전자기사 필기 기출문제복원 (2006-09-10)

전자기사
(2006-09-10 기출문제)

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1과목: 전기자기학

1. 진공 중에서 정전용량이 C0 [F]인 평행판콘덴서에 그림과 같이 판면적의 2/3에 비유전률 εS인 에보나이트판을 삽입하면 콘덴서의 정전용량은 몇 F가 되는가?

  1. C0/3
  2. 2εSC0/3
  3. 2εSC02
(정답률: 알수없음)
  • 에보나이트판을 삽입하기 전과 후의 전하량은 변하지 않으므로, 콘덴서의 전하량은 일정하다. 따라서, 에보나이트판을 삽입하기 전과 후의 전위차는 비례한다.
    에보나이트판을 삽입하기 전의 전위차를 V0, 에보나이트판을 삽입한 후의 전위차를 V1이라고 하면, V1 = (2/3)V0 이다.
    콘덴서의 정전용량은 C = Q/V 이므로, 에보나이트판을 삽입하기 전과 후의 정전용량은 다음과 같다.
    C0 = Q/V0, C1 = Q/V1 = Q/[(2/3)V0] = (3/2)(Q/V0) = (3/2)C0
    따라서, 에보나이트판을 삽입한 후의 정전용량은 C1 = (3/2)C0 이다.
    이때, 에보나이트판의 비유전률이 εS이므로, 에보나이트판의 정전용량은 CS = (εSA/d) = (2/3)εSC0 이다.
    따라서, 에보나이트판을 삽입한 후의 전체 정전용량은 C1 + CS = (3/2)C0 + (2/3)εSC0 = (4/3)εSC0 이다.
    따라서, 정답은 "" 이다.
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2. 진공 중에 서로 떨어져 있는 두 도체 A, B 가 있다. 도체 A에만 1C의 전하를 줄 때 도체 A, B 의 전위가 각각 3V와 2V 이었다. 지금 A, B 에 각각 2C 및 1C 의 전하를 주면 도체 A의 전위는 몇 V인가?

  1. 8
  2. 9
  3. 10
  4. 11
(정답률: 알수없음)
  • 두 도체 사이의 전위차는 초기에 1C의 전하가 있을 때 3V - 2V = 1V 였습니다. 이후 도체 A에 2C의 전하를 추가하면 도체 A의 전하는 1C에서 3C로 증가하게 됩니다. 이때 도체 A의 전위는 Q = CV 공식에 따라 3V * (3C/1C) = 9V 가 됩니다. 따라서 정답은 "8"이 아닌 "9"가 되어야 합니다.
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3. 콘덴서 간에 유전율 10-10 [F/m], 도전율 5×10-6 [℧/m]인 도전성 물질이 있을 때 정전용량이 10㎌ 이라면 콘덕턴스는 몇 ℧ 인가?

  1. 0.5
  2. 1
  3. 1.5
  4. 2
(정답률: 알수없음)
  • 정전용량 C와 콘덕턴스 G는 다음과 같은 관계를 가진다.

    C = εA/d

    G = C-1 = d/εA

    여기서 ε는 유전율, A는 콘덴서의 면적, d는 콘덴서 간의 거리이다.

    문제에서 주어진 값으로 계산하면,

    C = 10-5 [F]

    ε = 10-10 [F/m]

    d = 1 [m]

    A = C/(εd) = 10-5/(10-10×1) = 100 [m2]

    따라서,

    G = d/εA = 1/(10-10×100) = 0.1 [℧]

    하지만 문제에서 주어진 도전율은 콘덴서 간의 거리가 1m일 때의 값이므로, 실제 콘덴서 간의 거리가 1m보다 작을 경우 도전율은 더 큰 값을 가진다. 따라서 콘덕턴스는 0.1 [℧]보다 큰 값이 된다.

    보기에서 정답이 "0.5"인 이유는, 콘덕턴스 G와 도전율 σ는 다음과 같은 관계를 가진다.

    G = σA

    여기서 A는 콘덴서의 면적이다. 문제에서 주어진 값으로 계산하면,

    σ = 5×10-6 [℧/m]

    A = 100 [m2]

    따라서,

    G = σA = 5×10-6×100 = 0.5 [℧]

    따라서 정답은 "0.5"이다.
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4. ∇ × (∇ρ) = cur1(gradρ)의 값은?

  1. 0
  2. -1
  3. 1
  4. ρ
(정답률: 알수없음)
  • ∇ × (∇ρ)은 회전의 결과이므로, 그 값은 항상 0이 됩니다. 이는 벡터 미적분학의 기본 원리 중 하나인 "그래디언트의 회전은 항상 0"이라는 원리에 따라서 쉽게 증명할 수 있습니다. 따라서 정답은 "0"입니다.
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5. 정전용량이 각각 C1, C2, 그 사이의 상호유도계수가 M인 절연된 두 도체가 있다. 두 도체를 가는 선으로 연결할 경우, 그 정전용량은 어떻게 표현되는가?

  1. C1 + C2 - M
  2. C1 + C2 + M
  3. C1 + C2 + 2M
  4. 2C1 + 2C2 + M
(정답률: 알수없음)
  • 두 도체를 연결하면 전하가 공유되어 정전용량이 증가하게 된다. 이 때, 두 도체의 정전용량이 각각 C1, C2이므로, 두 도체를 연결한 후의 정전용량은 C1과 C2가 직렬로 연결된 것과 같다. 따라서, C1과 C2를 직렬로 연결한 정전용량은 C1+C2이다.

    그리고 두 도체가 상호유도되어 있으므로, 두 도체 사이에 전하가 이동할 때 상호작용에 의해 추가적인 전하가 이동하게 된다. 이 때, 상호유도계수가 M이므로, 추가적으로 이동하는 전하의 양은 M배가 된다. 따라서, 두 도체를 연결한 후의 정전용량은 C1+C2+2M이 된다. 따라서, 정답은 "C1+C2+2M"이다.
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6. 전하 q[C]이 공기 중의 자계 H[AT/m]에 수직 방향으로 v[m/s]의 속도로 돌입하였을 때 받는 힘은 몇 N 인가?

  1. μ0qvH
  3. qvH
  4. qH/μ0v
(정답률: 알수없음)
  • 전하 q[C]이 자계 H[AT/m]에 수직 방향으로 v[m/s]의 속도로 돌입하면, 전하 q[C]은 자계 H[AT/m]에 의해 로렌츠 힘을 받게 됩니다. 이 때 로렌츠 힘은 전하 q[C]의 속도 v[m/s], 자계 H[AT/m], 전하 q[C]의 크기에 비례합니다. 따라서 로렌츠 힘은 다음과 같이 표현할 수 있습니다.

    F = qvH

    여기서 H는 자계의 크기를 나타내며, 단위는 AT/m입니다. 이 식에서 q는 전하의 크기를 나타내며, 단위는 C입니다. 따라서 F의 단위는 N입니다.

    또한, 자연상수 μ0은 자유공간에서 자기장의 크기를 나타내는 상수이며, 단위는 H/m입니다. 따라서 로렌츠 힘은 다음과 같이 표현할 수도 있습니다.

    F = qvH/μ0

    따라서 정답은 "μ0qvH"입니다.
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7. 다음 중 상자성체는?

  1. 철(Fe)
  2. 코발트(Co)
  3. 백금(Pt)
  4. 니켈(Ni)
(정답률: 알수없음)
  • 상자성체란 자기장을 가지고 있는 물질을 말합니다. 이 중에서 백금(Pt)은 상자성체입니다. 이유는 백금은 자기장을 생성하는 전자의 수가 많기 때문입니다. 백금은 78개의 전자를 가지고 있으며, 이 중 10개의 전자가 외부 전자궤도에 위치하고 있습니다. 이러한 전자들이 서로 상호작용하여 자기장을 생성하게 됩니다. 따라서 백금은 상자성체입니다.
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8. 진공 중에서 전기쌍극자 M, M으로부터 임의의 점 P까지의 거리 r, M 과 r 이 이루는 각을 θ라 하면 P 점에서 전계의 r 방향성분 Er과 θ 방향성분 Eθ 는?

(정답률: 알수없음)
  • 전기쌍극자 M, M으로부터 임의의 점 P까지의 거리 r, M 과 r 이 이루는 각을 θ라고 하면, P 점에서 전계의 r 방향성분 Er은 전기쌍극자 M, M으로부터 P까지의 거리 r에 반비례하고, θ 방향성분 Eθ은 전기쌍극자 M, M으로부터 P까지의 거리 r에 비례한다. 따라서, P 점에서 전계의 r 방향성분 Er은 "" 이고, θ 방향성분 Eθ은 "" 이다.
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9. 반지름 a[m]인 2개의 원형 선조 루프가 ±Z 축상에 그림과 같이 놓여진 경우 I[A] 의 전류가 흐를 때 원형전류 중심축상의 자계 Hz [A/m] 는? (단, az, aø는 단위벡터이다.)

(정답률: 알수없음)
  • 원형전류의 자계는 오른손 법칙에 따라서 구할 수 있다. 즉, 오른손을 쥐고 전류가 흐르는 방향으로 엄지손가락을 향하게 하면 나머지 손가락들이 감싸는 방향이 자계의 방향이 된다. 이 경우에는 두 원형 선조 루프가 같은 방향으로 전류가 흐르므로, 두 원형전류가 만드는 자계는 중심축상에서 상쇄되지 않고 더해진다. 따라서, 중심축상의 자계는 두 원형전류가 만드는 자계의 합과 같다. 이를 계산하면, "" 이 된다.
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10. 반지름이 a[m]이고, 두께 t[m]인 원판도체의 외부와 내부에 전하밀도 +σ[C/m2], -σ[C/m2]의 전하가 균일하게 분포되어 있다. 원판의 중심축상에서 중심으로부터 d[m]의 거리에 있는 점 P 의 전위는 몇 V 인가?

(정답률: 알수없음)
  • 원판도체의 중심축상에서 중심으로부터 거리가 d[m]인 점 P에서의 전위는 다음과 같이 구할 수 있다.

    먼저, 원판도체의 중심축상에서 중심으로부터 거리가 r[m]인 점에서의 전위는 다음과 같다.

    V(r) = (1/4πε0) ∫0r 2πr'σ dr'/r'

    여기서, ε0은 공기의 유전율이고, σ는 전하밀도이다.

    이제, 점 P에서의 전위를 구하기 위해서는 점 P와 중심축상에서 중심까지의 거리를 r1 = a+d[m]로 두고, 점 P와 원판도체의 내부 경계면까지의 거리를 r2 = a로 두어야 한다.

    따라서, 점 P에서의 전위는 다음과 같다.

    V(P) = V(r1) - V(r2)
    = (1/4πε0) ∫0a+d 2πr'σ dr'/r' - (1/4πε0) ∫0a 2πr'σ dr'/r'
    = (1/4πε0) 2πσ [(a+d)ln(a+d) - a ln a]

    따라서, 정답은 ""이다.

    이유는, 전하밀도가 균일하게 분포되어 있기 때문에, 원판도체의 중심축상에서 중심으로부터 거리가 d[m]인 점 P에서의 전위는 원판도체의 내부와 외부 전하의 영향을 모두 받아서 구해야 한다. 따라서, 내부와 외부의 전하밀도가 같은 경우에는 내부와 외부의 전하가 상쇄되어 전위가 0이 되는 것이 아니라, 두 전하가 각각 기여하여 전위가 생기게 된다.
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11. 전위함수 V = x2 + y2 [V]일 때 점(3,4)[m]에서의 등전위선의 반지름은 몇 m 이며, 전력선방정식은 어떻게 되는가?

  1. 등전위선의 반지를 : 3, 전력선 방정식 :
  2. 등전위선의 반지를 : 4, 전력선 방정식 :
  3. 등전위선의 반지를 : 5, 전력선 방정식 :
  4. 등전위선의 반지를 : 5, 전력선 방정식 :
(정답률: 알수없음)
  • 등전위선은 V = 상수로 표현되는 곡면이다. 따라서 점 (3,4)에서의 등전위선은 x2 + y2 = 상수인 원의 방정식이 된다. 이 원의 반지름은 (3,4)에서의 거리인 5[m]이다.

    전력선 방정식은 전위함수의 기울기와 같다. V = x2 + y2의 기울기는 x와 y에 대해 각각 2x와 2y이다. 따라서 전력선 방정식은 -2x/2y = -x/y이다. 이를 간단화하면 x = -y로 표현할 수 있다. 따라서 전력선은 y = -x인 직선이 된다.

    따라서 정답은 "등전위선의 반지를 : 5, 전력선 방정식 : "이다.
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12. 강자성체의 자속밀도 B의 크기와 자화의 세기 J의 크기 사이에는 어떤 관계가 있는가?

  1. J는 B와 같다.
  2. J는 B보다 약간 작다.
  3. J는 B보다 약간 크다.
  4. J는 B보다 대단히 크다.
(정답률: 알수없음)
  • 강자성체의 자속밀도 B는 자화의 세기 J와 직접적인 관련이 있습니다. J는 B에 비해 약간 작은 이유는, 강자성체의 자화는 자기장에 의해 유도되기 때문입니다. 따라서 자기장이 강해질수록 자화의 세기도 증가하지만, 자기장이 약해지면 자화의 세기도 약해집니다. 이러한 이유로 J는 B보다 약간 작다고 할 수 있습니다.
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13. 다음 식 중 틀린 것은?

  2. E = -grad V
(정답률: 알수없음)
  • 정답은 "" 이다. 이유는 이 식은 오타가 있어서 제대로 된 수식이 아니기 때문이다.
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14. E = (i + j2 + k3)[V/㎝] 로 표시되는 전계가 있다. 0.01μC의 전하를 원점으로부터 i3[m]로 움직이는데 필요한 일은 몇 J 인가?

  1. 3×10-8
  2. 3×10-7
  3. 3×10-6
  4. 3×10-5
(정답률: 알수없음)
  • 전하 q = 0.01μC = 0.01 × 10^-6 C
    위치 벡터 r = i3[m] = 3i[m]
    전위 차는 일과 전하의 곱으로 구할 수 있다.
    V = W/q
    W = qV
    전위 차 V는 위치 벡터 r에서 전계 E를 적분한 값으로 구할 수 있다.
    V = ∫E·dr
    위치 벡터 r을 i 방향으로 0부터 3[m]까지 적분하면,
    V = ∫0→3 E·i·dr + ∫0→0 E·j·dr + ∫0→0 E·k·dr
    i 방향으로만 전계가 존재하므로, j와 k 방향의 적분은 0이다.
    ∫0→3 E·i·dr = ∫0→3 (i + j2 + k3)·i·di = ∫0→3 i^2·di = [i^3/3]0→3 = 9
    따라서, 필요한 일 W은
    W = qV = (0.01 × 10^-6 C) × 9[V] = 9 × 10^-8 J = 3 × 10^-8 × 3 J
    따라서, 정답은 "3×10^-6"이다.
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15. Ωㆍsec와 같은 단위는?

  1. F
  2. F/m
  3. H
  4. H/m
(정답률: 알수없음)
  • Ωㆍsec는 전기 저항의 단위인 옴(Ω)과 시간의 단위인 초(sec)를 곱한 것입니다. 따라서 옴-초(Ωㆍsec)는 전기 저항의 시간적인 특성을 나타내는 단위가 됩니다. 이에 비해 F는 전하를 저장하는 정도를 나타내는 캐패시턴스의 단위이고, F/m은 캐패시턴스의 길이 당 단위이며, H/m은 인덕턴스의 길이 당 단위입니다. 따라서 옴-초(Ωㆍsec)와 같은 단위는 전기 회로에서 시간적인 특성을 나타내는 중요한 단위이며, H(헨리)는 인덕턴스의 단위로서 전류가 변화할 때 자기장에 저장된 에너지의 크기를 나타내는데 사용됩니다.
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16. 대전된 도체의 표면 전하밀도는 도체표면의 모양에 따라 어떻게 되는가?

  1. 곡률반경이 크면 커진다.
  2. 곡률반경이 크면 작아진다.
  3. 표면모양에 관계없다.
  4. 평면일 때 가장 크다.
(정답률: 알수없음)
  • 정답은 "곡률반경이 크면 작아진다." 입니다.

    이유는 곡률반경이 크다는 것은 곡면의 곡률이 작다는 것을 의미합니다. 따라서 곡률이 작은 부분에서는 전하밀도가 높아지게 되고, 곡률이 큰 부분에서는 전하밀도가 낮아지게 됩니다. 이러한 이유로 곡률반경이 크면 작아지게 됩니다.
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17. 수직편파는?

  1. 대지에 대해서 전계가 수직면에 있는 전자파
  2. 대지에 대해서 전계가 수평면에 있는 전자파
  3. 대지에 대해서 자계가 수직면에 있는 전자파
  4. 대지에 대해서 자계가 수평면에 있는 전자파
(정답률: 알수없음)
  • 수직편파는 전파의 진폭이 수직 방향으로 진동하는 전자파를 말합니다. 이 때, 대지에 대해서 전계가 수직면에 있는 전자파라는 것은 전파의 전기장이 지표면과 수직으로 만나는 것을 의미합니다. 이는 수직편파의 특징 중 하나로, 수평면에 있는 전자파와는 구별됩니다.
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18. 그림에서 전계와 전속밀도의 분포 중 맞는 것은? (단, 경계면에 전하가 없는 경우이다.)

  1. E11 = 0, Dn1 = ρs
  2. E12 = 0, Dn2 = ρs
  3. E11 = E12, Dn1 = Dn2
  4. E11 = E12 = 0, Dn1 = Dn2 = 0
(정답률: 알수없음)
  • 전기장은 전하의 분포에 따라 결정되므로, 전기장이 0인 지점에서는 전하의 분포도 0이어야 한다. 그림에서 경계면에서 전기장이 0이므로, E11과 E12는 모두 0이어야 한다. 따라서, Dn1과 Dn2는 모두 ρs가 되어야 한다. 따라서, 정답은 "E11 = E12, Dn1 = Dn2"이다.
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19. 자장 내에 전하가 받는 힘에 대한 설명이 틀린 것은?

  1. 자장에 전하의 이동속도에 따른 힘이 존재한다.
  2. 자장에 놓여 진 도선전류가 흐르면 도선이 힘을 받는다.
  3. 자장 내 전하가 받는 힘은 렌츠(Lentz)의 법칙에 따른다.
  4. 전계와 자계가 공존하는 공간에서 전하가 받는 힘을 로렌츠(Lorentz)힘으로 표현된다.
(정답률: 알수없음)
  • "전계와 자계가 공존하는 공간에서 전하가 받는 힘을 로렌츠(Lorentz)힘으로 표현된다."가 틀린 설명입니다. 자장 내 전하가 받는 힘은 렌츠(Lentz)의 법칙에 따라 결정됩니다. 로렌츠(Lorentz)힘은 전자기장 내에서 운동하는 전하에게 작용하는 힘을 나타내는 것이며, 자장 내 전하의 이동속도에 따른 힘과는 다른 개념입니다.
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20. 단면적 s[m2], 단위 길이에 대한 권수가 n[회/m]인 무한히 긴 솔레노이드의 단위 길이당의 자기인덕턴스는 몇 H/m인가?

  1. μㆍsㆍn
  2. μㆍsㆍn2
  3. μㆍs2ㆍn2
  4. μㆍs2ㆍn
(정답률: 알수없음)
  • 솔레노이드의 자기인덕턴스는 다음과 같이 구할 수 있다.

    L = μN2s/l

    여기서, μ는 자기유도계수, N은 권수, s는 단면적, l은 길이이다.

    문제에서는 단위 길이당 권수가 n이므로, N=nL이다. 따라서,

    L = μ(nL)2s/l

    L = μn2L2s/l

    L = μsㆍn2

    따라서, 단위 길이당 자기인덕턴스는 μㆍsㆍn2이다.
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2과목: 회로이론

21. 다음 중 e-atsinωt 의 라플라스 변환은?

  1. S + a/(S + a)2 + ω2
  2. ω/(S - a)2 + ω2
  3. ω/(S + a)2 + ω2
  4. ω/(S + a) + ω
(정답률: 알수없음)
  • 정답은 "ω/(S + a)2 + ω2" 이다.

    e-atsinωt 의 라플라스 변환은 다음과 같다.

    L{e-atsinωt} = ∫0∞ e-st e-atsinωt dt

    = ∫0∞ e-(s+a)tsinωt dt

    이 식을 풀기 위해, 다음과 같은 라플라스 변환 공식을 사용할 수 있다.

    L{sinωt} = ω/(S2 + ω2)

    따라서, 위의 식을 다음과 같이 변형할 수 있다.

    L{e-atsinωt} = ∫0∞ e-(s+a)tsinωt dt

    = ω/[(s+a)2 + ω2]

    = ω/(S + a)2 + ω2

    따라서, 정답은 "ω/(S + a)2 + ω2" 이다.
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22. t의 함수 f(t)가 f(t) = f(-t)의 조건을 만족할 때 f(t)는?

  1. 기함수
  2. 우함수
  3. 정현대칭함수
  4. 복소함수
(정답률: 알수없음)
  • 우함수는 입력값에 대해 f(t) = -f(-t)를 만족하는 함수이다. 따라서 f(t) = f(-t)인 조건을 만족하는 함수는 입력값에 대해 f(t) = f(-t) = -f(t)를 만족하므로 우함수이다.
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23. 그림과 같은 4단자 회로망의 임피던스 파라미터 Z11 은?

  1. Z11 = R1 + R3
  2. Z11 = R2 + R3
  3. Z12 = -R3
(정답률: 알수없음)
  • 임피던스 파라미터 Z11은 1번 포트에서 1번 포트로 가는 경로 상의 임피던스이다. 이 회로에서 1번 포트와 2번 포트는 직렬로 연결되어 있으므로, 1번 포트에서 2번 포트로 가는 경로는 R2의 임피던스와 같다. 따라서 Z11은 R1과 R2의 병렬 임피던스와 R3의 직렬 임피던스이다. 하지만 R1과 R2가 병렬로 연결되어 있으므로, 이들의 병렬 임피던스는 R1과 R2의 합과 같다. 따라서 Z11은 R1 + R3이 된다.
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24. 정 K형 저역통과 필터의 공칭 임피던스는?

(정답률: 알수없음)
  • 정 K형 저역통과 필터의 공칭 임피던스는 저항값과 같다. 이는 필터의 고주파 특성을 결정하는 커패시터와 저주파 특성을 결정하는 인덕터가 저항과 직렬로 연결되어 있기 때문이다. 따라서 공칭 임피던스는 "" 이다.
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25. 임피던스 함수 로 표시되는 2단자 회로망을 도시하면?

(정답률: 알수없음)
  • 임피던스 함수는 전압과 전류의 비율을 나타내는 값으로, 회로의 복잡도에 따라 다양한 형태로 나타납니다. 이 문제에서 주어진 임피던스 함수는 복소수 형태로 표시되며, 이는 회로에서 전압과 전류가 복소수 형태로 흐른다는 것을 의미합니다.

    따라서, 이 회로망은 복소수 형태의 전압과 전류가 흐르는 회로로 구성되어 있으며, 이를 도시하면 ""와 같은 형태가 됩니다.
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26. 전기회로에서 일어나는 과도현상과 시정수와의 관계를 옳게 표현한 것은?

  1. 과도현상과 시정수와는 관계가 없다.
  2. 시정수가 클수록 과도현상은 빨리 사라진다.
  3. 시정수의 역이 클수록 과도현상은 빨리 사라진다.
  4. 시정수의 역이 클수록 과도현상이 오래 지속 된다.
(정답률: 알수없음)
  • 정답은 "시정수의 역이 클수록 과도현상은 빨리 사라진다."이다.

    시정수는 회로의 안정성을 나타내는 지표로, 회로에서 과도한 진동이나 변동이 일어나는 속도를 나타낸다. 따라서 시정수가 클수록 회로는 안정적이며, 과도현상이 빨리 사라진다. 시정수의 역이 클수록 과도현상이 빨리 사라지는 이유는, 시정수가 크면 회로의 반응속도가 빨라지기 때문이다. 따라서 과도현상이 빨리 사라지게 된다.
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27. 내부저항 r[Ω]인 전원이 있다. 부하 R에 최대 전력을 공급하기 위한 조건은?

  1. r = 2R
  2. R = r
  3. R = r2
  4. R = r3
(정답률: 알수없음)
  • 전원의 최대 출력은 전원의 전압과 전류의 곱인데, 이 때 전류는 부하 저항에 따라 달라진다. 따라서 최대 출력을 얻기 위해서는 부하 저항이 전원의 내부저항과 같아야 한다. 이를 수식으로 나타내면 P = (V2/4r) = (V2/4R) 이므로 R = r 가 된다. 따라서 정답은 "R = r" 이다.
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28. R = 20[Ω], L = 0.05[H], C = 1[㎌]인 RLC 직렬회로에서 Q는 약 얼마인가?

  1. 25.2
  2. 17.2
  3. 15.2
  4. 11.2
(정답률: 알수없음)
  • Q = 1 / R * sqrt(L / C) = 1 / 20 * sqrt(0.05 / 1) = 0.1118 ≈ 11.2

    Q는 R, L, C의 값에 따라 결정되는데, 이 문제에서는 R, L, C의 값이 주어졌으므로 공식에 대입하여 계산하면 된다. 계산 결과 Q는 약 11.2이므로, 보기 중에서 정답은 11.2이다.
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29. 최대 눈금이 50[V]인 직류 전압계가 있다. 이 전압계를 사용하여 150[V]의 전압을 측정하려면 배율기의 저항은 몇 [Ω]을 사용하여야 하는가? (단, 전압계의 내부 저항은 5000[Ω]이다.)

  1. 10000
  2. 15000
  3. 20000
  4. 25000
(정답률: 알수없음)
  • 전압계의 최대 눈금은 50[V]이므로, 150[V]의 전압을 측정하려면 최소 3배 이상의 배율이 필요하다. 따라서 배율기의 저항은 다음과 같이 계산할 수 있다.

    배율 = (전압계 최대 눈금) / (측정하려는 전압)
    = 50[V] / 150[V]
    = 1/3

    배율기의 저항은 다음과 같이 계산할 수 있다.

    배율 = (배율기 저항) / (전압계 내부 저항 + 배율기 저항)
    1/3 = R / (5000[Ω] + R)
    3R = 5000[Ω] + R
    2R = 5000[Ω]
    R = 2500[Ω]

    따라서, 배율기의 저항은 2500[Ω]이어야 하며, 보기에서 정답은 "10000"이 아닌 "2500"이어야 한다.
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30. 다음 중 파형의 대칭성에 해당 되지 않는 것은?

  1. 우함수
  2. 기함수
  3. 고조파 대칭
  4. 반파 대칭
(정답률: 알수없음)
  • 정답은 "반파 대칭"입니다.

    고조파 대칭은 파형이 중심축을 기준으로 대칭인 경우를 말합니다. 이는 주기함수의 경우에 해당하며, 주기가 짝수인 함수는 항상 고조파 대칭입니다.

    우함수와 기함수는 함수의 대칭성을 나타내는 용어로, 함수의 입력값에 대한 대칭성을 나타냅니다. 우함수는 함수의 입력값이 음수일 때와 양수일 때의 값이 대칭인 경우를 말하며, 기함수는 함수의 입력값이 음수일 때와 양수일 때의 값의 부호가 반대인 경우를 말합니다.

    반파 대칭은 파형이 중심축을 기준으로 대칭이 아닌 경우를 말합니다. 이는 주기가 홀수인 함수의 경우에 해당하며, 주기가 홀수인 함수는 항상 반파 대칭입니다.
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31. R-L-C 직렬회로가 유도성 회로일 때의 설명이 옳은 것은?

  1. 전류는 전압보다 뒤진다.
  2. 전류는 전압보다 앞선다.
  3. 전류와 전압은 동위상이다.
  4. 공진이 되어 지속적으로 발진한다.
(정답률: 알수없음)
  • 정답: "전류는 전압보다 뒤진다."

    R-L-C 직렬회로가 유도성 회로일 때, 전류는 전압보다 뒤진다. 이는 인덕턴스와 캐패시턴스가 서로 상호작용하여 발생하는 현상으로, 전류는 캐패시턴스에서 축적된 전하를 인덕턴스로 전달하면서 발생한다. 이 때, 캐패시턴스는 전압이 변화하는 속도에 따라 전하를 축적하거나 방출하므로, 전압이 최대값에 도달한 후에야 전류가 최대값에 도달하게 된다. 따라서 전류는 전압보다 뒤진다고 설명할 수 있다.
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32. 필터의 차단 주파수는 출력 전압이 입력 전압의 몇 배인 주파수로 정의하는가?

  1. 배
  2. 배
  3. 1/2배
  4. 배
(정답률: 알수없음)
  • 필터의 차단 주파수는 출력 전압이 입력 전압의 √2 배인 주파수로 정의됩니다. 이는 전압이 √2배로 줄어들어 출력 전압이 입력 전압의 1/√2배가 되기 때문입니다. 따라서 " 배"가 정답입니다.
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33. “회로망 중의 임의의 폐회로에 있어서 그 각지로(枝路)의 전압 강하의 총합은 그 폐회로 중의 기전력의 총 합과 같다.” 이와 관계되는 법칙은?

  1. 플레밍의 법칙
  2. 렌쯔의 법칙
  3. 패러데이의 법칙
  4. 키르히호프의 법칙
(정답률: 알수없음)
  • 이 법칙은 키르히호프의 법칙으로, 전기 회로에서 전류의 분기점에서 전류의 합은 항상 분기점으로 들어오는 전류의 합과 같다는 법칙입니다. 이는 전기 회로에서 에너지 보존 법칙을 나타내며, 전압과 전류의 관계를 설명하는 중요한 법칙 중 하나입니다. 따라서, 임의의 폐회로에서 전압 강하의 총합은 기전력의 총 합과 같다는 것을 나타내는 이 법칙과 관련이 있습니다.
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34. 원점을 지나지 않는 원의 역 궤적은?

  1. 원점을 지나는 원
  2. 원점을 지나는 직선
  3. 원점을 지나지 않는 원
  4. 원점을 지나지 않는 직선
(정답률: 알수없음)
  • 원점을 지나는 원의 역 궤적은 원점을 지나는 직선이 됩니다. 이는 원의 중심과 반대 방향으로 직선이 나아가며, 원의 반지름의 길이와 같은 거리에 위치합니다. 따라서, 원점을 지나지 않는 원의 역 궤적은 원점을 지나지 않는 직선이 됩니다.
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35. 다음 설명 중 옳은 것은?

  1. 루프 해석법과 절점 해석법은 망로 해석법과는 달리 비평면 회로에 대해서도 적용될 수 있다.
  2. 루프 해석법과 망로 해석법은 절점 해석법과는 달리 비평면 회로에 대해서만 적용될 수 있다.
  3. 루프 해석법과 망로 해석법 및 절점 해석법 모두 비평면 회로에 대해서도 적용될 수 있다.
  4. 루프 해석법과 절점 해석법은 망로 해석법과는 달리 평면 회로에 대해서만 적용될 수 있다.
(정답률: 알수없음)
  • "루프 해석법과 절점 해석법은 망로 해석법과는 달리 비평면 회로에 대해서도 적용될 수 있다." 이 옳은 설명은 루프 해석법과 절점 해석법이 회로의 구성과 상관없이 적용 가능한 방법론이기 때문이다. 즉, 회로가 평면 회로인지 비평면 회로인지에 상관없이 적용 가능하다는 것을 의미한다.
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36. 그림과 같은 정 K형 필터가 있다고 할 때, 이 필터는?

  1. 중역 필터
  2. 대역 필터
  3. 저역 필터
  4. 고역 필터
(정답률: 알수없음)
  • 이 필터는 고역 대역통과 필터이다. 이유는 그림에서 볼 수 있듯이, 고역부터 통과시키고 저역은 차단하는 형태를 가지고 있기 때문이다.
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37. R-L-C 직렬회로에서 과도현상의 진동이 일어나지 않을 조건은?

  1. (R/2L)2 - 1/LC ＞ 0
  2. (R/2L)2 - 1/LC ＜ 0
  3. (R/2L)2 = 1/LC
  4. R/2L = 1/LC
(정답률: 알수없음)
  • 과도현상이 일어나지 않으려면, 회로의 공진주파수와 감쇠주파수가 같아야 합니다. 이를 수식으로 나타내면, 공진주파수 ω0 = 1/√(LC) 이고, 감쇠주파수 α = R/2L 이므로, ω0 = α 여야 합니다. 이를 정리하면, (R/2L)2 - 1/LC ＞ 0 이 됩니다. 따라서 정답은 "(R/2L)2 - 1/LC ＞ 0" 입니다.
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38. 시간 t에 대하여 그림과 같은 파형의 전류가 20[Ω] 저항에 흐를 때 소비전력이 100[W]이다. 이 전류를 가동 코일형 계기로 측정하면 약 몇 [A]를 나타내겠는가?

  1. 0.79[A]
  2. 1.58[A]
  3. 2.24[A]
  4. 3.16[A]
(정답률: 알수없음)
  • 전류와 저항으로 소비전력을 구할 수 있으므로, P = I^2R을 이용하여 전류 I를 구할 수 있다.

    P = I^2R
    100 = I^2 * 20
    I^2 = 5
    I = √5

    계기는 흐르는 전류를 측정하므로 효과전류(RMS)를 측정한다. 이 때, 효과전류는 최대전류의 1/√2 이므로,

    효과전류 = 최대전류 / √2 = √5 / √2 = √(5/2) = 1.58[A]

    따라서 정답은 "1.58[A]"이다.
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39. 자계 코일에 권수 N = 2000회, 저항 R = 6Ω에서 전류 I = 10A 가 통과하였을 경우 자속 ø = 6×10-2 Wb 이다. 이 회로의 시정수는 몇 sec 인가?

  1. 1
  2. 2
  3. 10
  4. 12
(정답률: 알수없음)
  • 시정수 L은 L = Nø/IR 로 구할 수 있다. 따라서 주어진 값들을 대입하면 L = 2000×6×10-2/(10×6) = 20 sec 이다. 따라서 정답은 "2" 이다.
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40. 두 코일 간의 유도 결합의 정도를 나타내는 결합계수 K에 대한 설명으로 옳지 않은 것은?

  1. K=1은 상호 자속이 전혀 없는 경우이다.
  2. K=0은 유도 결합이 전혀 없는 경우이다.
  3. K=1은 누설 자속이 전혀 없는 경우이다.
  4. 결합계수 K는 0과 1 사이의 값을 갖는다.
(정답률: 알수없음)
  • "K=1은 상호 자속이 전혀 없는 경우이다."가 옳지 않은 설명이다. K=1은 두 코일 간에 완전한 유도 결합이 있는 경우를 나타낸다. 상호 자속이 없는 경우는 결합계수가 0인 경우이다.
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3과목: 전자회로

41. 다음 Karnaugh 도로 된 함수를 최소화 하면?

  1. AB
  4. AC
(정답률: 알수없음)
  • Karnaugh map을 그려서 함수를 최소화해보면 다음과 같다.

    | | 00 | 01 | 11 | 10 |
    |---|---|---|---|---|
    | 0 | 0 | 1 | 1 | 0 |
    | 1 | 1 | 0 | 0 | 1 |

    이를 최소화하면, AB와 는 필요 없고, 와 AC가 필요하다. 이유는 AB와 는 모두 1과 0이 교차하는 부분이 없기 때문에 최소화할 필요가 없고, 와 AC는 각각 1과 0이 교차하는 부분이 있어서 최소화할 필요가 있다. 따라서 정답은 "AC"이다.
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42. 다음 중 직렬 전류 궤환 증폭기의 궤환 신호 성분은?

  1. 전압
  2. 전류
  3. 전력
  4. 임피던스
(정답률: 알수없음)
  • 직렬 전류 궤환 증폭기는 입력 신호의 전류를 증폭시켜 출력으로 내보내는데, 이때 입력 신호의 전압이 증폭되어 출력으로 나타나기 때문에 궤환 신호 성분은 "전압"이다.
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43. 배타적 OR(Exclusive OR)와 AND gate의 기능을 동시에 갖는 회로는?

  1. 플립플롭 회로
  2. 래치 회로
  3. 전 가산기 회로
  4. 반 가산기 회로
(정답률: 알수없음)
  • 반 가산기 회로는 두 입력 비트를 받아서 배타적 OR 연산과 AND 연산을 동시에 수행하는 회로이다. 따라서, 두 입력 비트가 서로 다를 때는 배타적 OR 연산 결과가 1이 되고, 두 입력 비트가 모두 1일 때는 AND 연산 결과가 1이 된다. 이러한 기능으로 인해 반 가산기 회로는 덧셈 연산에서 자리 올림을 처리하는 데 사용된다.
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44. 다음 중 PLL 회로의 구성요소가 아닌 것은?

  1. Phase detector(위상 검파기)
  2. HPF(고역 통과 필터)
  3. VOD(전압 제어 발전기)
  4. Reference Oscillator(기준발진기)
(정답률: 알수없음)
  • PLL 회로의 구성요소 중 HPF(고역 통과 필터)는 아닙니다. PLL 회로는 위상 검파기, 전압 제어 발진기, 기준발진기, VCO(전압 제어 발진기) 등으로 구성됩니다. HPF는 필터의 일종으로, 고역 통과 필터는 고주파 신호를 통과시키고 저주파 신호를 차단하는 필터입니다. PLL 회로에서는 주로 LPF(저역 통과 필터)가 사용됩니다. LPF는 저주파 신호를 통과시키고 고주파 신호를 차단하는 필터로, VCO의 출력 신호를 안정화시키는 역할을 합니다.
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45. 트랜지스터의 컬렉터 누설 전류가 주위 온도 변화로 20μA에서 150μA로 증가할 때 컬렉터 전류가 1mA에서 1.2mA로 되었다면 안정도 S는 약 얼마인가?

  1. 1.5
  2. 1.8
  3. 2.0
  4. 2.2
(정답률: 알수없음)
  • 안정도 S는 (ΔIc / Ic) / (ΔIb / Ib)로 계산된다. 여기서 ΔIc는 컬렉터 전류의 변화량, Ic는 초기 컬렉터 전류, ΔIb는 베이스 전류의 변화량, Ib는 초기 베이스 전류를 나타낸다.

    주어진 문제에서 ΔIc는 0.2mA, Ic는 1mA, ΔIb는 0.13mA, Ib는 0.02mA이다. 따라서,

    S = (0.2mA / 1mA) / (0.13mA / 0.02mA) = 1.5

    따라서, 정답은 "1.5"이다. 이는 컬렉터 전류의 변화량이 베이스 전류의 변화량보다 크기 때문에 안정도가 1보다 큰 값을 가지는 것을 의미한다.
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46. 다음 B급 푸시풀(Push-Pull) 증폭기의 특징이 아닌 것은?

  1. 차단 상태 부근에 바이어스 되어 있다.
  2. 트랜지스터의 비선형 특성에서 오는 일그러짐이 증가 한다.
  3. 우수 고조파가 상쇄되어 일그러짐이 적다.
  4. B급이다, AB급으로 동작시킨다.
(정답률: 알수없음)
  • 정답: 우수 고조파가 상쇄되어 일그러짐이 적다.

    해설: B급 푸시풀 증폭기는 차단 상태 부근에 바이어스 되어 있어서, 출력 신호의 왜곡을 최소화할 수 있다. 또한 AB급과 달리 B급은 한쪽 반주기만 사용하기 때문에 우수 고조파가 상쇄되지 않아서 일그러짐이 적다. 하지만 트랜지스터의 비선형 특성 때문에 일그러짐이 증가할 수 있다. 이는 출력 신호가 증폭될수록 비선형 특성이 더욱 두드러지기 때문이다.
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47. 2진 디지털 부호에 따라서 반송파의 위상이 두 가지로 천이 되도록 하는 변조방식은?

  1. PSK 방식
  2. FSK 방식
  3. ASK 방식
  4. DPCM 방식
(정답률: 알수없음)
  • PSK 방식은 2진 디지털 부호에 따라서 반송파의 위상을 변조하는 방식으로, 0과 1에 대해 각각 다른 위상을 할당하여 신호를 전송합니다. 따라서 반송파의 위상이 두 가지로 천이되도록 합니다. FSK 방식은 주파수를 변조하는 방식이며, ASK 방식은 진폭을 변조하는 방식입니다. DPCM 방식은 예측 부호화 방식으로, 이전 샘플과의 차이를 부호화하여 전송합니다. 이에 따라 PSK 방식이 반송파의 위상을 변조하는 방식이므로 정답입니다.
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48. 저주파 전력 증폭기의 출력 측 기본파 전압이 100[V], 제2 및 제3 고조파 전압이 각각 4[V]와 3[V]이면 이 경우의 왜율은?

  1. 5%
  2. 10%
  3. 15%
  4. 20%
(정답률: 알수없음)
  • 저주파 전력 증폭기의 출력 측 기본파 전압과 제2, 제3 고조파 전압의 합은 다음과 같다.

    기본파 전압 + 제2 고조파 전압 + 제3 고조파 전압 = 100[V] + 4[V] + 3[V] = 107[V]

    따라서, 이 경우의 왜율은 다음과 같다.

    (제2 고조파 전압 + 제3 고조파 전압) / 기본파 전압 = (4[V] + 3[V]) / 100[V] = 0.07

    왜율은 일반적으로 백분율로 표시되므로, 0.07에 100을 곱하여 7%가 된다. 그러나 이 문제에서는 제2 고조파 전압과 제3 고조파 전압의 합을 기본파 전압으로 나눈 값을 구하라고 했으므로, 최종적으로 7%에 0.7을 곱하여 5%가 된다. 따라서 정답은 "5%"이다.
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49. 다음 이상적인 연산증폭기의 특성이 아닌 것은?

  1. 온도에 대하여 드리프트(drift)가 없는 특성을 가진다.
  2. 대역폭(BW) = 0
  3. 출력 저항(Ro) = 0
  4. 전압이득 lAvl = ∞
(정답률: 알수없음)
  • 대역폭(BW) = 0은 이상적인 연산증폭기의 특성이 아닙니다. 이는 입력 신호의 주파수 대역폭이 전혀 통과하지 못하게 되는 것을 의미합니다. 이상적인 연산증폭기는 입력 신호의 주파수 대역폭을 최대한 유지하면서 증폭하는 것이 이상적입니다.
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50. 그림에서 A는 반전 연산 증폭기이다. V1 - V0의 관계는?

(정답률: 알수없음)
  • A는 반전 연산 증폭기이므로 입력 신호의 반전된 값이 출력된다. 따라서 V1이 입력되면 A의 출력은 -V1이 되고, V0이 입력되면 A의 출력은 -V0이 된다. 따라서 V1 - V0의 값은 (-V1) - (-V0) = -V1 + V0이 된다. 이 값은 ""와 같다.
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51. 그레이 코드(Gray code) 1111을 2진수로 변환하면?

  1. 1110
  2. 1010
  3. 1011
  4. 1111
(정답률: 알수없음)
  • 그레이 코드는 인접한 두 수의 이진수 표현에서 한 비트만 다르게 표현하는 코드이다. 따라서 1111의 그레이 코드는 1011이 된다. 이유는 1111과 1011의 이진수 표현에서 첫 번째 비트부터 차이가 나기 때문이다.
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52. 그림과 같은 논리회로를 간소화 하면?

  1. X = A + B + C
  2. X = B + C
  4. X = ABC
(정답률: 알수없음)
  • 논리회로에서 OR 게이트는 입력 중 하나 이상이 1이면 출력이 1이 되는 게이트입니다. 따라서 "X = A + B + C"와 "X = B + C"는 OR 게이트를 사용하여 각각 X를 구할 수 있습니다. 그러나 ""는 AND 게이트를 사용하여 X를 구합니다. AND 게이트는 입력 중 하나라도 0이면 출력이 0이 되는 게이트입니다. 따라서 ""는 A, B, C 모두가 1일 때만 출력이 1이 되므로, 입력값이 모두 1일 때만 X가 1이 됩니다. 마지막으로 "X = ABC"는 AND 게이트를 사용하여 A, B, C 모두가 1일 때만 출력이 1이 되므로, ""와 같은 결과를 나타냅니다.
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53. 다음 중 연산증폭기의 응용 회로가 아닌 것은?

  1. 적분 증폭기
  2. 미분 증폭기
  3. 아날로그 가산증폭기
  4. 디지털 반가산증폭기
(정답률: 알수없음)
  • 정답은 "적분 증폭기"입니다. 적분 증폭기는 입력 신호를 적분하여 출력하는 회로로, 연산증폭기의 응용 회로가 아닙니다.

    반면, 디지털 반가산증폭기는 디지털 회로에서 두 개의 이진수를 더하는데 사용되는 회로로, 연산증폭기의 응용 회로 중 하나입니다. 이 회로는 입력 신호를 더하고, 그 결과를 출력하는데 사용됩니다.
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54. 다음 표는 부궤환에 의한 입ㆍ출력 임피던스의 변화이다. ( )안의 보기 내용 중 옳지 않은 것은?

  1. ① 증가
  2. ② 감소
  3. ③ 감소
  4. ④ 증가
(정답률: 알수없음)
  • 부궤환에 의한 입ㆍ출력 임피던스의 변화는 부궤환의 Q값에 따라 결정된다. Q값이 증가하면 부궤환에 저장된 에너지가 증가하므로 입ㆍ출력 임피던스가 증가하게 된다. 따라서 정답은 "① 증가"이다. "② 감소"는 옳지 않은 보기이다.
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55. 연산증폭기(op amp.)와 다이오드로 구성된 다음 그림과 같은 회로의 명칭은?

  1. 진폭제한회로
  2. 반파정류회로
  3. 전파정류회로
  4. 정현파-삼각파 변환회로
(정답률: 알수없음)
  • 이 회로는 입력 신호의 음극성 부분을 차단하고 양극성 부분만을 출력으로 내보내는 회로이므로 "반파정류회로"라고 부릅니다. 다이오드는 양향성이 있기 때문에 입력 신호의 음극성 부분은 다이오드가 차단하고 양극성 부분은 다이오드를 통과하여 출력으로 내보내게 됩니다. 따라서 출력 신호는 입력 신호의 양극성 부분만을 가지게 됩니다.
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56. 다음 중 Exclusive OR 회로에 대한 논리식이 아닌 것은? (단, Y는 출력이고, A와 B는 입력임)

  2. Y = A⊕B
(정답률: 알수없음)
  • ""은 AND 게이트와 NOT 게이트로 이루어진 AND-OR 게이트이므로 Exclusive OR 회로에 대한 논리식이 아니다. Exclusive OR 회로는 입력 A와 B가 같으면 출력 Y가 0이 되고, 다르면 출력 Y가 1이 되는 논리회로이다. 따라서, ""은 올바르지 않은 선택지이다.
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57. 다음 그림의 회로에서 Re의 중요한 역할은?

  1. 동작점의 안정화
  2. 주파수 대역폭 증대
  3. 바이어스 전압감소
  4. 출력증대
(정답률: 알수없음)
  • Re는 에미터 전극과 접합되어 있으며, 이를 통해 베이스 전극에서 흐르는 전류의 일부가 흐르게 됩니다. 이로 인해 콜렉터 전극에서의 출력 신호가 에미터 전극으로 흐르는 전류에 의해 안정화되어 동작점이 안정화됩니다. 따라서 Re의 역할은 "동작점의 안정화"입니다. 주파수 대역폭 증대, 바이어스 전압감소, 출력증대와는 관련이 없습니다.
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58. 다음 중 가장 적당한 고주파 전력 증폭기는?

  1. A급 증폭기
  2. B급 증폭기
  3. C급 증폭기
  4. AB급 증폭기
(정답률: 알수없음)
  • C급 증폭기는 A급과 B급 증폭기보다 더 효율적이며, 전력 손실이 적습니다. AB급 증폭기는 C급 증폭기보다 더 높은 출력을 내지만, 왜곡이 발생할 가능성이 높습니다. 따라서, 고주파 전력 증폭기에서는 C급 증폭기가 가장 적당합니다.
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59. 전원 정류회로의 리플 함유율을 적게 하는 방법으로 옳지 않은 것은?

  1. 입력측 평활용 콘덴서 정전 용량을 크게 한다.
  2. 평활용 초크 코일의 인덕턴스를 크게 한다.
  3. 출력측 평활용 콘덴서를 정전 용량을 작게 한다.
  4. 교류 입력전원의 주파수를 높게 한다.
(정답률: 알수없음)
  • 출력측 평활용 콘덴서의 정전 용량을 작게 하는 것은 리플 전압을 줄이는 효과가 있기 때문에 옳은 방법이다. 따라서, "출력측 평활용 콘덴서를 정전 용량을 작게 한다."는 옳은 방법이다.
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60. 다음 중 고주파 트랜지스터에서 fα 와 fβ 의 관계식은? (단, α0 : CB의 저주파 단락 전류 증폭률, β0 : CE의 저주파 단락 전류 증폭률)

  1. fs = β0ㆍfα
  2. fs = (1+α0)ㆍfα
  4. fβ = fα(1-β0)
(정답률: 알수없음)
  • 고주파 트랜지스터에서 fα는 CB 단자에서의 전류 증폭률을 의미하고, fβ는 CE 단자에서의 전류 증폭률을 의미한다. fs는 스위칭 주파수를 의미하며, 이는 CE 단자에서의 전류 증폭률인 β0과 CB 단자에서의 전류 증폭률인 α0의 곱으로 나타낼 수 있다. 따라서 fs = β0ㆍfα이다. 다른 보기들은 fs와 관련이 없거나, 잘못된 식이므로 정답은 ""이다.
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4과목: 물리전자공학

61. 다음 중 플라즈마(Plasma)와 같은 기체 상태의 경우 적용될 수 있는 분포식은?

  1. Schro dinger 방정식
  2. Maxwell-Boltzmann
  3. 1차원의 Poisson 방정식
  4. Einstein 관계식
(정답률: 알수없음)
  • 플라즈마와 같은 기체 상태에서 입자들은 서로 다른 에너지를 가지고 분포되어 있으며, 이를 표현하는 분포식은 Maxwell-Boltzmann 분포식입니다. 이 분포식은 입자의 에너지와 온도 사이의 관계를 나타내며, 입자의 에너지가 높을수록 분포가 좁아지고, 낮을수록 넓어집니다. 이 분포식은 플라즈마 물리학에서 매우 중요한 역할을 합니다. Schro dinger 방정식은 양자역학에서 입자의 움직임을 나타내는 방정식이며, 1차원의 Poisson 방정식은 전기장을 나타내는 방정식입니다. Einstein 관계식은 에너지와 질량 사이의 관계를 나타내는 방정식입니다.
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62. 반도체 재료의 제조시 고유저항 측정을 가끔 하는 이유는?

  1. 다결정 재료의 수명 시간을 결정하기 때문
  2. 진성 반도체의 캐리어 농도를 결정하기 때문
  3. 불순물 반도체의 캐리어 농도를 결정하기 때문
  4. 캐리어의 이동도를 결정하기 때문
(정답률: 알수없음)
  • 반도체 재료의 제조시 불순물이 섞여 있을 수 있으며, 이 불순물은 캐리어 농도에 영향을 미칩니다. 따라서 고유저항 측정을 통해 불순물 반도체의 캐리어 농도를 결정할 수 있습니다.
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63. 다음 중 홀(hall) 효과와 가장 관계가 깊은 것은?

  1. 고저항 측정기
  2. 전류계
  3. 자장계
  4. 분압계
(정답률: 알수없음)
  • 홀 효과는 전기적으로 중성인 물질에 자기장을 가하면 그 안에서 전하운동이 발생하는 현상을 말합니다. 이 때, 자기장의 방향과 전하운동의 방향이 수직이며, 이로 인해 발생하는 전위차를 측정하는 것이 홀 효과를 이용한 자장계입니다. 따라서, 홀 효과와 가장 관계가 깊은 것은 자장계입니다.
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64. 금속 표면에 빛을 조사하면 금속 내의 전자가 방출하는 현상은?

  1. 열전자 방출
  2. 냉음극 방출
  3. 2차 전자 방출
  4. 광전자 방출
(정답률: 알수없음)
  • 금속 표면에 빛을 조사하면 빛의 에너지가 금속 내의 전자를 충분히 충돌시켜 전자가 금속에서 빠져나오는 현상이 일어납니다. 이를 광전자 방출이라고 합니다.
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65. 평행판 A, B 사이의 거리가 1[㎝]이며, 판 B에 대한 판 A의 전위는 +100[V]이다. 초기속도 0으로 판 B를 출발한 전자가 판 A에 도달하는데 걸리는 시간은 약 몇 [sec]인가?

  1. 3.37×10-7
  2. 1.69×10-7
  3. 1.69×10-8
  4. 3.37×10-9
(정답률: 알수없음)
  • 전자의 운동에너지는 전위에 의해 변환되므로, 전자의 운동에너지는 100[eV]이다. 전자의 질량은 9.11×10-31[kg]이므로, 운동에너지를 운동량으로 나누어 속도를 구할 수 있다. 이 때, 운동량은 전자의 질량에 속도를 곱한 값이다.

    따라서,

    v = √(2×100[eV]/9.11×10-31[kg]) ≈ 5.93×106[m/s]

    전자가 이동하는 거리는 평행판 A, B의 거리인 1[cm]이므로, 이동하는데 걸리는 시간은 다음과 같다.

    t = 1[cm] / 5.93×106[m/s] ≈ 1.68×10-8[s]

    하지만, 전위차가 있으므로 전자의 운동에너지는 일부 전위에 의해 소모된다. 전자의 전위에 의한 운동에너지는 qV이므로, 전자의 운동에너지는 100[eV] - qV이다. 전자의 전하량은 전자의 전하량인 1.6×10-19[C]이므로, 전위차가 100[V]일 때 전자의 운동에너지는 다음과 같다.

    100[eV] - 1.6×10-19[C] × 100[V] ≈ 84[eV]

    따라서, 전자의 속도는 다음과 같다.

    v = √(2×84[eV]/9.11×10-31[kg]) ≈ 5.54×106[m/s]

    전자가 이동하는 거리는 평행판 A, B의 거리인 1[cm]이므로, 이동하는데 걸리는 시간은 다음과 같다.

    t = 1[cm] / 5.54×106[m/s] ≈ 1.81×10-8[s]

    따라서, 전위차가 있을 때 전자가 판 A에 도달하는데 걸리는 시간은 약 1.81×10-8[s]이다. 이 값은 보기 중에서 "1.69×10-8"에 가장 가깝지만, 소수점 이하 자리에서 약간 차이가 있다. 이는 계산 과정에서 반올림 등의 오차가 발생했기 때문이다. 따라서, 정답은 "3.37×10-9"이다.
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66. 트랜지스터가 차단 영역에 있을 때 접합 면에 걸리는 전압은?

  1. EB 접합 : 정바이어스, CB 접합 : 정바이어스
  2. EB 접합 : 정바이어스, CB 접합 : 역바이어스
  3. EB 접합 : 역바이어스, CB 접합 : 역바이어스
  4. EB 접합 : 역바이어스, CB 접합 : 정바이어스
(정답률: 알수없음)
  • 트랜지스터가 차단 영역에 있을 때 EB 접합은 역바이어스가 되고, CB 접합도 역바이어스가 된다. 이는 전류가 흐르지 않기 때문에 접합 면에 걸리는 전압이 0V이 되기 때문이다. 따라서 정답은 "EB 접합 : 역바이어스, CB 접합 : 역바이어스"이다.
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67. 다음 중 물질을 구성하는 요소가 아닌 것은?

  1. 전자
  2. 양성자
  3. 중성자
  4. 쌍극자
(정답률: 알수없음)
  • 쌍극자는 물질을 구성하는 요소가 아니라 분자의 특성을 결정하는 성질입니다. 쌍극자란 분자 내에서 전하의 분포가 대칭적이지 않아서 양극성을 가지는 분자를 말합니다. 예를 들어 물 분자는 쌍극자입니다.
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68. 다음 설명 중 옳지 않은 것은?

  1. 진성반도체에서 전자의 밀도와 정공의 밀도는 같다.
  2. 불순물 반도체의 고유저항은 진성반도체의 고유저항 보다 크다.
  3. 열적 평형상태에서 전자와 정공의 열적 생성과 재격합률은 같다.
  4. 캐리어의 재결합률은 전자와 홀의 농도에 비례한다.
(정답률: 알수없음)
  • "불순물 반도체의 고유저항은 진성반도체의 고유저항 보다 크다." 이 설명이 옳지 않습니다. 실제로는 불순물 반도체의 고유저항이 진성반도체의 고유저항보다 작을 수도 있습니다. 이는 불순물이 도핑된 위치와 양, 그리고 반도체의 종류에 따라 달라집니다.

    "진성반도체에서 전자의 밀도와 정공의 밀도는 같다."는 옳은 설명입니다.

    "열적 평형상태에서 전자와 정공의 열적 생성과 재결합률은 같다."는 옳은 설명입니다.

    "캐리어의 재결합률은 전자와 홀의 농도에 비례한다."는 옳은 설명입니다.
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69. 다음 에너지 대역에 대한 설명으로 옳지 않은 것은?

  1. 전도대와 가전자대 사이 영역을 금지대라 한다.
  2. 원자간 거리가 멀어져 고립되면 에너지 준위의 갈라짐이 발생한다.
  3. 가전자로 채워져 있는 허용 에너지대를 가전자대라 한다.
  4. 금지 대역폭(energy band gap)의 크기에 따라 도체, 반도체, 절연체로 구분한다.
(정답률: 알수없음)
  • "원자간 거리가 멀어져 고립되면 에너지 준위의 갈라짐이 발생한다." 설명이 옳지 않습니다.

    원자간 거리가 멀어지면 에너지 준위의 갈라짐이 아니라 에너지 준위의 변화가 발생합니다. 이는 분자간 상호작용의 감소로 인해 전자의 에너지 준위가 낮아지기 때문입니다.
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70. 다음 중 캐리어의 확산 거리에 대한 설명으로 옳은 것은?

  1. 확산계수와는 무관하다.
  2. 캐리어의 이동도에만 관계있다.
  3. 캐리어의 수명시간에만 관계있다.
  4. 캐리어의 수명시간과 이동도에 관계있다.
(정답률: 알수없음)
  • 캐리어의 확산 거리는 캐리어의 이동도와 수명시간에 모두 영향을 받기 때문에, "캐리어의 수명시간과 이동도에 관계있다."가 옳은 설명입니다. 확산 거리는 캐리어가 이동하는 거리와 시간에 따라 결정되기 때문에, 이동도와 수명시간이 모두 중요한 역할을 합니다. 확산계수는 캐리어의 이동성과는 관련이 있지만, 확산 거리와는 직접적인 연관성이 없습니다.
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71. 다음 중 Pauli 배타율 원리가 만족되는 분포 함수는?

  1. Maxwell-Boltzmann
  2. Fermi-Dirac
  3. Schro dinger
  4. Einstein
(정답률: 알수없음)
  • Pauli 배타율 원리는 동일한 양자 상태를 가진 두 개의 입자가 동시에 같은 공간에 존재할 수 없다는 원리입니다. 이 원리는 전자와 같은 페르미온에만 적용됩니다. 따라서 Pauli 배타율 원리를 만족하는 분포 함수는 페르미온의 분포 함수인 Fermi-Dirac 분포 함수입니다. 다른 보기들은 이 원리를 만족시키지 않습니다.
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72. 다음 중 에피텍셜(epitaxial) 성장이란?

  1. 다결정의 Ge 성장
  2. 다결정의 Si 성장
  3. 기판에 매우 얇은 단결정의 성장
  4. 기판에 매우 얇은 다결정의 성장
(정답률: 알수없음)
  • 에피텍셜 성장은 기판 위에 매우 얇은 단결정을 성장시키는 기술이다. 이 기술은 기판과 성장하려는 단결정의 원자 구조가 서로 일치하도록 조절하여 성장시키는 것이다. 이를 통해 단결정의 결함이 적어지고, 더욱 정교한 반도체 소자를 만들 수 있다.
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73. Si P-N 다이오드에서의 cut-in 전압은 약 얼마인가?

  1. 0V
  2. 0.7V
  3. 7V
  4. 70V
(정답률: 알수없음)
  • P-N 다이오드에서 cut-in 전압은 0.7V이다. 이는 P-N 다이오드가 양극과 음극 사이에 연결되어 있을 때, 양극측에 양전하가 모이고 음극측에 음전하가 모여 전위차가 형성되는데, 이 전위차가 일정 수준 이상이 되면 전자가 이동할 수 있는 에너지를 가지게 되어 전류가 흐르기 시작하는 것이다. 이 전위차가 약 0.7V 이상이 되어야 전류가 흐르기 시작하므로, P-N 다이오드의 cut-in 전압은 0.7V이다.
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74. 다음 중 반도체의 저항이 온도에 의해 변화하는 소자는?

  1. Thermistor
  2. SCR
  3. TRIAC
  4. DIAC
(정답률: 알수없음)
  • Thermistor는 온도에 따라 저항이 크게 변화하는 반도체 소자입니다. 따라서 Thermistor는 온도 측정 및 제어에 많이 사용됩니다.
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75. 다음 중 페르미-디락(Fermi-Dirac)의 분포함수는?

  1. f(E) = 1+e(E-E1)/KT
  2. f(E) = 1/(1+e(E-E1)/KT)
  3. f(E) = 1-e(E-E1)/KT
  4. f(E) = 1/(1-e(E-E1)/KT)
(정답률: 알수없음)
  • 정답은 "f(E) = 1/(1+e(E-E1)/KT)" 입니다.

    페르미-디락 분포함수는 전자의 에너지 상태를 나타내는데 사용됩니다. 이 함수는 전자가 특정 에너지 상태 E를 가지고 있을 확률을 나타내며, 이 확률은 온도, 에너지 차이 (E-E1), 그리고 볼츠만 상수 (KT)에 의해 결정됩니다.

    전자는 페르미-디락 분포함수에 따라 에너지 상태를 가지게 되며, 이 함수는 0과 1 사이의 값을 가집니다. 전자가 에너지 상태 E를 가지고 있을 확률은 1/(1+e(E-E1)/KT)로 계산됩니다. 이는 전자가 해당 에너지 상태를 가질 확률이 높을수록 1에 가까워지고, 해당 에너지 상태를 가질 확률이 낮을수록 0에 가까워지기 때문입니다.
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76. 전자의 운동량(P)과 파장(λ) 사이의 드브로이(DeBroglie) 관계식은? (단, h 는 Plank 상수)

  1. P = λh
  2. P = h/λ
  3. P = λ/h
  4. λ = 1/Ph
(정답률: 알수없음)
  • 드브로이 관계식은 P = h/λ 입니다. 이 식은 전자의 파동성과 입자성을 설명하는데 사용됩니다. 전자는 파동으로서의 성질과 입자로서의 성질을 모두 가지고 있기 때문에, 운동량 P와 파장 λ 사이에는 이러한 관계식이 성립합니다. 이 식은 Plank 상수 h를 이용하여 전자의 운동량과 파장을 연결시켜주는 역할을 합니다. 따라서, 전자의 운동량과 파장을 알고 있다면, 이 식을 이용하여 서로를 변환할 수 있습니다.
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77. 금속체 내에 있는 전자가 표면장벽을 넘어서 금속 밖으로 방출되기 위하여 필요한 최소의 에너지를 가리키는 것은?

  1. 광 에너지
  2. 운동 에너지
  3. 페르미 준위
  4. 일 함수
(정답률: 알수없음)
  • 전자가 금속 밖으로 방출되기 위해서는 표면장벽을 넘어서야 합니다. 이때 필요한 최소한의 에너지를 페르미 준위라고 합니다. 이 페르미 준위와 에너지 상태를 나타내는 함수를 일 함수라고 합니다. 따라서 정답은 "일 함수"입니다.
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78. 다음 중 이동도(μ)의 단위로 옳은 것은?

  1. cm/Vㆍs
  2. cm2/Vㆍ-s
  3. cm2/s
  4. cm/s
(정답률: 알수없음)
  • 이동도(μ)는 전기장에 의해 입자가 이동하는 정도를 나타내는 물리량으로, 전기전도성을 나타내는 지표이다. 이동도의 정의는 "단위 전기장에서 입자가 이동하는 속도와 전기장의 비율"로 나타낼 수 있다. 따라서 이동도(μ)의 단위는 "속도/전기장"으로 표현되며, 속도의 단위는 "cm/s", 전기장의 단위는 "V/cm"이므로 이동도(μ)의 단위는 "cm2/Vㆍ-s"가 된다.
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79. 낙뢰와 같이 급격한 서지 전압(Surge Voltage)으로부터 회로를 보호하기 위하여 전원이 인가되는 초단에 주로 사용되는 소자는?

  1. 서미스터
  2. 바리스터
  3. 쇼트키 다이오드
  4. 제너 다이오드
(정답률: 알수없음)
  • 바리스터는 전압이 일정 수준 이상으로 상승할 때 저항이 급격히 감소하여 회로를 보호하는 역할을 합니다. 따라서 낙뢰와 같이 급격한 서지 전압으로부터 회로를 보호하기 위해 초단에 주로 사용됩니다. 서미스터는 전류를 제어하는 역할을 하며, 쇼트키 다이오드는 저항이 낮아 전압이 낮아지는 것을 방지하는 역할을 합니다. 제너 다이오드는 전압을 안정화하는 역할을 합니다.
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80. 전자가 외부의 힘(열, 빛, 전장)을 받아 핵의 구속력으로부터 벗어나 결정 내를 자유로이 이동할 수 있는 자유전자의 상태로 존재하는 에너지대는?

  1. 충만대(filled band)
  2. 가전자대(valence band)
  3. 전도대(conduction band)
  4. 금지대(forbidden band)
(정답률: 알수없음)
  • 전자가 외부의 힘을 받아 핵의 구속력으로부터 벗어나 결정 내를 자유로이 이동할 수 있는 상태를 자유전자라고 합니다. 이 자유전자들이 존재하는 에너지대를 전도대라고 합니다. 전도대는 가전자대와 금지대 사이에 위치하며, 전자가 가전자대에서 전도대로 이동하면 전기전도성이 생기게 됩니다. 따라서 전도대는 전기전도성을 결정하는 중요한 역할을 합니다.
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5과목: 전자계산기일반

81. 10진 카운터(counter) 회로를 설계하기 위해서 몇 개의 단으로 구성해야 되는가?

  1. 2단
  2. 4단
  3. 8단
  4. 10단
(정답률: 알수없음)
  • 10진 카운터는 0부터 9까지의 숫자를 카운트할 수 있는 회로이므로, 4개의 단으로 구성해야 한다. 각 단은 0부터 9까지의 숫자를 표현할 수 있는 2진수 카운터로 구성되며, 4개의 단을 연결하면 0부터 9999까지의 숫자를 표현할 수 있는 10진 카운터 회로가 완성된다.
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82. 다음 중 어드레싱(addressing) 방법이 아닌 것은?

  1. direct addressing
  2. indirect addressing
  3. relative addressing
  4. temporary addressing
(정답률: 알수없음)
  • "Temporary addressing"은 어드레싱 방법이 아닙니다. 다른 세 가지 방법은 모두 메모리 주소를 참조하는 방법이지만, temporary addressing은 임시적으로 생성된 데이터를 참조하는 방법입니다. 이 방법은 메모리 주소를 사용하지 않으며, 대신 CPU 레지스터나 스택에 저장된 값을 사용합니다. 따라서 temporary addressing은 어드레싱 방법이 아닙니다.
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83. 다음 중 명령 fetch에 대한 동작 순서가 옳은 것은?

(정답률: 알수없음)
  • 1. fetch() 함수가 호출됨
    2. Request 객체 생성
    3. Request 객체를 서버로 전송
    4. 서버에서 Response 객체를 받음
    5. Response 객체를 처리하여 필요한 데이터 추출

    정답은 "" 이다. 이유는 fetch() 함수가 호출되면 Request 객체를 생성하고 이를 서버로 전송한다. 서버에서는 해당 요청에 대한 Response 객체를 생성하여 클라이언트로 전송하고, 클라이언트는 이를 처리하여 필요한 데이터를 추출한다. 따라서, fetch() 함수의 동작 순서는 1 -> 2 -> 3 -> 4 -> 5 이다.
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84. 다음 중 어드레싱 모드(addressing mode)에서 현재의 명령어 번지와 프로그램 카운터의 합으로 표시되는 방식은?

  1. direct addressing mode
  2. indirect addressing moded
  3. absolute addressing mode
  4. relative addressing mode
(정답률: 알수없음)
  • 현재의 명령어 번지와 프로그램 카운터의 합으로 표시되는 방식은 "relative addressing mode"입니다. 이는 명령어가 상대적인 위치에 있는 데이터를 참조할 때 사용되며, 명령어의 주소와 상대적인 오프셋(offset) 값을 더하여 실제 데이터의 주소를 계산합니다. 이 방식은 프로그램이 메모리의 다른 위치로 이동될 때 유용하며, 코드의 재사용성을 높일 수 있습니다.
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85. 컴퓨터에서 물리적인 메모리 주소에 가상 메모리 주소를 배정하는 기법을 무엇이라 하는가?

  1. interrupt
  2. mapping
  3. merging
  4. overlapping
(정답률: 알수없음)
  • 가상 메모리 주소와 물리적인 메모리 주소는 서로 다른 주소 체계를 가지고 있기 때문에, 이를 매핑(mapping)하는 기법이 필요하다. 이 기법은 가상 메모리 주소를 물리적인 메모리 주소로 변환하여 실제 메모리에 접근할 수 있도록 한다. 따라서 정답은 "mapping"이다.
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86. 다음 중 순서도(Flow chart)작성 시 장점에 속하지 않는 것은?

  1. 코딩하기가 쉽다.
  2. 분석과정이 명료해 진다.
  3. 라인 프린터의 속도가 신속하다.
  4. 논리적 오차나 불합리한 점을 쉽게 발견할 수 있다.
(정답률: 알수없음)
  • 정답: "라인 프린터의 속도가 신속하다."

    이유: 이는 순서도 작성과는 관련이 없는 것으로, 순서도 작성의 장점으로는 코딩하기가 쉽고, 분석과정이 명료해지며, 논리적 오차나 불합리한 점을 쉽게 발견할 수 있다는 것이 포함됩니다.
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87. 다음 논리식을 간략화 한 것으로 옳은 것은?   

  1. A(B+C)
  2. (A+B)C
  3. 1
  4. A+B+C
(정답률: 알수없음)
  • 논리식을 간략화하는 방법 중 하나는 논리식을 진리표로 나타내고, 각 항목의 결과값이 동일한 항목들을 묶어서 간략화하는 것입니다. 위의 논리식을 진리표로 나타내면 다음과 같습니다.

    | A | B | C | A(B+C) | (A+B)C | 1 | A+B+C |
    |---|---|---|--------|--------|---|--------|
    | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 | 1 | 0 |
    | 0 | 0 | 1 | 0 | 0 | 1 | 1 |
    | 0 | 1 | 0 | 0 | 0 | 1 | 1 |
    | 0 | 1 | 1 | 0 | 1 | 1 | 1 |
    | 1 | 0 | 0 | 0 | 0 | 1 | 1 |
    | 1 | 0 | 1 | 1 | 0 | 1 | 1 |
    | 1 | 1 | 0 | 1 | 0 | 1 | 1 |
    | 1 | 1 | 1 | 1 | 1 | 1 | 1 |

    위의 진리표에서 A(B+C)와 (A+B)C의 결과값이 동일하게 나타나는 것을 볼 수 있습니다. 따라서 A(B+C)와 (A+B)C는 동일한 논리식입니다.

    그리고 1은 항상 참이므로, A+B+C와 1은 동일한 논리식입니다.

    따라서 정답은 "A(B+C)"입니다.
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88. 다음 중 소프트웨어적으로 인터럽트의 우선 순위를 결정하는 인터럽트 형식은?

  1. 폴링 방법에 의한 인터럽트
  2. 벡터 방식에 의한 인터럽트
  3. 수퍼바이저 콜에 의한 인터럽트
  4. 데이지체인 방법에 의한 인터럽트
(정답률: 알수없음)
  • 폴링 방법에 의한 인터럽트는 소프트웨어적으로 인터럽트의 우선 순위를 결정하는 방식입니다. 이 방식은 CPU가 인터럽트 요청을 주기적으로 확인하며, 우선 순위가 높은 인터럽트부터 처리하는 방식입니다. 따라서 인터럽트 요청이 많아질수록 CPU의 부하가 증가하게 되어 처리 속도가 느려질 수 있습니다.
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89. 다음 중 자기 보수성(Self-Complement)의 특징을 갖고 있는 코드는?

  1. Excess-3 code
  2. Gray code
  3. BCD code
  4. Parity code
(정답률: 알수없음)
  • Excess-3 code는 자기 보수성을 갖고 있습니다. 이는 코드의 각 자리수에 대해 3을 더한 값의 2의 보수를 취함으로써 얻어집니다. 이 코드의 특징은 한 자리수의 변경이 다른 자리수에 영향을 미치지 않는다는 것입니다. 즉, 한 자리수만 바뀌더라도 항상 한 비트만 변경됩니다. 이는 회로 설계에서 오류를 줄이는 데 도움이 됩니다.
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90. 다음 보기의 연산은?

  1. MOVE 연산
  2. Complement 연산
  3. AND 연산
  4. OR 연산
(정답률: 알수없음)
  • 위 그림은 두 개의 비트열을 AND 연산하는 것을 보여줍니다. AND 연산은 두 비트가 모두 1일 때만 결과 비트가 1이 되는 연산입니다. 따라서 위 그림에서는 첫 번째 비트열과 두 번째 비트열의 각 비트를 AND 연산하여 결과 비트열을 만들었습니다. 따라서 정답은 "AND 연산"입니다.
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91. 채널(channel)의 종류가 아닌 것은?

  1. counter channel
  2. selector channel
  3. multiplexer channel
  4. block multiplexer channel
(정답률: 알수없음)
  • "Counter channel"은 채널의 종류가 아닙니다. "Selector channel", "multiplexer channel", "block multiplexer channel"은 모두 채널의 종류 중 하나입니다. "Counter channel"은 채널이 아니라 카운터(counter)라는 개념을 나타내는 용어입니다.
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92. 숫자나 문자 등의 키보드(Keyboard) 입력을 2진 코드로 부호화하는데 사용될 수 있는 소자는?

  1. 인코더(Encoder)
  2. 디코더(Decoder)
  3. 멀티플렉서(Multiplexer)
  4. 디멀티플렉서(Demultiplexer)
(정답률: 알수없음)
  • 인코더는 입력된 다양한 신호를 하나의 신호로 압축하여 출력하는 소자로, 숫자나 문자 등의 다양한 입력을 2진 코드로 변환하여 출력할 수 있기 때문에 숫자나 문자 등의 키보드 입력을 2진 코드로 부호화하는데 사용될 수 있다. 따라서 정답은 "인코더(Encoder)"이다.
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93. 흐름도(flowchart) 기호와 그 용도의 관계가 옳지 않은 것은?

  1. : 각종 처리되는 작용
  2. : 일반적인 입ㆍ출력 작용
  3. : 비교, 판단
  4. : 흐름의 중단된 부분 연결
(정답률: 알수없음)
  • 정답은 " : 각종 처리되는 작용"입니다. 이 기호는 일반적으로 "처리"를 나타내는 기호로 사용되며, "각종 처리되는 작용"이라는 설명은 너무 포괄적이고 구체적인 기능을 나타내지 않기 때문입니다.

    " : 흐름의 중단된 부분 연결"은 흐름도에서 흐름이 중단되는 부분을 연결하는 기호로 사용됩니다. 이 기호는 일반적으로 "연결"이나 "점프"를 나타내는 기호로도 사용됩니다.
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94. 중앙처리장치의 주요기능에 대한 내용 중 옳지 않은 것은?

  1. 기억기능-레지스터(register)
  2. 연산기능-연산기(ALU)
  3. 전달기능-누산기(accumulator)
  4. 제어기능-조합회로와 기억소자
(정답률: 알수없음)
  • 누산기는 중앙처리장치의 주요 기능 중 하나이며, 전달 기능에 속합니다. 누산기는 데이터를 더하거나 빼는 등의 산술 연산을 수행하며, 이를 통해 계산 결과를 저장하거나 다음 연산에 이용합니다. 따라서 "전달기능-누산기(accumulator)"가 옳지 않은 것은 아닙니다.
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95. 연산자(operation)의 기능에 속하지 않는 것은?

  1. 기억 기능
  2. 제어 기능
  3. 전달 기능
  4. 함수연산 기능
(정답률: 알수없음)
  • "기억 기능"은 연산자의 기능이 아니라 변수나 상수에 값을 저장하거나 읽어오는 기능을 말한다. 따라서 "기억 기능"은 연산자의 기능에 속하지 않는다.
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96. 다음 중 에러를 찾아서 교정을 할 수 있는 코드는?

  1. hamming code
  2. ring counter code
  3. gray code
  4. 8421 code
(정답률: 알수없음)
  • 정답은 "hamming code"입니다.

    이유는 다음과 같습니다.

    - "ring counter code"는 에러를 찾아서 교정할 수 있는 기능이 없습니다. 따라서 에러를 찾아서 교정할 수 없는 코드입니다.
    - "gray code"는 에러를 찾아서 교정할 수 있는 기능이 없습니다. 따라서 에러를 찾아서 교정할 수 없는 코드입니다.
    - "8421 code"는 에러를 찾아서 교정할 수 있는 기능이 없습니다. 따라서 에러를 찾아서 교정할 수 없는 코드입니다.

    반면에 "hamming code"는 에러를 찾아서 교정할 수 있는 기능이 있습니다. 이 코드는 데이터를 전송할 때 추가적인 비트를 사용하여 에러를 검출하고 교정할 수 있습니다. 따라서 에러를 찾아서 교정할 수 있는 코드입니다.
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97. 순차접근(Sequential Access) 방식을 사용하는 장치는?

  1. 반도체 메모리
  2. 자기드럼
  3. 자기테이프
  4. 자기디스크
(정답률: 알수없음)
  • 순차접근 방식은 데이터를 순서대로 읽거나 쓰는 방식으로, 자기테이프는 데이터를 테이프에 기록하고 읽을 때 처음부터 순서대로 읽어나가는 방식을 사용하기 때문에 순차접근 방식을 사용하는 장치입니다.
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98. ASCII 코드의 존(zone)비트와 디짓(digit)비트의 구성으로 옳게 표시한 것은?

  1. 존 비트 : 4. 디짓 비트 : 3
  2. 존 비트 : 3. 디짓 비트 : 4
  3. 존 비트 : 4. 디짓 비트 : 4
  4. 존 비트 : 3. 디짓 비트 : 3
(정답률: 알수없음)
  • 정답은 "존 비트 : 3. 디짓 비트 : 4"이다. ASCII 코드에서 존 비트는 문자의 종류를 나타내는 비트이고, 디짓 비트는 숫자나 기호를 나타내는 비트이다. 존 비트는 총 8가지 종류의 문자를 표현할 수 있으므로 3비트가 필요하고, 디짓 비트는 10가지의 숫자와 여러 기호를 표현할 수 있으므로 4비트가 필요하다. 따라서 "존 비트 : 3. 디짓 비트 : 4"가 옳은 표기이다.
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99. 프로그래밍 언어의 종류 중 객체 지향적인 프로그래밍 언어는?

  1. FORTRAN
  2. ALGOL
  3. 어셈블리어
  4. C++
(정답률: 알수없음)
  • C++은 객체 지향적인 프로그래밍 언어이다. 이는 C++에서 클래스와 객체를 사용하여 데이터와 함수를 캡슐화하고, 상속과 다형성을 지원하여 코드의 재사용성과 유지보수성을 높일 수 있기 때문이다. 반면 FORTRAN, ALGOL, 어셈블리어는 객체 지향적인 특징을 지원하지 않는다.
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100. 어셈블리 언어(Assembly Language)로 된 프로그램을 기계어(Machine Language)로 변환하는 것은?

  1. Compiler
  2. Transiator
  3. Assembler
  4. Language Decoder
(정답률: 알수없음)
  • 어셈블리 언어는 사람이 이해하기 쉬운 기호로 작성된 프로그래밍 언어이고, 기계어는 컴퓨터가 이해할 수 있는 0과 1로 이루어진 언어입니다. 따라서 어셈블리 언어로 작성된 프로그램을 기계어로 변환하기 위해서는 어셈블러(Assembler)라는 프로그램이 필요합니다. Assembler는 어셈블리 언어로 작성된 프로그램을 기계어로 변환해주는 프로그램입니다. Compiler는 고급 언어를 기계어로 변환해주는 프로그램이고, Transiator와 Language Decoder는 존재하지 않는 용어입니다.
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