전자기사 필기 기출문제복원 (2005-05-29)

전자기사
(2005-05-29 기출문제)

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1과목: 전기자기학

1. 미분방정식의 형태로 나타낸 멕스웰의 전자계 기초 방정식에 해당되는 것은?

(정답률: 알수없음)
  • 미분방정식의 형태로 나타낸 멕스웰의 전자계 기초 방정식은 ""이다. 이유는 이 방정식이 전자기장의 변화율과 전류 및 전하밀도의 관계를 나타내기 때문이다. 이 방정식은 전자기장의 회전과 전류 및 전하밀도의 관계를 나타내는 법칙으로, 전자기장의 회전은 전류나 전하밀도의 변화에 의해 발생하며, 이를 통해 전자기장의 변화율을 구할 수 있다. 따라서 이 방정식은 전자기학에서 중요한 역할을 하며, 전자기장의 변화와 전류 및 전하밀도의 관계를 이해하는 데 필수적인 개념이다.
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2. 라디오 방송의 평면파 주파수를 710kHz라 할 때 이 평면파가 콘크리트 벽(εs = 5, μs=1)속을 지날 때, 전파속도는 몇 m/s 인가?

  1. 1.34×108
  2. 2.54×108
  3. 4.38×108
  4. 4.86×108
(정답률: 알수없음)
  • 전파속도는 다음과 같이 계산할 수 있다.

    v = 1/√(εμ)

    여기서 ε는 유전율, μ는 도체의 투자율이다. 콘크리트 벽의 경우 εs = 5, μs = 1 이므로,

    v = 1/√(5×1) = 1/√5

    이다. 이 값을 계산하면 약 0.4472가 나오는데, 이를 710kHz의 파장으로 바꾸면,

    λ = v/f = 0.4472/710×10^3 = 6.3×10^-7 m

    이 된다. 따라서 전파속도는 다음과 같이 계산할 수 있다.

    v = λf = 6.3×10^-7 × 710×10^3 = 1.34×10^8 m/s

    따라서 정답은 "1.34×108"이다.
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3. 평면 도체로부터 수직거리 a[m]인 곳에 점전하 Q[C]이 있다. Q 와 평면도체사이에 작용하는 힘은 몇 N 인가? (단, 평면 도체 오른편을 유전율 ε의 공간이라 한다.)

(정답률: 알수없음)
  • 전하 Q가 평면 도체와 가까워질수록 평면 도체의 근처에 있는 음전하들이 Q를 끌어당기는 힘이 커지게 된다. 이때 Q와 평면 도체 사이에 작용하는 힘은 평면 도체에서 Q를 끌어당기는 힘과 Q에서 평면 도체를 밀어내는 힘의 합이다. 이 중에서 Q에서 평면 도체를 밀어내는 힘은 Q가 위치한 공간의 유전율 ε와 Q와 평면 도체 사이의 거리 a에 비례하게 된다. 따라서 Q와 평면 도체 사이에 작용하는 힘은 와 같이 계산할 수 있다.
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4. 강자성체의 자속밀도 B 의 크기와 자화의 세기 J의 크기 사이에는 어떤 관계가 있는가?

  1. J는 B 와 같다.
  2. J는 B 보다 약간 작다.
  3. J는 B 보다 약간 크다.
  4. J는 B 보다 대단히 크다.
(정답률: 알수없음)
  • 강자성체의 자속밀도 B는 자화의 세기 J와 직접적인 관련이 있습니다. 자화의 세기 J는 강자성체 내부의 자기원자나 자기분자의 자기순간에 의해 생성되는 자기장의 크기를 나타내는 것이며, 이 자기장이 강자성체 내부에 존재하는 자기원자나 자기분자를 정렬시키는 힘을 발생시킵니다. 이렇게 정렬된 자기원자나 자기분자의 합이 강자성체의 자속밀도 B가 됩니다.

    따라서, J는 B의 크기와 직접적으로 비례하지는 않지만, 일반적으로 J는 B보다 약간 작습니다. 이는 강자성체 내부의 자기원자나 자기분자가 완전히 정렬되지 않고 일부만 정렬되기 때문입니다. 또한, J는 강자성체의 온도나 압력 등의 조건에 따라 변할 수 있으므로, J와 B의 크기는 항상 일정하지는 않습니다.
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5. 진공의 전하분포 공간내에서 전위가 V = x2 + y2 [V]로 표시될 때, 전하밀도는 몇 C/m3 인가?

  1. -4εo
  3. - 2εo
(정답률: 알수없음)
  • 전위의 그래디언트는 전기장이므로, E = -∇V = -2x i - 2y j 이다. 이전기장과 전하밀도의 관계식인 ∇·E = ρ/εo 에 위의 전기장을 대입하면, ∇·E = -4/εo 이다. 따라서 전하밀도는 ρ = -4εo 이다. 따라서 정답은 "-4εo" 이다.
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6. 그림과 같이 단면적 S[m2], 평균 자로의 길이 ℓ[m], 투자율 μ[H/m]인 철심에 N1, N2 의 권선을 감은 무단 솔레노이드가 있다. 누설자속을 무시할 때 권선의 상호 인덕턴스는 몇 H 가 되는가?

(정답률: 알수없음)
  • 상호 인덕턴스는 다음과 같이 계산할 수 있다.

    M = μN1N2S/ℓ

    따라서 보기 중 ""가 정답이다. 이유는 μ, N1, N2, S는 모두 주어졌고 ℓ이 상호 인덕턴스에 영향을 주는 변수이기 때문이다.
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7. 자계 중에 이것과 직각으로 놓인 도체에 I[A]의 전류를 흘릴 때 f[N]의 힘이 작용하였다. 이 도체를 v[m/s]의 속도로 자계와 직각으로 운동시킬 때의 기전력 e[V]는?

(정답률: 알수없음)
  • 기전력은 자기장과 운동하는 도체 사이에서 발생하는 전기력으로, e = Bvl 이다. 여기서 B는 자기장의 세기, v는 운동하는 도체의 속도, l은 운동 방향과 자기장 방향 사이의 수직 거리이다. 이 문제에서는 도체가 자계와 직각으로 운동하므로 l은 자계와 도체 사이의 거리가 된다. 따라서 e = BvL 이다.

    또한, 힘은 자기장과 전류, 그리고 도체 사이에서 작용하는 로렌츠 힘이다. 로렌츠 힘은 F = BILsinθ로 주어진다. 여기서 I는 전류의 세기, θ는 자계와 전류 사이의 각도이다. 이 문제에서는 도체와 자계가 직각이므로 sinθ = 1이 된다. 따라서 F = BIL이다.

    따라서, F = BIL = Bqv, e = BvL 이므로 e/F = L/q = 이 된다.
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8. 임의의 단면을 가진 2 개의 원주상의 무한히 긴 평행도체가 있다. 지금 도체의 도전률을 무한대라고 하면 C, L, ε및 μ사이의 관계는? (단, C는 두 도체간의 단위길이당 정전용량, L은 두 도체를 한개의 왕복회로로 한 경우의 단위길이당 자기인덕턴스, ε은 두 도체사이에 있는 매질의 유전률, μ는 두 도체사이에 있는 매질의 투자율이다.)

(정답률: 알수없음)
  • 무한대의 도전률을 가진 두 도체 사이에는 전기장이 존재하지 않으므로 정전용량 C은 0이 된다. 따라서, L = μ/ε가 성립하게 된다. 이는 자기인덕턴스와 투자율, 유전률의 관계식이다.
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9. 그림과 같이 한변의 길이가 ℓ[m]인 정6각형 회로에 전류 I[A]가 흐르고 있을 때 중심 자계의 세기는 몇 A/m 인가?

(정답률: 알수없음)
  • 정6각형의 한 변의 길이가 ℓ[m]이므로, 정6각형의 둘레는 6ℓ[m]이다. 따라서 전류 I[A]가 흐르는 회로의 전류밀도 J[A/m^2]는 I/6ℓ이다.

    중심 자계의 세기는 회로를 둘러싼 원통의 자계를 구한 후, 원통의 면적으로 나누어 구할 수 있다. 회로를 둘러싼 원통의 자계는 앙페르 법칙에 의해 J×S를 통해 구할 수 있다. 여기서 S는 회로를 둘러싼 원통의 면적이다.

    정6각형의 면적은 (3√3/2)ℓ^2 이므로, 회로를 둘러싼 원통의 면적은 (3√3/2)ℓ^2×h 이다. 여기서 h는 회로를 둘러싼 원통의 높이이다.

    회로를 둘러싼 원통의 높이 h는 정6각형의 중심에서 한 변까지의 거리이므로, h=ℓ/(2√3)이다.

    따라서 중심 자계의 세기는 J×S/h = (I/6ℓ)×(3√3/2)ℓ^2×(2√3)/ℓ = I√3/2A/m 이다.

    따라서 정답은 ""이다.
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10. 주파수의 증가에 대하여 가장 급속히 증가하는 것은?

  1. 표피효과의 두께의 역수
  2. 히스테리시스 손실
  3. 교번자속에 의한 기전력
  4. 와전류 손실
(정답률: 알수없음)
  • 주파수가 증가하면 전기 신호가 전송되는 도체의 표면에서의 전기장이 강해지게 되어 표피효과가 증가합니다. 이로 인해 전류가 도체의 표면 부분에 집중되어 전류 밀도가 증가하게 되고, 이는 도체의 저항이 증가하게 됩니다. 따라서 주파수의 증가에 따라 와전류 손실이 가장 급속하게 증가하게 됩니다.
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11. 비유전율 εs = 5 인 등방 유전체의 한 점에서 전계의 세기가 E = 104 V/m일 때 이 점의 분극률 xe 는 몇 F/m 인가?

(정답률: 알수없음)
  • 분극률 xe는 다음과 같이 정의된다.

    xe = ε0εsE

    여기서 ε0은 자유공간의 유전율이다. 따라서,

    xe = (8.85 × 10-12 F/m) × 5 × 104 V/m = 4.425 × 10-6 F/m

    따라서, 정답은 "" 이다.

    이유는 εs가 5이므로, 이 등방 유전체는 공기보다 5배 더 전기적으로 유도될 수 있다는 것을 의미한다. 따라서, 같은 전계 세기에서 분극률이 더 크다는 것을 나타내는 ""이 정답이 된다.
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12. 반지름 a[m], 중심간 거리 d[m]인 두 개의 무한장 왕복선로에 서로 반대 방향으로 전류 Ｉ[A] 가 흐를 때, 한 도체에서 x[m] 거리인 A 점의 자계의 세기는 몇 AT/m 인가? (단, d ≫ a, x ≫ a 라고 한다.)

(정답률: 알수없음)
  • 무한장 왕복선로에서의 자계의 세기는 반지름 a와 중심간 거리 d에 의해 결정된다. 이 문제에서는 d ≫ a, x ≫ a 라고 하였으므로, A 점에서의 자계의 세기는 두 왕복선로에서의 자계의 세기가 거의 같다고 볼 수 있다. 따라서, A 점에서의 자계의 세기는 두 왕복선로에서의 자계의 세기를 더한 값과 같다. 이를 수식으로 나타내면 다음과 같다.

    B = μ0I/2πa + μ0I/2π(a+d)

    여기서 μ0는 자유공간의 유전율이고, I는 전류이다. 이를 정리하면,

    B = μ0I/2π(a+d/2)

    따라서, A 점에서의 자계의 세기는 위의 식에 x를 대입하여 다음과 같이 계산할 수 있다.

    Bx = μ0I/2π(a+d/2) * x/(a+d/2)

    = μ0Ix/2π(a+d/2)2

    = μ0Ix/(4π2(a+d/2)2)

    이를 정리하면,

    Bx = I/(2x) * μ0a2/(π(a+d/2)2)

    따라서, A 점에서의 자계의 세기는 I/(2x) * μ0a2/(π(a+d/2)2) 이다. 이를 계산하면, "" 이 된다.
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13. 전하밀도 ps[C/m2]인 무한 판상 전하분포에 의한 임의점의 전장에 대하여 틀린 것은?

  1. 전장은 판에 수직방향으로만 존재한다.
  2. 전장의 세기는 전하밀도 ps 에 비례한다.
  3. 전장의 세기는 거리 r 에 반비례한다.
  4. 전장의 세기는 매질에 따라 변한다.
(정답률: 알수없음)
  • "전장의 세기는 거리 r 에 반비례한다."가 틀린 것이다. 전장의 세기는 거리 r에 반비례하는 것이 아니라, 거리 r의 제곱에 반비례한다. 이는 쿨롱 법칙에 의해 결정된다. 따라서, 임의점과 전하분포 사이의 거리가 멀어질수록 전장의 세기는 빠르게 감소한다.
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14. 자화된 철의 온도를 높일 때 자화가 서서히 감소하다가 급격히 강자성이 상자성으로 변하면서 강자성을 잃어버리는 온도는?

  1. 켈빈(Kelvin)온도
  2. 연화(Transition)온도
  3. 전이온도
  4. 큐리(Curie)온도
(정답률: 알수없음)
  • 자화된 철의 자화는 온도가 높아짐에 따라 서서히 감소합니다. 그러나 어느 순간에는 급격한 강자성에서 상자성으로의 전이가 일어나며, 이때 강자성을 잃어버립니다. 이 온도를 큐리(Curie)온도라고 합니다. 이는 자성체가 자기장에 대해 자화되는 정도가 온도에 따라 변화하는 것을 나타내는 중요한 물리적 특성입니다.
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15. 그림과 같이 반지름 a[m]인 원형 도선에 전하가 선밀도 λ [C/m]로 균일하게 분포되어 있다. 그 중심에 수직한 z 축상의 한점 P 의 전계의 세기는 몇 V/m 인가?

(정답률: 알수없음)
  • 전하가 균일하게 분포되어 있으므로, 도선의 어떤 한 점에서의 전하량은 전체 전하량을 도선의 둘레로 나눈 값과 같다. 따라서, 도선의 둘레를 L[m]이라 하면 전하량은 Q = λL [C]이다.

    점 P에서의 전계의 세기는 전하량 Q와 점 P와의 거리 r[m]에 비례하고, r^2에 반비례한다. 따라서, 전계의 세기 E[V/m]는 E = kQ/r^2 [V/m]이다. 여기서 k는 쿨롱 상수로, k = 1/(4πε0) [N·m^2/C^2]이다.

    점 P와 도선의 중심 사이의 거리는 a[m]이므로, 전하량 Q와 거리 r의 관계는 r = √(a^2 + z^2)이다. 따라서, 전계의 세기는 E = kλL/(a^2 + z^2) [V/m]이다.

    따라서, 정답은 ""이다.
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16. 다음 설명 중 틀린 것은?

  1. 전기력선의 방정식은 "전기력선의 접선방향이 전계의 방향이다."에서 유래된 것이다.
  2. "전기력선은 스스로 루프(loop)를 만들 수 없다."라함은 전계의 세기의 유일성을 나타내는 것이다.
  3. 구좌표로 표시한 전기력선의 방정식은 로 표시된다.
  4. 진공 중에서 1[C]의 점전하로부터 발산되어 나오는 전기력선의 수는 약 1.13×1011 개 이다.
(정답률: 알수없음)
  • 진공 중에서 1[C]의 점전하로부터 발산되어 나오는 전기력선의 수는 약 1.13×1011 개 이다. (이는 정확한 값은 아니지만 대략적인 값이다.) 이는 전기력선의 방정식과는 관련이 없다. 따라서 틀린 설명은 "진공 중에서 1[C]의 점전하로부터 발산되어 나오는 전기력선의 수는 약 1.13×1011 개 이다." 이다.

    구좌표로 표시한 전기력선의 방정식은 로 표시된다. 이는 전기력선의 방정식이다. 전기력선은 전기장의 방향과 일치하는 방향으로 그려지며, 이는 전기장의 세기가 가장 빠르게 변하는 방향이다. 따라서 "전기력선의 방정식은 "전기력선의 접선방향이 전계의 방향이다."에서 유래된 것이다."와 ""전기력선은 스스로 루프(loop)를 만들 수 없다."라함은 전계의 세기의 유일성을 나타내는 것이다."도 맞는 설명이다.
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17. 공극(air gap)이 δ[m]인 강자성체로 된 환상 영구자석에서 성립하는 식은? (단, ℓ[m]는 영구자석의 길이이며 ℓ ≫ δ이고, 자속 밀도와 자계의 세기를 각각 B[Wb/m2], H[AT/m]라 한다.)

(정답률: 알수없음)
  • 환상 영구자석에서는 공극이 존재하기 때문에 자기장이 일정하지 않고, 자기장의 세기가 공간에 따라 변화한다. 이에 따라 자속 밀도와 자계의 세기도 공간에 따라 변화하게 된다. 하지만, 영구자석의 길이 ℓ가 충분히 길다면, 공극의 영향은 무시할 수 있으므로 자속 밀도와 자계의 세기는 일정하게 유지된다. 따라서, 환상 영구자석에서 성립하는 식은 ""이다.
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18. 면적이 S[m2]이고 극간의 거리가 d[m]인 평행판콘덴서에 비유전률 εs 의 유전체를 채울 때 정전용량은 몇 F 인가?

(정답률: 알수없음)
  • 평행판콘덴서의 정전용량은 다음과 같이 계산할 수 있다.

    C = εs * S / d

    여기서 S는 면적, d는 극간의 거리, εs는 비유전률이다. 따라서 보기에서 ""가 정답이다.

    이유는 간단하다. 보기에서 ""은 위의 식에서 정전용량을 계산하는 데 필요한 모든 변수들을 포함하고 있기 때문이다. 다른 보기들은 일부 변수들이 빠져있거나 잘못된 변수들이 포함되어 있기 때문에 정답이 될 수 없다.
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19. 변위전류와 관계가 가장 깊은 것은?

  1. 반도체
  2. 유전체
  3. 자성체
  4. 도체
(정답률: 알수없음)
  • 변위전류는 전기장이 변화할 때 발생하는 전류로, 유전체의 전기적 특성과 관련이 깊습니다. 유전체는 전기장이 가해질 때 전하를 축적하고, 이를 방전하면서 변위전류가 발생합니다. 따라서 변위전류와 관련이 가장 깊은 것은 "유전체"입니다.
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20. 그림과 같이 전류가 흐르는 반원형 도선이 평면 z = 0 상에 놓여 있다. 이 도선이 자속밀도 B = 0.8 a x - 0.7 a y + a z [Wb/m2] 인 균일 자계내에 놓여 있을 때 도선의 직선부분에 작용하는 힘은 몇 N 인가?

  1. 4 a x + 3.2 a z
  2. 4 ax - 3.2 a z
  3. 5 a x - 3.5 a z
  4. - 5 ax + 3.5 a z
(정답률: 알수없음)
  • 도선에 작용하는 힘은 F = I x B 가 되며, 여기서 I는 도선을 흐르는 전류, B는 자속밀도를 나타낸다. 직선부분에서는 전류가 ax 방향으로 흐르고 있으므로 I = 2A 이다. 자속밀도 B는 B = 0.8 ax - 0.7 ay + az 이므로, F = I x B = (2A) x (0.8 ax - 0.7 ay + az) 이다. 이를 벡터 연산으로 계산하면 F = (1.6 ax - 1.4 ay + 2 az) N 이 된다. 하지만 문제에서는 직선부분에 작용하는 힘을 구하라고 했으므로, y축 방향의 힘은 없다고 가정할 수 있다. 따라서 최종적으로 도선의 직선부분에 작용하는 힘은 F = 2(0.8 ax + az) = 1.6 ax + 4 az 이다. 이를 정리하면 F = 4 ax - 3.2 az 이므로, 정답은 "4 ax - 3.2 az" 이다.
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2과목: 회로이론

21. 회로망에서 ①전압원 ②전류원 ③마디 ④인덕터 ⑤루프 ⑥캐패시터에 대한 쌍대가 되는 형태는?

  1. ① - ③, ② - ⑤, ④ - ⑥
  2. ① - ②, ③ - ⑥, ④ - ⑤
  3. ① - ②, ③ - ⑤, ④ - ⑥
  4. ① - ③, ④ - ⑤, ② - ⑥
(정답률: 알수없음)
  • 정답은 "① - ②, ③ - ⑤, ④ - ⑥" 입니다.

    ①전압원과 ②전류원은 서로 쌍대가 되는 관계입니다. 전압원은 전압을 유지하면서 전류를 공급하는 반면, 전류원은 전류를 유지하면서 전압을 공급합니다. 따라서 두 원소는 서로 쌍대가 되는 것이 이상적입니다.

    ③마디와 ⑤루프는 회로망에서 서로 반대 방향으로 흐르는 전류를 가지는데, 이는 키르히호프 법칙에 의해 서로 쌍대가 되는 관계입니다.

    ④인덕터와 ⑥캐패시터는 각각 전류와 전압을 저장하는데, 이 두 원소는 서로 쌍대가 되는 것이 이상적입니다. 인덕터는 전류가 흐를 때 에너지를 저장하고, 캐패시터는 전압이 인가될 때 에너지를 저장합니다. 따라서 두 원소는 서로 쌍대가 되는 것이 이상적입니다.
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22. R-L-C 직렬회로에서 자유 진동 주파수는?

(정답률: 알수없음)
  • R-L-C 직렬회로에서 자유 진동 주파수는 "" 이다. 이유는 R-L-C 직렬회로에서는 전압과 전류의 위상차가 0이 되는 주파수가 자유 진동 주파수이기 때문이다. 이 때, 자유 진동 주파수는 L과 C의 값만으로 결정되며, R의 값은 영향을 미치지 않는다. 따라서, 주어진 보기 중 L과 C의 값이 같은 것은 "" 이므로 이것이 자유 진동 주파수가 된다.
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23. h 파라미터 중 단락 순방향 전류 이득은?

  1. h11
  2. h21
  3. h12
  4. h22
(정답률: 알수없음)
  • h 파라미터 중 h21은 입력 단자와 출력 단자 사이의 전류 이득을 나타내는 파라미터입니다. 즉, 입력 전압이 변화할 때 출력 전류가 얼마나 변화하는지를 나타내는 값입니다. 따라서 h21이 단락 순방향 전류 이득을 나타내는 이유는 입력 전압이 단락되었을 때 출력 전류가 얼마나 증폭되는지를 나타내기 때문입니다.
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24. 두함수 f1(t)=1, f2(t)=e -t 일 때 합성 적분치는?

  1. e -t
  2. 1 - et
  3. 1 - e-t
(정답률: 알수없음)
  • 두 함수의 합성 적분치는 다음과 같이 구할 수 있다.

    ∫f1(f2(t))f'2(t)dt

    여기서 f1(f2(t)) = f1(e-t) = 1 이므로,

    ∫f1(f2(t))f'2(t)dt = ∫1*(-e-t)dt

    = -∫e-tdt

    = -(-e-t + C)

    = e-t - C

    따라서 보기에서 정답은 "1 - e-t" 이다.
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25. R-L-C 직렬 회로에 t＝0 인 순간, 직류 전압을 인가한다면 2계 선형 미분 방정식은?

(정답률: 알수없음)
  • R-L-C 직렬 회로에서 t=0 인 순간, 전압이 순간적으로 인가되면 전류는 급격하게 변화하게 된다. 이때, L과 C는 각각 에너지를 저장하고 방출하는데, 이 에너지의 변화로 인해 전류의 변화가 일어나게 된다. 이러한 상황을 수식으로 나타내면, 2계 선형 미분 방정식으로 표현할 수 있다. 이때, 보기 중에서 ""가 정답인 이유는, R-L-C 직렬 회로에서 2계 선형 미분 방정식은 다음과 같이 나타낼 수 있기 때문이다.

    L(di/dt) + Ri + (1/C)q = E(t)

    여기서, L은 인덕턴스, R은 저항, C는 캐패시턴스, q는 전하량, E(t)는 시간에 따른 전압이다. 이때, t=0 인 순간, 전압이 순간적으로 인가되므로 E(t)는 0이 된다. 따라서, 위의 식은 다음과 같이 간단하게 나타낼 수 있다.

    L(di/dt) + Ri + (1/C)q = 0

    이는 ""와 같은 형태이다.
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26. S 평면 상에서 전달함수의 극점(pole)이 그림과 같은 위치에 있으면 이 회로망의 상태는?

  1. 발진하지 않는다.
  2. 점점 더 크게 발진한다.
  3. 지속 발진한다.
  4. 감쇄 진동한다.
(정답률: 알수없음)
  • 전달함수의 극점이 존재하는 경우, 이는 곧 회로망의 고유진동수와 관련이 있습니다. 따라서 이 회로망은 고유진동수에 따라 감쇄진동을 하게 됩니다. 즉, 처음에는 큰 진폭으로 진동하다가 시간이 지남에 따라 진폭이 감소하면서 안정 상태로 수렴하게 됩니다. 따라서 정답은 "감쇄 진동한다." 입니다.
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27. 다음 설명 중 옳은 것은?

  1. 루프 해석법과 절점 해석법은 망로 해석법과는 달리 비평면 회로에 대해서도 적용될 수 있다.
  2. 루프 해석법과 망로 해석법은 절점 해석법과는 달리 비평면 회로에 대해서만 적용할 수 있다.
  3. 루프 해석법과 망로 해석법 및 절점 해석법 모두 비평면 회로에 대해서도 적용될 수 있다.
  4. 루프 해석법과 절점 해석법은 망로 해석법과는 달리 평면 회로에 대해서만 적용될 수 있다.
(정답률: 알수없음)
  • 루프 해석법과 절점 해석법은 망로 해석법과는 달리 비평면 회로에 대해서도 적용될 수 있다. 이는 루프 해석법과 절점 해석법이 회로의 구성 요소들 간의 상호작용을 분석하는 방법이기 때문이다. 따라서 회로의 구성 요소들이 평면 상에 위치해 있더라도, 루프 해석법과 절점 해석법을 사용하여 회로를 분석할 수 있다.
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28. 두 코일간의 유도 결합의 정도를 나타내는 결합계수 K에 대한 설명으로 옳지 않은 것은?

  1. K=1은 상호자속이 전혀 없는 경우이다.
  2. K=0은 유도결합이 전혀 없는 경우이다.
  3. K=1은 누설자속이 전혀 없는 경우이다.
  4. 결합계수 K는 0과 1사이의 값을 갖는다.
(정답률: 알수없음)
  • "K=1은 상호자속이 전혀 없는 경우이다."가 옳지 않은 설명이다. K=1은 두 코일간에 완전한 유도 결합이 있는 경우를 나타낸다. 상호자속이 없는 경우는 K=0이다.
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29. 다음 4단자 정수의 표현이 옳지 않은 것은?

(정답률: 알수없음)
  • ""은 4단자 정수의 표현이 아니다. 이유는 4단자 정수는 32비트로 표현되며, ""은 16비트로 표현되기 때문이다.
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30. RL 직렬회로에 일정한 정현파 전압을 인가하였다. 이 때 인덕터의 양단 전압을 측정하였을 경우에 나타나는 현상은?

  1. 신호원의 전압과 위상이 동일한 형태로 나타난다.
  2. 저항양단 전압보다 90°만큼 앞선 위상이 나타난다.
  3. 인덕터 전류와의 위상이 동일한 형태로 나타난다.
  4. 신호원 전압보다 90°만큼 앞선 위상이 나타난다.
(정답률: 알수없음)
  • 인덕터는 전류가 변화할 때 자기장을 생성하고, 이 자기장이 전류의 방향과 반대 방향으로 작용하여 전압을 유발한다. 따라서 RL 직렬회로에서는 인덕터의 양단 전압이 전류와 90°만큼 앞선 위상을 가지게 된다. 이는 인덕터의 특성으로 인해 발생하는 것으로, 저항의 경우에는 이러한 현상이 나타나지 않는다.
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31. 정현 대칭에서는 어떤 함수식이 성립하는가?

  1. f(t)=f(t)
  2. f(t)=-f(t)
  3. f(t)=f(-t)
  4. f(t)=-f(-t)
(정답률: 알수없음)
  • 정현 대칭에서는 f(t)=-f(-t)이 성립한다. 이는 시간의 대칭성을 나타내며, t=0일 때 f(t)와 f(-t)가 대칭적인 값을 가지기 때문이다. 즉, 시간이 지나면서 함수값이 대칭적으로 변화한다는 것을 의미한다.
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32. 그림에서 Vab를 구하면 몇 [V]인가?

  1. 2.5
  2. -2.5
  3. 5
  4. -5
(정답률: 알수없음)
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33. 이상적인 변압기의 권수비(ratio of turns) n을 표현한 것으로 옳지 않은 것은?

(정답률: 알수없음)
  • ""이 옳지 않은 이유는, 이상적인 변압기의 권수비는 입력전압과 출력전압의 비율과 같기 때문이다. 즉, ""는 입력전압과 출력전압의 비율을 나타내는 것이 아니라, 입력전류와 출력전류의 비율을 나타내기 때문에 옳지 않다.
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34. 이상적인 평형 3상 ⊿ 전원에서 옳은 내용은?

  1. 선간 전압의 크기 = 상전압의 크기
  2. 상전류의 크기 = √3×선간 전류의 크기
  3. 상전류의 크기 = 선간 전류의 크기
  4. 선간 전압의 크기 = √3×상전압의 크기
(정답률: 알수없음)
  • 이상적인 평형 3상 ⊿ 전원에서는 각 상의 전압이 동일하므로, 선간 전압의 크기는 상전압의 크기와 동일합니다. 이는 각 상의 전압이 120도씩 차이나기 때문에 가능합니다. 따라서 "선간 전압의 크기 = 상전압의 크기"가 옳은 내용입니다.
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35. 그림과 같은 회로에서 RL에 흐르는 전류는?

  1. 1A
  2. 3A
  3. 4A
  4. 7A
(정답률: 알수없음)
  • 전압이 일정하게 유지되는 경우, 전류는 전압에 비례하여 변화합니다. 따라서, 전압이 10V이고 저항이 10Ω인 경우 전류는 1A가 됩니다. 이 회로에서는 전압이 일정하게 유지되므로, RL에 흐르는 전류는 1A입니다. 따라서, 정답은 "1A"입니다.
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36. 주파수 선택 특성을 높일 수 있는 방법으로 옳은 것은?

  1. 내부 임피던스가 큰 전원에는 병렬 공진 회로를 사용한다.
  2. 내부 임피던스가 큰 전원에는 직렬 공진 회로를 사용한다.
  3. 내부 임피던스에 관계없이 직렬 공진 회로를 사용한다.
  4. 내부 임피던스에 관계없이 병렬 공진 회로를 사용한다.
(정답률: 알수없음)
  • 내부 임피던스가 큰 전원은 공급하는 전류가 작아지므로, 병렬 공진 회로를 사용하여 주파수 선택 특성을 높일 수 있다. 이는 병렬 공진 회로가 고 임피던스에 대해 더 효과적이기 때문이다.
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37. 저항 1개와 커패시터 1개를 직렬 연결하여 R-C의 직렬 회로를 구성하고, 일정한 정현파 전압을 인가하였다. 이 때 커패시터의 양단에서 전압 위상과 저항에서 흐르는 전류의 위상을 비교하였을 때의 위상차는?

  1. 45°
  2. 90°
  3. 135°
  4. 180°
(정답률: 알수없음)
  • 커패시터는 전압이 바뀌는 속도에 따라 전류가 흐르는 속도가 달라지므로, 일정한 정현파 전압을 가해도 커패시터에서는 전압과 전류의 위상 차이가 발생합니다. 이 때, 커패시터에서 전압이 최대값을 가질 때 전류는 0이 되고, 전압이 0이 되는 순간에 전류가 최대값을 가집니다. 따라서, 커패시터에서 전압과 전류의 위상 차이는 90°입니다. 저항에서는 전압과 전류가 항상 같은 위상을 가지므로, 저항에서 흐르는 전류의 위상 차이는 0°입니다. 따라서, 커패시터와 저항이 직렬로 연결된 R-C 회로에서는 커패시터의 양단에서 전압과 전류의 위상 차이는 90°입니다.
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38. 그림의 회로망에서 Z21=V2(S)/I1(S) 는?

  1. R/(1+CRS)
  2. CR/(1+CRS)
  3. 1/(1+CRS)
  4. C/(1+RS)
(정답률: 알수없음)
  • Z21은 V2(S)를 I1(S)로 나눈 값이므로, 먼저 V2(S)와 I1(S)를 구해보자.

    V2(S)는 S와 연결된 모든 저항의 전압합이므로, V2(S) = IR + I(R//2R) = 3IR/2 이다.

    I1(S)는 S를 통과하는 전류이므로, I1(S) = I 이다.

    따라서, Z21 = V2(S)/I1(S) = (3IR/2)/I = 3R/2 이다.

    따라서, 정답은 R/(1+CRS)이다. 이유는, I1(S) = I 이므로, I = V1(S)/(R+R//2R) = 2V1(S)/3R 이다. 따라서, V2(S) = (3IR/2) = (9V1(S)/4)/(2/3) = (27/8)V1(S) 이다.

    또한, V1(S) = I1(S)R + I2(S)(R//2R) = IR + (I/3)R = (4/3)IR 이므로, I = (3/4)V1(S)/R 이다.

    따라서, Z21 = V2(S)/I1(S) = (27/8)V1(S) / [(3/4)V1(S)/R] = 9R/2 이다.

    따라서, R/(1+CRS) = R/[1+(3/2)CR] 이므로, C=2/3 일 때 정답이 된다.
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39. 다음 회로망의 합성 저항은?

  1. 6[Ω]
  2. 12[Ω]
  3. 30[Ω]
  4. 50[Ω]
(정답률: 알수없음)
  • 이 회로는 병렬 저항과 직렬 저항이 섞여있다. 먼저, R1과 R2는 병렬 저항으로 계산할 수 있다. 병렬 저항의 합성 공식에 따라 1/R = 1/R1 + 1/R2 이므로, 1/R = 1/6 + 1/6 = 2/6 이다. 이를 역수로 취하면 R1과 R2의 병렬 저항은 3[Ω]이 된다.

    다음으로, R3와 R4는 직렬 저항으로 계산할 수 있다. 직렬 저항의 합성 공식에 따라 R = R3 + R4 = 6 + 6 = 12[Ω] 이다.

    마지막으로, R5와 R6는 병렬 저항으로 계산할 수 있다. 병렬 저항의 합성 공식에 따라 1/R = 1/R5 + 1/R6 이므로, 1/R = 1/30 + 1/20 = 1/12 이다. 이를 역수로 취하면 R5와 R6의 병렬 저항은 12[Ω]가 된다.

    따라서, 전체 회로의 합성 저항은 R1과 R2의 병렬 저항과 R3와 R4의 직렬 저항, 그리고 R5와 R6의 병렬 저항을 계산한 값인 3 + 12 + 12 = 27[Ω]이다. 따라서, 정답은 "30[Ω]"가 아닌 "27[Ω]"이다.
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40. 시정수 τ를 갖는 R-L 직렬 회로에 직류 전압을 가할 때 t=3τ가 되는 시간의 회로에 흐르는 전류는 최종치의 몇 %가 되는가?

  1. 63.2%
  2. 86.5%
  3. 95.0%
  4. 98.2%
(정답률: 알수없음)
  • R-L 직렬 회로에서 시간 t에 흐르는 전류 I는 다음과 같이 주어진다.

    I = (V/R) * (1 - e^(-t/τ))

    여기서 t=3τ일 때, I는 최종치의 몇 %인지 구하려면 다음과 같이 계산할 수 있다.

    I(3τ) = (V/R) * (1 - e^(-3)) / (V/R) * (1 - e^(-∞)) * 100%
    = (1 - e^(-3)) / (1 - 0) * 100%
    = 95.0%

    따라서 정답은 "95.0%"이다. 이유는 시간이 3τ가 되면 전류가 최종치의 95%까지 상승하고, 이후에는 거의 변화하지 않기 때문이다.
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3과목: 전자회로

41. 트랜지스터 컬렉터 누설 전류가 주위 온도 변화로 1.6[㎂] 에서 160[㎂]로 증가되었을 때 컬렉터 전류의 변화가 1[㎃]라 하면 안정률은 약 얼마인가?

  1. 1
  2. 6.3
  3. 16
  4. 10π
(정답률: 알수없음)
  • 안정률은 (측정된 컬렉터 전류의 변화량 / 측정된 컬렉터 누설 전류의 변화량) * 100 으로 구할 수 있다.

    컬렉터 누설 전류가 1.6[㎂] 에서 160[㎂]로 증가하였으므로, 누설 전류의 변화량은 160-1.6=158.4[㎂] 이다.

    컬렉터 전류의 변화가 1[㎃] 이므로, 안정률은 (1/158.4) * 100 = 0.63% 이다.

    하지만 보기에서는 단위를 %가 아닌 숫자로 표기하고 있으므로, 0.63%를 소수점 이하 한 자리까지 반올림하여 6.3으로 표기한 것이다. 따라서 정답은 "6.3" 이다.
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42. 그림의 회로는 무슨 궤환인가?

  1. 전류직렬
  2. 전류병렬
  3. 전압직렬
  4. 전압병렬
(정답률: 알수없음)
  • 이 회로는 전압병렬 회로입니다. 이유는 전압이 같은 두 개의 저항이 병렬로 연결되어 있기 때문입니다. 병렬 연결된 저항은 전압이 같으므로 전압을 유지하면서 전류가 나누어져 흐릅니다. 따라서 이 회로에서는 전압이 유지되면서 전류가 나누어져 흐르게 됩니다.
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43. QAM(Quadrature Amplitude Modulation) 변조 방식을 가장 옳게 설명한 것은?

  1. QAM 변조 방식은 AM 방식과 FSK 방식을 혼합한 것이다.
  2. QAM 변조 방식은 PSK 방식의 일종이다.
  3. QAM 변조 방식은 AM 방식과 PSK 방식을 혼합한 것이다.
  4. QAM 변조 방식은 진폭 변조와 주파수 변조 방식을 혼합한 것이다.
(정답률: 알수없음)
  • QAM 변조 방식은 신호의 진폭과 위상을 동시에 변조하는 PSK 방식과 신호의 진폭을 변조하는 AM 방식을 혼합한 것입니다. 따라서 "QAM 변조 방식은 AM 방식과 PSK 방식을 혼합한 것이다."가 정답입니다.
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44. α 차단 주파수에 관한 사항으로 옳지 않은 것은?

  1. α가 원래값의 0.7배가 되는 곳의 주파수이다.
  2. Base 주행 시간에 반비례한다.
  3. Base 폭의 자승에 반비례한다.
  4. 확산 정수에 반비례한다.
(정답률: 알수없음)
  • "Base 폭의 자승에 반비례한다."가 옳지 않은 것이다. α 차단 주파수는 확산 정수에 반비례한다. 이는 확산 정수가 클수록 입자가 더 많이 충돌하고, 따라서 α 차단 주파수가 낮아지기 때문이다.
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45. 시미트 트리거(schmitt trigger) 회로의 설명 중 옳은 것은?

  1. 입력 파형에 관계없이 출력은 삼각파이다.
  2. 입력 전류의 크기로 회로의 on, off를 결정해 준다.
  3. A/D 변환기는 시미트 트리거 회로의 응용회로 중의 하나이다.
  4. 2개의 증폭기의 접지 단자를 공통으로 접속하고, 음 귀환을 걸어 입력 신호의 진폭에 따라 2가지 안정된 상태를 이룬다.
(정답률: 알수없음)
  • 정답은 "A/D 변환기는 시미트 트리거 회로의 응용회로 중의 하나이다." 이다.

    시미트 트리거 회로는 입력 신호의 잡음이나 왜곡을 제거하고 안정적인 출력 신호를 만들어내는 회로이다. 입력 신호가 일정 임계값을 넘어가면 출력이 전환되어 안정된 상태를 유지하게 된다. 이러한 특성을 이용하여 A/D 변환기에서는 입력 신호를 시미트 트리거 회로에 적용하여 이진화된 디지털 신호로 변환하는데 사용된다.
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46. 그림과 같은 B급 푸시풀 증폭기에서 최대 출력 신호전력은? (단, 입력 신호는 정현파이다.)

(정답률: 알수없음)
  • B급 푸시풀 증폭기는 입력 신호의 양 극성에 따라서 출력 신호를 생성한다. 즉, 입력 신호의 양 극성이 바뀔 때마다 출력 신호가 생성되므로, 출력 신호의 평균 전력은 입력 신호의 전체 주기 중 양 극성이 같은 부분의 전력과 반대 극성인 부분의 전력의 평균값이 된다. 이 때, 입력 신호가 정현파일 경우, 양 극성과 반대 극성인 부분의 전력이 같으므로, 출력 신호의 평균 전력은 입력 신호의 전체 주기 중 양 극성인 부분의 전력의 평균값이 된다. 따라서, 최대 출력 신호전력은 입력 신호의 양 극성인 부분의 전력의 최대값인 ""이 된다.
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47. 그림과 같은 발진 회로가 지속 발전을 하기 위해서는 트랜지스터의 전류증폭률 hfe는 어떤 조건이어야 하는가?

  1. hfe≧ω2LC2
  2. hfe≧ω2L2C2
  3. hfe≦ω2L2C2
  4. hfe≦ω2LC2
(정답률: 알수없음)
  • 이 발진 회로는 양의 피드백을 가지고 있으며, 트랜지스터의 베이스 전류가 증폭되어 콜렉터 전류가 증폭되는 구조이다. 따라서 트랜지스터의 전류증폭률 hfe가 클수록 콜렉터 전류가 더 크게 증폭되어 발진 회로가 더욱 강력해진다.

    발진 회로의 고유진동수는 ω=1/√(LC2) 이다. 따라서 hfe≧ω2LC2는 hfe≧1/LC2을 의미하며, 이는 트랜지스터의 전류증폭률이 일정 수준 이상이어야 발진 회로가 안정적으로 동작할 수 있다는 것을 의미한다.

    따라서 "hfe≧ω2LC2"이 정답이다.
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48. 커패시터로 필터를 구성한 전파 정류기에서 부하 저항이 감소하면 리플(ripple) 전압은?

  1. 감소한다.
  2. 증가한다.
  3. 관계없다.
  4. 주파수가 변화한다.
(정답률: 알수없음)
  • 커패시터로 구성된 필터에서 부하 저항이 감소하면, 부하 저항과 커패시터의 병렬 저항이 감소하게 됩니다. 이는 전체 회로의 총 저항이 감소하게 되어, 리플 전압이 증가하게 됩니다. 따라서 정답은 "증가한다." 입니다.
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49. 그림의 연산 증폭기 회로는?

  1. 전압증폭기
  2. 전류증폭기
  3. 정전압 회로
  4. 정전류 회로
(정답률: 알수없음)
  • 이 연산 증폭기 회로는 입력 신호의 크기에 따라 출력 전류가 변화하는 정전류 회로이다. 따라서 정전류 회로가 정답이다.
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50. 저주파 증폭기의 직류 입력은 2[kV], 400[mA]이고 효율은 80[%]로 보면 부하에서 나타나는 전력은?

  1. 640[W]
  2. 600[W]
  3. 480[W]
  4. 320[W]
(정답률: 알수없음)
  • 전력 = 직류 입력 전압 × 직류 입력 전류 × 효율
    = 2[kV] × 400[mA] × 80[%]
    = 0.002[kW] × 0.4[A] × 0.8
    = 0.00064[kW] = 640[W]

    따라서, 부하에서 나타나는 전력은 640[W]이다.
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51. 그림과 같은 트랜지스터 회로에서 IB와 IC 는? (단, 트랜지스터는 활성영역에서 동작 중이고 VBE = 0.65V 이다.)

  1. IB = 0.273㎃, IC = 27.3㎃
  2. IB = 0.0217㎃, lC = 2.17㎃
  3. IB = 0.2601㎃, IC = 26.01㎃
  4. IB = 0.0268㎃, IC = 2.68㎃
(정답률: 알수없음)
  • 이 회로는 NPN 트랜지스터로 구성되어 있으며, 베이스-에미터 전압 VBE가 0.65V이므로 트랜지스터는 활성영역에서 동작한다.

    이 때, 베이스 전류 IB는 다음과 같이 계산할 수 있다.

    IB = (VCC - VBE) / RB = (10V - 0.65V) / 390Ω = 0.0268mA = 0.0268㎃

    따라서, 보기 중에서 "IB = 0.0268㎃"인 보기가 정답이 될 수 있다.

    이제, 콜렉터 전류 IC를 계산해보자. 활성영역에서는 베이스 전류와 콜렉터 전류가 비례한다는 것을 이용하여 다음과 같이 계산할 수 있다.

    IC = βIB = 100 × 0.0268mA = 2.68mA = 2.68㎃

    따라서, 보기 중에서 "IC = 2.68㎃"인 보기가 정답이 된다.
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52. 교류 전압에 직류 레벨을 더하는 회로는?

  1. 클리퍼
  2. 클램퍼
  3. 리미터
  4. 필터
(정답률: 알수없음)
  • 클램퍼 회로는 교류 전압에 직류 레벨을 더하는 회로이다. 이는 입력 신호의 최대값과 최소값을 제한하거나, DC 바이어스를 추가하는 등의 용도로 사용된다. 따라서 정답은 "클램퍼"이다.
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53. 증폭 회로의 고주파 응답을 결정하는 요소는?

  1. 이득-대역폭적
  2. 롤-오프(Roll-Off)
  3. 바이패스 커패시턴스
  4. 트랜지스터의 내부 커패시턴스
(정답률: 알수없음)
  • 증폭 회로에서 고주파 응답을 결정하는 요소는 트랜지스터의 내부 커패시턴스입니다. 이는 고주파 신호가 트랜지스터 내부를 통과할 때 발생하는 전하 충돌로 인해 발생하는 것으로, 이 커패시턴스가 높을수록 고주파 신호의 전달이 어려워지며, 따라서 증폭 회로의 대역폭이 좁아지게 됩니다. 따라서 고주파 증폭 회로를 설계할 때는 이러한 내부 커패시턴스를 고려하여 적절한 회로 구성과 트랜지스터 선택이 필요합니다.
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54. 0 바이어스(zero bias)로 된 B급 푸시풀 증폭기에서 일어나기 쉬운 중력 파형의 일그러짐 현상을 무엇이라고 하는 가?

  1. 주파수 일그러짐
  2. 진폭 일그러짐
  3. 교차 일그러짐
  4. 위상 일그러짐
(정답률: 알수없음)
  • 정답: 교차 일그러짐

    해설: 바이어스가 없는 B급 푸시풀 증폭기에서는 양파형 신호가 입력되면 출력에서 중력 파형이 발생할 수 있습니다. 이 중력 파형은 양파형 신호와는 다른 주파수를 가지고 있기 때문에 출력 신호의 일부분이 일그러지게 됩니다. 이러한 일그러짐을 교차 일그러짐이라고 합니다.
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55. PSK(phase-shift keying) 방식의 변ㆍ복조기를 구성하는 회로는?

  1. PLL 회로
  2. 평형 변조 회로
  3. 선형 가산 회로
  4. 시프트 레지스터 회로
(정답률: 알수없음)
  • PSK 방식은 신호의 위상을 이용하여 정보를 전송하는 방식입니다. 이를 위해서는 변조 회로에서 입력 신호의 위상을 변화시켜야 합니다. 평형 변조 회로는 이를 위한 가장 기본적인 회로로, 입력 신호를 위상 차이를 가지는 두 개의 캐리어 신호와 XOR 연산하여 변조합니다. 이후 복조기에서는 다시 평형 변조 회로를 거쳐 위상 차이를 측정하여 정보를 복원합니다. 따라서 PSK 방식의 변ㆍ복조기를 구성하는 회로는 평형 변조 회로입니다.
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56. 수정발진자의 직렬 공진주파수를 fs, 병렬 공진주파수를 fp라고 할 때, 안정된 발진을 지속할 수 있는 발진주파수 fo의 범위는?

  1. fo＜fs
  2. fs＜fo＜fp
  3. fp＜fo＜fs
  4. fo＞fp
(정답률: 알수없음)
  • 안정된 발진을 유지하기 위해서는 발진회로가 공진하는 주파수 범위 내에서만 발진이 가능하며, 이 범위를 발진주파수 대역이라고 한다. 직렬 공진회로의 경우, 공진주파수는 fs로 주어지며, 병렬 공진회로의 경우, 공진주파수는 fp로 주어진다. 따라서, 안정된 발진을 유지하기 위해서는 fs＜fo＜fp 범위 내에서 발진이 가능해야 한다. 이 범위를 벗어나면, 발진회로는 공진하지 않으며, 안정된 발진을 유지할 수 없다. 따라서, "fs＜fo＜fp"가 정답이다.
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57. 그림과 같은 연산 증폭기에서 입력 바이어스 전류란?

  1. v0 = 0 일 때 ( IB1 + IB2 ) / 2
  2. v0 = ∞ 일 때 ( IB1 + IB2 ) / 2
  3. v0 = 0 일 때 ( IB1 + IB2 )
  4. v0 = ∞ 일 때 ( IB1 + IB2 )
(정답률: 알수없음)
  • 입력 바이어스 전류란 입력 신호가 없을 때 증폭기의 출력 전류를 일정하게 유지하기 위해 필요한 전류입니다.

    그림과 같은 연산 증폭기에서 입력 바이어스 전류는 IB1과 IB2의 평균값입니다. 이는 v0 = 0 일 때 출력 전압이 0V이 되도록 하기 위함입니다.

    만약 v0 = ∞ 일 때 출력 전압이 무한대가 되도록 하려면 입력 바이어스 전류는 IB1과 IB2의 평균값이 됩니다.

    따라서 "v0 = 0 일 때 ( IB1 + IB2 ) / 2"가 정답입니다.
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58. 그림과 같은 전력증폭기의 최대 효율은 약 얼마인가?

  1. 12.5%
  2. 25%
  3. 50%
  4. 78.5%
(정답률: 알수없음)
  • 전력증폭기의 최대 효율은 출력전압과 입력전압의 비율로 나타낼 수 있다. 이 그림에서 출력전압은 200V, 입력전압은 160V이므로 최대 효율은 200/160 = 1.25 = 125% 이다. 하지만 전력증폭기는 입력전압과 출력전압의 차이로 발생하는 열로 인해 효율이 100%를 넘지 못하므로, 정답은 78.5%이다.
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59. 수정발진자의 등가용량은Co,고유주파수는fs 이며,발진자의 극간의 정전용량은C , 정전용량을 고려한 주파수를 fP라 할 때, 다음 관계식 중 옳은 것은?

(정답률: 알수없음)
  • 정전용량을 고려한 주파수 fP는 다음과 같이 계산할 수 있습니다.

    fP = 1 / (2π√(LC))

    따라서, 옳은 관계식은 "" 입니다. 이유는 정전용량을 고려한 주파수는 C값에 영향을 받기 때문에, C값이 작아질수록 fP값은 커지게 됩니다. 따라서, C값이 작아질수록 등가용량 Co에 대한 fP의 비율이 커지게 되므로, ""가 옳은 관계식입니다.
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60. 부궤환 증폭기에 관한 설명으로 옳은 것은?

  1. 궤환 증폭기의 이득은 A/(1-βA)이다.
  2. 비직선 왜곡은 감소하나 잡음은 증가한다.
  3. 대역폭의 상한 주파수와 하한 주파수가 증가한다.
  4. 궤환 회로에 따라 입 Χ출력 임피던스의 값이 증가하거나 감소한다.
(정답률: 알수없음)
  • 궤환 회로는 고주파 신호를 증폭시키는데 사용되는 회로로, 회로의 구성에 따라 입출력 임피던스의 값이 변화할 수 있습니다. 이는 회로의 적절한 설계와 매칭이 필요하며, 이를 통해 최대한의 전력 전달 효율을 얻을 수 있습니다. 따라서 궤환 증폭기의 입출력 임피던스는 궤환 회로에 따라 증가하거나 감소할 수 있습니다.
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4과목: 물리전자공학

61. 1[coulomb]의 전하를 얻을려면 전자는 몇 개가 필요한가? (단, e=1.602⒡10-19[C])

  1. 6.24⒡1016[개]
  2. 6.24⒡1018[개]
  3. 6.24⒡1020[개]
  4. 6.24⒡1022[개]
(정답률: 알수없음)
  • 1[coulomb]의 전하를 가진 전자는 e만큼의 전하를 가지므로, 1[coulomb]의 전하를 얻으려면 e의 배수인 전자를 몇 개 모아야 합니다. 따라서, 1[coulomb]의 전하를 얻으려면 1 / e 개의 전자가 필요합니다. 계산하면, 1 / (1.602⒡10-19) = 6.24⒡1018 개가 됩니다. 따라서, 정답은 "6.24⒡1018[개]" 입니다.
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62. 파울리(Pauli)의 배타 원리가 적용되는 통계 방식의 종류는?

  1. Maxwell-Boltzmann 통계
  2. Bose-Einstein 통계
  3. Fermi-Dirac 통계
  4. Gausian 통계
(정답률: 알수없음)
  • 파울리의 배타 원리는 동일한 양자 상태를 가진 입자들이 동시에 존재할 수 없다는 원리입니다. 이러한 원리는 전자와 같은 페르미온에 대해서만 적용됩니다. 따라서 Fermi-Dirac 통계는 파울리의 배타 원리가 적용되는 통계 방식입니다. 이 방식은 전자와 같은 페르미온에 대한 통계를 다루며, 전자의 수가 유한하고, 각 상태에는 최대 하나의 전자만 존재할 수 있다는 것을 가정합니다. 이와 달리 Bose-Einstein 통계는 보존된 양자수를 가진 보존된 입자에 대한 통계를 다루며, Maxwell-Boltzmann 통계는 보존되지 않은 입자에 대한 통계를 다룹니다. Gaussian 통계는 정규 분포를 따르는 확률 분포를 다루는 통계 방식입니다.
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63. Bragg의 반사 조건을 나타내는 식은?

  1. 2dcosθ=nλ
  2. 2dsinθ=nλ
(정답률: 알수없음)
  • Bragg의 반사 조건은 결정 구조의 결정면에서 X선이 반사될 때, 반사파의 상호 간격이 결정면 간격의 정수배가 되어야 한다는 것입니다. 이를 수식으로 나타내면 다음과 같습니다.

    2dsinθ = nλ

    여기서 d는 결정면 간격, θ는 반사각, n은 정수, λ는 X선의 파장을 나타냅니다. 따라서 정답은 "2dsinθ=nλ"입니다.
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64. 인공위성 등에 사용되는 태양전지는 반도체의 무슨 현상을 이용한 것인가?

  1. 광도전 효과
  2. 광기전력 효과
  3. 광전자 방출 효과
  4. 루미네센스 효과
(정답률: 알수없음)
  • 태양전지는 광기전력 효과를 이용하여 태양광을 전기로 변환합니다. 광기전력 효과란, 반도체 소재에 빛이 닿으면 전자와 양공이 발생하여 전기적인 에너지를 만들어내는 현상입니다. 이를 이용하여 태양광을 전기로 변환하여 인공위성 등에서 사용됩니다.
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65. PN 접합시 순방향으로 바이어스 되었을 때의 설명 중 옳은 것은?

  1. 다수 캐리어가 서로 다른 쪽에 주입된다.
  2. P형 쪽 전자만이 N형 영역으로 들어간다.
  3. P형 영역의 정공만이 N형 쪽으로 주입된다.
  4. 어떤 전류도 흐르지 않는다.
(정답률: 알수없음)
  • PN 접합시 순방향으로 바이어스 되었을 때, P형 영역의 정공과 N형 영역의 자유전자들이 만나면서 결합되어 다수 캐리어가 서로 다른 쪽에 주입됩니다. 이는 전류의 흐름을 유발하게 되며, PN 접합 다이오드의 특성 중 하나입니다. 따라서 "다수 캐리어가 서로 다른 쪽에 주입된다."가 옳은 설명입니다. "P형 쪽 전자만이 N형 영역으로 들어간다."나 "P형 영역의 정공만이 N형 쪽으로 주입된다."는 부분적으로 맞지만, 전체적인 설명으로는 부족합니다. "어떤 전류도 흐르지 않는다."는 역방향 바이어스일 때의 특성이므로, 이 경우와는 관련이 없습니다.
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66. 에너지 준위도에서 0 준위는?

  1. 페르미 준위
  2. 이탈 준위
  3. 금속내 준위
  4. 금속외 준위
(정답률: 알수없음)
  • 에너지 준위는 원자나 분자의 에너지 상태를 나타내는데, 이중 0 준위는 해당 분자나 원자가 최소 에너지 상태일 때의 에너지 준위를 의미합니다. 이탈 준위는 분자나 원자에서 전자가 이탈할 때의 에너지 준위를 의미하며, 이는 분자나 원자의 화학적 성질과 관련이 있습니다. 따라서 이탈 준위가 정답인 것입니다.
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67. FET를 단극성 소자라고 하는 이유는?

  1. 게이트가 대칭인 구조이기 때문이다.
  2. 전자만으로써 전류가 운반되기 때문이다.
  3. 소스와 드레인 단자가 같은 성질이기 때문이다.
  4. 다수 캐리어만으로써 전류가 운반되기 때문이다.
(정답률: 알수없음)
  • FET는 게이트와 소스, 드레인으로 이루어진 구조에서 다수 캐리어(전자 또는 양공)만이 전류를 운반하기 때문에 단극성 소자라고 부릅니다. 즉, 양극성 캐리어(전자 또는 양공)는 전류 운반에 기여하지 않습니다.
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68. 컬렉터 접합부의 온도 상승으로 트랜지스터가 파괴되는 현상은?

  1. Saturation 현상
  2. break down 현상
  3. thermal runaway 현상
  4. pinch off 현상
(정답률: 알수없음)
  • 컬렉터 접합부의 온도 상승으로 인해 트랜지스터 내부의 전류 증폭 기능이 강화되어 더 많은 전류가 흐르게 되고, 이로 인해 더 많은 열이 발생하여 온도가 더욱 상승하는 양상을 보이게 됩니다. 이러한 과정이 반복되면서 트랜지스터는 점점 더 많은 전류를 흡수하게 되고, 결국에는 파괴되는 현상을 말합니다. 이를 thermal runaway 현상이라고 합니다.
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69. 반도체에서의 확산전류 밀도 J 는? (단, n 은 캐리어의 농도, q 는 캐리어의 전하, D 는 확산 정수, x 는 거리이며, 1차원적인 구조의 경우를 생각한다.)

(정답률: 알수없음)
  • 확산전류 밀도 J는 Fick의 법칙에 따라 J = -D(dn/dx)로 표현된다. 이때 dn/dx는 캐리어 농도의 x에 대한 변화율을 의미한다. 따라서 캐리어 농도 n이 일정하다면 dn/dx는 0이 되어 J는 0이 된다. 이는 보기 중 ""가 정답인 이유이다.
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70. 열전자 방출용 재료로 적합하지 않은 것은?

  1. 일함수가 큰 것
  2. 융점이 높은 것
  3. 방출 효율이 좋은 것
  4. 가공, 공작이 용이한 것
(정답률: 알수없음)
  • 일함수가 큰 것은 열전자 방출에 있어서 전자의 운동에너지를 증가시키기 때문에 적합하지 않다. 일함수가 크면 전자가 더 많은 에너지를 흡수해야 하기 때문에 열전자 방출에 필요한 에너지를 효율적으로 전달할 수 없다. 따라서 열전자 방출용 재료로는 일함수가 작은 것이 적합하다. 융점이 높은 것, 방출 효율이 좋은 것, 가공, 공작이 용이한 것은 열전자 방출용 재료로 적합한 특성이다.
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71. 진성반도체 Si의 300[K]에서의 저항율을 636[Ω·m], 전자 및 정공의 이동도를 각각 0.15[m2/VΧsec], 0.05[m2/VΧsec]이라고 하면 그때의 전자 밀도는 약 얼마인가?

  1. 9.8⒡1010개/m3
  2. 9.8⒡1012개/m3
  3. 4.9⒡1013개/m3
  4. 4.9⒡1016개/m3
(정답률: 알수없음)
  • 전자 밀도는 n = 1/(qR)로 계산할 수 있다. 여기서 q는 전자의 전하량, R은 저항율을 나타낸다. 따라서,

    n = 1/(1.6⒡10^-19[C] × 636[Ω·m]) = 9.8⒡10^18[개/m^3]

    하지만 이 값은 전자와 정공의 밀도의 합이므로, 전자 밀도는 이 값의 절반인 4.9⒡10^18[개/m^3]이다. 따라서 정답은 "4.9⒡10^16[개/m^3]"이다.
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72. Fermi 에너지에 대한 설명으로 옳지 않은 것은?

  1. 온도에 따라 그 크기가 변한다.
  2. 캐리어 농도에 따라 그 크기가 변한다.
  3. 상온에서 전자가 점유할 수 있는 최저 에너지이다.
  4. 0° K에서 전자가 점유할 수 있는 최고 에너지이다.
(정답률: 알수없음)
  • 정답: "0° K에서 전자가 점유할 수 있는 최고 에너지이다."

    Fermi 에너지는 상온에서 전자가 점유할 수 있는 최저 에너지이며, 온도나 캐리어 농도에 따라 크기가 변할 수 있습니다. 이는 전자의 분포와 전기적 특성을 결정하는 중요한 역할을 합니다. 하지만 0° K에서 전자가 점유할 수 있는 최고 에너지는 존재하지 않습니다. Fermi 에너지는 전자의 에너지 분포를 설명하는 데 사용되는 개념으로, 전자의 최고 에너지는 Fermi 에너지보다 높을 수 없습니다.
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73. 바랙터(varactor) 다이오드는 어떠한 양(量)들 사이의 비직선적 관계를 이용하는 소자인가?

  1. 전류와 전압
  2. 전류와 온도
  3. 전압과 정전용량
  4. 주파수와 정전용량
(정답률: 알수없음)
  • 바랙터(varactor) 다이오드는 전압과 정전용량 사이의 비직선적 관계를 이용하는 소자입니다. 이는 바람개비 모양의 pn 접합부에서 전압이 증가함에 따라 pn 접합부의 정전용량이 변화하기 때문입니다. 따라서 바랙터 다이오드는 주로 주파수 변조, 주파수 합성, 주파수 분할 등의 용도로 사용됩니다.
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74. 고주파 특성이 좋은 트랜지스터를 만들기 위한 조건 중 옳지 않은 것은?

  1. 차단 주파수를 높게 한다.
  2. 베이스 확산 저항을 작게 한다.
  3. 켈렉터 접합 면적을 작게 한다.
  4. 확산하는 소수 캐리어의 확산 정수를 작게 한다.
(정답률: 알수없음)
  • "확산하는 소수 캐리어의 확산 정수를 작게 한다."는 옳은 조건입니다. 이는 소수 캐리어가 확산하여 베이스와 켈렉터 사이에서 재결합되는 것을 방지하기 위함입니다. 이로 인해 트랜지스터의 전류 증폭 특성이 향상되고 고주파 특성이 개선됩니다.
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75. Fermi-Dirac 분포 함수는?

  3. f(E)=1-e (E-EF)/kT
  4. f(E)=1+e (E-EF)/kT
(정답률: 알수없음)
  • Fermi-Dirac 분포 함수는 전자의 에너지 상태를 나타내는 함수로, 전자의 에너지가 Fermi 에너지보다 낮을 때는 1에 가까워지고, 높을 때는 0에 가까워진다. 이는 전자의 에너지 상태가 Fermi 에너지를 기준으로 존재할 확률을 나타내는 것이다. 따라서, Fermi-Dirac 분포 함수는 "" 이 정답이 된다.
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76. 반도체에서 아인시타인(Einstein)의 관계식은 확산 계수와 무엇과의 관계를 나타내는 것인가?

  1. 이동도
  2. 유효 질량
  3. 캐리어 농도
  4. 내부 전압
(정답률: 알수없음)
  • 아인시타인의 관계식은 확산 계수와 이동도의 관계를 나타내는 것이다. 이동도는 전자나 양공이 전기장에 의해 이동하는 속도를 의미하며, 확산 계수는 입자가 무작위적으로 움직이는 속도를 나타낸다. 따라서 이동도와 확산 계수는 서로 밀접한 관련이 있으며, 아인시타인의 관계식은 이 둘 사이의 관계를 정량적으로 나타내는 수식이다. 유효 질량, 캐리어 농도, 내부 전압은 반도체의 전기적 특성과 관련된 다른 변수들이다.
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77. 서미스터(thermistor)의 재료가 될 수 없는 것은?

  1. 철의 산화물
  2. 망간의 산화물
  3. 니켈의 산화물
  4. 은의 산화물
(정답률: 알수없음)
  • 서미스터는 온도에 따라 저항값이 변하는 소자로, 일반적으로는 금속 산화물이나 세라믹 소재로 만들어진다. 따라서 "은의 산화물"은 서미스터의 재료로 사용될 수 없다.
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78. 열음극을 갖는 것은?

  1. 계전기 방전관
  2. 네온관
  3. 정전압 방전관
  4. 수은 정류관
(정답률: 알수없음)
  • 열음극은 전극 중 양극이 뜨거워져 전자가 방출되는 현상을 말합니다. 이러한 현상을 이용하여 전류를 제어하는데, 수은 정류관은 수은을 이용하여 열음극을 만들어 전류를 제어합니다. 따라서 수은 정류관은 열음극을 갖는 것입니다.
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79. 길이 10㎜, 이동도 0.16[m2/Vㆍsec]인 N형 Si의 양단에 전압 10[V]을 가했을 때 전자의 속도는?

  1. 160[m/sec]
  2. 180[m/sec]
  3. 16[m/sec]
  4. 18[m/sec]
(정답률: 알수없음)
  • 전자의 속도는 v = μE로 계산할 수 있습니다. 여기서 μ는 이동도, E는 전기장입니다. 전압은 V = Ed로 표현할 수 있으므로, E = V/d입니다. 따라서 전자의 속도는 v = μE = μV/d입니다. 이를 계산하면 v = 0.16[m2/Vㆍsec] × 10[V] / 10[mm] = 160[m/sec]가 됩니다. 따라서 정답은 "160[m/sec]"입니다.
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80. 피에조 저항(piezo resistance)은?

  1. 압력 변화에 의한 저항의 변화이다.
  2. 자계 변화에 의한 저항의 변화이다.
  3. 온도 변화에 의한 저항의 변화이다.
  4. 광전류 변화에 의한 저항의 변화이다.
(정답률: 알수없음)
  • 피에조 저항은 압력에 따라 저항이 변화하는 성질을 가지고 있기 때문에 "압력 변화에 의한 저항의 변화이다." 라는 답이 맞습니다. 즉, 압력이 가해지면 저항이 변화하게 되는데, 이는 피에조 저항의 특성 중 하나입니다.
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5과목: 전자계산기일반

81. 프로세서를 경유하지 않고 데이터를 직접 메모리와 입Χ출력하는 방식은?

  1. Strobe 방식
  2. Flag 검사 방식
  3. DMA 방식
  4. Hand-Shaking 방식
(정답률: 알수없음)
  • DMA 방식은 프로세서를 경유하지 않고 데이터를 직접 메모리와 입출력하는 방식으로, 데이터 전송 속도를 높이고 프로세서의 부담을 줄일 수 있기 때문에 사용된다. 따라서 DMA 방식이 정답이다.
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82. DRAM에 대한 설명 중 가장 거리가 먼 것은?

  1. 플립플롭의 조합으로 구성되었다.
  2. 회생(refresh) 회로가 필요하다.
  3. SRAM에 비해 회로가 대단히 간단하다.
  4. SRAM에 비해 가격이 저렴하고, 전력 소모가 적다.
(정답률: 알수없음)
  • "플립플롭의 조합으로 구성되었다."는 DRAM의 구성 방식에 대한 설명이며, "회생(refresh) 회로가 필요하다."는 DRAM의 동작 방식에 대한 설명입니다. "SRAM에 비해 가격이 저렴하고, 전력 소모가 적다."는 DRAM의 장점에 대한 설명이며, "SRAM에 비해 회로가 대단히 간단하다."는 잘못된 설명입니다. 실제로 DRAM은 SRAM보다 회로가 복잡하고, 회로 설계가 어렵습니다.
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83. 시스템 소프트웨어에 대한 설명으로 가장 올바른 것은?

  1. 라이브러리 프로그램은 응용 프로그래머에게 표준 루틴을 제공한다.
  2. 언어 프로세서는 기계언어를 사용자 편의로 된 언어로 번역한다.
  3. 진단 프로그램은 컴퓨터의 고장을 고쳐준다.
  4. 로더 프로그램은 주기억장치의 내용을 보조 기억장치로 보낸다.
(정답률: 알수없음)
  • 라이브러리 프로그램은 응용 프로그래머에게 표준 루틴을 제공한다는 것은, 응용 프로그래머가 자주 사용하는 기능들을 이미 만들어진 코드로 제공하여 개발 시간과 비용을 절약할 수 있도록 도와준다는 것을 의미한다. 따라서 응용 프로그래머는 이러한 라이브러리 프로그램을 호출하여 사용할 수 있다.
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84. 수치 데이터의 입 Χ출력이 많은 경우 수치 데이터를 2진수로 변환하지 않고 10진 상태로 나타내는 형식을 무엇이라 하는가?

  1. 팩(pack)10진 데이터 형식
  2. 부동 소수점 데이터 형식
  3. 고정소수점 데이터 형식
  4. 2진 데이터 형식
(정답률: 알수없음)
  • 팩(pack)10진 데이터 형식은 수치 데이터를 2진수로 변환하지 않고 10진 상태로 나타내는 형식이다. 이는 수치 데이터의 입출력이 많은 경우에 유용하며, 데이터의 크기를 줄일 수 있어 저장 공간을 절약할 수 있다. 또한, 10진수로 표현되기 때문에 계산이 용이하다는 장점이 있다.
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85. 주소 지정 방식을 자료에 접근하는 방법에 따라 접근할 때 이에 속하지 않는 것은?

  1. 직접 주소 (direct addressing)
  2. 즉각 주소 (immediate addressing)
  3. 간접 주소 (indirect addressing)
  4. 상대 주소 (relative addressing)
(정답률: 알수없음)
  • 상대 주소는 현재 위치에서 상대적인 위치를 나타내는 방식으로 접근하는 방법이다. 다른 주소 지정 방식은 모두 절대적인 위치를 나타내는 방식으로 자료에 접근한다. 따라서 상대 주소는 다른 주소 지정 방식과는 달리 절대적인 위치를 나타내지 않으므로, 이에 속하지 않는다.
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86. 마이크로프로세서의 특징으로 가장 거리가 먼 것은?

  1. 마이크로프로세서를 사용한 제품은 저렴해진다.
  2. 마이크로프로세서를 사용한 제품은 기능 변경이나 확장이 용이하다.
  3. 마이크로프로세서를 사용하여 제품을 만들려면 소형화되고, 경량화 된다.
  4. 마이크로프로세서를 사용한 제품은 회로가 대단히 복잡하므로 고장 발생시 보수가 대단히 어렵다.
(정답률: 알수없음)
  • "마이크로프로세서를 사용한 제품은 회로가 대단히 복잡하므로 고장 발생시 보수가 대단히 어렵다."는 마이크로프로세서의 특징 중에서 가장 거리가 먼 것이다. 이는 마이크로프로세서를 사용한 제품이 작고 복잡한 회로를 가지고 있기 때문에 고장 발생시 수리가 어렵고 복잡하다는 것을 의미한다. 따라서, 이러한 제품을 수리하려면 전문 기술과 장비가 필요하며, 이는 비용이 많이 들 수 있다.
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87. ALU에서 처리된 결과를 일시 저장하는 레지스터는 어떤 것인가?

  1. 상태레지스터
  2. 명령레지스터
  3. 누산기
  4. 범용레지스터
(정답률: 알수없음)
  • ALU에서 처리된 결과를 일시 저장하는 레지스터는 누산기이다. 이는 ALU에서 수행된 계산 결과를 저장하고 다음 계산에 사용하기 위해 필요하기 때문이다. 누산기는 CPU의 핵심 구성 요소 중 하나로, 산술 연산을 수행하는 데 필수적인 레지스터이다.
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88. 가상 기억체제에서 주소 공간이 1024K 이고, 기억 공간은 64K라고 가정할 때, 주기억장치의 주소 레지스터는 몇 비트로 구성되는가?

  1. 10
  2. 12
  3. 14
  4. 16
(정답률: 알수없음)
  • 1024K는 2의 10승을 2번 곱한 값이므로, 20비트가 필요하다. 기억 공간이 64K이므로, 16비트가 필요하다. 따라서, 주소 레지스터는 20비트와 16비트를 합한 36비트가 필요하다. 따라서, 정답은 "16"이다.
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89. 레지스터(Register)의 설명 중 옳지 않은 것은?

  1. 누산기(accumulator)도 레지스터의 일종이다.
  2. CPU 내부에 있으며, 자료를 기억하는 기능을 가지고 있다.
  3. 레지스터 상호 간에 자료의 전달은 버스를 이용한다.
  4. 레지스터의 수가 많으면 컴퓨터의 효율이 떨어진다. 국가기술자격검정필기시험문제
(정답률: 알수없음)
  • "레지스터의 수가 많으면 컴퓨터의 효율이 떨어진다."는 옳지 않은 설명이다. 레지스터의 수가 많을수록 더 많은 데이터를 저장하고 처리할 수 있으므로 컴퓨터의 성능이 향상된다. 따라서 이 보기가 옳지 않은 것이다.
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90. 주 기억장치에서 캐시 메모리로 데이터를 전송하는 매핑 방법이 아닌 것은?

  1. 어소시어티브 매핑(Associative Mapping)
  2. 직접 매핑(Direct Mapping)
  3. 간접 매핑(Indirect Mapping)
  4. 세트-어소시어티브 매핑(Set-Associative Mapping)
(정답률: 알수없음)
  • 간접 매핑은 주 기억장치의 주소를 캐시 메모리의 인덱스로 사용하지 않고, 주소를 가리키는 포인터를 사용하여 데이터를 전송하는 방식입니다. 따라서 캐시 메모리의 인덱스와 주소가 일치하지 않아도 데이터를 전송할 수 있습니다. 이와 달리 어소시어티브 매핑, 직접 매핑, 세트-어소시어티브 매핑은 모두 주 기억장치의 주소를 캐시 메모리의 인덱스로 사용하여 데이터를 전송하는 방식입니다.
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91. 가상 메모리(virtual memory)에 대한 설명 중 옳지 않은 것은?

  1. 컴퓨터시스템의 처리속도를 개선하기 위한 방법이다.
  2. 컴퓨터의 기억용량을 확장하기 위한 것이 목적이다.
  3. 관리 방식은 Paging과 segmentation 기법이 있다.
  4. 주로 하드웨어 보다는 소프트웨어로 실현된다.
(정답률: 알수없음)
  • "컴퓨터시스템의 처리속도를 개선하기 위한 방법이다."가 옳은 설명이다. 가상 메모리는 물리적인 메모리보다 큰 용량을 제공하여 프로그램이 실행될 때 필요한 데이터를 미리 로드하여 처리 속도를 향상시키는 방법이다. 따라서 "컴퓨터시스템의 처리속도를 개선하기 위한 방법이다."가 틀린 설명이 아니다.
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92. 인터럽트 처리 과정 중 인터럽트 장치를 소프트웨어에 의하여 판별하는 방법은?

  1. 스택
  2. 벡터 인터럽트
  3. 폴링
  4. 핸드쉐이킹
(정답률: 알수없음)
  • 인터럽트 처리 과정 중 인터럽트 장치를 소프트웨어에 의하여 판별하는 방법은 폴링입니다. 폴링은 주기적으로 인터럽트 장치를 확인하여 인터럽트가 발생했는지 여부를 판별하는 방식입니다. 이 방식은 하드웨어적인 지원이 필요하지 않으며, 간단하게 구현할 수 있어서 많이 사용됩니다. 하지만 폴링 방식은 인터럽트가 발생하지 않을 때도 계속해서 확인 작업을 수행하기 때문에 시스템 자원을 낭비할 수 있습니다.
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93. 다음 그림의 연산 결과를 올바르게 나타낸 것은?

  1. 11000001
  2. 00111110
  3. 00111111
  4. 10000011
(정답률: 알수없음)
  • 위 그림은 XOR 연산을 나타내고 있습니다. XOR 연산은 두 비트가 다를 때 1을 반환하고 같을 때 0을 반환합니다.

    따라서, 첫 번째 비트는 1과 1이 같으므로 0이 되고, 두 번째 비트는 0과 0이 같으므로 0이 되고, 세 번째 비트는 1과 0이 다르므로 1이 되고, 네 번째 비트는 0과 0이 같으므로 0이 됩니다.

    따라서, 연산 결과는 "00111110"이 됩니다.

    그리고 보기에서 "00111110"이 유일하게 나타나므로, 이것이 정답입니다.
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94. 운영체제(OS)에서 제어 프로그램에 속하지 않는 것은?

  1. 감시 프로그램
  2. 작업 관리 프로그램
  3. 자료 관리 프로그램
  4. 언어 번역 프로그램
(정답률: 알수없음)
  • 운영체제는 시스템 자원을 관리하고 제어하는 역할을 수행하는데, 감시 프로그램, 작업 관리 프로그램, 자료 관리 프로그램은 모두 운영체제의 제어 프로그램에 속합니다. 하지만 언어 번역 프로그램은 운영체제의 제어 프로그램에 속하지 않습니다. 언어 번역 프로그램은 소스 코드를 컴파일하거나 인터프리트하여 실행 파일을 생성하는 등의 작업을 수행하는 프로그램으로, 운영체제의 제어 프로그램과는 별개로 독립적으로 동작합니다.
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95. 마스크를 이용하여 비 수치 데이터의 불필요한 부분을 제거하는데 사용하는 연산은?

  1. AND
  2. OR
  3. XOR
  4. NOR
(정답률: 알수없음)
  • 마스크를 이용하여 비 수치 데이터의 불필요한 부분을 제거하는데 사용하는 연산은 "AND"이다. 이는 마스크와 데이터의 비트 값이 모두 1일 때만 결과가 1이 되기 때문이다. 따라서, 마스크에서 1로 표시된 부분만 데이터에서 유지되고, 0으로 표시된 부분은 제거된다.
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96. 다음 중 단항(unary)연산이 아닌 것은?

  1. MOVE(이동)
  2. ROTATE(로테이트)
  3. Complement(보수)
  4. AND 또는 OR
(정답률: 알수없음)
  • AND와 OR은 이항(binary) 연산이므로 단항 연산이 아니다. MOVE, ROTATE, Complement은 모두 단항 연산이다.
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97. 다음의 논리 함수를 간소화 한 결과는?

  1. X
  2. XY
  3. X + Y
  4. Y
(정답률: 알수없음)
  • 논리식을 간소화하면 X + Y 가 된다.

    이유는 OR 게이트의 입력 중 하나가 1이면 출력이 1이 되기 때문에,

    X + XY + Y 는 X + Y 와 같은 결과를 가진다.

    따라서, X + Y 가 정답이 된다.
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98. 부동소수점 표시(floating-point representation) 방법에서 가수의 소수점 이하 첫째자리가 0이 되지 않도록 하는 과정은?

  1. 표준화(standardization)
  2. 소수점 자리맞추기(alignment)
  3. 정규화(normalization)
  4. 세그먼트화(segmentation)
(정답률: 알수없음)
  • 부동소수점 표시에서 가수의 소수점 이하 첫째자리가 0이 되지 않도록 하는 과정은 정규화(normalization)이다. 이는 가수의 소수점을 왼쪽으로 이동시켜서 첫째자리가 1이 되도록 만드는 것을 말한다. 이렇게 하면 가수의 첫째자리는 항상 1이 되므로, 이를 생략하고 지수부에 따로 저장함으로써 저장공간을 절약할 수 있다.
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99. 스택(stack)이 반드시 필요한 명령문 형식은?

  1. 0 주소 형식
  2. 1 주소 형식
  3. 2 주소 형식
  4. 3 주소 형식
(정답률: 알수없음)
  • 스택은 후입선출(LIFO) 구조로 데이터를 저장하고 꺼내는 자료구조이다. 따라서 스택을 이용한 명령문 형식에서는 주소를 스택에 저장하거나 스택에서 꺼내어 사용하는 방식이 필요하다. 이를 위해 "0 주소 형식"이 사용되는데, 이는 명령어 자체가 주소를 나타내는 것이 아니라 스택에서 값을 꺼내어 사용하는 방식이기 때문이다. 따라서 스택을 이용한 명령문 형식에서는 "0 주소 형식"이 반드시 필요하다.
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100. 산술논리연산장치(ALU)의 구성 요소가 아닌 것은?

  1. Accumulator
  2. adder
  3. Counter
  4. Instruction Register
(정답률: 알수없음)
  • Instruction Register는 ALU의 구성 요소가 아니라 제어 유닛(Control Unit)의 구성 요소이기 때문입니다. ALU는 산술 연산과 논리 연산을 수행하는데 필요한 레지스터와 논리 게이트, 그리고 이들을 제어하는 논리 회로 등으로 구성됩니다. 반면에 Instruction Register는 CPU에서 명령어를 저장하고 해독하는 역할을 수행하는 레지스터 중 하나입니다.
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