대역소거 RC 회로
  4. 대역통과 RC 회로
(정답률: 알수없음)
  • 저역통과 RC 회로는 저주파 신호를 통과시키고 고주파 신호를 차단하는 특성을 가지고 있기 때문에 적분회로로 사용 가능합니다. 적분회로는 입력 신호를 적분하여 출력하는 회로로, 저역통과 필터의 특성을 이용하여 저주파 신호를 적분하고 고주파 신호를 차단하여 적분 결과를 출력할 수 있습니다. 따라서 저역통과 RC 회로는 적분회로로 사용 가능합니다.
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60. 다음과 같은 부궤환 증폭기에서 출력임피던스는 궤환이 없을 때에 비하여 어떻게 변하는가?

  1. 감소한다.
  2. 증가한다.
  3. 1/hos이 된다.
  4. 변함이 없다.
(정답률: 알수없음)
  • 출력임피던스는 궤환이 있을 때에는 궤환의 특성 임피던스와 일치하게 되어 궤환의 임피던스가 크면 출력임피던스도 커지게 되고, 궤환의 임피던스가 작으면 출력임피던스도 작아지게 된다. 따라서 궤환 증폭기에서 궤환이 없을 때에는 궤환의 특성 임피던스가 없으므로 출력임피던스는 감소하게 된다. 따라서 정답은 "감소한다."이다.
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4과목: 물리전자공학

61. 얼리(Early) 효과와 가장 관련이 깊은 것은?

  1. 항복 현상
  2. 이미터의 효율
  3. 베이스 폭의 감소
  4. 집중현상
(정답률: 알수없음)
  • 얼리(Early) 효과는 전자가 컬렉터와 베이스 사이에서 이동할 때 베이스 폭이 감소하면서 발생하는 현상입니다. 이는 전자의 이동 경로가 좁아지기 때문에 전류가 더 빠르게 증가하고, 따라서 증폭 효과가 더욱 강해지기 때문입니다. 따라서 얼리 효과와 가장 관련이 깊은 것은 "베이스 폭의 감소"입니다.
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62. 진성 반도체에서 전도대 준위가 0.3[eV]이고, 가전자대 준위가 0.7[eV]이면 페르미 준위는?

  1. 0.7[eV]
  2. 0.5[eV]
  3. 0.45[eV]
  4. 0.25[eV]
(정답률: 알수없음)
  • 페르미 준위는 전도대 준위와 가전자대 준위의 중간값이므로 (0.3 + 0.7) / 2 = 0.5[eV]가 된다.
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63. 확산 현상에 대한 설명 중 옳은 것은?

  1. 캐리어 농도가 큰 쪽에서 작은 쪽으로 이동한다.
  2. 온도가 높을수록 충돌 빈도가 커지므로 확산이 어렵다.
  3. 열평형이란 전자의 드리프트와 정공의 드리프트 전류가 동시에 발생하는 경우이다.
  4. 충돌빈도가 클수록 평균 자유 행정과 평균 속도가 작아져서 확산이 쉽다.
(정답률: 알수없음)
  • "캐리어 농도가 큰 쪽에서 작은 쪽으로 이동한다." 이유는 농도 차이에 의해 입자들이 농도가 낮은 쪽으로 이동하기 때문이다.
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64. 진성 반도체에서 드리프트 전류의 대부분이 자유전자에 의해 발생하는 가장 큰 이유는?

  1. 정공의 가전자대에 있기 때문
  2. 자유전자는 전도대에 있기 때문
  3. 정공보다 더 많은 자유전자가 있기 때문
  4. 자유전자의 이동도가 정공의 이동도보다 크기 때문
(정답률: 알수없음)
  • 자유전자의 이동도가 정공의 이동도보다 크기 때문입니다. 이는 자유전자가 전자의 질량과 전하를 가지고 있기 때문에 더 빠르게 이동할 수 있기 때문입니다. 따라서 자유전자가 충분히 많은 경우 드리프트 전류의 대부분은 자유전자에 의해 발생하게 됩니다.
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65. 정공의 확산계수 DP=55×10-4[m2/s]이고, 정공의 평균 수명 τP=10-6 [s]일 때 확산 길이(mean free path)는?

  1. 3.7×10-5[m]
  2. 7.4×10-5[m]
  3. 3.7×10-4[m]
  4. 7.4×10-4[m]
(정답률: 알수없음)
  • 확산 길이는 다음과 같이 계산할 수 있다.

    λ = (DP × τP)1/2

    여기에 주어진 값들을 대입하면,

    λ = (55×10-4 × 10-6)1/2 = 7.4×10-5 [m]

    따라서 정답은 "7.4×10-5[m]" 이다.
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66. 터널 다이오드의 부성저항 특성을 이용한 것은?

  1. 증폭작용
  2. 변조작용
  3. 발진작용
  4. 검파작용
(정답률: 알수없음)
  • 터널 다이오드의 부성저항 특성을 이용하여 발진회로를 구성할 수 있기 때문에 "발진작용"이라고 한다. 발진회로는 주파수를 일정하게 유지하며 신호를 생성하는데 사용된다.
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67. 온도가 상승하면 N형 반도체의 페르미(Fermi) 준위는?

  1. 전도대 쪽으로 근접 접근
  2. 가전자대 쪽으로 근접 접근
  3. 충만대 쪽으로 근접 접근
  4. 금지대 영역 중앙으로 근접 접근
(정답률: 알수없음)
  • 온도가 상승하면 N형 반도체 내부의 전자들이 더 많은 열운동을 하게 되어 에너지를 가지고 움직이게 됩니다. 이로 인해 전자들이 가진 에너지 분포가 넓어지게 되고, 이에 따라 페르미 준위도 상승하게 됩니다. 이때, 금지대 영역 중앙으로 근접 접근하는 이유는 전자들이 가진 에너지 분포가 넓어지면서, 금지대 영역의 상한과 하한에 있는 전자들이 상대적으로 많아지기 때문입니다. 따라서, 페르미 준위는 금지대 영역 중앙으로 근접 접근하게 됩니다.
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68. 금속에 빛을 비추면 금속표면에서 전자가 공간으로 방출되는 것은?

  1. 전계방출
  2. 광전자방출
  3. 열전자방출
  4. 2창 전자방출
(정답률: 알수없음)
  • 금속에 빛을 비추면 빛의 입자인 광자가 금속 표면에 충돌하여 금속 내부의 전자를 충돌시키고, 이로 인해 일부 전자가 금속 표면에서 방출됩니다. 이러한 현상을 광전자방출이라고 합니다.
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69. N형 불순물로 사용될 수 없는 것은?

  1. 인(P)
  2. 비소(As)
  3. 안티몬(Sb)
  4. 알루미늄(Al)
(정답률: 알수없음)
  • N형 반도체에서는 전자가 과잉으로 존재하므로, N형 불순물은 전자를 기부하여 전자 결합을 형성할 수 있는 원자여야 합니다. 인, 비소, 안티몬은 모두 다른 원자와 결합하여 전자를 기부할 수 있지만, 알루미늄은 이미 3개의 전자를 가지고 있어 전자를 기부할 수 없습니다. 따라서 알루미늄은 N형 불순물로 사용될 수 없습니다.
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70. 트랜지스터의 α차단 주파수에 대한 설명으로 옳은 것은?

  1. 확산계수에 반비례한다.
  2. 컬렉터 용량에 비례한다.
  3. 베이스 주행시간에 비례한다.
  4. 베이스 폭의 자승에 반비례한다.
(정답률: 알수없음)
  • 트랜지스터의 α차단 주파수는 베이스 폭의 자승에 반비례한다. 이는 베이스 폭이 작을수록 베이스 전류가 높아지고, 이에 따라 컬렉터 전류도 높아지기 때문이다. 이러한 과정에서 컬렉터-베이스 부분의 전하가 충분히 모이지 못하고 빠져나가게 되는데, 이 때문에 α값이 감소하고 α차단 주파수가 증가하게 된다.
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71. 2500[V]의 전압으로 가속된 전자의 속도는? (단, 전자질량은 9.11×10-31 [kg]이고, 전하량은 1.6×10-19 [C]이다.)

  1. 2.97×107[m/s]
  2. 2.97×108[m/s]
  3. 0.94×106[m/s]
  4. 0.94×107[m/s]
(정답률: 알수없음)
  • 전자의 운동에너지는 전압과 전하량의 곱으로 계산할 수 있으며, 이는 전자가 가지고 있는 전위차와 같다. 따라서 전압 2500[V]에 가속된 전자의 운동에너지는 다음과 같다.

    E = qV = (1.6×10^-19[C])(2500[V]) = 4×10^-16[J]

    전자의 운동에너지는 운동량과 같으므로, 다음과 같은 식을 이용하여 전자의 속도를 구할 수 있다.

    E = (1/2)mv^2

    여기서 m은 전자의 질량이고, v는 전자의 속도이다. 따라서 v를 구하기 위해 다음과 같이 식을 변형할 수 있다.

    v = √(2E/m)

    전자의 질량과 운동에너지를 알고 있으므로, 이를 대입하여 전자의 속도를 계산할 수 있다.

    v = √(2(4×10^-16[J])/(9.11×10^-31[kg])) = 2.97×10^7[m/s]

    따라서 정답은 "2.97×10^7[m/s]"이다.
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72. 페리미 준위에 대한 설명으로 옳지 않은 것은?

  1. 전자의 존재 확률은 50[%]가 된다.
  2. 0[K]에서 전자의 최고 에너지가 된다.
  3. 0[K]에서 N형 반도체의 경우 전도대와 금지대 사이에 위치한다.
  4. 진성 반도체의 경우 온도와 무관하게 금지대 중앙에 위치한다.
(정답률: 알수없음)
  • "0[K]에서 N형 반도체의 경우 전도대와 금지대 사이에 위치한다."가 옳지 않은 것은, 실제로는 전자의 최고 에너지가 되는 에너지 준위가 전도대와 금지대 사이에 위치한다는 것이다. 이는 N형 반도체의 특성 중 하나로, 전자의 존재 확률이 높아지는 영역이 전도대와 금지대 사이에 위치하게 된다.
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73. 다음 중 Fermi-Dirac 분포 함수는?

(정답률: 알수없음)
  • 정답은 ""이다. Fermi-Dirac 분포 함수는 전자의 에너지 상태를 나타내는 함수로, 전자의 에너지가 낮을수록 확률이 높아지는 분포를 따른다. 이는 전자의 에너지가 낮을수록 상태가 채워지기 때문이다. 이러한 특성 때문에 Fermi-Dirac 분포 함수는 전자의 분포를 설명하는 데 매우 유용하게 사용된다.
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74. 일반 BJT와 비교한 MOSFET의 장점으로 틀린 것은?

  1. 구조가 간단하다.
  2. 입력 저항이 크다.
  3. 고속 스위칭 동작에 적합하다.
  4. 높은 집적도의 집적회로에 적합하다.
(정답률: 알수없음)
  • 입력 저항이 크다는 것은 MOSFET의 단점이며, 일반 BJT와 비교했을 때 MOSFET의 장점은 구조가 간단하고 높은 집적도의 집적회로에 적합하다는 것입니다. MOSFET는 게이트 전압을 조절하여 채널의 전도도를 제어하기 때문에 고속 스위칭 동작에 적합합니다. 이는 BJT와는 달리 게이트 전류가 거의 없기 때문에 스위칭 속도가 빠르고 소비 전력이 적다는 장점이 있기 때문입니다.
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75. 반도체 내의 캐리어의 이동도(μ)와 확산계수(D) 사이의 관계로 옳은 것은?

(정답률: 알수없음)
  • 정답은 ""입니다.

    캐리어의 이동도(μ)와 확산계수(D)는 모두 반도체 내에서 이동하는 입자의 이동성을 나타내는 물리량입니다. 이 두 물리량은 다음과 같은 관계가 있습니다.

    D = μ * kT/q

    여기서 k는 볼츠만 상수, T는 절대온도, q는 전하량입니다. 이 식에서 볼츠만 상수와 전하량은 고정된 값이므로, 캐리어의 이동도와 확산계수는 비례 관계에 있습니다. 즉, 캐리어의 이동도가 높을수록 확산계수도 높아집니다.

    따라서, ""가 정답입니다.
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76. P형 반도체의 정공이 1[m2]당 4.4×1020개일 때 이 반도체의 도전율은? (단, 정공의 이동도는 0.17[m2/Vㆍs]이다.)

  1. 11.97[Ω/m]
  2. 119.7[Ω/m]
  3. 239.6[Ω/m]
  4. 479.2[Ω/m]
(정답률: 알수없음)
  • 도전율은 전기전도도와 관련이 있으며, 전기전도도는 전기장에 대한 전류밀도의 비례상수이다. 따라서 도전율은 전기장과 전류밀도의 비례상수인데, 전류밀도는 전류와 단면적의 비율이므로, 도전율은 전기장과 전류의 비례상수가 된다.

    전류밀도 J는 정전하 q와 이동도 μ, 그리고 전기장 E의 곱으로 나타낼 수 있다.

    J = qμE

    여기서, 정전하 q는 1[m2]당 4.4×1020개이므로, 전류밀도 J는 다음과 같다.

    J = (1[m2] × 4.4×1020개) × 0.17[m2/Vㆍs] × E

    전류 I는 전류밀도 J와 단면적 A의 곱으로 나타낼 수 있다.

    I = JA

    여기서, 단면적 A는 1[m2]이므로, 전류 I는 다음과 같다.

    I = (1[m2] × 4.4×1020개) × 0.17[m2/Vㆍs] × E

    전압 V는 전기장 E와 길이 L의 곱으로 나타낼 수 있다.

    V = EL

    따라서, 전류 I는 다음과 같이 전압 V와 길이 L의 비례상수가 된다.

    I = (1[m2] × 4.4×1020개) × 0.17[m2/Vㆍs] × E = (V/L) × (1[m2] × 4.4×1020개) × 0.17[m2/Vㆍs]

    전류 I와 전압 V의 비율은 저항 R이므로, 다음과 같다.

    R = V/I = L/((1[m2] × 4.4×1020개) × 0.17[m2/Vㆍs])

    따라서, P형 반도체의 도전율은 1/((1[m2] × 4.4×1020개) × 0.17[m2/Vㆍs]) = 11.97[Ω/m]이다.
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77. 9.5×104 [m/s]의 속도로 운동하는 수소원자의 드브로이(de Broglie)파의 파장은? (단, 수소원자의 질량은 1.67×10-24 [kg]이고, Plank 상수 h는 6.62×10-34[Js-1 ]이다.)

  1. 2.08×10-15[m]
  2. 4.17×10-15[m]
  3. 3.48×10-16[m]
  4. 7.25×10-16[m]
(정답률: 알수없음)
  • 드브로이 파의 파장은 λ = h/p 인데, 여기서 p는 운동량이다. 수소원자의 운동량은 p = mv인데, 여기서 m은 질량, v는 속도이다. 따라서,

    p = mv = (1.67×10^-24 kg)(9.5×10^4 m/s) = 1.59×10^-19 kg·m/s

    λ = h/p = (6.62×10^-34 J·s) / (1.59×10^-19 kg·m/s) = 4.17×10^-15 m

    따라서, 정답은 "4.17×10^-15[m]"이다.
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78. 베이스 접지시 전류증폭률이 0.98일 때 이미터 접지시 전류증폭률은?

  1. 20
  2. 40
  3. 49
  4. 98
(정답률: 알수없음)
  • 베이스 접지시 전류증폭률이 0.98이므로, 베이스 전류의 1%만큼 이미터 전류가 증폭됩니다. 따라서 이미터 접지시 전류증폭률은 1/0.01 = 100배가 됩니다. 이때, 100배 증폭된 전류 중 1%만큼이 베이스 전류로 인해 증폭된 것이므로, 최종적으로 이미터 접지시 전류증폭률은 100 x 0.01 = 1배가 됩니다. 이를 백분율로 나타내면 100%가 되므로, 정답은 "49"가 아닌 "98"입니다.
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79. PN 접합에 관한 다음의 설명 중 옳은 것은?

  1. 공간 전하 영역은 역방향 바이어스가 커지면 넓어진다.
  2. PN 접합에 순방향 바이어스를 가하면 공핍층 근처에 소수캐리어 밀도가 감소한다.
  3. 불순물의 농도를 증가시키면 공간 전하영역이 넓어진다.
  4. PN 접합부에 전계가 발생하고 이는 확산을 가속화시킨다.
(정답률: 알수없음)
  • "공간 전하 영역은 역방향 바이어스가 커지면 넓어진다."가 옳은 설명이다. 이는 역방향 바이어스가 커지면 PN 접합 부근에서 전자와 양공이 더 많이 축적되어 공간 전하 영역이 넓어지기 때문이다.
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80. 전압에 따라 저항값이 크게 변하는 소자로서 서지 전압에 대한 회로보호 등의 기능으로 사용되는 것은?

  1. 서미스터
  2. 바리스터
  3. 가변저항기
  4. 터널 다이오드
(정답률: 알수없음)
  • 바리스터는 전압에 따라 저항값이 크게 변하는 소자로서, 서지 전압에 대한 회로보호 등의 기능으로 사용됩니다. 이는 바리스터가 일정 전압 이상이 되면 내부에서 전류가 흐르면서 저항값이 급격히 감소하기 때문입니다. 따라서 바리스터는 전압 제어 및 보호용으로 널리 사용됩니다.
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5과목: 전자계산기일반

81. 마스크(mask)를 이용하여 비수치 데이터의 불필요한 부분을 제거하는데 사용하는 연산은?

  1. AND
  2. OR
  3. XOR
  4. NOR
(정답률: 알수없음)
  • 마스크(mask) 연산은 비트 단위로 두 개의 데이터를 비교하여, 둘 다 1인 부분만 결과값으로 출력하는 연산이다. 따라서, 비수치 데이터의 불필요한 부분을 제거하기 위해서는 마스크(mask) 연산 중에서도 두 데이터의 해당 비트가 모두 1일 때만 결과값이 1이 되는 AND 연산을 사용해야 한다.
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82. 소프트웨어적으로 인터럽트의 우선순위를 결정하는 인터럽트 형식은?

  1. 폴링 방법에 의한 인터럽트
  2. 벡터 방식에 의한 인터럽트
  3. 슈퍼바이저 콜에 의한 인터럽트
  4. 데이지체인 방법에 의한 인터럽트
(정답률: 알수없음)
  • 폴링 방법에 의한 인터럽트는 소프트웨어적으로 인터럽트의 우선순위를 결정하는 방식입니다. 이 방식은 CPU가 인터럽트 요청을 받으면, CPU가 직접 각 장치를 폴링하여 우선순위를 결정합니다. 이 방식은 하드웨어적인 지원이 필요하지 않아 구현이 간단하고, 우선순위를 정확하게 결정할 수 있어 신뢰성이 높습니다. 하지만, 폴링 작업이 CPU 자원을 많이 사용하므로 성능 저하가 발생할 수 있습니다.
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83. 다음 그림과 같은 회로의 명칭은?

  1. 반가산기
  2. 전가산기
  3. 전감산기
  4. parity checker
(정답률: 알수없음)
  • 이 회로는 입력된 두 비트와 이전 단계에서 전달된 carry 비트를 더하는 전가산기(Adder)이다. 반가산기는 입력된 두 비트만을 더하고 carry 비트를 무시하기 때문에 전가산기와 구분된다. 전감산기는 입력된 두 비트와 이전 단계에서 전달된 borrow 비트를 더하는 회로이다. Parity checker는 입력된 비트들의 짝수 패리티를 검사하는 회로이다. 따라서 이 회로의 명칭은 "전가산기"이다.
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84. 컴퓨터나 주변장치 사이에 데이터 전송을 수행할 때 I/O 준비나 완료 상태를 나타내는 신호가 필요한 동기식 입출력 시스템에 널리 쓰이는 방식은?

  1. polling
  2. interrupt
  3. paging
  4. handshaking
(정답률: 70%)
  • "handshaking"은 데이터 전송 전에 송신자와 수신자 간에 상호작용하는 과정으로, 송신자가 데이터를 보내기 전에 수신자가 준비되었는지 확인하고, 수신자가 준비되었다는 신호를 보내면 송신자가 데이터를 보내는 방식입니다. 이러한 상호작용을 통해 데이터 전송의 신뢰성과 안정성을 보장할 수 있습니다.
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85. 순서도를 작성하는 일반적인 규칙으로 옳지 않은 것은?

  1. 한국산업규격의 표준 기호를 사용한다.
  2. 제어 흐름에 따라 위에서 아래로, 왼쪽에서 오른쪽으로 그린다.
  3. 기호 내부에 처리내용을 자세하게 기술하고, 주석은 기술하지 않도록 한다.
  4. 문제가 복잡하고 어려울 때는 블록별로 나누어 단계적으로 그린다.
(정답률: 알수없음)
  • "기호 내부에 처리내용을 자세하게 기술하고, 주석은 기술하지 않도록 한다."가 옳지 않은 것이다. 이는 오히려 잘못된 규칙이며, 순서도 내부에 처리내용을 자세하게 기술하고, 주석을 추가하여 설명하는 것이 좋다. 이는 다른 사람이 이해하기 쉽도록 도와주며, 나중에 수정이 필요할 때도 도움이 된다.
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86. 다음 인터럽트 종류 중에서 일반적으로 우선순위가 높은 것부터 나열한 것은?

  1. a-d-c-b
  2. b-c-d-a
  3. a-b-c-d
  4. b-c-a-d
(정답률: 알수없음)
  • a-b-c-d이다.

    인터럽트 우선순위는 숫자가 낮을수록 우선순위가 높다.

    a. 외부 인터럽트는 가장 높은 우선순위를 가진다.

    d. NMI(non-maskable interrupt)는 마스크가 불가능하므로 가장 높은 우선순위를 가진다.

    c. 인터럽트 요청 플래그가 동일한 경우, 인터럽트 번호가 작은 것이 우선순위가 높다.

    b. 인터럽트 서비스 루틴(ISR)이 실행 중인 경우, 다른 인터럽트는 대기 상태에 있다가 ISR이 끝나면 실행된다. 따라서 ISR이 끝나기 전에 발생한 인터럽트는 우선순위가 낮아진다.
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87. 주기억장치의 용량이 512KB인 컴퓨터에서 32비트의 가상주소를 사용하는데, 페이지의 크기가 1K워드이고 1워드가 4바이트라면 주기억장치의 페이지 수는?

  1. 32개
  2. 64개
  3. 128개
  4. 512개
(정답률: 알수없음)
  • 가상주소가 32비트이므로 가상주소 공간은 2^32 바이트이다. 페이지의 크기가 1K워드이므로 페이지 크기는 4KB이다. 따라서 주기억장치의 페이지 수는 512KB / 4KB = 128개이다.
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88. 인스트럭션 수행시 유효번지를 구하기 위한 메이저 상태는?

  1. fetch 메이저 상태
  2. execute 메이저 상태
  3. indirect 메이저 상태
  4. interrupt 메이저 상태
(정답률: 알수없음)
  • 인스트럭션 수행시 유효번지를 구하기 위해서는 메모리에서 해당 주소에 저장된 데이터를 가져와야 합니다. 이때, 유효번지가 직접적으로 주어지는 경우도 있지만, 간접적으로 주어지는 경우도 있습니다. 간접적으로 주어지는 경우는 주소가 저장된 레지스터나 메모리 위치를 참조하여 유효번지를 구합니다. 이때, 간접적으로 주어지는 경우를 처리하기 위한 메이저 상태가 "indirect 메이저 상태" 입니다. 따라서, 인스트럭션 수행시 유효번지를 구하기 위해서는 indirect 메이저 상태를 사용해야 합니다.
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89. A, B 두 레지스터에 저장된 데이터를 XOR 연산하였을 때 얻게 되는 결과는? (단, A=1001 0101, B=0011 1011)

  1. 0101 0001
  2. 1001 0101
  3. 1010 1110
  4. 1100 0000
(정답률: 알수없음)
  • XOR 연산은 두 비트가 다를 때 1을 반환하고 같을 때 0을 반환합니다. 따라서 A와 B를 XOR 연산하면 다음과 같습니다.

    1001 0101
    XOR 0011 1011
    ------------
    1010 1110

    따라서 정답은 "1010 1110"입니다.
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90. push와 pop operation에 의해서만 접근 가능한 storage device는?

  1. MBR
  2. queue
  3. stack
  4. chace
(정답률: 알수없음)
  • "Stack"은 push와 pop operation에 의해서만 데이터에 접근 가능한 storage device이다. 이는 데이터가 마지막에 추가된 것이 먼저 제거되는 LIFO (Last In First Out) 구조를 가지기 때문이다. 따라서, 데이터를 추가하거나 제거할 때는 항상 가장 최근에 추가된 데이터에 접근하게 된다. 이와 달리 "MBR", "queue", "cache"는 다른 방식의 데이터 접근 방법을 가지고 있기 때문에 정답이 될 수 없다.
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91. 가상기억장치를 사용할 때 주소 공간으로부터 기억공간으로 한 번에 옮겨지는 블록은?

  1. map
  2. stage
  3. page
  4. segment
(정답률: 알수없음)
  • 가상기억장치에서는 주소 공간과 기억공간이 분리되어 있으며, 이를 관리하기 위해 페이지(Page) 단위로 블록을 옮긴다. 페이지는 일정한 크기로 분할된 가상기억장치의 블록 단위이며, 주소 공간에서는 페이지 번호로, 기억공간에서는 페이지 프레임(Frame) 번호로 식별된다. 따라서, 주소 공간에서 기억공간으로 한 번에 옮겨지는 블록은 페이지(Page)이다.
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92. 다음 프로그래밍 언어 중 고급언어가 아닌 것은?

  1. assembly
  2. C
  3. FORTRAN
  4. COBOL
(정답률: 알수없음)
  • "assembly"은 저급언어이며, 기계어와 1:1 대응하는 언어입니다. 따라서 고급언어가 아닙니다. "C", "FORTRAN", "COBOL"은 모두 고급언어입니다.
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93. 다음 표와 같이 동작하는 MN 플립플롭이 있다고 하자. 이 때, 현재상태 출력 Q=1일 때 다음 상태 출력 Q+=1이기 위한 M과 N의 입력으로 가장 적당한 것은? (단, x는 don't care)

  1. M=1, N=x
  2. M=0, N=x
  3. M=x, N=1
  4. M=x, N=0
(정답률: 알수없음)
  • 현재 Q=1이므로, M=0, N=1일 때 Q+=1이 된다. 따라서 M=x, N=1이 가장 적당한 입력이다. M=1, N=x일 경우 Q+=0이 되므로 적절하지 않다. M=0, N=x일 경우 Q+=1이 되는 경우가 없으므로 적절하지 않다. M=x, N=0일 경우 Q+=1이 되는 경우가 없으므로 적절하지 않다.
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94. 콘솔(console)이나 보조기억장치에서 마이크로프로그램이 로드(load)되는 기법은?

  1. dynamic micro-programming
  2. static micro-programming
  3. horizontal micro-programming
  4. vertical micro-programming
(정답률: 알수없음)
  • "dynamic micro-programming"은 실행 중에 마이크로프로그램을 로드하는 기법으로, 콘솔이나 보조기억장치에서 마이크로프로그램을 동적으로 로드할 수 있습니다. 이는 "static micro-programming"과는 달리 미리 정의된 마이크로프로그램을 사용하는 것이 아니라, 필요에 따라 새로운 마이크로프로그램을 생성하여 실행할 수 있습니다. 이를 통해 시스템의 유연성과 확장성을 높일 수 있습니다.
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95. 다음 karnaugh도에 의한 논리식은?

  1. A
  2. B
  3. AB
  4. A+B
(정답률: 알수없음)
  • 논리식은 "A" 이다.

    Karnaugh map에서 같은 색으로 표시된 셀들은 같은 논리식을 가지고 있다. 따라서, "A"와 "AB"는 같은 셀에 위치하고 있으며, "B"와 "A+B"는 같은 셀에 위치하고 있다.

    따라서, "A"와 "AB"를 OR 연산하면 "A"가 되고, "B"와 "A+B"를 OR 연산하면 "B"가 된다. 따라서, 전체 논리식은 "A + B"가 된다.
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96. 원시 프로그램을 목적 프로그램으로 바꾸어 주기억장치에 저장하기까지의 실행과정으로 옳은 것은?

  1. 컴파일러 - 링커 - 로더
  2. 컴파일러 - 로더 - 링커
  3. 링커 - 컴파일러 - 로더
  4. 링커 - 로더 - 컴파일러
(정답률: 알수없음)
  • 원시 프로그램을 목적 프로그램으로 바꾸어 주기 위해서는 먼저 소스 코드를 컴파일러를 통해 목적 코드로 변환해야 합니다. 이후 링커를 통해 여러 개의 목적 파일을 하나의 실행 파일로 합치고, 로더를 통해 메모리에 올려 실행할 수 있도록 준비합니다. 따라서 옳은 실행 과정은 "컴파일러 - 링커 - 로더" 입니다.
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97. 다음 주소지정 방식 중에서 반드시 누산기를 필요로 하는 방식은?

  1. 3-주소지정 방식
  2. 2-주소지정 방식
  3. 1-주소지정 방식
  4. 0-주소지정 방식
(정답률: 알수없음)
  • 1-주소지정 방식은 누산기를 필요로 합니다. 이는 주소값을 누산기에 저장하고, 이를 이용해 메모리 주소를 계산하기 때문입니다. 다른 방식들은 주소값을 직접 이용하거나, 상대적인 위치를 이용하기 때문에 누산기가 필요하지 않습니다.
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98. 다음 설명 중 옳은 것은?

  1. 10진수 72의 "9의 보수"는 27이고, "10의 보수"는 28이다.
  2. 10진수 72의 "9의 보수"는 28이고, "10의 보수"는 27이다.
  3. 2진수 1010의 "1의 보수"는 0101이고, "2의 보수"는 0101이다.
  4. 2진수 1010의 "1의 보수"는 0110이고, "2의 보수"는 0101이다.
(정답률: 알수없음)
  • 정답은 "10진수 72의 "9의 보수"는 27이고, "10의 보수"는 28이다." 이다.

    "9의 보수"는 각 자리수를 9에서 빼준 값이고, "10의 보수"는 "9의 보수"에서 1을 더한 값이다.

    따라서, 72의 "9의 보수"는 27이 되고, "10의 보수"는 28이 된다.

    다른 보기들은 2진수 1010의 "1의 보수"와 "2의 보수"를 혼동하거나, 72의 "9의 보수"와 "10의 보수"를 잘못 계산한 것이다.
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99. 중앙처리장치가 수행하는 명령어들을 기능별 4종류로 분류하였을 때, 이에 속하지 않는 것은?

  1. 함수연산 기능
  2. 전달 기능
  3. 기억 기능
  4. 입출력 기능
(정답률: 알수없음)
  • 중앙처리장치가 수행하는 명령어들을 기능별로 분류하면 다음과 같다.

    1. 함수연산 기능: 산술 연산, 논리 연산, 비트 연산 등의 함수를 수행하는 기능
    2. 전달 기능: 데이터나 명령어를 다른 장치나 기억장치로 전달하는 기능
    3. 기억 기능: 데이터나 명령어를 기억하는 기능
    4. 입출력 기능: 외부 장치와 데이터를 주고받는 기능

    이 중에서 "기억 기능"은 중앙처리장치가 데이터나 명령어를 기억하는 기능을 말한다. 따라서 "기억 기능"은 중앙처리장치가 수행하는 명령어들을 기능별로 분류한 4종류 중 하나이다.
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100. 다음 마이크로 동작은 어떤 기능을 의미하는가?

  1. 로드(LDA) 기능
  2. 스토어(STA) 기능
  3. 분기(JMP) 기능
  4. 덧셈(ADD) 기능
(정답률: 알수없음)
  • 이 마이크로 동작은 레지스터에 저장된 데이터를 메모리에 저장하는 스토어(STA) 기능을 의미한다. 이는 프로그램에서 중간 결과나 최종 결과를 메모리에 저장하기 위해 사용된다. 다른 보기들은 각각 레지스터에서 데이터를 로드하거나, 분기하거나, 덧셈하는 기능을 수행한다.
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