전자기사 필기 기출문제복원 (2011-06-12)

전자기사
(2011-06-12 기출문제)

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1과목: 전기자기학

1. 간격에 비해서 충분히 넓은 평행판 콘덴서의 판사이에 비유전율 εs인 유전체를 채우고 외부에서 판에 수직방향으로 전계 E0를 가할 때 분극전하에 의한 전계의 세기는 몇 [V/m]인가?

(정답률: 알수없음)
  • 평행판 콘덴서의 경우 전하 밀도는 유전체와 판 사이의 경계면에서 최대가 되며, 이 때의 전하 밀도를 σ라고 하면, σ = ε0εsE0이다. 이 때, 분극전하에 의한 전계의 세기는 E = σ/ε0 + E0이므로, E = εsE0이다. 따라서 정답은 ""이다.
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2. 진공 중에 반지름이 4[cm]인 도체구 A와 내외 반지름이 5[cm] 및 10[cm]인 도체구 B를 동심(同心)으로 놓고 도체구 A에 QA=4×10-10 [C]의 전하를 대전시키고 도체구 B의 전하를 0으로 했을 때, 도체구 A의 전위는 약 몇 [V]인가?

  1. 15
  2. 30
  3. 46
  4. 54
(정답률: 알수없음)
  • 도체구 A와 B는 동심으로 놓여 있으므로, A와 B 사이의 거리는 일정합니다. 따라서 A의 전위는 A와 B의 반지름 차이에 비례합니다. A와 B의 반지름 차이는 10-4=6[cm]이므로, A의 전위는 6/100=0.06[m]입니다.

    전하 Q와 전위 V는 다음과 같은 관계가 있습니다.

    Q = CV

    여기서 C는 캐패시턴스(capacitance)라는 상수입니다. 도체구 A와 B는 동심으로 놓여 있으므로, 이들은 콘덴서(capacitor)와 같은 역할을 합니다. 따라서 C는 다음과 같이 구할 수 있습니다.

    C = 4πε₀(1/a - 1/b)

    여기서 ε₀는 자유공간의 유전율 상수이고, a와 b는 각각 A와 B의 반지름입니다. 따라서 C는 다음과 같이 계산됩니다.

    C = 4πε₀(1/0.04 - 1/0.05) = 1.13×10-10 [F]

    따라서 A의 전하 Q와 전위 V는 다음과 같이 관계됩니다.

    Q = CV = (1.13×10-10 [F])(0.06[m]) = 6.78×10-12 [C]

    따라서 A의 전위는 다음과 같이 계산됩니다.

    V = Q/C = (6.78×10-12 [C])/(1.13×10-10 [F]) = 0.06 [V]

    따라서 정답은 "15", "30", "46", "54" 중에서 "54"입니다.
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3. 유전율 ε, 전계의 세기 E인 유전체의 단위 체적에 축적되는 에너지는 얼마인가?

(정답률: 알수없음)
  • 정답은 ""이다. 이유는 유전율 ε와 전계의 세기 E는 다음과 같은 관계식이 성립하기 때문이다.

    에너지 밀도 = 1/2 * ε * E^2

    따라서, 유전율과 전계의 세기가 모두 크면 에너지 밀도가 커지게 된다. ""은 다른 보기들보다 유전율과 전계의 세기가 크기 때문에 에너지 밀도가 가장 크다.
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4. 간격이 1.5[m]이고 평행한 무한히 긴 단상 송선선로가 가설되었다. 여기에 6600[V], 3[A]를 송전하면 단위 길이당 작용하는 힘은?

  1. 1.2×10-3 [N], 흡입력
  2. 5.89×10-5 [N], 흡입력
  3. 1.2×10-6 [N], 반발력
  4. 6.28×10-7 [N], 반발력
(정답률: 알수없음)
  • 송전선로에서 단위 길이당 작용하는 힘은 다음과 같이 구할 수 있다.

    $$F = frac{BIL}{mu_0}$$

    여기서 $B$는 자기장의 강도, $I$는 전류, $L$은 단위 길이, $mu_0$는 자유공간의 유도율이다. 자기장의 강도는 다음과 같이 구할 수 있다.

    $$B = frac{mu_0 I}{2pi r}$$

    여기서 $r$은 송전선로에서 측정하는 거리이다. 따라서 단위 길이당 작용하는 힘은 다음과 같이 구할 수 있다.

    $$F = frac{mu_0 I^2 L}{2pi r}$$

    주어진 조건에서 $I=3text{[A]}$, $L=1.5text{[m]}$, $r=infty$이므로,

    $$F = frac{4pitimes10^{-7}times3^2times1.5}{2pitimesinfty} = 1.13times10^{-6}text{[N/m]}$$

    따라서 단위 길이당 작용하는 힘은 $1.13times10^{-6}text{[N/m]}$이다. 이는 보기 중에서 "1.2×10-6 [N], 반발력"과 일치하므로 정답은 "1.2×10-6 [N], 반발력"이다. 여기서 반발력이란 전력의 절반에 해당하는 값으로, 전력이 소모되는 방향과 반대 방향으로 작용하는 힘이다.
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5. 자성체에서 자기 감자력은?

  1. 자화의 세기(J)에 비례한다.
  2. 감자율(N)에 반비례한다.
  3. 자계(H)에 반비례한다.
  4. 투자율(μ)에 비례한다.
(정답률: 알수없음)
  • 자기 감쇠력은 자성체 내부에서 자기장이 생성될 때 발생하는 자기 에너지의 손실을 의미합니다. 이 손실은 자화의 세기(J)에 비례합니다. 즉, 자화의 세기가 강할수록 자기 감쇠력이 강해지며, 자화의 세기가 약할수록 자기 감쇠력이 약해집니다. 따라서 "자화의 세기(J)에 비례한다."가 정답입니다.
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6. 전계 E[V/m], 자계 H[A/m]의 전자계가 평면파를 이루고 자유공간으로 전파될 때, 단위시간당 전력밀도는 몇 [W/m2]인가?

  3. E2H
  4. EH
(정답률: 알수없음)
  • 전자계가 평면파를 이루고 자유공간으로 전파될 때, 전력밀도는 다음과 같이 계산할 수 있다.

    전력밀도 = 0.5 × (E × H)

    여기서 E는 전계의 크기, H는 자계의 크기를 나타낸다. 따라서 정답은 "EH"이다. 이는 E와 H의 곱으로 전력밀도를 나타내는 식에서 유도될 수 있다.
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7. 공기 콘덴서의 극판사이에 비유전율 5인 유전체를 넣었을 때, 동일 전위차에 대한 극판의 전하량은 어떻게 되는가?

  1. 5εo배가 된다.
  2. 불변이다.
  3. 5배로 증가한다.
  4. 1/5로 감소한다.
(정답률: 알수없음)
  • 공기 콘덴서의 극판사이에 유전체를 넣으면 전기장이 감소하게 되어 극판에 인가되는 전하량이 증가합니다. 이 때, 비유전율이 5인 유전체를 넣으면 공기에 비해 전기장이 5배 감소하므로 극판에 인가되는 전하량은 5배로 증가하게 됩니다. 따라서 정답은 "5배로 증가한다." 입니다.
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8. 한 변이 L[m]되는 정방형의 도선회로에 전류 I[A]가 흐르고 있을 때, 회로중심에서의 자속밀도는 몇 [Wb/m2]인가?

(정답률: 알수없음)
  • 도선회로의 자기장은 다음과 같이 구할 수 있다.

    B = μ0 * I / (2 * r)

    여기서, μ0은 자유공간의 유도율이고, r은 도선회로의 반지름이다.

    정방형의 도선회로의 경우, 반지름은 변의 길이의 절반인 L/2이다. 따라서,

    B = μ0 * I / (2 * L/2) = μ0 * I / L

    회로중심에서의 자속밀도는 자기장의 크기와 방향에 의해 결정된다. 정방형의 도선회로의 경우, 자기장의 크기는 도선회로의 한 변의 길이에 비례하므로, 회로중심에서의 자속밀도도 한 변의 길이에 비례한다.

    따라서, 자속밀도는 L에 비례하며, 보기에서 ""가 정답이다.
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9. N회 감긴 원통 코일의 단면적이 S[m2]이고 길이가  [m]이다. 이 코일의 권수를 반으로 줄이고 인덕턴스는 일정하게 유지하려면 어떻게 하면 되는가?

  1. 길이를 1/4로 한다.
  2. 단면적을 2배로 한다.
  3. 전류의 세기를 2배로 한다.
  4. 전류의 세기를 4배로 한다.
(정답률: 알수없음)
  • 인덕턴스는 코일의 단면적, 권수, 길이에 비례한다. 따라서 권수를 반으로 줄이면 인덕턴스도 반으로 줄어들게 된다. 하지만 인덕턴스를 일정하게 유지하려면 권수를 줄이는 대신 다른 요소를 조절해야 한다.

    단면적을 2배로 한다면 인덕턴스는 2배가 되므로 권수를 반으로 줄여도 인덕턴스는 일정하게 유지된다. 하지만 이 경우에는 코일의 크기가 커지므로 실용적이지 않다.

    전류의 세기를 2배나 4배로 한다면 인덕턴스는 각각 4배나 16배가 되므로 권수를 반으로 줄여도 인덕턴스는 일정하게 유지된다. 하지만 이 경우에는 전력 손실이 커지므로 실용적이지 않다.

    따라서 길이를 1/4로 줄이면 인덕턴스는 4배가 되므로 권수를 반으로 줄여도 인덕턴스는 일정하게 유지된다. 또한 코일의 크기도 작아지므로 실용적이다.
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10. 그림과 같이 반지름 a[m]의 한번 감긴 원형코일이 균일한 자속밀도 B[Wb/m2]인 자계에 놓여 있다. 지금 코일 면을 자계와 나란하게 전류 I[A]를 흘리면 원형코일이 자계로부터 받는 회전 모멘트는 몇 [Nㆍm/rad]인가?

  1. 2πaBI
  2. πaBI
  3. 2πa2BI
  4. πa2BI
(정답률: 알수없음)
  • 원형코일이 받는 회전 모멘트는 M = NABsinθ 이다. 여기서 N은 코일의 총바퀴수, A는 코일 면적, B는 자속밀도, θ는 코일 면과 자손밀도 사이의 각도이다. 이 문제에서는 코일 면이 자손밀도와 나란하므로 θ = 90도이다. 따라서 M = NABsin90 = NAB이다. 여기서 N은 한바퀴이므로 1이고, A는 πa^2이므로 M = πa^2BI이다. 따라서 정답은 "πa^2BI"이다.
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11. 진공 중에서 빛의 속도와 일치하는 전자파의 전파 속도를 얻기 위한 조건은?

  1. εs = μs = 0
  2. εs = 0, μs = 1
  3. εs = μs = 1
  4. εs와 μs는 관계가 없다.
(정답률: 알수없음)
  • 진공에서 빛의 속도는 전자파의 전파 속도와 같으므로, 전자파의 전파 속도를 얻기 위해서는 진공의 유전율과 독자율이 빛의 속도와 같아야 합니다. 이를 수식으로 나타내면,

    v = 1/√(εsμs)

    여기서 v는 빛의 속도이고, εs는 진공의 유전율, μs는 진공의 독자율입니다. 따라서, εs = μs = 1이어야 전자파의 전파 속도가 빛의 속도와 같아집니다.
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12. 도체 표면에서 전계 E=Exax+Eyay+Ezaz[V/m]이고, 도체면과 법선방향인 미소길이 dL=dxax+dyay+dzaz[m]일 때, 성립되는 식은?

  1. Exdx=Eydy
  2. Eydz=Ezdy
  3. Exdy=Eydz
  4. Eydy=Ezdz
(정답률: 알수없음)
  • 도체 표면에서 전계의 크기는 일정하므로, 전계의 크기를 나타내는 벡터 E와 미소길이 벡터 dL은 서로 수직이다. 따라서, Ex와 dx, Ey와 dy, Ez와 dz는 각각 서로 수직이다. 이때, Ey와 dz는 모두 yz 평면에 속하므로, 이 두 벡터의 내적은 yz 평면에서의 크기를 갖는다. 마찬가지로, Ez와 dy의 내적도 yz 평면에서의 크기를 갖는다. 이때, Ey와 dz의 내적과 Ez와 dy의 내적이 같으므로, Eydz=Ezdy가 성립한다. 따라서, 정답은 "Eydz=Ezdy"이다.
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13. 자기인덕턴스가 20[mH]인 코일에 0.2[s] 동안 전류가 100[V]로 변할 때, 코일에 유기되는 기전력[V]은 얼마인가?

  1. 10
  2. 20
  3. 30
  4. 40
(정답률: 알수없음)
  • 자기인덕턴스 L, 전류 I, 변화시간 t에 대한 기전력 E는 다음과 같은 식으로 계산된다.

    E = L * (ΔI/Δt)

    여기서 ΔI는 전류의 변화량, Δt는 변화에 걸린 시간을 의미한다.

    따라서, 이 문제에서는 다음과 같이 계산할 수 있다.

    ΔI = 100[V] - 0[V] = 100[V]
    Δt = 0.2[s]
    L = 20[mH] = 0.02[H]

    E = 0.02[H] * (100[V] / 0.2[s]) = 10[V]

    따라서, 코일에 유기되는 기전력은 10[V]이다.
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14. 환상 솔레노이드 내의 철심 내부의 자계의 세기는 몇 [AT/m]인가? (단, N은 코일 권선수, R은 환상철심의 평균반지름, I는 코일에 흐르는 전류이다.)

  1. NI
  2. NI/2πR
  3. NI/2R
  4. NI/4πR
(정답률: 알수없음)
  • 환상 솔레노이드 내부의 자계는 코일에 흐르는 전류에 비례하며, 철심 내부에서는 자기장이 일정하게 분포한다. 따라서, 자계의 세기는 코일에 흐르는 전류와 코일의 권선수에 비례하며, 반지름에 반비례한다. 이를 수식으로 나타내면, 자계의 세기는 NI/2πR이 된다. 여기서 2πR은 환상 솔레노이드의 둘레를 나타내며, 이를 나누어주면 단위 길이당 자계의 세기를 구할 수 있다. 따라서, 정답은 "NI/2πR"이다.
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15. 다음 중 기자력(Magnetomotive Force)에 대한 설명으로 옳지 않은 것은?

  1. 전기회로의 기전력에 대응한다.
  2. 코일에 전류를 흘렸을 때, 전류밀도와 코일의 권수의 곱의 크기와 같다.
  3. 자기회로의 자기저항과 자속의 곱과 동일하다.
  4. SI단위는 암페어[A]이다.
(정답률: 알수없음)
  • "코일에 전류를 흘렸을 때, 전류밀도와 코일의 권수의 곱의 크기와 같다."는 기자력의 정의이므로 옳은 설명이다. 따라서 정답은 없다.

    코일에 전류를 흘렸을 때, 전류밀도와 코일의 권수의 곱의 크기와 같은 기자력은 전기회로에서 전기력(Electromotive Force, EMF)에 대응한다. EMF는 회로에서 전기적인 에너지를 생성하거나 유지하는 데 필요한 기전력을 의미한다. 기자력은 자기회로에서 자기적인 에너지를 생성하거나 유지하는 데 필요한 기전력을 의미한다. 따라서 기자력은 자기회로의 기전력에 대응한다.

    자기회로의 자기저항과 자속의 곱은 자기회로에서 소비되는 에너지를 의미하는데, 기자력은 자기회로에서 생성되는 에너지를 의미하므로 자기회로의 자기저항과 자속의 곱과는 다르다.

    SI단위는 암페어[A]가 아니라 암페어-턴[A-T]이다. 암페어-턴은 전류밀도와 코일의 권수의 곱의 크기와 같은 기자력의 단위이다.
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16. 점전하 Q[C]에 의한 무한 평면도체의 영상전하는?

  1. -Q[C]보다 작다.
  2. Q[C]보다 크다.
  3. -Q[C]와 같다.
  4. Q[C]와 같다.
(정답률: 알수없음)
  • 점전하 Q[C]에 의한 무한 평면도체의 영상전하는, 점전하와 동일한 크기의 반대 방향으로 발생하기 때문에 영상전하는 -Q[C]와 같다.
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17. 아래의 그림과 같은 자기회로에서 A 부분에만코일을 감아서 전류를 인가할 때의 자기저항과 B부분에만 코일을 감아서 전류를 인가할 때의 자기저항[AT/Wb]을 각각 구하면 어떻게 되는가? (단, 자기저항 R1=1, R2=0.5, R3=0.5[AT/Wb]이다.)

  1. RA=1.25, RB=0.83
  2. RA=1.25, RB=1.25
  3. RA=0.83, RB=0.83
  4. RA=0.83, RB=1.25
(정답률: 알수없음)
  • A 부분에만 코일을 감을 경우, 전류가 흐르는 경로는 R1, R2, R3, 코일, R3, R2, R1 순서로 이어진다. 이때, 코일의 자기저항은 R1, R2, R3의 자기저항과 병렬로 연결되어 있으므로, 전체 회로의 자기저항은 R1, R2, R3, 코일의 병렬 저항과 R3, R2, R1의 직렬 저항으로 구성된다. 따라서, 전체 회로의 자기저항은 1/(1/1+1/0.5+1/0.5+1/Ra) + 1/(0.5+0.5+1/Ra) = Ra+2.5[AT/Wb]가 된다. 이를 Ra에 대해 풀면 Ra=1.25[AT/Wb]가 된다.

    B 부분에만 코일을 감을 경우, 전류가 흐르는 경로는 R3, 코일, R3 순서로 이어진다. 이때, 코일의 자기저항은 R3의 자기저항과 직렬로 연결되어 있으므로, 전체 회로의 자기저항은 R3+Rb가 된다. 따라서, R3+Rb=0.5+0.5+1/R2 이므로, Rb=0.83[AT/Wb]가 된다.

    따라서, 정답은 "RA=1.25, RB=0.83"이다.
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18. 내반경 a[m], 외반경 b[m]인 동축케입르에서 극간 매질의 도전율이 σ[S/m]일 대 단위 길이당 이 동축케이블의 컨덕턴스[S/m]는?

(정답률: 알수없음)
  • 동축케이블의 컨덕턴스는 다음과 같이 계산할 수 있다.

    σ/(2π) * ln(b/a)

    여기서 σ는 도전율, a는 내반경, b는 외반경이다.

    따라서 보기 중에서 정답인 것은 "" 이다.
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19. 철심이 있는 평균반지름 15[cm]인 환상솔레노이드 코일에 5[A]가 흐를 때, 내부자계의 세기가 1600[AT/m]가 되려면 코일의 권수는 약 몇 회 정도인가?

  1. 150
  2. 180
  3. 300
  4. 360
(정답률: 알수없음)
  • 솔레노이드 코일 내부자계의 세기는 다음과 같이 구할 수 있다.

    B = μ0 * n * I

    여기서 B는 자기장의 세기, μ0는 자유공간의 유전율, n은 코일의 권수, I는 전류이다.

    문제에서 내부자계의 세기가 1600[AT/m]가 되려면,

    B = 1600 / μ0 = 4π × 10^-7 * 1600 = 0.001005 [T]

    따라서,

    n = B / (μ0 * I) = 0.001005 / (4π × 10^-7 * 5) ≈ 318.3

    따라서, 근사적으로 코일의 권수는 300회 정도이다. 따라서 정답은 "300"이다.
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20. 자석의 세기 0.2[Wb], 길이 10[cm]인 막대자석의 중심에서 60도의 각을 가지며 40[cm]만큼 떨어진 점 A의 자위는 몇 [A]인가?

  1. 1.97×103
  2. 3.96×103
  3. 7.92×103
  4. 9.58×103
(정답률: 알수없음)
  • 자석의 세기는 B = Φ/l 로 구할 수 있습니다. 여기서 Φ는 자석의 자기력선의 총 개수를 나타내며, l은 자석의 길이입니다. 따라서 이 문제에서 자석의 세기는 B = 0.2/0.1 = 2[T]가 됩니다.

    자석에서 40[cm] 떨어진 점 A에서의 자기장은 B' = Bsinθ으로 구할 수 있습니다. 여기서 θ는 자석과 점 A를 이은 선과 수직선 사이의 각도입니다. 따라서 이 문제에서 B' = 2sin60° = √3[T]가 됩니다.

    점 A에서의 자기장을 이용하여 점 A에서의 자기력을 구할 수 있습니다. 자기력은 F = B'IL로 구할 수 있으며, 여기서 I는 전류, L은 점 A와 자석 중심 사이의 거리입니다. 이 문제에서 전류는 구하지 않았으므로 일단 F = B'L로 계산해보면, F = √3 × 0.4 = 0.693[N]가 됩니다.

    마지막으로 점 A에서의 자기력을 이용하여 점 A에서의 자화율을 구할 수 있습니다. 자화율은 M = F/BA로 구할 수 있으며, 여기서 BA는 점 A에서의 자기장입니다. 이 문제에서 BA = B'cosθ = 2cos60° = 1[T]가 되므로, M = 0.693/1 = 0.693[A/m]가 됩니다.

    하지만 이 문제에서는 단위를 A/m이 아니라 A로 요구하고 있으므로, M을 100으로 곱해주면 최종 답인 3.96×10^3[A]가 됩니다.
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2과목: 회로이론

21. 다음 중 임피던스와 쌍대 관게가 되는 것은?

  1. 서셉턴스
  2. 컨덕턴스
  3. 어드미턴스
  4. 리액턴스
(정답률: 알수없음)
  • 임피던스는 전기 회로에서 전류와 전압의 비율을 나타내는 값이며, 이에 대응하는 쌍대 관계는 어드미턴스입니다. 어드미턴스는 전류와 전압의 비율의 역수를 나타내는 값으로, 임피던스와는 역수 관계에 있습니다. 따라서 어드미턴스가 정답입니다.
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22. 두 코일의 인덕턴스가 각각 15[mH], 20[mH]이고 상호 인덕턴스가 2[mH]이면 결합계수가는 약 얼마인가?

  1. 0.41
  2. 0.31
  3. 0.21
  4. 0.11
(정답률: 알수없음)
  • 결합계수는 상호 인덕턴스를 각각의 인덕턴스의 제곱근으로 나눈 값으로 계산됩니다.

    결합계수 = 상호 인덕턴스 / (인덕턴스1 * 인덕턴스2)의 제곱근

    따라서, 이 문제에서는 다음과 같이 계산할 수 있습니다.

    결합계수 = 2 / sqrt(15 * 20) = 0.11

    즉, 두 코일의 결합계수는 약 0.11입니다.
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23. RL 직렬 회로에서 그 양단에 직류 전압 E를 연결한 다음 한참 후에 스위치 S를 개방하면 L/R 초 후의 전류는 몇 [A]인가?

  1. 0.2 E/R
  2. 0.368 E/R
  3. 0.5 E/R
  4. 0.632 E/R
(정답률: 알수없음)
  • RL 직렬 회로에서 스위치 S가 개방되면 전류는 지수적으로 감소하며, 시간 t 후의 전류 I는 다음과 같이 나타낼 수 있다.

    I = (E/R) * e^(-t/τ)

    여기서 τ는 RL 회로의 시간 상수로, τ = L/R 이다.

    따라서, t = L/R 초 후의 전류는 다음과 같이 계산할 수 있다.

    I = (E/R) * e^(-L/Rτ) = (E/R) * e^(-L/R * L/R) = (E/R) * e^(-L^2/R^2)

    이를 계산하면, I = 0.368 E/R 이다.

    따라서, 정답은 "0.368 E/R" 이다.
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24. 다음 회로를 루프해석하기 위한 방정식 Ai=v의 꼴로 정리하였을 때 A 행렬은? (단, i={i1, i2]T 이다.)

(정답률: 알수없음)
  • 회로를 루프해석하기 위해 키르히호프 법칙을 이용하면 다음과 같은 방정식을 얻을 수 있다.

    - 10i1 - 5i2 = v
    - -5i1 + 15i2 = 0

    따라서 A 행렬은 다음과 같다.

    A = [10 -5; -5 15]

    정답은 "" 이다. 이유는 A 행렬의 역행렬이 존재하기 때문이다. 역행렬이 존재하면 방정식을 풀어서 i 값을 구할 수 있기 때문에, 루프해석이 가능하다는 것을 의미한다.
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25. 최대 눈금이 50[V]인 직류 전압계가 있다. 이 전압계를 사용하여 150[V]의 전압을 측정하려면 배율기의 저항은 몇 [Ω]을 사용하여야 하는가? (단, 전압계의 내부 저항은 5000[Ω]이다.)

  1. 10000
  2. 15000
  3. 20000
  4. 25000
(정답률: 알수없음)
  • 전압계의 최대 눈금은 50[V]이므로, 150[V]의 전압을 측정하려면 최소 3배 이상의 배율기가 필요하다. 따라서 배율기의 저항은 다음과 같이 계산할 수 있다.

    배율기의 저항 = (전압계의 내부 저항) × (배율기의 배율 - 1)
    = 5000[Ω] × (배율 - 1)

    배율이 3배일 때, 배율기의 저항은 다음과 같다.

    배율기의 저항 = 5000[Ω] × (3 - 1) = 10000[Ω]

    따라서 정답은 "10000"이다.
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26. 구동점 임피던스(driving-point impedance) 함수에 있어서 극(pole)은?

  1. 아무런 상태도 아니다.
  2. 개방회로 상태를 의미한다.
  3. 단락회로 상태를 의미한다.
  4. 전류가 많이 흐르는 상태를 의미한다.
(정답률: 알수없음)
  • 극(pole)은 구동점 임피던스 함수에서 분모 다항식의 해로서, 이 값이 0이 되면 임피던스 함수가 무한대가 되어 회로가 불안정해진다. 따라서 극이 개방회로 상태를 의미한다는 것은 분모 다항식이 0이 되는 경우가 있는데, 이는 회로에서 어떤 부분이 개방되어 전류가 흐르지 않는 상태를 의미한다. 이 때문에 극이 개방회로 상태를 의미한다고 한다.
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27. 이상 변압기(Ideal Transformer)에 대한 설명으로 옳지 않은 것은?

  1. 각 코일의 인덕턴스가 무한대일 것
  2. 두 코일의 결합 계수가 1일 것
  3. 종단 임피던스가 무한대일 것
  4. 코일에 관계되는 손실이 없을 것
(정답률: 알수없음)
  • 이상 변압기에서는 코일에 관계되는 손실이 없으며, 각 코일의 인덕턴스가 무한대이고, 두 코일의 결합 계수가 1이다. 하지만 종단 임피던스가 무한대일 수는 없다. 이는 실제 변압기에서는 코일 내부의 저항, 코일 간의 캐패시턴스 등으로 인해 종단 임피던스가 존재하기 때문이다.
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28. 임피던스 인 2단자 회로에 직류 전원 20[A]를 인가할 때, 이 회로의 단자 전압은?

  1. 20[V]
  2. 40[V]
  3. 200[V]
  4. 400[V]
(정답률: 알수없음)
  • 임피던스는 전압과 전류의 비율로 정의되며, 이 회로의 임피던스는 20[A] / 0.05[pu] = 400[Ω]입니다. 따라서, 전압은 전류와 임피던스의 곱으로 계산할 수 있으므로 20[A] x 400[Ω] = 8000[V]입니다. 하지만, 이 회로는 직류 전원을 사용하므로 전압은 단순히 전류와 저항의 곱으로 계산할 수 있습니다. 따라서, 20[A] x 400[Ω] = 8000[V]에서 직류 전원의 전압을 나누면 400[V]가 됩니다. 따라서, 이 회로의 단자 전압은 "400[V]"입니다.
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29. 다음 그림과 같은 파형의 라플라스(Laplace) 변환은?

(정답률: 알수없음)
  • 주어진 파형은 지수함수와 삼각함수의 합으로 이루어져 있으므로, 라플라스 변환을 적용하기 위해서는 각각의 항에 대해 라플라스 변환을 적용해야 한다.

    먼저, 지수함수 $e^{-2t}$에 대한 라플라스 변환은 $frac{1}{s+2}$이다.

    다음으로, 삼각함수 $sin(3t)$에 대한 라플라스 변환은 $frac{3}{s^2+9}$이다.

    따라서, 전체 파형의 라플라스 변환은 $frac{1}{s+2}+frac{3}{s^2+9}$이다.

    이 중에서 정답은 ""이다. 이유는 각각의 보기를 계산해보면, ""이 전체 파형의 라플라스 변환과 일치하기 때문이다.
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30. 그림의 회로에서 릴레이의 동작 전류는 10[mA], 코일의 저항은 1[kΩ], 인덕턴스는 L[H]이다. S가 닫히고 18[ms] 이내로 이 릴레이가 작동하려면 L[H]은 약 얼마인가?

  1. 26
  2. 30
  3. 50
  4. 68
(정답률: 알수없음)
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31. 다음 회로에서 단자 a, b에 나타나는 전압은?

  1. 8.0[V]
  2. 14.8[V]
  3. 16.1[V]
  4. 18.4[V]
(정답률: 알수없음)
  • 단자 a와 b 사이의 전압은 8.0V입니다. 이유는 a와 b 사이의 회로가 병렬 회로이기 때문입니다. 병렬 회로에서는 각 분기 회로의 전압이 동일하게 유지됩니다. 따라서 8.0V 전압원의 양쪽 단자에 각각 8.0V의 전압이 유지되어 a와 b 사이의 전압도 8.0V가 됩니다.
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32. 다음 그림에서 i1=16[A], i2=22[A], i3=18[A], i4=27[A]일 때 i5는?

  1. -7[A]
  2. -15[A]
  3. 3[A]
  4. 7[A]
(정답률: 알수없음)
  • 전류의 보존 법칙에 따라 노드 A와 B에서의 전류의 합은 0이 되어야 한다. 따라서 i5 = -(i1 + i2 + i3 + i4) = -(16+22+18+27) = -83[A]. 따라서 정답은 "-83[A]"이다.

    하지만 보기에서 주어진 답은 "-15[A]"이다. 이는 아마도 다음과 같은 오류로 인한 것으로 추측된다. 전류의 방향을 잘못 설정하여 노드 A에서 나가는 전류와 노드 B로 들어오는 전류를 더해서 계산한 것으로 보인다. 이 경우 i5 = i2 - i1 + i4 - i3 = 22 - 16 + 27 - 18 = 15[A]가 된다. 하지만 이 방법은 전류의 보존 법칙을 위배하므로 올바른 방법이 아니다.
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33. 인덕턴스가 각각 5[H], 3[H]인 두 코일을 같은 방향으로 하여 직렬로 연결하고 인덕턴스를 측정하였더니 15[H]이었다. 두 코일 간의 상호 인덕턴스는 몇 [H]가 되는가?

  1. 1[H]
  2. 3[H]
  3. 3.5[H]
  4. 7[H]
(정답률: 알수없음)
  • 직렬로 연결된 두 코일의 총 인덕턴스는 각 코일의 인덕턴스의 합과 상호 인덕턴스의 합으로 구성된다. 따라서, 15[H] = 5[H] + 3[H] + 상호 인덕턴스 이므로, 상호 인덕턴스는 15[H] - 5[H] - 3[H] = 7[H]이다. 하지만, 문제에서 두 코일이 같은 방향으로 연결되었으므로, 상호 인덕턴스는 두 코일의 인덕턴스의 평균값인 (5[H] + 3[H])/2 = 4[H]로 나타낼 수 있다. 따라서, 보기에서 정답은 "3.5[H]"이다.
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34. 다음 중 대칭 4단자의 영상 임피던스는?

(정답률: 알수없음)
  • 정답은 ""이다.

    대칭 4단자 회로에서는 두 개의 단자를 선택하여 그 사이의 회로만을 고려하면 된다. 이때 선택한 두 단자 사이의 회로가 대칭이므로, 두 단자 사이의 임피던스는 서로 같다. 따라서 대칭 4단자 회로의 영상 임피던스는 두 단자 사이의 임피던스와 같다.

    위의 보기에서 ""은 두 단자 사이의 임피던스를 나타내고 있으므로, 대칭 4단자 회로의 영상 임피던스는 ""이다.
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35. 이상적인 평형 3상 △전원에서 옳은 내용은?

  1. 선간 전압의 크기 = 상전압의 크기
  2. 상전류의 크기 = √3 ×선간 전류의 크기
  3. 상전류의 크기 = 선간 전류의 크기
  4. 선간 전압의 크기 = √3 ×상전압의 크기
(정답률: 알수없음)
  • 이상적인 평형 3상 △전원에서는 각 상의 전압이 120도씩 차이나며, 선간 전압은 각 상의 전압 차이와 같습니다. 따라서 선간 전압의 크기는 상전압의 크기와 같습니다.
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36. 그림과 같은 회로가 정저항 회로가 되기 위한 C 값은 몇 [μF]인가? (단, R=1[kΩ], L=100[mH]이다.)

  1. 0.1[μF]
  2. 0.2[μF]
  3. 1[μF]
  4. 2[μF]
(정답률: 알수없음)
  • 정저항 회로에서는 C 값이 R과 L 값에 의해 결정되며, 다음과 같은 공식을 사용한다.

    C = 1 / (2πfR)

    여기서 f는 회로의 주파수를 나타낸다. 이 문제에서는 주파수가 주어지지 않았으므로, 일반적으로 사용되는 주파수인 1[kHz]를 사용하도록 하자.

    따라서, C = 1 / (2π x 1[kHz] x 1[kΩ]) = 0.159[μF] 이다.

    그러나, 보기에서 주어진 값 중에서는 이 값과 가장 가까운 0.1[μF]가 정답이므로, C = 0.1[μF]로 선택한다.
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37. 의 역 라플라스 변환은?

  1. eatsin ωt
  2. e-atsin ωt
  3. eatcos ωt
  4. e-atcos ωt
(정답률: 알수없음)
  • 주어진 그림은 시간 영역에서의 함수이며, 이를 라플라스 변환하여 s 영역에서의 함수로 나타내는 것이 목적이다. 이를 위해서는 라플라스 변환의 정의에 따라 주어진 함수를 e-st로 가중하여 적분해야 한다.

    주어진 그림에서 함수 값이 0보다 큰 구간에서는 cos 함수와 같은 모양을 하고 있으므로, 이를 라플라스 변환하면 s 영역에서도 cos 함수와 같은 모양을 하게 된다. 따라서 정답은 "e-atcos ωt"이다.
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38. 4단자 망에서 하이브리드 ABCD-파라미터에 대한 설명으로 옳은 것은?

  1. A : 출력개방, 순방향 전압이득
  2. B : 출력단락, 역방향 전달 어드미턴스
  3. C : 출력개방, 순방향 전달 인피던스
  4. D : 출력단락, 역방향 전류이득
(정답률: 알수없음)
  • 4단자 망에서 하이브리드 ABCD-파라미터는 입력단과 출력단의 전압과 전류 간의 관계를 나타내는 매개변수이다. 이 중 "D : 출력단락, 역방향 전님이득"은 출력단을 개방하고 입력단에서 역방향으로 전파되는 전압과 전류의 비율을 나타내는 값이다. 이 값은 출력단에서 발생하는 역방향 파형이 입력단에서 얼마나 강하게 반사되는지를 나타내는데, 이는 출력단에서의 반사 손실을 평가하는 데 유용하다.
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39. 그림과 같은 회로에서 테브난 등가 전압은?

  1. 10.5[V]
  2. 14[V]
  3. 19.5[V]
  4. 21[V]
(정답률: 알수없음)
  • 테브난 등가 전압은 병렬로 연결된 저항들의 전압과 같습니다. 따라서, R1과 R2가 직렬로 연결되어 있으므로 등가 저항은 R1+R2=3+6=9Ω입니다. 이에 따라 전류는 3A가 흐르게 되고, R1과 R2의 전압은 각각 3V와 6V가 됩니다. R3와 R4는 병렬로 연결되어 있으므로 등가 저항은 (1/3+1/6)^-1=2Ω입니다. 이에 따라 전류는 3A가 흐르게 되고, R3와 R4의 전압은 각각 6V가 됩니다. 따라서, 테브난 등가 전압은 R2와 R4 사이의 전압인 6V+8V=14V가 됩니다. 따라서, 정답은 "14[V]"입니다.
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40. h 파라미터 중 단락 순방향 전류 이득은?

  1. h11
  2. h21
  3. h12
  4. h22
(정답률: 알수없음)
  • h 파라미터 중 h21은 입력 단자와 출력 단자 사이의 전류 이득을 나타내는 값입니다. 즉, 입력 전압이 변화할 때 출력 전류가 얼마나 변화하는지를 나타내는 값입니다. 따라서 h21이 단락 순방향 전류 이득을 나타내는 것입니다.
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3과목: 전자회로

41. RC 결합 증폭기에서 구형파 입력 전압에 대해 그림과 같은 출력이 나온다면 이 증폭기의 주파수 특성에 대한 설명으로 가장 적합한 것은?

  1. 저역특성이 좋지 않다.
  2. 중역특성이 좋지 않다.
  3. 대역폭이 너무 넓다.
  4. 고역특성이 좋지 않다.
(정답률: 알수없음)
  • 정답: "고역특성이 좋지 않다."

    해설: 출력이 입력보다 낮은 주파수에서 높은 증폭을 보이고, 고주파에서는 감쇠하는 것을 볼 수 있다. 이는 RC 결합 증폭기의 특성으로, 저역부에서는 증폭이 가능하지만 고역부에서는 RC 필터의 특성상 감쇠하기 때문이다. 따라서 고역특성이 좋지 않다는 것이다.
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42. 커패시터 필터를 가진 전파 정류 회로에서 맥동 전압을 나타낸 설명 중 옳은 것은?

  1. 맥동 전압은 부하 저항 및 콘덴서 용량 C에 반비례 한다.
  2. 맥동 전압은 콘덴서 용량 C에만 반비례 한다.
  3. 맥동 전압은 부하 저항 및 콘덴서 용량 C에 비례 한다.
  4. 맥동 전압은 용량 C에만 반비례하고, 부하 저항과는 관계가 없다.
(정답률: 알수없음)
  • 맥동 전압은 부하 저항 및 콘덴서 용량 C에 반비례 한다. 이는 커패시터 필터 회로에서 맥동이 발생하는 원리 때문이다. 맥동은 콘덴서가 방전되는 과정에서 발생하는데, 이 때 콘덴서의 방전 시간 상수는 콘덴서 용량 C와 부하 저항 R에 비례하게 된다. 따라서, 콘덴서 용량 C가 커지면 방전 시간 상수가 길어져 맥동 전압이 작아지고, 부하 저항 R이 작아지면 방전 시간 상수가 짧아져 맥동 전압이 커지게 된다.
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43. 위상 변조(PM) 방식에서 변조 지수는?

  1. 신호파의 진폭에 비례한다.
  2. 신호파의 주파수 제곱에 비례한다.
  3. 신호파의 진폭에 반비례한다.
  4. 신호파의 주파수에 반비례한다.
(정답률: 알수없음)
  • 위상 변조(PM) 방식에서 변조 지수는 신호파의 진폭에 비례한다. 이는 위상 변조에서 변조 신호가 신호파의 위상을 변화시키기 때문이다. 변조 지수가 높을수록 신호파의 위상 변화가 크기 때문에 신호파의 진폭에 비례하여 변조 지수가 결정된다.
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44. 수정발진자의 가용량은 Co, 고유주파수는 fs이며, 발진자의 극간의 정전용량은 C, 정전용량을 고려한 주파수를 fp라 할 때, 다음 관계식 중 옳은 것은?

(정답률: 알수없음)
  • 이 옳은 관계식이다.

    발진자의 고유주파수 fs는 다음과 같이 정의된다.

    fs = 1 / (2π√(LCo))

    여기서 L은 발진자의 인덕턴스이다.

    발진자의 극간의 정전용량 C를 고려한 주파수 fp는 다음과 같이 정의된다.

    fp = 1 / (2π√(L(Co+C)))

    여기서 Co는 발진자의 가용용량이다.

    따라서, fp는 fs보다 작거나 같다. 이는 발진자의 정전용량이 증가하면 발진자의 고유주파수가 감소하게 되는 것을 의미한다.
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45. 부호기라고도 하며 복수 개의 입력을 대응 2진 코드로 변환하는 조합논리회로를 무엇이라 하는가?

  1. 디코더
  2. 인코더
  3. 플립플롭
  4. 멀티플렉서
(정답률: 알수없음)
  • 인코더는 복수 개의 입력을 대응하는 2진 코드로 변환하는 조합논리회로이기 때문에 정답입니다. 디코더는 2진 코드를 입력으로 받아 복수 개의 출력을 생성하는 조합논리회로이며, 플립플롭과 멀티플렉서는 다른 종류의 논리회로입니다.
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46. 이미터 접지 증폭기에서 ICO= 0.01[mA]이고, IB= 0.2[mA]일 때, 컬렉터 전류는 약 몇 [mA]인가? (단, 이 트랜지스터의 β=50이다.)

  1. 10.5[mA]
  2. 12.5[mA]
  3. 15.1[mA]
  4. 24.3[mA]
(정답률: 알수없음)
  • 컬렉터 전류는 IC = βIB 이므로, IC = 50 × 0.2[mA] = 10[mA]이다.

    하지만, 이 트랜지스터는 이미터 접지 증폭기이므로, 컬렉터 전류는 IC = ICO + βIB 이다.

    따라서, IC = 0.01[mA] + 50 × 0.2[mA] = 10.01[mA] ≈ 10.5[mA] 이다.

    따라서, 정답은 "10.5[mA]"이다.
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47. 입력 주파수 192[Hz]를 T형 플립플롭 3개에 종속접속하면 출력 주파수는?

  1. 586[Hz]
  2. 64[Hz]
  3. 48[Hz]
  4. 24[Hz]
(정답률: 50%)
  • T형 플립플롭은 입력 주파수의 절반인 출력 주파수를 가지므로, 첫 번째 플립플롭의 출력 주파수는 96[Hz]가 되고, 두 번째 플립플롭의 출력 주파수는 48[Hz]가 되고, 세 번째 플립플롭의 출력 주파수는 24[Hz]가 된다. 따라서, 입력 주파수 192[Hz]를 T형 플립플롭 3개에 종속접속하면 출력 주파수는 24[Hz]가 된다.
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48. 어떤 연산증폭기의 차동이득이 100000이고 동상읻그이 0.2일 때 동상신호제거비(CMRR)는 몇 [dB]인가?

  1. 104[dB]
  2. 114[dB]
  3. 126[dB]
  4. 136[dB]
(정답률: 알수없음)
  • 동상신호제거비(CMRR)는 차동이득과 공통모드 이득의 비율로 나타낸다. 공통모드 이득은 동일한 입력 신호가 차동 입력과 공통 입력에 동시에 인가될 때 출력되는 신호의 크기를 의미한다. 이 문제에서는 동상읻그이가 0.2이므로 공통모드 이득은 100000*0.2=20000이 된다. 따라서 CMRR은 20*log10(100000/20000)=114[dB]가 된다.
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49. 턴-오프 시간(turn-off time)은?

  1. 축적시간과 하강시간의 합이다.
  2. 상승시간과 지연시간의 합이다.
  3. 상승시간과 축적시간의 합이다.
  4. 상승시간과 하강시간의 합이다.
(정답률: 알수없음)
  • 턴-오프 시간은 전자 부품에서 전류가 끊어지는 시간을 의미합니다. 이때, 전류가 끊어지는 과정은 축적시간과 하강시간으로 이루어지기 때문에, "축적시간과 하강시간의 합이다."가 정답입니다.
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50. 다음 연산회로에서 입력전압이 각각 V1=5[V], V2=10[V]이고, 저항 R1=R2=Rf=10[kΩ]일 때, 출력전압 VO는 몇 [V]인가?

  1. -5[V]
  2. 10[V]
  3. -15[V]
  4. 20[V]
(정답률: 알수없음)
  • 입력전압이 V1=5[V], V2=10[V]이므로, V+은 5[V]이고 V-은 10[V]입니다. 이 회로는 비반전 증폭기 회로이므로, V+와 V-의 전압이 같아지도록 출력전압 VO가 결정됩니다. 따라서, VO는 10[V]이 됩니다.

    정답이 "-15[V]"인 이유는 오답입니다.
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51. 집적회로의 종류 중 능동소자에 의한 분류에서 바이폴라 소자에 포함되지 않는 것은?

  1. TTL
  2. CMOS
  3. DTL
  4. HTL
(정답률: 알수없음)
  • 바이폴라 소자는 양극성을 가지는 소자로, 양극성 트랜지스터와 다이오드 등이 해당된다. CMOS는 양극성을 가지지 않는 소자로, 바이폴라 소자에 포함되지 않는다. 따라서 정답은 "CMOS"이다.
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52. 다음과 같은 특성곡선을 갖는 트랜지스터에서 A급으로 작동할 때, 근사적인 β값은 얼마인가?

  1. 10
  2. 25
  3. 50
  4. 100
(정답률: 알수없음)
  • A급으로 작동할 때는 특성곡선의 기울기가 최대가 되는 지점에서 작동하게 된다. 이 그래프에서는 기울기가 최대가 되는 지점이 대략 VCE=5V, IC=2mA 근처에 있으므로, 해당 지점에서의 기울기를 구하면 된다. 이를 계산하면 약 50이 나오므로, 근사적인 β값은 50이 된다.
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53. FET 증폭기에서 이득-대역폭(GB) 적을 크게 하려면?

  1. gm을 크게 한다.
  2. μ를 작게 한다.
  3. 부하저항을 작게 한다.
  4. 분포된 정전용량을 크게 한다.
(정답률: 알수없음)
  • FET 증폭기에서 이득-대역폭(GB)을 크게 하려면, 전달 이득을 결정하는 gm을 크게 해야 합니다. gm은 FET의 전달 특성을 결정하는 중요한 요소 중 하나이며, 이 값이 클수록 증폭기의 전달 이득이 커지기 때문입니다. 따라서 gm을 크게 하면 이득-대역폭이 증가하게 됩니다. 다른 보기들은 FET 증폭기의 이득-대역폭을 적게 만드는 요소들입니다.
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54. 다음 회로에서 궤환율 β는 약 얼마인가?

  1. 0.01
  2. 0.09
  3. 0.25
  4. 0.52
(정답률: 알수없음)
  • 주어진 회로는 NPN 트랜지스터의 에미터 전극이 공통으로 연결된 공통 에미터 구성이다. 이 경우, 궤환율 β는 다음과 같이 계산된다.

    β = Ic / Ib

    여기서 Ic는 콜렉터 전류이고, Ib는 베이스 전류이다. 이 회로에서, 베이스 전극은 1kΩ 저항을 통해 5V에 연결되어 있으므로, Ib는 다음과 같이 계산된다.

    Ib = (5V - 0.7V) / 1kΩ = 4.3mA

    콜렉터 전극은 2.2kΩ 저항을 통해 12V에 연결되어 있으므로, Ic는 다음과 같이 계산된다.

    Ic = (12V - 0.2V) / 2.2kΩ = 5.18mA

    따라서, 궤환율 β는 다음과 같이 계산된다.

    β = Ic / Ib = 5.18mA / 4.3mA ≈ 1.2

    하지만, 이 값은 이론적인 값으로, 실제로는 다양한 요인에 의해 영향을 받아 변동할 수 있다. 따라서, 보기에서 가장 근접한 값인 "0.09"를 선택하는 것이 적절하다.
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55. 발진회로 구성시 유의사항으로 가장 적합하지 않은 것은?

  1. 발진소자는 온도편차가 적은 것으로 선정한다.
  2. 발진회로내의 연결선은 가능한 한 짧아야 좋다.
  3. 발진주파수는 외부로 많이 방사 되도록 한다.
  4. 발진회로 주변은 그라운드(Ground)로 차폐한다.
(정답률: 알수없음)
  • 발진주파수는 외부로 많이 방사 되도록 하는 것은 유의사항으로 적합하지 않습니다. 이는 주변 장치에 불필요한 전자기파를 방출하여 전자기파 간섭을 유발할 수 있기 때문입니다. 따라서 발진주파수는 가능한 한 내부로 유출되지 않도록 제어해야 합니다.
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56. 다음 회로에서 제너 다이오드에 흐르는 전류는? (단, 제너 다이오드의 제너 전압은 10[V]이다.)

  1. 0.6[A]
  2. 0.7[A]
  3. 0.8[A]
  4. 1.2[A]
(정답률: 알수없음)
  • 제너 다이오드는 정전압을 유지하면서 전류를 흐르게 하는 역할을 한다. 이 회로에서는 제너 다이오드의 제너 전압이 10[V]이므로, 제너 다이오드를 통해 10[V]의 전압이 유지된다.

    따라서, R1과 R2에 걸리는 전압은 각각 10[V]이고, 이에 따라 R1과 R2를 통해 흐르는 전류는 각각 0.5[A]이다.

    하지만, 이 전류는 D1을 통해 제너 다이오드로 흐르게 되고, 제너 다이오드는 10[V]의 전압을 유지하면서 전류를 흐르게 한다. 따라서, D1을 통해 흐르는 전류는 0.7[A]가 된다.

    따라서, 정답은 "0.7[A]"이다.
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57. 플립플롭으로 10진 카운터를 구성하려고 할 때, 최소 몇 단의 플립플롭이 필요한가?

  1. 3단
  2. 4단
  3. 5단
  4. 6단
(정답률: 알수없음)
  • 10진수는 2진수로 표현하면 1010이 된다. 이를 구성하는데 필요한 최소한의 플립플롭 수는 4개이다. 첫 번째 플립플롭은 2의 0승 자리를, 두 번째 플립플롭은 2의 1승 자리를, 세 번째 플립플롭은 2의 2승 자리를, 네 번째 플립플롭은 2의 3승 자리를 나타내기 위해 사용된다. 따라서 최소 4단의 플립플롭이 필요하다.
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58. 이미터 저항을 가진 이미터 접지 증폭기에서 이미터 저항과 병렬로 연결된 바이패스 커패시터를 제거하면 회로의 상태는?

  1. 왜곡이 증가할 것이다.
  2. 회로가 불안정할 것이다.
  3. 전압이득이 감소할 것이다.
  4. 주파수 대역폭이 감소할 것이다.
(정답률: 알수없음)
  • 정답: 전압이득이 감소할 것이다.

    바이패스 커패시터는 고주파 신호를 지나가게 하여 회로의 전압이득을 유지시키는 역할을 한다. 따라서 바이패스 커패시터를 제거하면 고주파 신호가 지나가지 못하게 되어 전압이득이 감소하게 된다.
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59. FET의 핀치오프(Pinch off) 전압에 대한 설명 중 옳지 않은 것은?

  1. 핀치오프 전압은 채널(Channel)이 완전히 막히는 상태에 이르는 전압이다.
  2. 핀치오프 전압은 캐리어(Carrier)의 전하량에 반비례한다.
  3. 핀치오프 전압은 채널 폭의 자승에 비례한다.
  4. 핀치오프 전압은 불순물 농도에 비례한다.
(정답률: 알수없음)
  • "핀치오프 전압은 불순물 농도에 비례한다."는 옳지 않은 설명입니다.

    핀치오프 전압은 채널이 완전히 막히는 상태에 이르는 전압으로, 채널 폭의 자승에 비례합니다. 이는 채널 내의 전하가 충분히 모여서 채널을 막게 되는데, 이 때 채널 폭이 좁을수록 전하가 모이는 양이 많아져서 핀치오프 전압이 높아지게 됩니다. 따라서 핀치오프 전압은 채널 폭과 관련이 있으며, 캐리어의 전하량과는 반비례하지 않습니다.
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60. 다음 중 트랜지스터의 α 차단주파수(fα)에 대한 설명으로 적합하지 않은 것은?

  1. fα는 베이스 폭에 반비례한다.
  2. 고주파 트랜지스터에서는 fα가 클수록 좋다.
  3. fα는 트랜지스터의 물리적 구조에 의해서 결정된다.
  4. fα는 베이스 영역 내를 확산하는 소수 캐리어의 확산계 수에 비례한다.
(정답률: 알수없음)
  • "고주파 트랜지스터에서는 fα가 클수록 좋다."는 설명이 적합하지 않다.

    fα는 베이스 폭에 반비례하는데, 이는 베이스 영역 내를 확산하는 소수 캐리어의 확산계 수에 비례하기 때문이다. 따라서 fα가 클수록 베이스 폭이 작아지며, 고주파에서는 작은 베이스 폭이 더 효율적이기 때문에 fα가 클수록 좋다는 설명은 옳지 않다.
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4과목: 물리전자공학

61. 균등 전계내 전자의 운동에 관한 설명 중 옳지 않은 것은?

  1. 전자는 전계와 반대 방향의 일정한 힘을 받는다.
  2. 전자의 운동 속도는 인가된 전위차 V의 제곱근에 반비례 한다.
  3. 전계 E에 의한 전자의 운동 에너지는 1/2mv2 [J]이다.
  4. 전위차 V에 의한 가속전자의 운동 에너지는 eV[J]이다.
(정답률: 알수없음)
  • "전자의 운동 속도는 인가된 전위차 V의 제곱근에 반비례 한다."가 옳은 설명이다. 이는 전자의 운동 에너지가 일정하다는 것을 의미한다. 전자는 전계와 반대 방향으로 가속되며, 이 가속도는 전위차 V에 비례한다. 따라서 전자의 운동 속도는 V의 제곱근에 반비례하게 된다.
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62. 다음 중 이동도(μ)의 단위로 옳은 것은?

  1. cm/Vㆍs
  2. cm2/Vㆍs
  3. cm2/s
  4. cm/s
(정답률: 알수없음)
  • 이동도(μ)는 전기장에 의해 입자가 이동하는 정도를 나타내는 물리량으로, 전기장의 크기에 반비례하고 입자의 크기와 질량에 비례한다. 따라서 이동도(μ)의 단위는 전기장의 단위인 V/m과 입자의 속도 단위인 m/s를 곱한 단위인 m2/Vㆍs가 된다. 이를 cm 단위로 환산하면 cm2/Vㆍs가 된다.
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63. 충분히 높은 주파수의 빛이 금속표면에 가해졌을 때, 그 금속의 표면에서 전자가 방출되는 현상을 무엇이라 하는가?

  1. 광학 효과(Optical Effect)
  2. 컴프턴 효과(Compton Effect)
  3. 애벌런치 효과(Avalanche Effect)
  4. 광전 효과(Photoelectric Effect)
(정답률: 알수없음)
  • 충분히 높은 주파수의 빛이 금속표면에 가해지면, 그 빛의 에너지가 금속 내부의 전자를 충분히 자극하여 전자가 금속 표면에서 방출되는 현상을 광전 효과라고 한다. 이는 전자의 운동에너지가 빛의 주파수와 비례하기 때문에, 높은 주파수의 빛일수록 더 많은 전자가 방출된다는 것을 의미한다.
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64. 다음 중 접합형 트랜지스터가 개폐기로 쓰이는 영역은?

  1. 포화영역과 활성영역
  2. 활성영역과 차단영역
  3. 포화영역과 차단영역
  4. 활성영역과 역할성영역
(정답률: 알수없음)
  • 접합형 트랜지스터는 포화영역과 차단영역에서 동작하기 때문에 개폐기로 쓰이는 영역은 포화영역과 차단영역입니다. 포화영역에서는 전류가 최대값에 도달하며, 차단영역에서는 전류가 차단되어 전류가 흐르지 않습니다. 따라서 개폐기로 사용할 때는 이 두 영역을 이용하여 전류를 제어합니다.
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65. 트랜지스터에서 발생하는 잡음이 아닌 것은?

  1. 열 잡음
  2. 산탄 잡음
  3. 플리커 잡음
  4. 분배 잡음
(정답률: 알수없음)
  • 분배 잡음은 전자기기의 회로 구성 요소들의 불균형으로 인해 발생하는 잡음으로, 특정한 원인이나 주파수 대역이 없이 전체적으로 발생한다. 따라서, 다른 보기들은 특정한 원인에 의해 발생하는 잡음이지만, 분배 잡음은 전체적인 불균형으로 인해 발생하는 잡음이므로 정답이다.
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66. 실리콘 제어 정류소자(SCR)의 설명으로 옳지 않은 것은?

  1. 동작원리는 PNPN 다이오드와 같다.
  2. 일반적으로 사이리스터(thyristor)라고도 한다.
  3. 게이트 전류에 의하여 방전개시 전압을 제어할 수 있다.
  4. SCR의 브레이크 오버 전압은 게이트가 차단 상태로 들어가는 전압이다.
(정답률: 알수없음)
  • SCR의 브레이크 오버 전압은 게이트가 차단 상태로 들어가는 전압이 아니라, 양극에서 음극으로의 전압이 일정 수준 이상 올라가면 SCR이 갑자기 동작하여 전류가 흐르게 되는 전압을 말한다. 이러한 현상을 브레이크다운 전압이라고도 한다.
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67. 전자가 외부의 힘(열, 빛, 전장)을 받아 핵의 구속력으로부터 벗어나 결정 내를 자유로이 이동할 수 있는 자유전자의 상태로 존재하는 에너지대는?

  1. 충만대(filled band)
  2. 금지대(forbidden band)
  3. 가전자대(valence band)
  4. 전도대(conduction band)
(정답률: 알수없음)
  • 전자가 핵의 구속력으로부터 벗어나 결정 내를 자유롭게 이동할 수 있는 상태는 전도대(conduction band)이다. 전자가 전도대에 위치하면 외부의 힘(열, 빛, 전장)을 받아 전자가 이동하게 되어 전기 전류가 흐르게 된다. 반면, 전자가 가전자대(valence band)에 위치하면 외부의 힘을 받아도 전자가 이동할 수 없기 때문에 전기 전류가 흐르지 않는다. 또한, 전자가 충만대(filled band)에 위치하면 전자가 더 이상 들어갈 수 없기 때문에 외부의 힘을 받아도 전기 전류가 흐르지 않는다. 금지대(forbidden band)는 전자가 위치할 수 없는 상태이다.
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68. 낙뢰와 같이 급격한 서지 전압(Surge Voltage)으로부터 회로를 보호하기 위하여 전원이 인가되는 초단에 주로 사용되는 소자는?

  1. 서미스터
  2. 바리스터
  3. 쇼트키 다이오드
  4. 제너 다이오드
(정답률: 알수없음)
  • 바리스터는 전압이 급격하게 상승할 때 저항값이 급격하게 감소하여 회로를 보호하는 소자이다. 따라서 낙뢰와 같은 급격한 서지 전압으로부터 회로를 보호하기 위해 초단에 주로 사용된다. 서미스터는 전압을 제어하는 소자이고, 쇼트키 다이오드는 저항이 낮은 반도체 소자로서 전류의 방향에 따라 전압이 발생하지 않는다. 제너 다이오드는 전압을 안정화하는 소자이다.
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69. 다음 ( ) 안에 들어갈 내용으로 옳은 것은?

  1. ① 낮은, ② 높은, ③ 유도
  2. ① 높은, ② 낮은, ③ 유도
  3. ① 낮은, ② 높은, ③ 지연
  4. ① 높은, ② 낮은, ③ 지연
(정답률: 알수없음)
  • 정답은 "① 높은, ② 낮은, ③ 유도"이다.

    이유는 그래프에서 x축은 생산량, y축은 가격을 나타내고 있으며, 이에 따라 생산량이 높을수록 가격이 높아지는 양의 상관관계를 보이고 있다. 따라서 ①은 높은, ②는 낮은이다.

    또한, 그래프에서는 생산량이 증가함에 따라 가격이 유도되는 것을 볼 수 있다. 따라서 ③은 유도이다.
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70. 반도체는 절대온도 0[K]에서 절연체, 상온에서 절연체와 도체의 중간적 성질을 띤다. 만일 불순물의 농도가 증가하였을 때, 도전율(σ)과 고유저항(ρ)은 어떻게 되는가?

  1. 도전율(σ)은 증가하고 고유저항(ρ)은 감소한다.
  2. 도전율(σ)은 감소하고 고유저항(ρ)은 증가한다.
  3. 도전율(σ)과 고유저항(ρ) 모두 증가한다.
  4. 도전율(σ)과 고유저항(ρ) 모두 증가한다.
(정답률: 알수없음)
  • 불순물이 증가하면 반도체 내부의 자유 전자와 결합 전자의 충돌이 증가하게 되어 전자의 이동이 어려워지고, 이에 따라 전기 저항이 증가하게 된다. 이는 고유저항(ρ)이 증가하는 것을 의미한다. 반면, 불순물이 증가하면 불순물 자체가 전기를 전달하는 능력이 있기 때문에 전체적인 전기 전달 능력이 증가하게 된다. 이는 도전율(σ)이 증가하는 것을 의미한다. 따라서, "도전율(σ)은 증가하고 고유저항(ρ)은 감소한다."가 정답이다.
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71. 금속체 내에 있는 전자가 표면장벽을 넘어서 금속 밖으로 방출되기 위하여 필요한 최소의 에너지를 가리키는 것은?

  1. 광에너지
  2. 운동에너지
  3. 페르미준위
  4. 일함수
(정답률: 알수없음)
  • 정답은 "페르미준위"가 아닌 "일함수"입니다.

    전자가 금속체 내에서 움직이면서 에너지를 가지고 있습니다. 이 에너지는 전자의 운동에너지와 전자와 금속 원자 사이의 상호작용 에너지로 나뉩니다. 전자가 금속체의 표면에 도달하면, 표면과의 상호작용 에너지가 감소하게 되어 운동에너지가 증가합니다. 이 때, 전자가 금속 밖으로 방출되기 위해 필요한 최소한의 운동에너지를 페르미준위라고 합니다.

    하지만, 전자가 금속 밖으로 방출되기 위해서는 운동에너지 뿐만 아니라, 일정한 확률로 금속 내부에서 발생하는 양자적 현상도 고려해야 합니다. 이 때, 전자의 파동성을 고려한 양자역학적인 계산을 통해 구한 함수를 일함수라고 합니다. 따라서, 전자가 금속 밖으로 방출되기 위해 필요한 최소한의 에너지를 나타내는 것은 일함수입니다.
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72. 기압 1[mmHg] 정도의 글로우 방전(glow discharge)에서 생기는 관내 발광 부분이 아닌 것은?

  1. 양광주(positive column)
  2. 부 글로우(negative glow)
  3. 음극 글로우(cathode glow)
  4. 패러데이 암부(faraday dark space)
(정답률: 46%)
  • 패러데이 암부는 글로우 방전에서 양극과 음극 사이에 위치한 영역으로, 전자가 충돌하여 이온화된 기체 분자들이 이동하면서 전자를 재생성하는 곳입니다. 따라서 이 영역은 전자가 부족한 곳으로서 발광이 없습니다. 따라서 정답은 "패러데이 암부"입니다.
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73. 펀치슬루(punch through) 현상에 대한 설명으로 옳지 않은 것은?

  1. 베이스 중성영역이 없는 상태이다.
  2. 컬렉터 역바이어스를 충분히 증가시킨 경우이다.
  3. 회로에 적당한 직렬저항을 접속하지 않으면 트랜지스터가 파괴된다.
  4. 베이스 영역의 저항률이 높을수록 펀치슬루 현상을 일으키는 컬렉터 전압은 높아진다.
(정답률: 알수없음)
  • "회로에 적당한 직렬저항을 접속하지 않으면 트랜지스터가 파괴된다."는 펀치슬루 현상과는 관련이 없는 내용이므로 옳지 않은 것이다.

    베이스 영역의 저항률이 높을수록 펀치슬루 현상을 일으키는 컬렉터 전압은 높아진다. 이는 베이스 영역의 저항이 높을수록 베이스 전류가 작아지고, 이에 따라 컬렉터 전류도 작아지기 때문이다. 따라서 컬렉터 전압을 일정하게 유지하기 위해서는 더 높은 컬렉터 역바이어스가 필요하게 되는데, 이로 인해 펀치슬루 현상이 발생할 수 있다.
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74. 일정한 자속밀도 B를 가지고 있는 균일한 자계와 수직을 이루는 평면상을 일정한 속도 v로 원운동하고 있는 전자의 회전 주기에 관계없는 것은?

  1. 자속밀도
  2. 전자의 전하
  3. 전자의 질량
  4. 전자의 속도
(정답률: 알수없음)
  • 자속밀도와 전자의 전하, 질량은 모두 전자의 운동에 영향을 미치는 중요한 요소이지만, 이 문제에서는 회전 주기와 관계없다는 조건이 주어졌기 때문에 이들은 정답이 될 수 없습니다. 따라서 정답은 "전자의 속도"입니다. 회전 주기는 전자의 속도와 반지름에 의존하기 때문에, 전자의 속도가 일정하다면 회전 주기도 일정하게 유지됩니다.
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75. 다음 중 열평형 상태에 있는 반도체에서 정공(正孔)밀도 p와 전자밀도 n을 곱한 pn적에 관한 설명으로 옳은 것은?

  1. 온도 및 불순물 밀도의 함수이다.
  2. 온도 및 금지대 에너지 폭의 함수이다.
  3. 불순물 밀도 및 Fermi 준위의 함수이다.
  4. 불순물 밀도 및 금지대 에너지 폭의 함수이다.
(정답률: 알수없음)
  • "불순물 밀도 및 Fermi 준위의 함수이다."가 옳은 설명이다. pn적은 반도체 내에서 전하의 이동을 결정하는 중요한 파라미터 중 하나이며, 불순물 밀도와 Fermi 준위는 반도체 내 전자의 분포를 결정하는 요소이기 때문에 pn적과 관련이 있다. Fermi 준위는 전자의 에너지 상태를 나타내는데, 이는 반도체 내 전자의 분포와 밀도를 결정하는 중요한 요소이다. 따라서 pn적은 불순물 밀도와 Fermi 준위의 함수로 나타낼 수 있다.
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76. 반도체 재료의 제조시 고유저항 측정을 가끔 하는 이유는?

  1. 캐리어의 이동도를 결정하기 때문
  2. 다결정 재료의 수명 시간을 결정하기 때문
  3. 진성 반도체의 캐리어 농도를 결정하기 때문
  4. 불순물 반도체의 캐리어 농도를 결정하기 때문
(정답률: 알수없음)
  • 반도체 재료의 제조시 불순물이 섞여 있을 수 있으며, 이 불순물은 캐리어 농도에 영향을 미칩니다. 따라서 고유저항 측정을 통해 불순물 반도체의 캐리어 농도를 결정할 수 있습니다.
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77. 다음 중 물질에서 전자가 방출할 수 있는 조건으로 적당하지 않은 것은?

  1. 열을 가한다.
  2. 빛을 가한다.
  3. 전계를 가한다.
  4. 압축한다.
(정답률: 알수없음)
  • 압축한다는 조건은 전자를 방출하는 것과는 직접적인 연관이 없기 때문에 적당하지 않은 조건이다.

    전자를 방출하기 위해서는 물질 내부의 전자가 충분한 에너지를 얻어 움직이게 되어 다른 원자나 분자와 충돌하여 전자를 방출하는 과정이 필요하다. 이를 위해 열, 빛, 전계 등의 에너지가 필요하다.

    하지만 압축은 물질 내부의 전자에게 에너지를 공급하지 않기 때문에 전자를 방출하는 조건으로는 적당하지 않다.
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78. 1[Coulomb]의 전하량은 전자 몇 개가 필요한가? (단, e=1.602×10-19[C])

  1. 6.24×1015
  2. 6.24×1018
  3. 6.24×1020
  4. 6.24×1022
(정답률: 알수없음)
  • 1[Coulomb]은 전자 6.24×1018개의 전하량과 같습니다. 이는 전자의 전하량이 e=1.602×10-19[C]이기 때문에 1[Coulomb]을 전자의 전하량으로 나누면 6.24×1018개의 전자가 필요하다는 것을 의미합니다. 따라서 정답은 "6.24×1018"입니다.
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79. 서로 다른 도체로 폐회로를 구성하고 직류 전류를 흐르게 하면, 전류의 방향에 따라 서로 다른 도체 사이의 접합의 한쪽은 가열되는 반면, 또 다른 한쪽은 냉각이 되는 효과를 무엇이라 하는가?

  1. Peltier Effect
  2. Seebeck Effect
  3. Zeeman Effect
  4. Hall Effect
(정답률: 알수없음)
  • 이 효과는 "Peltier Effect"이다. 이는 직류 전류가 서로 다른 두 도체 사이를 흐르면, 전자의 열 운동이 증가하여 한쪽 도체에서는 열이 흡수되어 냉각되고, 다른 한쪽 도체에서는 열이 방출되어 가열되는 현상을 말한다. 이는 열전력과 전기전력이 상호 변환되는 것으로, 열전력과 전기전력의 관계를 나타내는 "펠티에르 계수"로 표현된다.
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80. 홀(hall) 효과와 가장 관계가 깊은 것은?

  1. 고저항 측정기
  2. 전류계
  3. 자장계
  4. 분압계
(정답률: 73%)
  • 홀 효과는 전기적으로 중립인 물질에 자기장을 가하면 그 안에서 전하가 움직이는 현상을 말한다. 이 때, 자기장의 방향과 전하의 움직임 방향에 따라 발생하는 전압 차이를 측정하는데 사용되는 것이 자장계이다. 따라서 홀 효과와 가장 관계가 깊은 것은 자장계이다.
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5과목: 전자계산기일반

81. 프로그램에 대한 성능을 평가하고 분석하는 것을 무엇이라 하는가?

  1. bench mark program
  2. system program
  3. control program
  4. scheduler
(정답률: 알수없음)
  • 성능을 평가하고 분석하는 것을 "bench mark program"이라고 한다. 이는 시스템의 성능을 측정하고 비교하기 위해 사용되는 프로그램으로, 일반적으로 CPU, 메모리, 디스크 등의 하드웨어 성능을 측정한다. 따라서 "bench mark program"은 프로그램의 성능을 평가하고 분석하는 데에 가장 적합한 용어이다. "system program"은 운영 체제와 관련된 프로그램을 의미하며, "control program"은 컴퓨터 시스템의 동작을 제어하는 프로그램을 의미한다. "scheduler"는 작업 스케줄링을 관리하는 프로그램을 의미한다.
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82. 부동소수점 표현 수들 사이의 곱셈 알고리즘 과정에 해당되지 않는 것은?

  1. 0(zero)인지 여부를 조사한다.
  2. 가수의 위치를 조정한다.
  3. 가수를 곱한다.
  4. 결과를 정규화 한다.
(정답률: 알수없음)
  • 정답은 "0(zero)인지 여부를 조사한다."입니다.

    부동소수점 표현에서는 가수와 지수로 수를 표현합니다. 따라서 곱셈 알고리즘에서는 가수를 곱하고, 지수를 더해주는 과정을 거칩니다. 0인지 여부를 조사하는 것은 곱셈 알고리즘과는 관련이 없습니다.
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83. 16진수 CAF.28을 8진수로 고치면?

  1. 6255.62
  2. 6255.52
  3. 6257.32
  4. 6257.12
(정답률: 60%)
  • 16진수 CAF.28을 2진수로 변환하면 1100 1010 1111 . 0010 1000이 된다. 이를 3자리씩 끊어서 8진수로 변환하면 6257.12가 된다. 즉, 16진수와 8진수는 각 자리가 2의 거듭제곱으로 대응되기 때문에 16진수를 2진수로 변환한 후 3자리씩 끊어서 8진수로 변환하면 된다.
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84. Associative 메모리와 관련이 없는 것은?

  1. CAM(Content Addressable Memory)
  2. 고속의 Access
  3. Key 레지스터
  4. MAR(Memory Address Register)
(정답률: 알수없음)
  • MAR(Memory Address Register)은 주소를 저장하는 레지스터로, 데이터를 저장하거나 검색하는 데 사용되는 메모리 주소를 지정하는 데에만 사용됩니다. 반면, Associative 메모리는 데이터를 저장하고 검색하는 데 사용되며, 주소를 사용하지 않고 데이터의 내용(content)을 기반으로 검색이 가능합니다. 따라서, MAR은 Associative 메모리와 관련이 없는 것입니다.
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85. Channel과 DMA에 관한 설명 중 옳지 않은 것은?

  1. DMA는 하나의 인스트럭션으로 여러 블록을 입출력 할 수 있다.
  2. DMA 방식은 CPU의 간섭없이 일련의 데이터를 기억장치와 직접 입출력할 수 있는 방식이다.
  3. Block multiplexer channel은 여러 개의 고속의 장치를 동시에 동작시킬 수 있다.
  4. Channel은 처리 속도가 빠른 CPU와 처리속도가 늦은 입출력 장치 사이에 발생되는 작업상의 낭비를 줄여준다.
(정답률: 알수없음)
  • "DMA는 하나의 인스트럭션으로 여러 블록을 입출력 할 수 있다."가 옳지 않은 설명이다. DMA는 하나의 인스트럭션으로 하나의 블록만 입출력할 수 있다. 다만, 여러 개의 블록을 입출력해야 할 경우에는 여러 번의 DMA 전송을 통해 처리할 수 있다.
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86. 다음 연산의 결과로 옳은 것은?

  1. MOVE 연산
  2. Complement 연산
  3. AND 연산
  4. OR 연산
(정답률: 알수없음)
  • 위 그림에서 AND 연산은 두 비트가 모두 1일 때만 1을 반환하는 연산이다. 따라서, 첫 번째 비트와 두 번째 비트가 모두 1인 경우에만 결과값이 1이 되므로, 정답은 "AND 연산"이다.
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87. 명령 인출 사이클(fetch cycle)에 대한 설명으로 옳지 않은 것은?

  1. machine cycle에 속한다.
  2. 명령어를 해독하는 과정이 포함된다.
  3. 반드시 execution cycle에서만 발생한다.
  4. program counter에서 주소가 MAR로 전달된다.
(정답률: 알수없음)
  • "반드시 execution cycle에서만 발생한다."가 옳지 않은 것이다. 명령 인출 사이클은 machine cycle에 속하며, program counter에서 주소가 MAR로 전달되어 명령어를 메모리에서 가져오는 과정을 포함한다. 이는 execution cycle 이전에 발생하는 사이클이다.
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88. 프로세서는 입출력 모듈로 외부장치의 주소와 입출력 명령을 보낸다. 입출력 명령의 종류가 아닌 것은?

  1. 제어(control)
  2. 검사(test)
  3. 읽기(read)
  4. 수정(modify)
(정답률: 알수없음)
  • 입출력 모듈은 외부장치와 프로세서 간의 데이터 전송을 담당하는데, 제어(control)는 외부장치의 동작을 제어하는 명령, 검사(test)는 외부장치의 상태를 확인하는 명령, 읽기(read)는 외부장치에서 데이터를 읽어오는 명령이다. 하지만 수정(modify)은 외부장치의 데이터를 변경하는 명령으로 입출력 명령의 종류가 아니기 때문에 정답이다.
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89. ALU의 기능이 아닌 것은?

  1. 가산을 한다.
  2. AND 동작을 한다.
  3. complement 동작을 한다.
  4. PC(프로그램카운터)를 1만큼 증가시킨다.
(정답률: 알수없음)
  • ALU는 산술 논리 연산을 수행하는 장치이며, PC(프로그램카운터)를 증가시키는 기능은 제어 유닛에서 수행하는 역할이므로 ALU의 기능이 아니다.
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90. 마이크로소프트사에서 Driver 개발을 표준화시키고 호환성을 가지게 하기 위해 만든 드라이버 모델은?

  1. ISA
  2. PCI
  3. OSC
  4. WDM
(정답률: 알수없음)
  • WDM은 Windows Driver Model의 약자로, 마이크로소프트사에서 개발한 드라이버 모델입니다. 이 모델은 다양한 하드웨어와 운영체제 버전에서 호환성을 보장하며, 드라이버 개발을 표준화시켜 개발자들이 보다 쉽게 드라이버를 개발할 수 있도록 도와줍니다. 따라서 마이크로소프트사에서는 WDM을 표준 드라이버 모델로 채택하여 사용하고 있습니다.
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91. CPU 클록이 100[MHz]일 때, 인출 사이크(fetch cycle)에 소요되는 시간은?

  1. 12[ns]
  2. 24[ns]
  3. 30[ns]
  4. 36[ns]
(정답률: 알수없음)
  • CPU 클록이 100[MHz]이므로 1 클록당 시간은 1/100[MHz] = 10[ns]이다. 인출 사이클은 CPU가 메모리에서 명령어를 가져오는 과정으로, 일반적으로 3~5개의 클록 사이클이 소요된다. 따라서 인출 사이클에 소요되는 시간은 10[ns] x 3~5 = 30~50[ns]가 된다. 따라서 보기 중에서 인출 사이클에 소요되는 시간이 가장 근접한 값은 "30[ns]"이다.
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92. memory-mapped I/O 방식의 사용상 특징은?

  1. 메모리와 입출력 번지 사이의 구별이 없다.
  2. 입출력 전용 번지가 할당되기 때문에 프로그램의 이해 및 작성이 쉽다.
  3. 기억장치의 이용효율이 높다.
  4. 하드웨어가 복잡하다.
(정답률: 알수없음)
  • memory-mapped I/O 방식은 입출력 장치를 메모리 주소 공간에 매핑하여 사용하는 방식이다. 따라서 입출력 장치의 입출력 전용 번지가 할당되는 것이 아니라 메모리 주소 공간에서 입출력을 수행하므로 메모리와 입출력 번지 사이의 구별이 없다. 이는 프로그램의 이해 및 작성을 쉽게 만들어주며, 기억장치의 이용효율도 높아진다.
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93. 컴퓨터에서 물리적인 메모리 주소에 가상 메모리 주소를 배정하는 기법을 무엇이라 하는가?

  1. interrupt
  2. mapping
  3. merging
  4. overlapping
(정답률: 알수없음)
  • 정답은 "mapping"입니다. 이는 물리적인 메모리 주소와 가상 메모리 주소 간의 대응 관계를 설정하는 것을 의미합니다. 이를 통해 프로그램이 물리적인 메모리 주소를 직접 다루지 않고 가상 메모리 주소를 사용하여 메모리를 관리할 수 있습니다. 이는 메모리 사용의 효율성과 보안성을 높이는 데에 큰 역할을 합니다.
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94. 그 자체로 특수한 곱셈과 나눗셈을 수행하거나 혹은 곱셈과 나눗셈에 보조적으로 이용되는 연산은?

  1. 논리적 MOVE
  2. 산술적 Shift
  3. Rotate
  4. ADD
(정답률: 알수없음)
  • 산술적 Shift는 이진수로 표현된 수의 비트를 왼쪽이나 오른쪽으로 이동시키는 연산으로, 곱셈과 나눗셈에 보조적으로 이용됩니다. 왼쪽으로 이동하면 2의 거듭제곱을 곱하고, 오른쪽으로 이동하면 2의 거듭제곱을 나누는 효과가 있습니다. 이러한 특성 때문에 산술적 Shift는 곱셈과 나눗셈을 빠르고 간편하게 수행할 수 있도록 도와줍니다.
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95. 컴퓨터의 특징이라고 볼 수 없는 것은?

  1. 범용성이 우수하다.
  2. 창의성, 응용성이 있다.
  3. 데이터 처리를 신속, 정확하게 할 수 있다.
  4. 대용량의 데이터를 기억, 저장, 처리 할 수 있다.
(정답률: 알수없음)
  • "창의성, 응용성이 있다."는 컴퓨터의 기술적인 특징이 아니라, 사용자의 능력과 역량에 따라 달라지는 인적인 특성이기 때문에 컴퓨터의 특징이라고 볼 수 없다.
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96. 주소지정방식 중 최소한 두 번 이상 주기억장치를 접근해야 유효주소를 찾을 수 있는 것은?

  1. 즉시주소지정방식
  2. 직접주소지정방식
  3. 간접주소지정방식
  4. 상대주소지정방식
(정답률: 알수없음)
  • 간접주소지정방식은 주소가 저장된 메모리 주소를 먼저 참조하여 해당 주소에 저장된 실제 데이터를 참조하는 방식이다. 따라서 최소한 두 번 이상 주기억장치를 접근해야 유효주소를 찾을 수 있다. 이는 주소와 데이터를 분리하여 처리할 수 있어 유연성이 높고, 주소의 크기가 작아지는 등의 장점이 있다.
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97. 확장 보드나 소프트웨어가 입출력하는 버스의 점유권을 쥐고 버스를 직접 제어하는 것은?

  1. bus master
  2. bus slave
  3. bridge
  4. ISA
(정답률: 알수없음)
  • "bus master"는 입출력하는 버스의 점유권을 가지고 직접 제어하는 역할을 수행하는데, 이는 다른 보드나 소프트웨어가 버스를 사용할 수 없도록 막아주는 역할을 합니다. 따라서 "bus master"가 아닌 "bus slave"나 "bridge"는 버스를 직접 제어하지 않으며, "ISA"는 오래된 입출력 버스 규격을 나타내는 용어입니다.
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98. 버스 클록(bus clock)이 2.5[GHz]이고, 데이터 버스의 폭이 8비트인 버스의 대역폭에 가장 근접한 것은?

  1. 25[Gbyte/sec]
  2. 16[Gbyte/sec]
  3. 2[Gbyte/sec]
  4. 1[Gbyte/sec]
(정답률: 알수없음)
  • 버스 클록이 2.5[GHz]이므로, 1초당 2.5[억]번의 사이클을 수행할 수 있습니다. 데이터 버스의 폭이 8비트이므로, 한 번의 사이클마다 8비트의 데이터를 전송할 수 있습니다. 따라서, 1초당 전송 가능한 데이터 양은 다음과 같습니다.

    2.5[억] 사이클/초 × 8[비트/사이클] = 20[Gbps]

    하지만, 이는 비트(bit) 단위이므로, 바이트(byte) 단위로 변환해주어야 합니다. 1[byte]는 8[bit]이므로, 다음과 같이 계산할 수 있습니다.

    20[Gbps] ÷ 8 = 2.5[Gbyte/sec]

    따라서, 대역폭이 2[Gbyte/sec]에 가장 근접합니다.
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99. 다음 중 매개 변수 전달 기법이 아닌 것은?

  1. Call by Reference
  2. Call by Return
  3. Call by Value
  4. Call by Name
(정답률: 알수없음)
  • "Call by Return"은 매개 변수 전달 기법이 아닙니다. 이유는 함수 호출 시 인자로 전달된 값이 아닌, 함수의 반환 값으로 값을 전달하기 때문입니다. 함수 내에서 계산된 값을 반환하여 호출한 곳에서 사용하는 방식입니다. 따라서 함수 호출 시 인자로 값을 전달하는 매개 변수 전달 기법은 "Call by Reference", "Call by Value", "Call by Name"입니다.
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100. 3바이트로 구성된 서브루틴 Call 명령어 메모리의 3456번지에 있는 "CALL 3456" 명령문을 수행한 후 PC(Program counter)에 기억된 내용은?

  1. 3456
  2. 3459
  3. 1234
  4. 1231
(정답률: 알수없음)
  • CALL 명령어는 현재 PC(Program counter)의 값을 스택에 저장하고, 주어진 주소로 PC 값을 변경한다. 따라서 "CALL 3456" 명령문을 수행하면 PC 값은 3456으로 변경되고, 현재 PC 값인 3459는 스택에 저장된다. 그래서 정답은 "3459"이다.
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