1. 부울 대수식 F를 다음과 같이 등가변환할 때, 괄호에 들어갈 내용으로 옳은 것은?
- Z
- 1
- 0
2. 2의 보수를 활용한 2진수의 뺄셈 연산 수행 과정을 나타낸 다음의 식에서 A, B의 값으로 옳은 것은?
- ①
- ②
- ③
- ④
3. 다음 증폭기 회로의 주파수 응답 특성 곡선으로 옳은 것은? (단, 연산 증폭기는 이상적인 소자이다)
4. 3×8 디코더를 사용하는 ROM이 다음과 같을 때, 입력 데이터 A2A1A0가 011로 주어지는 경우 출력 데이터 D3D2D1D0로 옳은 것은? (단, A2가 MSB이고, A0는 LSB이다)
- 0001
- 1000
- 0000
- 1111
6. 입력신호 is(t) = 120sin(106t)[A]를 인가하여 부하 임피던스 ZL에 최대 전력이 전달되도록 다음과 같은 회로를 구성할 때, 옳지 않은 것은? (단, R = 1/3[Ω], C = 4[μF]이다)
- i1(t)와 i2(t)의 위상이 서로 다르다.
- 회로가 테브닌(Thevenin) 등가회로로 표현될 때, ZL이 테브닌 임피던스의 켤레복소수와 같으면 최대 전력이 전달된다.
[Ω]이다.- ZL에 전달되는 최대 평균전력은 300[W]이다.
7. 발진기에 대한 설명으로 옳지 않은 것은?
- 윈 브릿지 발진기는 부귀환회로와 정귀환회로를 모두 포함한다.
- 콜피츠 발진기와 하틀리 발진기는 모두 정귀환회로를 포함한다.
- 하틀리 발진기의 귀환율은 용량성(C) 소자에 의해 결정된다.
- 수정 발진기는 다른 발진기에 비해 Q값이 상대적으로 크다.
8. 다음 발진회로에 대한 설명으로 옳지 않은 것은? (단, L = 5[μH], C1=C2=1[nF], R = 1[kΩ]이고, 트랜지스터의 내부 커패시터 용량과 입력저항은 무시한다)
- 콜피츠 발진기이다.
- 발진 주파수는
이다. - 발진 주파수에서 발진을 지속하기 위해 필요한 트랜지스터의 전달컨덕턴스(gm)는 1[mA/V]이다.
- 발진 조건을 만족하는 전달컨덕턴스(gm)는 저항(R)이 커질수록 작아진다.
9. FSK(Frequency Shift Keying)에 대한 설명으로 옳지 않은 것은?
- 비동기 복조(non-coherent demodulation) 방식을 사용할 수 있어 PSK(Phase Shift Keying)보다 수신기 구현이 간단하다.
- FSK는 진폭이 일정한 변조 방식이므로 채널에 의한 진폭 변화에 둔감하다.
- 동기 복조(coherent demodulation) 방식을 사용할 때, FSK의 비트오율(BER)이 PSK의 비트오율보다 낮다.
- 동일한 정보 신호를 전송할 때, AM(Amplitude Modulation)보다 넓은 주파수 대역폭을 점유한다.
10. 다음 블록도를 갖는 위상동기회로(PLL, Phase-Locked Loop)에 대한 설명으로 옳은 것은?
- 위상동기회로에 의해 발생되는 주파수 fo는 수정 발진기(crystal reference oscillator) 주파수 fR과 동일하다.
- 주파수가 fo인 신호가 N분주의 주파수 분주기에 입력되면 주파수가 Nfo로 높아진 신호로 출력된다.
- 위상비교기(phase comparator)는 주파수 분주기의 출력신호와 수정 발진기 기준신호의 크기와 위상을 비교하여 두 신호의 크기와 위상이 같을 때만 신호를 출력한다.
- 전압제어발진기(VCO)의 발진주파수 fo는 저역통과필터에서 출력되는 전압에 의해 결정되며, 발진기의 위상잡음이 작을수록 안정된 발진주파수를 얻을 수 있다.
11. 다음 회로에서 제너다이오드에 흐르는 전류 IZ[mA]는? (단, 제너전압은 20[V]이다)
- 0.01
- 0.09
- 10
- 90
12. 포화 영역에서 정상적으로 동작하는 MOSFET 증폭기에 대한 설명으로 옳은 것은?
- 공통 소스 증폭기는 소신호 입력 저항이 작기 때문에 전압 증폭기로 사용하기에 적합하지 않다.
- 공통 드레인 증폭기는 소신호 전압 이득이 크기 때문에 전압 증폭기로 사용하기에 적합하다.
- 동일한 바이어스 전류를 사용하는 공통 드레인 증폭기의 소신호 입력 저항은 공통 게이트 증폭기의 소신호 입력 저항보다 크다.
- 동일한 바이어스 전류를 사용하는 공통 소스 증폭기의 소신호 출력 저항은 공통 드레인 증폭기의 소신호 출력 저항보다 작다.
13. 패킷교환망(packet-switched network)의 두 방식인 데이터그램망(datagram network)과 가상회선망(virtual circuit network)에 대한 설명으로 옳지 않은 것은?
- 데이터그램망에 의해서 전달되는 패킷들이 최종 목적지에 도착하는 순서는 송신된 패킷의 순서와 다를 수 있다.
- 가상회선망에서는 모든 패킷이 동일한 경로를 따라 전달되므로 최종 목적지에 도착하는 순서가 송신되는 순서와 동일하다.
- 데이터그램망의 교환기는 고정된 경로지정표(routing table)를 이용하여 경로를 선택한다.
- 인터넷 기반 음성전화 서비스를 위해서는 가상회선망이 데이터그램망보다 적합하다.
14. BJT와 MOSFET에 대한 설명으로 옳지 않은 것은?
- BJT 컬렉터 접합부의 온도 상승으로 트랜지스터가 파괴되는 것이 핀치-오프(pinch-off) 현상이다.
- BJT 컬렉터-이미터 전압크기가 증가함에 따라 실효 베이스 폭이 감소하고 컬렉터 전류가 증가하는 것이 얼리(Early) 효과이다.
- MOSFET의 드레인 전압을 계속 증가시키면 드레인 공핍영역이 소스 공핍영역과 닿는 것이 펀치-스루(punch-through) 현상이다.
- MOSFET의 펀치-스루(punch-through) 현상이 발생하면 드레인 전류는 급격히 증가한다.
15. n채널 증가형 MOSFET에서 드레인에 흐르는 전류를 ID라고 할 때, 채널 길이를 0.5배로 줄이고 채널 폭을 2배로 늘리면 드레인에 흐르는 전류는? (단, MOSFET은 포화영역에서 동작하고, 산화층 정전용량, 전자 이동도, 문턱 전압, 게이트-소스 간 전압은 변하지 않는다고 가정한다)
- 0.25 ID
- 0.5 ID
- 2 ID
- 4 ID
16. D 플립플롭을 이용한 다음 디지털 논리 회로의 진리표로 옳은 것은? (단, Q(t)와 Q(t+1)은 각각 플립플롭의 현재 상태와 한 클록 에지 후의 상태를 나타낸다)
17. 다음 회로에서 다이오드 D1에 흐르는 전류 I[mA]는? (단, 다이오드는 이상적인 소자이다)
- 0
- 0.6
- 0.9
- 1.2
18. 증폭기 회로와 전압이득 특성 곡선이 다음과 같을 때 옳지 않은 것은?
- VCC＝5[V]이다.
- C지점에서 가장 큰 전압이득(절댓값 기준)을 얻을 수 있다.
- D지점보다 B지점에서 더 큰 전압이득(절댓값 기준)을 얻을 수 있다.
- D지점은 포화영역, 활성화영역, 차단영역 중 차단영역에 해당한다.
19. 다음 회로에서 세 입력전압 v1, v2, v3에 대한 출력전압 vo를 vo = Av1 + Bv2 + Cv3와 같이 표현할 때 A, B, C의 값으로 옳은 것은? (단, Ra = 4[kΩ], Rb = 5[kΩ], Rc = 10[kΩ], R1 = 1[kΩ], R2 = 2[kΩ], R3 = 2[kΩ]이고, 연산 증폭기는 이상적인 소자이다)
- ①
- ②
- ③
- ④
20. 다음과 같은 귀환 증폭기(feedback amplifier)에서 폐루프 이득(closed-loop gain) Af가 100이라고 가정한다. 만약 개루프 이득(open-loop gain) A가 100배 커졌을 때 Af값이 200으로 바뀌었다면, 이 증폭기의 귀환감쇠율(feedback attenuation factor) β에 가장 근접한 값은? (단, Af는 A와 β에 의해서만 결정된다)
- 0.001
- 0.005
- 0.01
- 0.02
먼저 B의 2의 보수를 구합니다.
B의 1의 보수: 1010
B의 2의 보수: 1011
이제 A와 B의 2의 보수를 이용하여 뺄셈을 수행합니다.
A - B = A + (-B)
= A + 2의 보수(B)
= 1010 + 1011
= 10101
따라서 정답은 "①"입니다.