전자기사 필기 기출문제복원 (2005-09-04)

전자기사
(2005-09-04 기출문제)

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1과목: 전기자기학

1. 그림과 같이 Gap의 단면적 S[m2]의 전자석에 자속밀도 B[Wb/m2]의 자속이 발생될 때 철편을 흡입하는 힘은 몇 N 인가?

(정답률: 알수없음)
  • 자속밀도 B는 Gap 내부에서 일정하므로, 철편이 흡입되는 힘은 Gap 내부의 자기장 세기와 철편의 자기강성에 의해 결정된다. Gap 내부의 자기장 세기는 B에 비례하므로, B가 2배가 되면 자기장 세기도 2배가 된다. 따라서, 철편이 흡입되는 힘도 2배가 된다. 따라서 정답은 ""이다.
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2. 서로 멀리 떨어져 있는 두 도체를 각각 V1[V] ,V2[V] (V1>V2)의 전위로 충전한 후 가느다란 도선으로 연결 하였을 때 그 도선을 흐르는 전하 Q는 몇 C인가? (단, C1[F], C2[F]는 두 도체의 정전용량이라 한다)

(정답률: 알수없음)
  • 두 도체를 각각 V1, V2의 전위로 충전하면 각각의 전하는 Q1 = C1V1, Q2 = C2V2가 된다. 이때 두 도체를 연결하면 전하 보존의 법칙에 따라 전하의 총량은 일정하므로 Q1 + Q2 = Q가 된다. 따라서 Q = C1V1 + C2V2이다. 이를 계산하면 Q = 2C로 나오므로 정답은 ""이다.
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3. 간격에 비해서 충분히 넓은 평행판 콘덴서의 판사이에 비유전율 εs인 유전체를 채우고 외부에서 판에 수직 방향으로 전계 E0를 가할 때 분극전하에 의한 전계의 세기는 몇 V/m인가?

(정답률: 알수없음)
  • 평행판 콘덴서의 전하 밀도는 σ = ε0εsE0이다. 따라서 각 판에 저장된 전하는 Q = σA = ε0εsAE0이다. 이때 각 판의 분극전하는 Q/2이므로, 각 판 사이의 전위차는 V = Q/(2ε0A) = εsE0/2ε0이다. 따라서 전계의 세기는 E = V/d = εsE0/2ε0d이다.

    정답은 ""이다. 이유는 유전체의 비율인 εs가 커질수록 전계의 세기가 작아지기 때문이다. 즉, 유전체가 존재하지 않는 경우에는 E = E0이고, 유전체가 존재할수록 E는 작아진다.
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4. 벡터 포텐셜 A=-3xyzaX+2X2aY일 때 그 자속밀도 B는 얼마인가?

  1. B=(4x+3xz)aX-3xyaY
  2. B=-3xyaX+(4x+3xz)aY
  3. B=-3xyaY+(4x+3xz)aZ
  4. B=-3xyaY+3yzaX+(4x+3xz)aZ
(정답률: 알수없음)
  • 자속밀도 B는 회전하는 자기장을 나타내는 벡터이며, 벡터 포텐셜 A는 그렇게 생성되는 자기장의 원천이 된다. 따라서 벡터 포텐셜 A를 미분하여 구한 기울기 벡터를 취하면 자속밀도 B를 구할 수 있다.

    A를 미분하면, ∇A=(-3yz)aX+4xaY+2xaZ-3xyaZ

    따라서 자속밀도 B는 B=(-3xy)aY+(4x+3xz)aZ 이다.

    정답은 "B=-3xyaY+(4x+3xz)aZ" 이다.
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5. 직각좌표상의 점(0,1/5,0)에서의 의 발산을 구하면 얼마가 되겠는가?(단, r 은 구좌표계의 표시이다.)

  1. 5
  2. 25
  3. 1/5
  4. 1/25
(정답률: 알수없음)
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6. 단면적 3Cm2, 평균 반지름 30Cm 인 공심 트로이드에 권선수가 500인 코일을 감고 코일에 2a 의 전류를 흘렸더니 공심 트로이드의 자속이 2×10-7Wb 이었다면 공심트로이드의 자기저항은 몇 AT/Wb인가?

  1. 3×109
  2. 5×109
  3. 7×109
  4. 9×109
(정답률: 알수없음)
  • 공심 트로이드의 자기적분율은 다음과 같이 구할 수 있다.

    L = μ₀N²A/ℓ

    여기서, μ₀는 자유공기 자기유도율, N은 권선수, A는 단면적, ℓ은 평균길이이다.

    따라서, L = (4π×10-7)×500²×3×10-4/30 = 5×10-3H

    공심 트로이드의 자기저항은 다음과 같이 구할 수 있다.

    R = 2πL/μ₀A

    따라서, R = 2π×5×10-3/(4π×10-7×3×10-4) = 5×109 AT/Wb

    따라서, 정답은 "5×109"이다.
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7. 누설이 없는 콘덴서의 소모전력은 얼마인가? (단. C는 콘덴서의 정전용량, V 는 전압이다.)

  1. (1/2)CV2
  2. CV2
  3. 0
(정답률: 알수없음)
  • 콘덴서의 소모전력은 전압과 전류의 곱으로 나타낼 수 있습니다. 하지만 누설이 없는 콘덴서는 전류가 흐르지 않기 때문에 소모전력은 0입니다. 따라서 정답은 "0"입니다.
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8. 한변의 길이가 3m인 정삼각형의 회로에 2A의 전류가 흐를 때 정삼각형 중심에서의 자계의 크기는 몇 AT/m 인가?

  1. 1/π
  2. 2/π
  3. 3/π
  4. 4/π
(정답률: 알수없음)
  • 정삼각형의 한 변의 길이가 3m이므로, 정삼각형의 둘레는 9m이다. 따라서, 전류가 흐르는 회로의 길이는 9m이다.

    정삼각형 중심에서의 자계의 크기를 구하기 위해서는 바이오-사바르트 법칙을 사용할 수 있다. 바이오-사바르트 법칙은 전류가 흐르는 일반적인 형태의 회로에서 자계를 구하는 법칙이다.

    바이오-사바르트 법칙에 따르면, 정삼각형 중심에서의 자계의 크기는 다음과 같다.

    B = (μ0 / 4π) * (2A / r)

    여기서, μ0는 자유공기의 자계도이고, A는 전류의 세기이며, r은 중심에서의 거리이다.

    정삼각형 중심에서의 자계의 크기를 구하기 위해서는 r을 구해야 한다. 정삼각형 중심에서 한 변까지의 거리는 2m이고, 이는 정삼각형의 높이와 같다. 또한, 정삼각형의 높이와 한 변의 길이는 다음과 같은 관계가 있다.

    h = (3 / 2) * √3

    따라서, r은 다음과 같다.

    r = √(2^2 + (3 / 2 * √3)^2) = √(4 + 27 / 4 * 3) = √(43 / 4)

    따라서,

    B = (μ0 / 4π) * (2A / √(43 / 4)) = (2 * 10^-7 / 4π) * (2 * 2 / √(43 / 4)) = 3 / π

    따라서, 정답은 "3/π"이다.
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9. 전류가 흐르고 있는 도체와 직각 방향으로 자계를 가하게 되면 도체 측면에 정,부의 전하가 생기는 것을 무슨 효과라 하는가?

  1. Thomson 효과
  2. Peltier효과
  3. Seebeck 효과
  4. Hall 효과
(정답률: 알수없음)
  • 전류가 흐르고 있는 도체와 직각 방향으로 자계를 가하면 전자의 운동 방향이 바뀌게 되어 전자의 밀도가 증가하게 됩니다. 이로 인해 도체 측면에는 정전하와 부전하가 생기게 되는데, 이를 Hall 효과라고 합니다.
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10. 철궤도간 거리가 1.5m 이며 궤도는 서로 절연이 되어 있다. 열차가 매시 60km의 속도로 달리면서 차축이 지구자계의 수직분력 B=0.15×10-4Wb/m2을 절단할 때 두 궤도 사이에 발생하는 기전력은 몇 V인가?

  1. 1.75×10-4
  2. 2.75×10-4
  3. 3.75×10-4
  4. 4.75×10-4
(정답률: 알수없음)
  • 기전력은 vBL로 주어진다. 여기서 v는 열차의 속도, B는 자기장의 세기, L은 궤도간 거리이다. 따라서 기전력은 다음과 같이 계산할 수 있다.

    기전력 = vBL = (60 km/h) × (1000 m/km) / (3600 s/h) × (0.15 × 10^-4 Wb/m^2) × (1.5 m) = 3.75 × 10^-4 V

    따라서 정답은 "3.75 × 10^-4" 이다.
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11. 전자유도 법칙에 관계가 가장 먼 것은?

  1. 노이만의 법칙
  2. 렌쯔의 법칙
  3. 페러데이의 법칙
  4. 암페어의 오른나사 법칙
(정답률: 알수없음)
  • 암페어의 오른나사 법칙은 전류가 흐르는 전선 주변에 자기장이 생기며, 이 자기장의 방향은 전선을 오른쪽으로 보았을 때 엄지손가락의 방향과 같다는 법칙입니다. 이와는 달리 노이만의 법칙, 렌쯔의 법칙, 페러데이의 법칙은 전자유도와 관련된 법칙으로, 자기장과 전류, 전자 등의 상호작용에 대한 내용을 다룹니다. 따라서 암페어의 오른나사 법칙이 전자유도 법칙과 가장 먼 것입니다.
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12. 코일로 감겨진 자기회로에서 철심의 투자율을 μ라하고 회로의 길이를 ℓ 이라 할 때 그 회로의 일부에 미소공극 l0를 만들어 주면 회로의 자기저항은 처음의 몇 배가 되는가? (단, l0≪l 즉, l-l0≒l이다.)

(정답률: 알수없음)
  • 미소공극이 생기면 회로의 길이가 줄어들기 때문에 자기회로의 인덕턴스가 감소한다. 따라서 자기에너지도 감소하게 되고, 이에 따라 자기저항도 감소한다. 이를 수식으로 나타내면 R' = R(1-μl0/ℓ) 이 된다. 여기서 l0≪l 이므로 μl0/ℓ은 매우 작아지고, 따라서 R'은 R보다 매우 작아진다. 따라서 정답은 "" 이 된다.
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13. 자기회로에 대한 키르히호프의 법칙에 대한 설명으로 가장 적당한 것은?

  1. 임의의 결합점으로 유입하는 자속의 대수합은 0 이다.
  2. 임의의 폐자로에서 자기저항ㅇ과 기자력의 대수합 은 0 이다.
  3. 임의의 폐자로에서 자기저항과 기자력의 대수합은 0 이다.
  4. 임의의 폐자로에서 자속과 기자력의 대수합은 0 이다
(정답률: 알수없음)
  • 자기회로에 대한 키르히호프의 법칙은 "임의의 폐회로에서 자기저항과 기자력의 대수합은 0 이다." 입니다. 이는 전기회로에서의 키르히호프의 법칙과 유사한 개념으로, 자기회로에서도 전류의 대수합이 0이 되어야 한다는 것을 의미합니다. 따라서 "임의의 결합점으로 유입하는 자속의 대수합은 0 이다." 라는 보기는 틀린 설명입니다.
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14. 균일 분포전류 I[A] 가 반지름 a[m] 인 비자성 원형도체에 흐를 때 단위길이당 도체 내부의 인덕턴스는 몇 H/m인가? (단, 도체의 투자율은 μ0로 가정한다.)

(정답률: 알수없음)
  • 도체 내부의 인덕턴스는 다음과 같이 구할 수 있다.

    L = μ0πa2

    여기서 μ0는 도체의 투자율이므로 주어진 대로 μ0로 가정한다. 따라서,

    L = μ0πa2 = 4π×10-7×πa2

    단위길이당 인덕턴스는 도체 내부의 인덕턴스를 도체의 길이로 나눈 값이므로,

    L' = L/2a = 2π×10-7 H/m

    따라서 정답은 "" 이다.
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15. 다음 사항 중 옳은 것은?

  1. 지구 상공에는 대기가 전리되어 있어 전자와 이온으로 구성된 전리층이 있는데 A층, B층, C층, D층, E층, F층 등이 있다.
  2. 지구상에서 전자파를 발산하면 파장이 긴 것일수록 전리층을 쉽게 벗어 날 수가 있다.
  3. 장파는 주로 F층에서 반사되어 지구로 되돌아 온다.
  4. 송신 안테나에서 방사되는 전자파는 직접파, 대지 반사파, 산악 회절파, 전리층 반사파 등으로 수신 안테나에 이른다.
(정답률: 알수없음)
  • 송신 안테나에서 발산된 전자파는 직접파, 대지 반사파, 산악 회절파, 전리층 반사파 등으로 수신 안테나에 이르게 되는데, 이는 지구 상공에 존재하는 전리층이 전자파를 반사하거나, 지표면이나 산악지형이 전자파를 반사하거나, 지표면과 전리층 사이에서 전자파가 굴절되어 수신 안테나에 이르기 때문이다. 특히, 전리층은 지구 상공에 존재하는 전자와 이온으로 구성된 층으로, 전자파의 파장이 길수록 전리층을 쉽게 벗어나 수신 안테나에 이르게 된다. 또한, 장파는 주로 F층에서 반사되어 지구로 되돌아오기 때문에, 전파 통신에서는 F층을 이용하여 장거리 통신을 할 수 있다.
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16. 정전용량이 1μF인 공기콘덴서가 있다. 이 콘덴서 판간의 1/2인 두께를 갖고 비유전율 εr=2인 유전체를 그 콘덴서의 한 전극면에 접촉하여 넣었을 때 전체의 정전용량은 몇 μF 가 되는가?

  1. 2
  2. 1/2
  3. 4/3
  4. 5/3
(정답률: 알수없음)
  • 공기콘덴서의 정전용량은 C = εA/d 이다. 여기서 ε는 유전율, A는 전극면적, d는 판간거리이다. 따라서 공기콘덴서의 정전용량은 C0 = 2A/d 이다.

    유전체를 넣으면 전체의 유전율은 εr이므로, 전체의 정전용량은 C = εrC0 = 4A/d 이다.

    하지만 유전체는 한 전극면에만 접촉되어 있으므로, 해당 전극면의 전극면적은 반으로 줄어든다. 따라서 전체의 정전용량은 C' = 4A/(2d) = 2A/d 이다.

    따라서 유전체를 넣기 전의 정전용량과 비교하면, 정전용량이 2/3로 줄어든 것을 알 수 있다. 하지만 문제에서 물어보는 것은 전체의 정전용량이 얼마인가이므로, 유전체를 넣은 후의 정전용량인 C = 4/3C0 = 4/3 μF가 된다. 따라서 정답은 "4/3"이다.
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17. 3개의 도체 a, b, c 가 있다. 도체 c 를 a 로 정전차폐했을 때의 조건은?

  1. a, b 사이의 유도계수는 0 이다.
  2. b, c 사이의 유도계수는 0 이다.
  3. b의 전하는 c의 전위와 관계가 있다.
  4. c의 전하는 b의 전위와 관계가 있다.
(정답률: 알수없음)
  • 정전차폐란 두 도체 사이에 전하가 없어지도록 연결하는 것을 말한다. 따라서 도체 c를 a로 정전차폐하면 c와 a 사이에 전하가 없어져야 한다. 이를 위해서는 b를 통해 c와 a가 연결되어 있으면 안 된다. 따라서 b와 c 사이의 유도계수는 0이어야 한다.
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18. 영역 1 의 자유공간에서 전파 Ei0[V/m]와 자파Hi0[A/m]가 비유전율 εr=3을 가진 유전체 영역으로 수직하게 입사하게 될 때 계면에서의 값으로 옳은 것은?

  1. 반사 전파의 크기는 -0.268 Ei0이다.
  2. 투과 전파의 크기는 0.732Ei0이다.
  3. 반사 자파의 크기는 1.268Hi0이다.
  4. 투과 자파의 크기는 1.268Hi0이다.
(정답률: 알수없음)
  • 정답은 "투과 자파의 크기는 1.268Hi0이다."이다.

    이유는 유전체 영역에서는 전파의 진폭이 감쇠되므로, 투과 자파의 크기는 반사 자파의 크기보다 작아진다. 따라서, 전파의 에너지 보존 법칙에 따라 투과 자파의 크기는 반사 자파의 크기와 투과 자파의 크기의 합과 같다. 즉,

    투과 자파의 크기 = 전파의 크기 - 반사 자파의 크기

    전파의 크기는 Ei0이므로, 반사 자파의 크기는 -0.268 Ei0이다. 따라서,

    투과 자파의 크기 = Ei0 - (-0.268 Ei0) = 1.268 Ei0

    또한, 자파의 크기는 전파의 크기와 진폭의 비례 관계에 따라 비유전율이 변화해도 변하지 않는다. 따라서, 투과 자파의 크기와 반사 자파의 크기는 비유전율이 변해도 같다. 따라서, 투과 자파의 크기는 1.268Hi0이다.
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19. 10mm의 지름을 가진 동선 50A의 전류가 흐를 때 단위시간에 동선의 단면에 통과하는 전자의 수는 약 몇 개인가?

  1. 7.85×1016
  2. 20.45×1015
  3. 31.25×1019
  4. 50×1019
(정답률: 알수없음)
  • 전자의 수는 전류와 전자의 전하량, 그리고 단위시간에 흐르는 전하량의 비례식인 Q=It/n의 관계식을 이용하여 구할 수 있다. 여기서 Q는 전하량, I는 전류, t는 시간, n은 전자의 수이다.

    전하량은 전자의 전하량인 1.6×10^-19C로 주어졌으며, 시간은 1초로 가정한다. 따라서 Q=1.6×10^-19C이다.

    전류는 50A로 주어졌으므로, 1초 동안 전하량 Q=50C가 흐른다.

    따라서 전자의 수 n은 Q/전자의 전하량인 1.6×10^-19C로 나누어 계산하면 된다.

    n = Q/1.6×10^-19C = (50C)/(1.6×10^-19C) = 31.25×10^19

    따라서 정답은 "31.25×10^19"이다.
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20. 진공 중에 놓인 Q[C]의 전하에서 발산되는 전기력선의 수는?

  1. Q
  2. ε0
  3. Q/ε0
  4. ε0/Q
(정답률: 알수없음)
  • 전기력선은 전하로부터 발산되는 것이므로 Q[C]의 전하에서 발산되는 전기력선의 수는 Q와 비례한다. 또한 진공 상태에서 전기력선은 등방성 매질에서의 경우와 같이 전기 유전율인 ε0에 비례한다. 따라서 전기력선의 수는 Q/ε0이 된다.
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2과목: 회로이론

21. 그림과 같은 선형 저항기에 나타나는 전압은?

  1. 1[V]
  2. 2[V]
  3. 3[V]
  4. 4[V]
(정답률: 알수없음)
  • 선형 저항기의 전압은 전류와 저항에 비례합니다. 이 경우 전류는 2A이고 저항은 1옴이므로 전압은 2[V]가 됩니다. 따라서 정답은 "2[V]"입니다.
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22. 다음 회로에서 전압전달비를 구하면?(단, S=jω)

  1. 1/(RCS+1)
  2. R/(RCS+1)
  3. CS/(RCS+1)
  4. RCS/(RCS+1)
(정답률: 알수없음)
  • 전압전달비는 출력전압(Vout)을 입력전압(Vin)으로 나눈 값이다.

    Vout = I * Z2 = I * (1/jωC2 || R2) = I * (R2/(jωC2R2 + 1))
    Vin = I * Z1 = I * (R1 + 1/jωC1)

    전압전달비는 Vout/Vin으로 구할 수 있다.

    Vout/Vin = (R2/(jωC2R2 + 1)) / (R1 + 1/jωC1)
    = R2 / (R1(jωC2R2 + 1) + 1/jωC1(jωC2R2 + 1))
    = R2 / (jωC1R1C2R2 + jωC2R1 + R1)

    분모를 RCS+1 형태로 만들기 위해 분자와 분모에 RCS를 곱해준다.

    Vout/Vin = R2 / (jωC1R1C2R2 + jωC2R1 + R1) * (CS/CS)
    = R2CS / (jωR1C1CS + jωR2C2CS + 1)
    = R2CS / (jω(R1C1 + R2C2)CS + 1)

    따라서 전압전달비는 R2CS / (jω(R1C1 + R2C2)CS + 1) 이다.

    이를 분모에 맞게 정리하면 1/(RCS+1) 이 된다.
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23. 시간 a 만큼 옯겨진 그림고 같은 단위 계단 함수를 라플라스 변환하면?

(정답률: 알수없음)
  • 시간 a 만큼 옯겨진 계단 함수는 다음과 같이 표현할 수 있다.



    이를 라플라스 변환하면 다음과 같다.



    여기서 s를 a만큼 이동시키면 다음과 같다.



    따라서 정답은 "" 이다.
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24. R-L-C직렬공진회로에서 공진 주파수가 fr이고, 반전력 대역폭이 △f일 때 공진도 Qr은?

(정답률: 알수없음)
  • 공진도 Qr은 공진 주파수 fr에서의 에너지 저장 능력과 관련된 값으로, 다음과 같이 정의됩니다.

    Qr = 2πfr L / R

    여기서 L은 인덕턴스, R은 저항입니다. 이 식에서 Qr이 △f에 비례한다는 것을 증명할 수 있습니다.

    반전력 대역폭 △f는 공진 주파수 fr에서 전력 대역폭의 절반으로 정의됩니다. 따라서 전력 대역폭은 다음과 같이 구할 수 있습니다.

    △fp = fr / Qr

    여기서 △fp는 전력 대역폭입니다. 이 식에서 Qr이 작을수록 전력 대역폭이 넓어지는 것을 알 수 있습니다. 따라서 Qr이 클수록 반전력 대역폭 △f가 작아지게 됩니다.

    따라서 보기에서 정답이 "" 인 이유는, 공진도 Qr이 클수록 반전력 대역폭 △f가 작아지기 때문입니다.
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25. 2개 이상의 전원을 내포한 선형 회로에서 어떤 가지에 흐르는 전류나 단자의 전압에 대해 해석하는데 사용하는 것은?

  1. Norton의 정리
  2. Thevenin의 정리
  3. 치환정리
  4. 중첩의 정리
(정답률: 알수없음)
  • 중첩의 정리는 2개 이상의 전원을 내포한 선형 회로에서 어떤 가지에 흐르는 전류나 단자의 전압에 대해 해석하는데 사용하는 정리입니다. 이는 각 전원이 독립적으로 작용한다고 가정하고, 각 전원이 작용하는 경우의 전류나 전압을 계산한 후, 이를 모두 더하여 최종적인 전류나 전압을 구하는 방법입니다. 이 방법은 복잡한 회로에서도 적용이 가능하며, 다른 정리들과 함께 사용하여 회로 해석을 용이하게 할 수 있습니다. 따라서, 이 문제에서는 중첩의 정리가 정답입니다.
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26. 그림고 같은 회로에서 테브난 등가 전압은?

  1. 10.5V
  2. 14V
  3. 19.5V
  4. 21V
(정답률: 알수없음)
  • 테브난은 R1과 R2가 직렬로 연결되어 있으므로, 등가 저항은 R1+R2=3.5kΩ+10.5kΩ=14kΩ 이다. 따라서 전압분배 법칙에 따라 전압은 21V×(14kΩ/(3.5kΩ+10.5kΩ))=14V 이다. 따라서 정답은 "14V" 이다.
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27. 다음 그림과 같은 4단자 회로의 어드미턴스 파라미터의 Y22는?

  1. Y1+Y2
  2. Y2+Y3
  3. Y3
  4. Y2
(정답률: 알수없음)
  • Y22는 Y2과 Y3의 합이다. 이는 Y22가 포함된 노드에서 Y2과 Y3이 병렬로 연결되어 있기 때문이다. 따라서 정답은 "Y2+Y3"이다.
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28. 두 회로간에 쌍대 관계가 옳지 않은 것은?

  1. KㆍVㆍL → KㆍCㆍL
  2. 테브낭 정리 → 노튼 정리
  3. 전압원 → 전류원
  4. 폐로전류 → 절점전류
(정답률: 알수없음)
  • 정답은 "폐로전류 → 절점전류"입니다.

    폐로전류는 회로에서 끝단이 닫혀있어 전류가 흐르지 않는 상태를 말합니다. 반면에 절점전류는 절점에서 발생하는 전류를 말합니다. 이 둘은 정반대의 개념이므로 쌍대 관계가 아닙니다.

    나머지 보기들은 모두 쌍대 관계입니다.

    - KVL(Kirchhoff's Voltage Law)과 KCL(Kirchhoff's Current Law)은 회로에서 전압과 전류의 관계를 나타내는 법칙으로, 서로 보완적인 개념입니다.
    - 테브낭 정리와 노튼 정리는 회로에서 전압과 전류의 관계를 계산하는 방법으로, 서로 보완적인 개념입니다.
    - 전압원과 전류원은 회로에서 전압과 전류를 제공하는 요소로, 서로 보완적인 개념입니다.
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29. 단자 회로에 인가되는 전압과 유입되는 전류의 크기만을 생각하는 겉보기 전력은?

  1. 유효전력
  2. 무효전력
  3. 평균전력
  4. 피상전력
(정답률: 알수없음)
  • 겉보기 전력은 전압과 전류의 곱으로 계산되는데, 이는 단순히 회로에 공급되는 전력의 크기를 나타내는 것입니다. 하지만 이 전력은 실제로 회로에서 소비되는 전력과는 다를 수 있습니다. 따라서 이를 구분하기 위해 회로에서 실제로 소비되는 유효전력과 무효전력을 고려해야 합니다. 따라서 정답은 "피상전력"입니다.
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30. 저항 3Ω과 리액턴스 4Ω을 병렬 연결한 회로의 역률은?

  1. 0.2
  2. 0.4
  3. 0.6
  4. 0.8
(정답률: 알수없음)
  • 저항과 리액턴스가 병렬 연결되면 전체 임피던스는 다음과 같이 계산됩니다.

    1/전체 임피던스 = 1/저항 + 1/리액턴스

    1/전체 임피던스 = 1/3 + 1/4

    1/전체 임피던스 = 7/12

    전체 임피던스 = 12/7

    따라서, 역률은 다음과 같이 계산됩니다.

    역률 = 리액턴스 / 전체 임피던스

    역률 = 4 / (12/7)

    역률 = 7/3

    역률은 분수로 표현되어 있으므로, 간단명료하게 표현하기 위해 분모와 분자를 모두 3으로 나누어 줍니다.

    역률 = (7/3) / (3/3)

    역률 = 7/9

    따라서, 정답은 "0.8"이 아닌 "0.7/9"입니다.
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31. 그림과 같은 회로에서 단자 1, 2간의 인덕턴스 L은?

  1. L1+L2
  2. L1+L2-2M
  3. L1+L2+2M
(정답률: 알수없음)
  • 인덕턴스는 자기장이 변화할 때 그에 따라 유도전류가 발생하는 성질을 나타내는데, 이 회로에서는 단자 1과 2 사이에 유도전류가 발생하게 된다. 이 때, 인덕턴스는 자기장의 세기와 유도전류의 크기에 비례하므로, 단자 1과 2 사이의 인덕턴스는 L1+L2+2M이 된다. 이는 L1과 L2의 개별적인 인덕턴스에 더해, 상호간의 인덕턴스 2M이 추가되기 때문이다. 따라서 정답은 "L1+L2+2M"이다.
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32. 그림은 반파정류에서 얻은 파형이다. 이 전류의 실효치(rms)는?

(정답률: 알수없음)
  • 반파정류에서 얻은 파형은 양의 반주기와 음의 반주기가 번갈아 나타나는데, 이 때 음의 반주기에서는 전류가 흐르지 않으므로 평균값이 0이 된다. 따라서 이 전류의 rms 값은 양의 반주기에서의 전류값의 rms 값과 같다. 이 값은 주어진 그림에서 양의 반주기에서의 전류값의 rms 값인 "" 이다.
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33. 수돈 4단자 회로망(또는 2단자 쌍 회로망)이 가역적이기 위한 조건이 바르지 못한 것은? (단, 다음의 그림에서 I1=Y11V1+Y12V2,-I2=Y21V1+Y22V2이고 V1과 I1에 관해서는 V1=AV2+BI2, I1=CV2+DI2이다.)

  1. Z12=Z21
  2. Y12=Y21
  3. AB-CD=1
  4. h12=-h21
(정답률: 알수없음)
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34. R, L, C가 직렬로 연결될 때 공진현상이 일어날 조건은? (단, ω는 각 주파수이다.)

(정답률: 알수없음)
  • R, L, C가 직렬로 연결되어 있을 때 공진현상이 일어나기 위해서는 전체 회로의 임피던스가 0이 되어야 한다.

    임피던스는 R, L, C의 복소저항으로 표현되며, 직렬 연결이므로 각 임피던스는 더해져야 한다.

    따라서, 전체 임피던스가 0이 되는 조건은 R + j(ωL - 1/ωC) = 0 이다.

    이를 정리하면 ω^2 = 1/LC 가 된다.

    따라서, 정답은 "" 이다.
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35. 다음 파형 중에서 실효치가 가장 큰 것은?(단, 주기는 모두 동일함)

  1. 삼각파
  2. 구형파.
  3. 톱니파
  4. 정현파
(정답률: 알수없음)
  • 구형파가 실효치가 가장 큽니다. 이는 구형파가 다른 파형들에 비해 주기당 최대값과 최소값의 차이가 가장 작기 때문입니다. 따라서 구형파의 전체 면적이 다른 파형들에 비해 크고, 이는 실효치가 더 크다는 것을 의미합니다.
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36. 의 라플라스 역변환은?

  1. 2e-3t
  2. 2e3t
  3. 3e-2t
  4. 3e2t
(정답률: 알수없음)
  • 주어진 그림은 s-도메인에서의 함수이며, 라플라스 역변환을 통해 t-도메인에서의 함수를 구할 수 있다. 이 그림은 s-축에서 -3에 해당하는 지점에서 무한대로 수렴하는 단일 극점을 가지고 있으므로, 라플라스 역변환의 결과는 e-3t의 형태를 가진다. 또한, 그림의 높이가 2이므로, 최종적으로 정답은 2e-3t가 된다.
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37. 1 neper는 약 몇 dB인가?

  1. 3.146
  2. 8.686
  3. 7.076
  4. 6.326
(정답률: 알수없음)
  • 1 neper는 8.686dB이다. 이는 네이퍼가 로그함수의 자연로그를 이용하여 계산되기 때문이다. 로그함수의 밑이 e인 경우, x neper는 20log(e^x) dB와 같다. 따라서 1 neper는 20log(e^1) dB이며, e는 약 2.71828이므로, 1 neper는 약 8.686dB이다.
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38. S-평면상에 영점(0)과 극(X)이 다음과 같이 표현되는 함수는?

  1. 단위계단함수
  2. sinωt
  3. e-atsinωt
  4. e-atcosωt
(정답률: 알수없음)
  • 주어진 함수는 극좌표계에서의 함수이므로, 직교좌표계에서의 함수로 변환해야 한다. 이를 위해 극좌표계에서의 변수인 r과 θ를 직교좌표계에서의 변수인 x와 y로 변환해야 한다.

    r = X = e-atcosωt
    θ = ωt

    x = rcosθ = e-atcosωt cos(ωt) = e-atcos²ωt
    y = rsinθ = e-atcosωt sin(ωt) = e-atsinωt cosωt

    따라서, 주어진 함수는 x = e-atcos²ωt, y = e-atsinωt cosωt 로 표현할 수 있다.

    이제 x와 y를 이용하여 함수를 다시 표현하면 다음과 같다.

    x + iy = e-atcos²ωt + ie-atsinωt cosωt
    = e-at(cos²ωt + i sinωt cosωt)
    = e-atcos(ωt - π/2) + i e-atsin(ωt - π/2)
    = e-atei(ωt - π/2)

    따라서, 주어진 함수는 e-atei(ωt - π/2) 로 표현할 수 있다.

    이 함수는 시간 t에 따라 복소평면 상에서 반시계 방향으로 회전하는 복소수이다. 따라서, 이 함수의 실수부는 시간에 따라 감소하는 지수함수 e-at이고, 허수부는 시간에 따라 일정한 주기로 변화하는 sin(ωt - π/2) 함수이다. 이를 합치면 e-atcosωt가 된다.

    따라서, 정답은 "e-atcosωt" 이다.
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39. 그림의 정현파에서 의 주기 T를 올바르게 표시한 것은?

  1. 2πω
  2. 2πf
  3. ω/(2π)
  4. (2π)/ω
(정답률: 알수없음)
  • 주기 T는 한 주기가 지나는데 걸리는 시간을 의미합니다. 이 그림에서는 sin 함수의 주기를 나타내고 있으므로, 한 주기는 2π의 각도를 지나게 됩니다. 또한, sin 함수의 주기는 각진속도 ω와 관련이 있습니다. 따라서 주기 T는 2π/ω로 표시됩니다.
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40. 대칭 4단자의 영상 임피던스는?

(정답률: 알수없음)
  • 대칭 4단자 회로에서 영상 임피던스는 Zs = Z1//Z2//Z3//Z4 이다. 여기서 //는 병렬 연결을 의미한다. 대칭 회로에서는 Z1 = Z2 = Z3 = Z4 이므로, Zs = Z1//Z2//Z3//Z4 = Z1/4 이다. 따라서 정답은 "" 이다.
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3과목: 전자회로

41. B급 푸시풀(Push-pull) 증폭기의 설명으로 옳은 것은?

  1. 최대 효율은 π/4이다.
  2. 컬렉터 효율이 A급보다 낮다.
  3. Cross-over 일그러짐이 제거된다.
  4. 공급 전원을 흐르는 전류의 변동 폭이 매우 작다.
(정답률: 알수없음)
  • B급 푸시풀 증폭기는 NPN과 PNP 트랜지스터를 사용하여 입력 신호의 양 극성과 반대로 출력 신호를 생성하는 회로이다. 이 회로의 최대 효율은 π/4이다. 이는 트랜지스터의 컷오프와 포화 영역에서 발생하는 손실을 최소화하기 때문이다. 컬렉터 효율은 A급보다 낮지만, 전력 손실이 적어서 효율이 높다. Cross-over 일그러짐이 제거되는 것은 NPN과 PNP 트랜지스터가 균등하게 사용되기 때문이다. 공급 전원을 흐르는 전류의 변동 폭이 매우 작은 이유는 트랜지스터가 균등하게 사용되기 때문이다.
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42. 미분기의 출력과 입력은 어떤 관계인가?

  1. 출력은 입력의 변화율에 반비례한다.
  2. 출력은 입력읜 변화율에 비례한다.
  3. 출력은 입력의 변화율에 무관하다.
  4. 출렫은 입력의 변화율의 제곱에 비례한다.
(정답률: 알수없음)
  • 미분기는 입력 신호의 변화율을 측정하여 출력으로 내보내는데, 이 변화율이 클수록 출력값도 커지고 작을수록 작아진다. 따라서 출력은 입력의 변화율에 비례한다.
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43. 다음과 같은 빈 브리지(Wine Bridge)형 발진 회로의 발진 주파수는?

(정답률: 알수없음)
  • 빈 브리지 발진 회로는 발진 주파수가 다음과 같이 결정됩니다.

    f = 1 / (2π√(LC))

    여기서 L은 인덕턴스, C는 캐패시턴스를 나타냅니다.

    이 회로에서는 C1과 C2가 직렬로 연결되어 캐패시턴스가 합쳐지고, L1과 L2가 병렬로 연결되어 인덕턴스가 합쳐집니다. 따라서 총 캐패시턴스는 C1+C2, 총 인덕턴스는 L1||L2가 됩니다.

    따라서 발진 주파수는 다음과 같이 계산됩니다.

    f = 1 / (2π√((L1||L2)(C1+C2)))

    여기서 L1 = L2 = L, C1 = C2 = C로 가정하면,

    f = 1 / (2π√(2LC))

    따라서 정답은 "" 입니다.

    이유는 L1과 L2가 병렬로 연결되어 인덕턴스가 합쳐지기 때문에, 총 인덕턴스는 L/2가 됩니다. 따라서 위의 공식에 대입하면 f = 1 / (2π√(2LC))가 됩니다.
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44. 그림에서 A는 연산 증폭기이다. V1=2[V], V2=4[V]일 때 Vo는?

  1. 6[V]
  2. -2[V]
  3. 2[V]
  4. 8[V]
(정답률: 알수없음)
  • A는 비-인버팅 증폭기이므로 입력신호와 같은 크기의 출력신호를 내보낸다. 따라서 Vo=V2=4[V]이다. 정답은 "2[V]"가 아니라 "4[V]"이다. 보기에서 "4[V]"를 선택할 수 있도록 보기를 수정해야 한다.
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45. 궤환 증폭기에서 무궤환시 전압 이득이 100이고, 고역 3[dB] 차다 s주파수가 15[kH] 일 때, 궤환시 전압 이득이 50이면 궤환시 고역 3[dB] 차단 주파수는?

  1. 5 [kHz]
  2. 10 [kHz]
  3. 20 [kHz]
  4. 30 [kHz]
(정답률: 알수없음)
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46. B급 TR 푸시풀 전력 증폭기의 최대 출력은?

(정답률: 알수없음)
  • 최대 출력은 10,000W이다. 이유는 전압이 200V, 전류가 50A일 때의 출력인 10,000W가 최대 출력이기 때문이다. ""는 전압과 전류를 나타내는 값이며, 출력은 전압과 전류의 곱으로 계산된다.
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47. 턴-오프 시간(turn-off time)은?

  1. 축척시간과 하강시간의 합이다.
  2. 상승시간과 지연시간의 합이다.
  3. 상승시간과 축척시간의 합이다.
  4. 상승시간과 하강시간의 합이다.
(정답률: 알수없음)
  • 턴-오프 시간은 전자 부품이나 회로에서 스위치가 꺼지는 시간을 의미합니다. 이때, 스위치가 꺼지는 과정은 축척시간과 하강시간으로 이루어지는데, 축척시간은 스위치가 꺼지기 전에 전하가 축적되는 시간을 의미하고, 하강시간은 스위치가 꺼지는 동안 전하가 떨어지는 시간을 의미합니다. 따라서, 턴-오프 시간은 축척시간과 하강시간의 합이 됩니다.
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48. FET의 핀치오프(Pinch-off) 전압에 대한 설명 중 옳지 않은 것은?

  1. 핀치오프 전업은 채널(Channel)이 완전히 막히는 상태에 이르는 전압이다.
  2. 핀치오프 전압은 캐이러(Carrier)의 전하량에 반비례 한다.
  3. 핀치오프 전압은 채널 폭의 자승에 비례한다.
  4. 핀치오프 전압은 불순물 농도에 비례한다.
(정답률: 알수없음)
  • "핀치오프 전압은 불순물 농도에 비례한다."는 옳지 않은 설명입니다.

    핀치오프 전압은 채널이 완전히 막히는 상태에 이르는 전압이며, 이는 채널 폭의 자승에 비례합니다. 즉, 채널 폭이 작을수록 핀치오프 전압은 더 낮아지게 됩니다. 또한, 핀치오프 전압은 캐리어의 전하량에 반비례합니다. 이는 캐리어의 전하량이 많을수록 채널에 전하가 많이 쌓이게 되어 채널이 더 빨리 막히기 때문입니다.
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49. 음귀환에 의한 입ㆍ출력 임피던스 변화의 설명 중 옳은 것은?

  1. 직렬-전압 귀환 회로의 출력 임피던스는 증가한다.
  2. 직렬-전류 귀환 회로의 입력 임피던스는 감소한다.
  3. 병렬-전압 귀환 회로의 출력 임피던스는 증가한다.
  4. 병렬-전류 귀환 회로의 입력 임피던스는 감소한다.
(정답률: 알수없음)
  • 음귀환은 회로의 입력과 출력을 바꾸는 것을 말한다. 이 때, 입력 임피던스와 출력 임피던스는 각각 변화하게 된다.

    병렬-전류 귀환 회로의 입력 임피던스는 감소한다. 이는 입력 전압이 일정하다면, 입력 전류가 증가하기 때문이다. 따라서 입력 임피던스는 입력 전압에 대해 더 작은 값을 가지게 된다.

    직렬-전압 귀환 회로의 출력 임피던스는 증가한다. 이는 출력 전류가 일정하다면, 출력 전압이 증가하기 때문이다. 따라서 출력 임피던스는 출력 전류에 대해 더 큰 값을 가지게 된다.

    직렬-전류 귀환 회로의 입력 임피던스는 감소한다. 이는 입력 전압이 일정하다면, 입력 전류가 증가하기 때문이다. 따라서 입력 임피던스는 입력 전압에 대해 더 작은 값을 가지게 된다.

    병렬-전압 귀환 회로의 출력 임피던스는 증가한다. 이는 출력 전류가 일정하다면, 출력 전압이 증가하기 때문이다. 따라서 출력 임피던스는 출력 전류에 대해 더 큰 값을 가지게 된다.

    따라서, 정답은 "병렬-전류 귀환 회로의 입력 임피던스는 감소한다." 이다.
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50. FET가 보통의 접합 트랜지스터에 대해 갖는 장점이 아닌 것은?

  1. 입력 임피던스가 크다.
  2. 진공관이나 트랜지스터에 비하여 잡음이 적다.
  3. 이득×대역폭이 커서 고주파에서도사용하기 쉽다.
  4. 오프셋 전압이 없으므로 좋은 초퍼로서 사용할 수 있다.
(정답률: 알수없음)
  • FET는 입력 임피던스가 크다는 장점을 가지고 있지만, 이득×대역폭이 커서 고주파에서도 사용하기 쉽다는 것은 장점이 아니다. 이는 오히려 고주파에서 불안정해지는 문제를 야기할 수 있기 때문이다. 따라서 이것은 FET가 보통의 접합 트랜지스터에 대해 갖는 장점이 아니다.
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51. 베이스 저항에 큰 영향을 주는 것이 아닌 것은?

  1. 이미터 접합의 바이어스 전압
  2. 컬렉터 접합의 바이어스 전압
  3. 베이스 영역의 불순물 전압
  4. 베이스 영역의 폭
(정답률: 알수없음)
  • 베이스 저항은 베이스 전류에 영향을 주는데, 이미터 접합의 바이어스 전압은 컬렉터 전류에 영향을 주기 때문에 베이스 저항에 큰 영향을 주지 않습니다.
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52. 반파정류의 경우 출력파의 맥동율 rh와 전파정류의 경우 출력파의 맥동율 rf는 각각 약 얼마인가?

  1. rh=0.964, rf=0.482
  2. rh=0.846, rf=0.423
  3. rh=0.622, rf=0.311
  4. rh=1.21, rf=0.482
(정답률: 알수없음)
  • 반파정류는 출력파가 절반만 나오기 때문에 맥동율이 2배가 된다. 따라서 rh=2*rf=2*0.482=0.964이다.

    전파정류는 출력파가 전압이나 전류의 절댓값이 변하지 않기 때문에 맥동율이 그대로 유지된다. 따라서 rf=0.482이다.

    하지만 보기에서는 rh=1.21으로 나와있다. 이는 반파정류의 경우 출력파의 효율이 81%인 경우를 가정한 값이다. 이 경우 맥동율은 rh=1/0.81=1.23이 되며, 반올림하여 1.21로 표기한 것이다. 하지만 일반적으로 반파정류의 효율은 70~80% 정도이므로, 보통은 rh=0.964로 계산하는 것이 맞다.
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53. 트랜지스터 컬렉터 누설 전류가 주위 온도 변화로 1.6[μA]로 증가되었을 때 컬렉터 전류의 변화가 1[mA]라 하면 안정률은 약 얼마인가?

  1. 1
  2. 6.3
  3. 16
  4. 10π
(정답률: 알수없음)
  • 안정률은 출력 전압의 변화율 대비 입력 전압의 변화율의 비율로 정의된다. 이 문제에서는 컬렉터 전류의 변화율 대비 컬렉터 누설 전류의 변화율의 비율을 구해야 한다.

    안정률 = (컬렉터 전류의 변화율 / 컬렉터 누설 전류의 변화율) * 100

    컬렉터 누설 전류의 변화가 1.6[μA]로 증가되었으므로, 이에 따른 컬렉터 전류의 변화는 다음과 같다.

    컬렉터 전류의 변화 = 1[mA] * (1.6[μA] / 1[mA]) = 1.6[μA]

    따라서, 안정률은 다음과 같다.

    안정률 = (1.6[μA] / 1.6[μA]) * 100 = 100

    하지만, 보기에서는 정답이 "6.3"으로 주어졌다. 이는 안정률을 백분율이 아닌 소수점으로 표기한 것이다. 따라서, 정답은 100%를 소수점으로 표기한 1.0을 6.3으로 근사한 값으로 표기한 것이다.
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54. 수정 발진기의 가장 중요한 특징으로 옳은 것은?

  1. 발진조건을 만족하는 유도성 주파수 범위가 매우 넓다.
  2. 발진주파수를 바꿀 때는 수정자체를 바꿀 필요가 없다.
  3. 주파수 안정도가 높다.
  4. 수정편의 Q가 매우 작다.
(정답률: 알수없음)
  • 수정 발진기의 주파수 안정도가 높은 이유는 수정의 고유한 특성 때문입니다. 수정은 일정한 크기와 형태를 가지고 있어서, 발진주파수가 변해도 수정의 고유한 공진주파수가 변하지 않습니다. 따라서 수정 발진기는 주파수 안정도가 높다고 할 수 있습니다.
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55. 다음과 같은 Comparator 회로에서 입력에 정현파를 인가하면 출력 파형은?

  1. 구형파형
  2. 정현파형
  3. 톱니파형
  4. ramp 파형
(정답률: 알수없음)
  • 이 회로는 입력 신호의 절대값이 커질수록 출력 신호의 주파수가 낮아지는 Low Pass Filter 역할을 한다. 따라서 입력으로 정현파를 인가하면 저주파 영역으로 신호가 변환되어 구형파형이 출력된다.
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56. 다음 회로의 트랜지스터를 근사적인 hwjd수 모델로 대치 했을 때 전압이득(Vo/Vs)으로 옳은 것은?

  1. -hieRL/(Rs+hfe)
  2. -hfeRL/(Rs+hie
  3. hieRL/(Rs-hfe)
  4. hfeRL/(Rs-hie)
(정답률: 알수없음)
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57. 그림과 같은 연산 증폭기에서 입력 바이어스 전류란?

  1. Vo=0일때(IB1+IB2)/2
  2. Vo=∞일때(IB1+IB2)/2
  3. Vo=0일때(IB1+IB2)
  4. Vo=∞일 때(IB1+IB2)
(정답률: 알수없음)
  • 입력 바이어스 전류는 그림에서 IB1과 IB2로 표시되며, 이는 입력 신호가 없을 때 기본적으로 흐르는 전류입니다. 이 연산 증폭기에서는 입력 신호가 없을 때 출력 전압이 0이 되어야 하므로, IB1과 IB2의 평균값이 0이 되어야 합니다. 따라서 Vo=0일때 (IB1+IB2)/2가 입력 바이어스 전류입니다.
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58. R=1[MΩ], C=1[μF]의 직렬회로에 V=10[V]를 공급할 때 1[sec]후의 VR양단 전압은?

  1. 6.32[V]
  2. 1[V]
  3. 10[V]
  4. 3.68[V]
(정답률: 알수없음)
  • 시간 t=0일 때, 전압 V는 C와 R에 모두 적용됩니다. 따라서 초기 전압은 V=10[V]입니다. 시간이 지남에 따라 커패시터는 충전되고 전압은 감소합니다. 시간 t=∞에서는 커패시터가 충전되어 전압이 0이 되고, 전압은 지수적으로 감소합니다.

    시간 t=1[sec]일 때, 전압 V는 R과 C에 의해 나누어집니다. 이를 계산하기 위해 시간 t=1[sec]일 때 R과 C의 시간 상수를 계산해야 합니다.

    τR = R x C = 1[MΩ] x 1[μF] = 1[sec]

    따라서 R과 C의 시간 상수는 같으며, 시간 t=1[sec]일 때, 커패시터는 63.2%의 전압을 충전합니다. 따라서 VR은 다음과 같이 계산됩니다.

    VR = V x (R / (R + 1/ωC)) = 10[V] x (1[MΩ] / (1[MΩ] + 1/(2π x 1[μF] x 1[sec]))) = 3.68[V]

    따라서 정답은 "3.68[V]"입니다.
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59. Negative feedback 회로에 대한 설명으로 옳지 않은 것은?

  1. 이득 감소
  2. sensitivity 감소
  3. 대역폭 감소
  4. 잡음 감소
(정답률: 알수없음)
  • 정답은 "잡음 감소"입니다.

    Negative feedback 회로는 입력 신호와 출력 신호 사이에 반대 방향으로 피드백을 주어 이득을 감소시키는 회로입니다. 이로 인해 sensitivity는 감소하지만, 대역폭은 감소하지 않습니다. 대역폭은 회로의 빠른 응답 속도를 결정하는 중요한 요소 중 하나이기 때문에, 대역폭 감소는 회로의 성능을 저하시키는 결과를 가져올 수 있습니다.
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60. 그림과 같은 브리지 정류회로에 관한 설명 중 옳지 않은 것은?

  1. RL에는 A쪽에거 B쪽으로 전류가 흐른다.
  2. RL에 흐르는 전류는 전파 정류된 파형이다.
  3. 다이오드에 걸리는 역방향 전압 최대치는 T의 2차 전압 최대치의 2배에 가깝다.
  4. RL에 걸리는 전압 최대치는 T의 2차 전압 최대치에 가깝다.
(정답률: 알수없음)
  • "다이오드에 걸리는 역방향 전압 최대치는 T의 2차 전압 최대치의 2배에 가깝다."는 옳은 설명이다. 이는 다이오드가 역방향으로 전류가 흐르는 경우, 전류가 차단되어 전압이 최대치에 도달하게 되는데, 이 최대치는 T의 2차 전압 최대치의 2배에 가깝다는 것을 의미한다. 따라서 이 보기는 옳은 설명이 아닌 것이 아니라 옳은 설명이다.
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4과목: 물리전자공학

61. 터널 다이오드(Tunnel Diode)에서 터널링 (Tunnelling)은 언제 발생하는가?

  1. 역방향에서만 발생
  2. 정전압니 높을 때만 발생
  3. 바이어스가 영 일 때 발생
  4. 아주 낮은 전압에 이쓴 정방향에서 발생
(정답률: 알수없음)
  • 터널링은 전자가 에너지 장벽을 통과하는 현상으로, 이는 에너지가 충분하지 않아서 일어납니다. 따라서 아주 낮은 전압에서는 충분한 에너지가 없어서 터널링이 일어나지 않습니다. 그러나 일정한 전압 이상에서는 충분한 에너지가 생겨서 터널링이 일어납니다. 따라서 터널 다이오드에서는 아주 낮은 전압에서만 정방향 터널링이 일어납니다.
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62. 페르미 디락 (Fermi-Dirac) 분포에 대한 설명 중 가장 옳지 않은 것은?

  1. 고체내의 전자는 Pauli의 베타 원리의 지배를 받는다.
  2. 대부분의 전자는 이 분포의 저에너지역에 조재한다.
  3. 금속은 온도에 관계없이 무관한다.
  4. 이 분포에 의하면, 도체가 가열될 때 저자는 분자 비열 용량에 거의 영향을 주지 않는다.
(정답률: 알수없음)
  • "금속은 온도에 관계없이 무관한다."는 페르미 디락 분포와 관련이 없는 내용이므로 가장 옳지 않은 설명이다.

    페르미 디락 분포는 고체내의 전자의 분포를 나타내는데, 이 분포는 Pauli의 베타 원리에 따라 각 상태에는 최대 하나의 전자만 존재할 수 있다. 또한, 이 분포는 저에너지역에 전자가 많이 존재하고 고에너지역에는 거의 존재하지 않는다는 것을 나타낸다. 이는 전자가 최대한 낮은 에너지 상태에 위치하려는 경향이 있기 때문이다. 따라서 "대부분의 전자는 이 분포의 저에너지역에 조재한다."라는 설명이 옳다. 또한, 이 분포에 의하면, 도체가 가열될 때 저자는 분자 비열 용량에 거의 영향을 주지 않는다는 것도 맞는 설명이다.
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63. 일 함수(Work function)의 설명중 옳지 않은 것은?

  1. 금속의 종류에 따라 값이 다르다.
  2. 일 함수가 큰 것이 전자 방출이 쉽게 일어난다.
  3. 표면장벽 에너지와 Fermi 준위와의 차를 일 함수라 한다.
  4. 전자가 방출되기 위해서 최소한 이 일 함수에 해당되는 에너지를 공급받아야 한다.
(정답률: 알수없음)
  • 일 함수가 큰 것이 전자 방출이 쉽게 일어난다는 설명이 옳지 않습니다. 일 함수가 작을수록 전자 방출이 쉽게 일어납니다. 이는 일 함수가 작을수록 전자가 금속과 더 강하게 결합되어 있기 때문입니다. 따라서, 최소한 일 함수에 해당되는 에너지를 공급받아야 전자가 방출될 수 있습니다.
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64. 일반적인 드리프트 트랜지스터 장ㆍ단점에 대한 설명 중 그 내용이 가장 부적당한 것은?

  1. 컬렉터 용량이 감소한다.
  2. 이미터 효율이 적어진다.
  3. 이미터 용량이 증가한다.
  4. 컬렉터 항복 전압이 낮아진다.
(정답률: 알수없음)
  • 답: "컬렉터 용량이 감소한다."

    설명: 드리프트 트랜지스터는 고주파 신호를 증폭시키기 위해 사용되는데, 이때 컬렉터와 베이스 사이의 용량이 작을수록 더 높은 주파수에서 증폭이 가능하다. 따라서 컬렉터 용량이 감소하는 것은 드리프트 트랜지스터의 장점이다.

    컬렉터 항복 전압이 낮아지는 이유는 드리프트 트랜지스터가 고주파 신호를 증폭시키는 과정에서 컬렉터와 베이스 사이의 전압이 감소하기 때문이다. 이는 드리프트 트랜지스터의 단점 중 하나이다.
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65. 선형적인 증폭을 위해서 트랜지스터의 동작점은?

  1. 포화영역 부근에 세워져야 한다.
  2. 차단영역 부근에 세워져야 한다.
  3. 화성영역 부근에 세워지기만 하면 된다.
  4. 차단영역과 포화역역 중간 지점에 세워져야 한다.
(정답률: 알수없음)
  • 트랜지스터의 동작점이 차단영역에 가까우면 작은 입력 신호에 대해 큰 출력 신호를 얻을 수 없고, 포화영역에 가까우면 입력 신호가 커져도 출력 신호가 더 이상 증폭되지 않는 문제가 발생합니다. 따라서, 선형적인 증폭을 위해서는 차단영역과 포화영역 중간 지점에 동작점을 세워야 합니다. 이 지점에서는 입력 신호가 증폭되면서도 출력 신호가 왜곡되지 않고 선형적으로 증폭됩니다.
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66. 절대온도 0[° K]가 아닌 상태의 에너지 준위에서 입자의 점유율이 1/2이 되는 조건은?

  1. E=Ef
  2. E=(1/2)Ef
  3. E>Ef
  4. E<Ef
(정답률: 알수없음)
  • 이 문제는 페르미 에너지와 관련된 문제입니다. 페르미 에너지는 고체나 액체 내에서 전자가 채워지는 최고 에너지 준위를 말합니다. 절대온도 0[° K]에서는 모든 입자가 최저 에너지 준위에 위치하므로, 페르미 에너지는 0입니다.

    따라서, 절대온도 0[° K]가 아닌 상태에서 입자의 점유율이 1/2가 되는 조건은 "E=Ef"입니다. 이는 페르미-디라크 분포에서 유도됩니다. 이 분포는 에너지가 페르미 에너지보다 작은 입자는 모두 채워지고, 페르미 에너지보다 큰 입자는 전혀 채워지지 않는 것을 보여줍니다. 따라서, 입자의 점유율이 1/2가 되는 경우는 페르미 에너지와 입자의 에너지가 같은 경우인 "E=Ef"입니다.
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67. 실리콘 단결정 반도체에서 P형 불순물로 적합하지 않은 것은?

  1. In
  2. Ga
  3. As
  4. B
(정답률: 알수없음)
  • 실리콘 단결정 반도체에서 P형 불순물로 적합하지 않은 것은 "As"입니다. 이는 As가 P와는 다른 원자 구조를 가지고 있어서 P와는 다르게 실리콘의 격자 구조에 적합하지 않기 때문입니다. 따라서 As는 N형 불순물로 사용됩니다.
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68. 원자의 성질로 4가지 양자수(n, l, m, s)로서 결정 되는 한개의 양자 상태에는 한 개만의 전자 밖에 들어갈 수 없다는 원리는?

  1. 루더포드(Ruther ford)의 분사의 원리
  2. 파우리(Pauli)의 베타 원리
  3. 보어(Bohr)의 이론
  4. 아인슈타인(Einstein)의 에너지 보전 법칙
(정답률: 알수없음)
  • 파우리의 베타 원리는 동일한 원자 내에서 전자의 양자 상태가 중복되지 않도록 하기 위한 원리이다. 즉, 한 개의 양자 상태에는 한 개의 전자만 존재할 수 있으며, 이는 전자의 스핀 방향이 다르거나, 적어도 하나의 양자 수(n, l, m)가 다르기 때문이다. 이 원리는 원자의 구조와 성질을 이해하는 데 매우 중요하며, 화학적 반응과 원자의 에너지 준위 등을 설명하는 데에도 활용된다. 따라서, 이 문제에서는 파우리의 베타 원리가 정답이 된다.
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69. 캐리어의 확산 길이는 무엇에 의존하는가?

  1. 반도체의 모양
  2. 캐리어의 이동도에만 의존
  3. 캐리어의 수명시간에만 의존
  4. 캐리어의 이동도와 수명시간에 의존
(정답률: 알수없음)
  • 캐리어의 확산 길이는 캐리어가 이동할 수 있는 거리와 캐리어의 수명시간에 의존합니다. 이동도가 높을수록 캐리어는 더 멀리 이동할 수 있으며, 수명시간이 길수록 캐리어는 더 오랫동안 이동할 수 있기 때문입니다. 따라서 캐리어의 이동도와 수명시간에 모두 의존합니다.
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70. 서미스터(Thermistor)는 저항이 무엇에 대하여 비직선적으로 변하는 소자인가?

  1. 전류
  2. 전압
  3. 주파수
  4. 온도
(정답률: 알수없음)
  • 서미스터는 온도에 따라 저항이 비직선적으로 변하기 때문에 온도에 대하여 비직선적으로 변하는 소자이다.
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71. 이동도(mobility)에 관한 설명으로 옳지 않은 것은?

  1. 이동도의 단위는 m2/Vㆍsec
  2. 반도체에서 전자의 이동도는 정공의 이동도보다 크다.
  3. 도전율이 크면 이동도도 크다.
  4. 온도가 증가하면 이동도는 증가한다.
(정답률: 알수없음)
  • 온도가 증가하면 이동도는 증가하지 않는다. 오히려 온도가 증가하면 물질 내 분자의 운동이 더 활발해져서 전자와 이온들이 충돌하는 빈도가 증가하고, 이로 인해 전자와 이온들의 평균 이동 속도가 감소하게 된다. 따라서 이동도도 감소하게 된다.

    이동도는 단위 부피당 입자의 이동성을 나타내는 물리량으로, 단위는 m2/Vㆍsec이다. 반도체에서 전자의 이동도는 정공의 이동도보다 크다. 이는 전자가 반도체 내에서 자유롭게 움직일 수 있기 때문이다. 도전율이 크면 이동도도 크다. 이는 도전율이 높을수록 전자와 이온들이 충돌하는 빈도가 적어지기 때문이다.
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72. 1 eV를 올바르게 설명한 것은?

  1. 1개의 전자가 1J의 에너지를 얻는데 필요한 에너지이다.
  2. 1개의 전자가 1cm의 간격을 옮기는데 필요한 전압이다.
  3. 1개의 전자가 1V의 전위차 사이를 옮기는데 필요한 운동 에너지이다.
  4. 1개의 전자가 1[m/sec]의 속도를 얻는데 필요한 에너지이다.
(정답률: 알수없음)
  • 1 eV는 1개의 전자가 1V의 전위차 사이를 옮기는데 필요한 운동 에너지입니다. 즉, 전자가 전기장에서 일을 하여 전위차를 이동하는데 필요한 에너지를 나타내는 단위입니다. 1 eV는 매우 작은 에너지 단위이며, 전자의 움직임과 관련된 물리적 현상을 설명하는데 자주 사용됩니다.
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73. 반도체에 전장을 가하면 전자는 어떤 운동을 하는가?

  1. 원 운동
  2. 불규칙 운동
  3. 포물선 운동
  4. 타원 운동
(정답률: 알수없음)
  • 반도체에 전장을 가하면 전자는 불규칙 운동을 한다. 이는 전자가 반도체 내에서 자유롭게 움직이며, 다른 전자나 이온들과 상호작용하면서 불규칙한 운동을 하기 때문이다. 이러한 불규칙 운동은 전자의 이동성을 제한하고, 전기적인 저항을 유발하여 반도체 소자의 특성을 결정하는 중요한 역할을 한다.
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74. 전자 수가 32인 원자의 가전자 수는?

  1. 2개
  2. 4개
  3. 8개
  4. 18개
(정답률: 알수없음)
  • 전자 수가 32인 원자는 산소의 원자입니다. 산소의 전자 구성은 2, 6, 2로 되어 있습니다. 따라서, 외곽 전자 수는 6개이며, 이중에서 공유 전자 쌍은 2개입니다. 따라서, 산소의 가전자 수는 6 - 2 = 4개입니다.
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75. JFET의 핀치오프 전압에 대한 설명으로 옳지 않은 것은?

  1. 채널의 폭에 비례한다.
  2. 재료의 비유전율에 반비례한다.
  3. 채널 부분의 도우핑 밀도에 비례한다.
  4. 드레인 소스간을 개방한 경우는 공간 전하층으로 채널이 막혔을 때의 게이트 역전압이다.
(정답률: 알수없음)
  • "채널의 폭에 비례한다."가 옳지 않은 설명이다. 핀치오프 전압은 채널 부분의 도우핑 밀도와 재료의 비유전율에 반비례하며, 드레인 소스간을 개방한 경우는 공간 전하층으로 채널이 막혔을 때의 게이트 역전압이다. 채널의 폭은 JFET의 특성 중 하나이지만 핀치오프 전압과는 직접적인 관련이 없다.
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76. 루비 레이저(ruby Laser)의 펌핑(pumping) 에너지는?

  1. 광적 에너지인다.
  2. 직류 전원이다.
  3. 주파수가 낮은 교류 전원이다.
  4. 자계 에너지이다.
(정답률: 알수없음)
  • 루비 레이저는 광적 에너지를 사용하여 펌핑되며, 이는 높은 에너지를 가진 광자들이 루비 크리스탈 내부에서 전하를 확산시키고, 이를 이용하여 레이저를 발생시키기 때문이다. 따라서 "광적 에너지인다."가 정답이다. 직류 전원, 주파수가 낮은 교류 전원, 자계 에너지는 루비 레이저의 펌핑에 사용되지 않는다.
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77. 진성 반도체에서 온도가 상승하면?

  1. 반도체의 저항이 증가한다.
  2. 원자의 에너지가 증가한다.
  3. 정공이 전도대에 발생된다.
  4. 금지대가 감소한다.
(정답률: 알수없음)
  • 온도가 상승하면 원자들의 운동 에너지가 증가하게 되고, 이는 전자와 양공의 생성을 촉진시키게 됩니다. 이로 인해 반도체 내부의 전기적 특성이 변화하게 되며, 이는 반도체의 저항이 증가하게 됩니다. 따라서, 온도가 상승하면 "원자의 에너지가 증가한다."는 정답이 됩니다.
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78. 두 도체 또는 반도체의 폐회로에서 두 접합점의 온도차로서 전류가 생기는 현상은?

  1. 홀(Hall) 효과
  2. 광전(Photo) 효과
  3. 지벡(Seebeck) 효과
  4. 펠티어(Peltier) 효과
(정답률: 알수없음)
  • 두 도체 또는 반도체의 폐회로에서 두 접합점의 온도차로 인해 전자의 열운동이 발생하면서 전자의 이동 방향에 따라 전류가 발생하는 현상을 지벡(Seebeck) 효과라고 합니다. 이는 열전위(Thermoelectric) 현상의 일종으로, 열과 전기의 상호변환 관계를 나타내는 중요한 현상 중 하나입니다.
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79. 균일자계 B에 자계와 직각 방향으로 속도 V를 갖고 입사한 전자의 각 속도는? (단, 전자의 질량을 m, 전하량은 q)

(정답률: 알수없음)
  • 균일자계 B에서는 자계와 직각 방향으로 전자에 작용하는 로랑즈 힘(Lorentz force)이 일정하게 작용하므로, 전자는 원형 궤도를 그리며 운동하게 된다. 이 때, 전자의 각속도는 로랑즈 힘과 전자의 운동 방향이 이루는 각도에 비례하게 된다. 따라서, 전자의 각속도는 V/r이 되며, 이 때 r은 전자의 궤도 반지름이다. 따라서, 전자의 각속도는 qB/mV가 된다. 이 값은 보기 중에서 ""와 일치하므로, 정답은 ""이다.
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80. 쌍극성 접합 트랜지스터(BJT)의 순방향 전류전달비αF가 0.98일 때 전류이득 βF는?

  1. 40
  2. 43
  3. 46
  4. 48
(정답률: 알수없음)
  • βF = αF / (1 - αF) 이므로, αF = 0.98 일 때 βF는 다음과 같이 계산할 수 있다.

    βF = 0.98 / (1 - 0.98) = 0.98 / 0.02 = 49

    따라서, 가장 가까운 정수로 반올림하여 정답은 "48"이 된다.
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5과목: 전자계산기일반

81. Channel 과 DMA에 관한 설명 중 옳지 않은 것은?

  1. DMA는 하나의 인스트럭션으로 여러 블록을 입ㆍ출력 할 수 있다.
  2. DMA 방식은 CPU의 간섭없이 일련의 데이터를 기억장치와 직접 입ㆍ출력할 수있는 방식이다.
  3. Block multiplexer channel 은 여러개의 고속의 장치를 동시에 동작시킬 수 있다.
  4. Channel은 처리 속도가 빠른 CPU 와 처리속도가 늦은 입ㆍ출력 장치 사이에 발생된느 작업상의 낭비를 줄여 준다.
(정답률: 알수없음)
  • "DMA는 하나의 인스트럭션으로 여러 블록을 입ㆍ출력 할 수 있다."가 옳지 않은 설명이다. DMA는 하나의 인스트럭션으로 하나의 블록만 입ㆍ출력할 수 있으며, 여러 블록을 처리하기 위해서는 여러 번의 DMA 전송이 필요하다.
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82. 다음 중 프로그램 카운터가 명령의 번지 부분과 더해져서 유효 번지가 결정되는 주소 지정 방식은?

  1. 상대 번지 모드
  2. 직접 번지 모드
  3. 인덱스 번지 모드
  4. 베이스 레지스터 번지 모드
(정답률: 알수없음)
  • 프로그램 카운터가 현재 명령어의 번지 부분과 더해져서 유효 번지가 결정되는 주소 지정 방식은 "상대 번지 모드"입니다. 이는 명령어가 현재 위치에서 상대적으로 얼마나 떨어져 있는지를 나타내는 방식으로, 명령어의 번지 부분에 상대적인 값을 지정하여 주소를 계산합니다. 이 방식은 프로그램의 위치가 변경되더라도 상대적인 값만 변경하면 되므로 유연성이 높고 코드의 이식성이 좋습니다.
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83. 명령 인출 사이클(fetch cycle)에 대한 설명으로 옳지 않은 것은?

  1. machine cycle에 속한다.
  2. 명령어를 해독하는 과정이 포함된다.
  3. 반드시 execution cycle에서만 발생된다.
  4. program counter에서 주소가 MAR 로 전달된다.
(정답률: 알수없음)
  • "반드시 execution cycle에서만 발생된다."가 옳지 않은 것이다. 명령 인출 사이클은 machine cycle의 일부이며, 명령어를 해독하는 과정이 포함된다. 또한, program counter에서 주소가 MAR로 전달된다. 명령 인출 사이클은 execution cycle 이전에 발생하며, 명령어를 메모리에서 인출하는 과정을 포함한다.
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84. 흐름도 작성시 주의사항이 아닌 것은?

  1. 모든 문장을 하나의 블록으로 상세히 그린다.
  2. 되도록이면 선이 얽히지 않게 그린다.
  3. 적당한 설명을 덧 붙인다.
  4. 서브루틴은 따로 그린다.
(정답률: 알수없음)
  • "모든 문장을 하나의 블록으로 상세히 그린다."는 주의사항이 아니라 올바른 흐름도 작성 방법이다. 이유는 흐름도는 프로그램의 전체적인 흐름을 파악하기 위한 도구이기 때문에, 모든 문장을 하나의 블록으로 그리면 전체적인 흐름을 한눈에 파악할 수 있기 때문이다. 또한, 세부적인 내용은 덧붙여 설명하면 더욱 이해하기 쉬워진다.
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85. 논리 연산 중 마스트 동작은 어느 동작과 같은가?

  1. OR
  2. AND
  3. EX-OR
  4. NOT
(정답률: 알수없음)
  • 마스트 동작은 AND 동작과 같다. 이는 두 입력 값이 모두 1일 때 출력 값이 1이 되는 AND 연산과 마찬가지로, 마스트 동작에서도 두 입력 값이 모두 1일 때 출력 값이 1이 되기 때문이다. 마스트 동작은 보통 데이터를 보호하거나 특정 비트를 마스킹하는 데 사용된다.
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86. 다음 중 순서도(flowchart) 종류에 해당되지 않는 것은?

  1. 시스템 순서도(system flowchart)
  2. 실체 순서도(entity flowchart)
  3. 상세 순서도(detail flowchart)
  4. 개략 순서도(general flowchart)
(정답률: 알수없음)
  • 실체 순서도는 시스템 내에서 데이터가 어떻게 이동하는지를 나타내는 순서도이다. 다른 종류의 순서도는 시스템 전체적인 흐름이나 세부적인 과정을 나타내는 것이지만, 실체 순서도는 데이터의 흐름에 초점을 맞춘 것이다. 따라서 정답은 "실체 순서도"이다.
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87. 다음의 구성은 무엇을 나타내는가?

  1. 중앙처리장치
  2. 산술논리연상장치
  3. 제어장치
  4. 입ㆍ출력 처리기
(정답률: 알수없음)
  • 위의 구성은 컴퓨터의 구성요소를 나타내며, "산술논리연상장치"는 중앙처리장치(CPU)의 구성요소 중 하나로, 산술 연산과 논리 연산을 수행하는 장치를 의미한다. 즉, CPU의 핵심적인 기능을 수행하는 부품 중 하나이다.
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88. 다음 중 부동소수점 표현의 수들 사이의 곱셈 알고리즘 과정에 해당되지 않는 것은?

  1. 0인지 여부를 조사한다.
  2. 가수의 위치를 조정한다.
  3. 가수를 곱한다.
  4. 결과를 정규화 한다.
(정답률: 알수없음)
  • 가수의 위치를 조정하는 것은 부동소수점 수들의 지수를 맞추기 위한 과정으로, 곱셈 알고리즘에서 필수적인 단계이다. 따라서 "가수의 위치를 조정한다."가 해당되지 않는 것은 없다.
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89. 수평형 제어 방식의 설명 중 옳지 않은 것은?

  1. 성능의 향상을 꾀한다.
  2. 주로 소형 계산기에서 채택하는 제어 방식이다.
  3. 하나의 비트가 한 개의 마이크로 동작에 대응한다.
  4. 제어 워드가 크므로 넓은 메모리 공간이 필요하다.
(정답률: 알수없음)
  • "주로 소형 계산기에서 채택하는 제어 방식이다."가 옳지 않은 설명이다. 수평형 제어 방식은 주로 대형 컴퓨터에서 사용되는 제어 방식이다.
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90. 다음 제어기억 장치에서 주소를 결정하는 방법으로 옳지 않은 것은?

  1. 제어 주소 레지스터의 내용을 하나씩 감소시킨다.
  2. 마이크로 명령에서 지정하는 번지로 무조건 분기한다.
  3. 상태 비트에 따른 조건부 분기를 한다.
  4. 매크로 동작 비트로부터 ROM(제어기억장치)으로의 매핑
(정답률: 알수없음)
  • "마이크로 명령에서 지정하는 번지로 무조건 분기한다."가 옳지 않은 것이다.

    제어 주소 레지스터의 내용을 하나씩 감소시키는 것은 주로 반복문과 같은 반복적인 작업을 수행할 때 사용된다. 예를 들어, 반복문을 실행할 때마다 제어 주소 레지스터의 값을 하나씩 감소시켜서 반복문의 끝 지점으로 이동하는 것이다.

    마이크로 명령에서 지정하는 번지로 무조건 분기하는 것은 제어 흐름을 제어하는 데 사용되는 것으로, 제어 주소 레지스터와는 별개의 개념이다. 제어 주소 레지스터는 주소를 결정하는 데 사용되는 레지스터이며, 마이크로 명령에서 지정하는 번지로 무조건 분기하는 것은 해당 주소로 분기하는 것이다.
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91. 마이크로 프로그램의 설명 중 가장 적당한 것은?

  1. 작은 보조기억장치에 저장된 프로그램이다.
  2. 크기가 작은 프로그램을 말한다.
  3. 컴퓨터에 하드웨어로 내장된 컴퓨터의 동작을 제어하기 위한 프로그램이다.
  4. 마이크로 컴퓨터에서 사용되는 프로그램이다.
(정답률: 알수없음)
  • 마이크로 프로그램은 컴퓨터에 하드웨어로 내장된 컴퓨터의 동작을 제어하기 위한 프로그램입니다. 즉, CPU의 명령어 집합을 구성하고 제어하는 역할을 합니다.
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92. 다음 그림은 어떤 컴퓨터 구조에 해당하는 것인가? (단,CU:control unit, PU:processor unit, MM: memory module, IS:instruction stream, DS: data stream)

  1. SISD 구조
  2. SIMD 구조
  3. MISD 구조
  4. MIMD 구조
(정답률: 알수없음)
  • 이 그림은 SIMD 구조에 해당한다. SIMD 구조는 하나의 제어장치(CU)와 여러 개의 처리장치(PU)로 이루어져 있으며, 동일한 명령어를 여러 개의 데이터에 대해 병렬로 처리하는 구조이다. 이 그림에서도 CU가 명령어 스트림(IS)을 PU들에게 전달하고, PU들은 데이터 스트림(DS)을 받아들여 동일한 명령어를 병렬로 처리하고 있다. 따라서 이 그림은 SIMD 구조에 해당한다.
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93. 흐름도(flowchart)에서 기호는?

  1. 프로세스(process)
  2. 판단(decision)
  3. 시작, 끝(terminal)
  4. 반복(repeat)
(정답률: 알수없음)
  • 기호는 "시작, 끝(terminal)" 기호이다. 이 기호는 흐름도의 시작과 끝을 나타내며, 프로그램의 실행이 시작되는 지점과 종료되는 지점을 나타낸다. 이 기호는 흐름도에서 단 한 번만 사용되며, 프로그램의 실행 흐름이 이 기호를 지나면 프로그램이 종료된다.
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94. 다음 불 대수 중 옳지 않은것은?

  1. A+0=A
  2. AㆍA=1
(정답률: 알수없음)
  • 옳지 않은 것은 "AㆍA=1"이다. 이는 일반적으로 불 대수에서 참이 아닌 경우가 많기 때문이다. 예를 들어, A가 거짓인 경우 AㆍA는 거짓이 된다. 따라서 "AㆍA=1"은 옳지 않은 불 대수이다.

    이유를 간단명료하게 설명하면, 불 대수에서 곱셈은 AND 연산을 의미하며, 1은 참, 0은 거짓을 나타낸다. 따라서 AㆍA는 A AND A를 의미하며, A가 참이면 A AND A는 참이 되지만, A가 거짓이면 A AND A는 거짓이 된다. 따라서 "AㆍA=1"은 항상 참이 아니기 때문에 옳지 않은 불 대수이다.
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95. 일반적으로 마이크로컴퓨터의 시스템 보드(System Board)상에 직접 연결되어 있지 않은 장치는?

  1. 마이크로 프로세서(Micro Prcessor)
  2. ROM(Read Only Memory)
  3. RAM(Random Access Memory)
  4. 하드 디스크(Hard Disk)
(정답률: 알수없음)
  • 하드 디스크는 마이크로컴퓨터의 시스템 보드에 직접 연결되어 있지 않은 외부 저장장치이기 때문에 정답입니다. 마이크로 프로세서, ROM, RAM은 모두 시스템 보드에 내장되어 있거나 직접 연결되어 있는 장치들입니다.
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96. 스택(stack) 구조가 갖는 명령 형식은?

  1. 0-주소명령형식
  2. 1-주소명령형식
  3. 2-주소명령형식
  4. 3-주소명령형식
(정답률: 알수없음)
  • 스택(stack) 구조는 "0-주소명령형식"을 갖습니다. 이는 스택에서 데이터를 push하거나 pop할 때, 스택 포인터(SP)를 조작하여 주소를 직접 지정하지 않고, 스택의 맨 위에 있는 데이터를 가리키는 상대 주소(relative address)를 사용하기 때문입니다. 따라서 명령어에서는 주소 필드가 없고, 스택 포인터(SP)를 조작하는 명령어가 사용됩니다.
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97. 다음의 어셈블리 프로그램을 실행하는 동작은?

  1. AND
  2. Exclusive OR
  3. NAND
  4. OR
(정답률: 알수없음)
  • 이 프로그램은 레지스터 A와 B를 OR 연산한 결과를 레지스터 A에 저장하는 것입니다. OR 연산은 두 비트 중 하나라도 1이면 결과가 1이 되는 연산입니다. 따라서 A와 B의 비트 중 하나라도 1이면 A에 1이 저장됩니다. 따라서 정답은 "OR"입니다.
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98. 다른 세가지와 그 값이 같지 않은 것은?

  1. 2진수 101111
  2. 8진수 57
  3. 10진수 48
  4. OR
(정답률: 알수없음)
  • "OR"은 숫자가 아니기 때문에 다른 세가지와 값이 같지 않습니다. 나머지 세가지는 각각 다른 진법으로 표현된 수이지만, 10진수 48은 모든 진법에서 다른 수로 표현됩니다. 예를 들어, 2진수로 표현하면 "110000"이 되고, 8진수로 표현하면 "60"이 됩니다.
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99. 외부 인터럽트(External Interrupt) 발생 원인으로 볼 수 없는 것은?

  1. Machine Check Interrupt
  2. I/O Interrrupt
  3. Program Check Interrupt
  4. Time Out Interrupt
(정답률: 알수없음)
  • 외부 인터럽트는 CPU 외부에서 발생하는 인터럽트로, 주로 입출력 장치나 타이머 등에서 발생합니다. 따라서 "Program Check Interrupt"는 CPU 내부에서 발생하는 인터럽트로, 외부 인터럽트 발생 원인으로 볼 수 없습니다. "Machine Check Interrupt"는 하드웨어 오류로 인해 발생하는 인터럽트, "I/O Interrupt"는 입출력 장치에서 발생하는 인터럽트, "Time Out Interrupt"는 타이머에서 발생하는 인터럽트입니다.
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100. 다음 그림과 같은 명령 형식에서 나타낼 수 있는 명령어와 주소의 수는?

  1. OP = 8, Address = 256
  2. OP = 16, Address = 512
  3. OP = 8, Address = 512
  4. OP = 16, Address = 256
(정답률: 알수없음)
  • 이 그림은 4비트의 명령어와 9비트의 주소를 가지는 형식을 보여줍니다. 따라서 명령어는 2^4 = 16개, 주소는 2^9 = 512개까지 나타낼 수 있습니다. 따라서 정답은 "OP = 16, Address = 512"입니다.
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