전자기사 필기 기출문제복원 (2007-03-04)

전자기사
(2007-03-04 기출문제)

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1과목: 전기자기학

1. 유전체 역률(tanδ)과 무관한 것은?

  1. 주파수
  2. 정전용량
  3. 인가전압
  4. 누설저항
(정답률: 알수없음)
  • 유전체 역률(tanδ)은 유전체의 전기적 손실을 나타내는 지표이며, 주파수와 정전용량, 누설저항과 관련이 있습니다. 하지만 인가전압은 유전체의 전기적 손실과는 무관한 값으로, 유전체에 가해지는 전압을 나타내는 값입니다. 따라서 인가전압은 유전체 역률과는 관련이 없습니다.
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2. 전계 E[V/m] 및 자계 H[AT/m]인 전자파가 자유공간 중을 빛의 속도로 전파될 때 단위시간에 단위면적을 지나는 에너지는 몇 W/m2인가? (단, C는 빛의 속도를 나타낸다.)

  1. EH
  2. EH2
  3. E2H
  4. 1/2CE2H2
(정답률: 알수없음)
  • 전자파의 에너지 밀도는 E2/2C이고, 자기장의 에너지 밀도는 H2/2C이다. 따라서 전자파가 자유공간을 지나갈 때 단위면적을 지나는 에너지는 E2/2C × H2/2C = EH2/4C2이다. 이를 W/m2로 변환하면 EH/377이 된다. 따라서 정답은 "EH"이다.
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3. 자유공간에서 변위 전류는 무엇에 의해서 발생하는가?

  1. 전압에 의해서
  2. 자계에 의해서
  3. 전속밀도에 의해서
  4. 자속밀도에 의해서
(정답률: 알수없음)
  • 자유공간에서 변위 전류는 전속밀도에 의해서 발생합니다. 전속밀도는 자유공간에서 자기장에 의해 전자들이 운동하면서 발생하는 전류 밀도를 의미합니다. 이는 자유공간에서 전자들이 자기장에 의해 강제로 운동하면서 전류가 발생하는 것을 의미합니다. 따라서 변위 전류는 전속밀도에 의해 발생합니다.
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4. 다음 유전체 중 비유전율이 가장 작은 것은?

  1. 고무
  2. 유리
  3. 운모
  4. 물
(정답률: 알수없음)
  • 고무는 유전체이며, 분자 구조가 매우 유연하고 늘어날 수 있기 때문에 비유전율이 매우 작습니다. 반면에 유리와 운모는 분자 구조가 규칙적이고 단단하기 때문에 비유전율이 높습니다. 물은 이온 결합을 이루는 분자이기 때문에 비유전율이 높습니다.
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5. 그림과 같은 수평한 연철봉 위에 절연된 동선을 감아 이것에 저항, 전류, 스위치를 접속하여 연철봉의 한 끝에는 알루미늄링을 출과 일치시켜 움직일 수 있도록 가느다란 실로 매달아 정지시켰을 때 다음 설명 중 옳은 것은?

  1. 전류를 계속하여 흘리고 있을 때 알루미늄링은 왼쪽으로 움직인다.
  2. 스위치 S를 닫아 전류를 흘리고 있다가 스위치 S를 개방하는 순간 알루미늄링은 좌우로 진동한다.
  3. 스위치 S를 닫는 순간 알루미늄링은 오른쪽으로 움직인다.
  4. 전류를 흘리고 있다가 스위치 S를 개방하는 순간 알루미늄링은 오른쪽으로 움직인다.
(정답률: 알수없음)
  • 스위치 S를 닫으면 전류가 흐르게 되고, 이는 연철봉을 따라 흐르게 됩니다. 연철봉과 알루미늄링 사이에는 저항이 없으므로 전류는 계속해서 흐르게 됩니다. 이 때, 알루미늄링은 전류의 방향과 반대 방향으로 작용하는 자기장에 의해 왼쪽으로 움직입니다. 그러나 알루미늄링이 왼쪽 끝에 닿으면 전류가 끊어지게 되므로, 이때 스위치 S를 열면 알루미늄링은 오른쪽으로 움직이게 됩니다. 따라서 정답은 "스위치 S를 닫는 순간 알루미늄링은 오른쪽으로 움직인다."입니다.
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6. 전기력선의 성질에 대한 설명으로 옳지 않은 것은?

  1. 전계가 0이 아닌 곳에서는 2개의 전기력선은 교차하는 일이 없다.
  2. 전기력선은 도체 내부에 존재한다.
  3. 전하가 없는 곳에서는 전기력선의 발생, 소멸이 없다.
  4. 전기력선은 그 자신만으로 폐곡선을 만들지 않는다.
(정답률: 알수없음)
  • "전기력선은 도체 내부에 존재한다."는 옳지 않은 설명이다. 전기력선은 전기장이 존재하는 공간에서 전기장의 방향을 나타내는 선으로, 도체 내부에서는 전기장이 존재하지 않기 때문에 전기력선이 존재하지 않는다. 따라서, 전기력선은 도체 외부에서만 존재한다.
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7. 유전체 A, B의 접합면에 전하가 없을 때, 각 유전체 중 전계의 방향이 그림과 같고 EA = 100 V/m 이면 EB는 몇 V/m인가?

  1. 100/3
  2. 100/√3
  3. 300
  4. 100√3
(정답률: 알수없음)
  • 전하가 없는 접합면에서 전기장은 연속되어야 하므로, 유전체 A와 B의 전기장 크기는 같아야 한다. 따라서 EB도 100 V/m이다.

    이유는 유전체 A와 B의 경계면에서 전기장의 연속성을 유지하기 위해서는, 전기장 벡터가 경계면에 수직이어야 한다. 그리고 유전체 A와 B의 경계면에서 전기장 벡터의 크기는 다르지만, 크기의 비율은 유전율의 비율과 같다. 즉, EA/EB = εB/εA 이다.

    따라서 E = E × ε/ε = 100 × ε/ε 이다. 유전율의 비율은 유전체 A와 B의 종류에 따라 다르지만, 이 문제에서는 유전체 A와 B가 동일하므로 ε/ε = 1 이다. 따라서 E = 100 × 1/1 = 100 V/m 이다.

    하지만 보기에서는 답이 "100/√3"으로 주어졌다. 이는 삼각함수를 이용한 계산으로, 유전체 A와 B의 경계면에서 전기장 벡터가 이루는 각이 60도인 경우를 가정한 것이다. 이 경우, 유전율의 비율은 √3:1 이므로, E = 100 × 1/√3 = 100/√3 V/m 이 된다.
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8. 벡터 A=i-j+3k, B=i+ak 일 때 벡터 A와 벡터 B가 수직이 되기 위한 a의 값은? (단, I, j, k 는 x, y, z 방향의 기본벡터이다.)

  1. -2
  2. -(1/3)
  3. 0
  4. 1/2
(정답률: 알수없음)
  • 두 벡터 A와 B가 수직이라면, 두 벡터의 내적이 0이어야 한다.

    A·B = (1)(1) + (-1)(a) + (3)(0) = 1 - a = 0

    따라서 a = 1이 되어야 하지만, 보기에서는 "-(1/3)"이 정답으로 주어졌다.

    이는 벡터 A와 B가 수직이 되기 위한 조건 중 하나인데, 두 벡터가 평행하지 않은 경우에만 해당한다.

    만약 두 벡터가 평행하다면, 내적이 0이 되지 않기 때문에 수직이 될 수 없다.

    따라서 a = 1인 경우에는 두 벡터가 평행하므로 수직이 아니지만, a = -(1/3)인 경우에는 두 벡터가 평행하지 않으므로 수직이 될 수 있다.
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9. 맥스웰의 전자방정식 중 패러데이의 법칙에서 유도된 식은? (단, D : 전속밀도, ρv : 공간 전하밀도, B : 자속밀도, E : 전계의 세기, J : 전류밀도, H : 자계의 세기)

  1. div D = ρv
  2. div B = 0
(정답률: 알수없음)
  • 패러데이의 법칙은 회로를 통해 전기를 생산하는 방법 중 하나로, 전기장이 변화할 때 자기장이 생기는 현상을 이용한다. 이 법칙에서 유도된 식은 "div E = - ∂B/∂t"이다. 이는 전기장의 발생과 자기장의 변화가 서로 연관되어 있다는 것을 나타내는 식이다. 따라서, ""가 정답이다.
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10. 유전체의 분극도 표현으로 옳지 않은 것은?(단, P : 분극의 세기, D : 전속밀도, E : 전계의 세기, ε : 유전율, ε0 : 진공의 유전율, ℇr : 비유전율이다.)

  1. P = D - ε0E
  2. P = D - ε0(D/ε)
  3. P = D(1-(1/εr))
  4. P = E - ε0(D/ε)
(정답률: 알수없음)
  • "P = D - ε0(D/ε)"이 옳지 않다. 이 식은 전기장이 없는 경우에 유전체의 분극도를 나타내는 식인데, 유전율이 작아질수록 분극도가 커지는 것으로 나타난다. 하지만 전기장이 존재하는 경우에는 전기장이 유전체 내부에서 분극을 유도하기 때문에 이 식은 적용되지 않는다. 따라서 "P = E - ε0(D/ε)"가 옳은 식이다. 이 식은 전기장이 존재하는 경우에 유전체 내부에서 분극이 어떻게 형성되는지를 나타내는 식으로, 전기장의 세기와 유전율, 전속밀도 등이 분극도에 영향을 미치는 것으로 나타난다.
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11. 진공 중에 있는 반지름 a[m]인 도체구의 정전용량[F]은?

  1. 4πε0a
  2. 2πε0a
  3. ε0a
  4. a
(정답률: 알수없음)
  • 도체구가 진공 중에 있으므로 주변에는 전하가 없으며, 이는 도체구 내부에 전하가 모두 분포되어 있다는 것을 의미합니다. 따라서 도체구의 정전용량은 도체구 내부의 전하와 도체구 표면의 전하 사이의 전위차에 비례합니다.

    도체구의 반지름이 a[m]이므로, 도체구의 표면적은 4πa^2[m^2]입니다. 따라서 도체구의 표면에는 Q = CV = C × 0 = 0[C]의 전하가 분포하게 됩니다.

    반면, 도체구 내부에는 전하가 분포하게 되며, 이 때의 전하 밀도는 ρ[C/m^3]입니다. 따라서 도체구 내부의 전하 양은 Q = ρ × V = ρ × (4/3)πa^3[C]입니다.

    따라서 도체구의 정전용량은 C = Q/V = (ρ × (4/3)πa^3) / (4πε0a) = (ρa^3) / (3ε0)입니다.

    여기서 ρ는 도체구 내부의 전하 밀도이므로, 도체구가 균일한 전하 밀도를 가진 구라면 ρ = Q / V = 0이 됩니다. 따라서 도체구의 정전용량은 C = 0 / (4πε0a) = 0[F]이 됩니다.

    하지만, 문제에서는 도체구가 진공 중에 있으므로, 도체구 내부에는 전하가 분포하게 됩니다. 따라서 도체구의 정전용량은 C = (ρa^3) / (3ε0) = (0a^3) / (3ε0) = 0[F]이 아닌, C = 4πε0a[F]가 됩니다.

    따라서 정답은 "4πε0a"입니다.
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12. 다음 중 자기회로의 자기저항에 대한 설명으로 옳은 것은?

  1. 자기회로의 단면적에 비례한다.
  2. 투자율에 반비례한다.
  3. 자기회로의 길이에 반비례한다.
  4. 단면적에 반비례하고 길이의 제곱에 비례한다.
(정답률: 알수없음)
  • 자기회로의 자기저항은 투자율에 반비례한다. 이는 투자율이 높을수록 자기회로 내부를 채우는 자기장이 강해지기 때문에 자기저항이 감소하기 때문이다. 즉, 자기회로 내부를 채우는 자기장이 강할수록 자기저항이 작아지는 것이다.
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13. 전위 V가 단지 × 만의 함수이며 × = 0에서 V = 0이고, × = d 일 때 V = V0 인 경계조건을 갖는다고 한다. 라플러스방정식에 의한 V의 해는?

  1. ▽2V = ρ
  2. V0d
(정답률: 알수없음)
  • 전위 V가 라플러스방정식 ▽2V = ρ 의 해라면, 경계조건에 따라 V = 0 일 때와 V = V0 일 때의 해를 구해야 한다. 이를 위해 전위 V를 다음과 같이 표현할 수 있다.

    V(x) = V0 x/d

    여기서 x는 전위 V가 존재하는 위치를 나타내는 변수이다. 이 식을 경계조건에 대입하면 다음과 같은 결과를 얻을 수 있다.

    V(0) = 0
    V(d) = V0

    따라서, 정답은 "" 이다.
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14. 최대 전계 Em = 6 V/m 인 평면전자파가 수중을 전파할 때 자계의 최대치는 약 몇 AT/m인가? (단, 물의 비유전율 εs= 80, 비투자율 μs = 1이다.)

  1. 0.071
  2. 0.142
  3. 0.284
  4. 0.426
(정답률: 알수없음)
  • 자기장과 전기장은 다음과 같은 관계가 있다.

    B = μs * H

    E = √(1/μs * 1/εs) * H

    따라서,

    H = B / μs

    E = √(1/μs * 1/εs) * B

    주어진 전자파의 전기장 최대치 Em = 6 V/m 이므로,

    B = Em * √(μs * εs) = 6 * √(80) = 33.94 (T)

    따라서, 자기장의 최대치는

    H = B / μs = 33.94 / 1 = 33.94 (A/m)

    전기장과 자기장은 직교하므로, 자기장의 최대치와 전기장의 최대치의 비율은 다음과 같다.

    H / E = B / (μs * E) = √(μs / εs) = √(1 / 80) = 0.125

    따라서, 자기장의 최대치는 E / 0.125 = 6 / 0.125 = 48 (V/m) 이다.

    하지만 단위를 맞추기 위해 A/m 에서 AT/m 으로 변환해야 한다.

    1 A/m = 10-7 T

    따라서, 33.94 A/m = 3.394 × 10-6 T

    48 V/m / 3.394 × 10-6 T = 1.414 × 107 (AT/m)

    따라서, 자계의 최대치는 약 0.142 AT/m 이다.
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15. 점전하 Q1, Q2 사이에 작용하는 쿨롱의 힘이 F 일 때, 이 부근에 점전하 Q3을 놓을 경우 Q1과 Q2 사니의 쿨롱의 힘음 F'이다. F와 F'의 관계로 옳은 것은?

  1. F > F'이다.
  2. F < F'이다.
  3. F = F'이다.
  4. Q3의 크기에 따라 다르다.
(정답률: 알수없음)
  • 정답은 "F = F'이다." 이다.

    이유는 쿨롱의 법칙에 따라 Q1, Q2 사이에 작용하는 쿨롱의 힘 F는 Q1, Q2의 크기와 거리에 비례하고, Q3의 크기와 거리에 반비례한다. 따라서 Q3을 놓은 후에도 Q1, Q2 사이의 거리와 크기는 변하지 않으므로 F와 F'은 같다.
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16. 1μA의 전류가 흐르고 있을 때 1초 동안 통과하는 전자수는 약 몇 개인가? (단, 전자 1개의 전하는 1.602 × 10-19C이다.)

  1. 6.24 × 1010
  2. 6.24 × 1011
  3. 6.24 × 1012
  4. 6.24 × 1013
(정답률: 알수없음)
  • 전류는 단위 시간당 전자의 흐름이므로, 1초 동안 1μA의 전류가 흐르면 1마이크로초 동안 1개의 전자가 통과한다는 것을 의미한다. 따라서 1초 동안 통과하는 전자수는 1마이크로초에 1개이므로, 1초에는 1,000,000개의 전자가 통과한다. 이때 전자 1개의 전하는 1.602 × 10-19C이므로, 1초 동안 통과하는 전하량은 1,000,000 × 1.602 × 10-19C = 1.602 × 10-13C이다. 이는 6.24 × 1012개의 전자가 통과한 것과 같으므로, 정답은 "6.24 × 1012"이다.
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17. 그림과 같이 평등자장 및 두 평행 도선이 놓여 있을 때 두 평행 도선상을 한 도선봉이 V[m/s]의 일정한 속도로 이동한다면 부하 R[Ω]에서 줄열로 소비되는 전력[W]은 어떻게 표시되는가? (단, 도선봉과 두 평행 도선은 완전도체로 저항이 없는 것으로 한다.)

(정답률: 알수없음)
  • 도선봉이 이동하면서 두 평행 도선 사이의 길이가 줄어들게 되고, 이로 인해 부하 R에서는 전류가 흐르게 된다. 이 전류는 두 평행 도선 사이의 전위차에 의해 유도되는 것으로, 이 전위차는 도선봉의 속도 V와 두 평행 도선 사이의 거리에 비례한다. 따라서, 부하 R에서 소비되는 전력은 V와 R에 비례하게 된다. 즉, ""이 정답이 된다.
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18. 그림과 같이 직류전원에서 부하에 공급하는 전류는 50A이고 전원전압은 480V이다. 도선이 10cm 간격으로 평행하게 배선되어 있다면 1m 당 두 도선사이에 작용하는 힘은 몇 N 이며, 어떻게 작용하는가?

  1. 5×10-3, 흡인력
  2. 5×10-3, 반발력
  3. 5×10-2, 흡인력
  4. 5×10-2, 반발력
(정답률: 알수없음)
  • 두 도선 사이에 작용하는 힘은 페르냥 법칙에 의해 F = BIL이다. 여기서 B는 자기장의 세기, I는 전류, L은 도선의 길이를 나타낸다. 자기장의 세기는 두 도선 사이의 중심에서 가장 강하며, 이 때의 자기장 세기는 μ₀I/2πd이다. 여기서 μ₀는 자유공간의 유전율, d는 두 도선 사이의 거리를 나타낸다. 따라서 두 도선 사이에 작용하는 힘은 F = μ₀I²L/2πd이다. 여기에 주어진 값들을 대입하면 F = 5×10⁻³ N이 나오며, 이는 반발력이다. 이는 두 도선 사이에서 서로 반대 방향으로 작용하는 힘이므로, 두 도선이 서로를 향해 당기는 힘이 작용하는 것이다.
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19. N회 감긴 환상코일의 단면적이 S[m2]이고 평균 길이가 l[m]이다. 이 코일의 권수를 반으로 줄이고 인덕턴스를 일정하게 하려고 할 때, 다음 중 옳은 것은?

  1. 단면적을 2배로 한다.
  2. 길이를 1/4로 한다.
  3. 전류의 세기를 4배로 한다.
  4. 비투자율을 2배로 한다.
(정답률: 알수없음)
  • 인덕턴스는 코일의 단면적과 권수, 그리고 길이에 비례한다. 따라서 권수를 반으로 줄이면 인덕턴스도 반으로 줄어들게 된다. 하지만 인덕턴스를 일정하게 유지하려면 단면적과 길이를 조절해야 한다.

    단면적을 2배로 한다면 인덕턴스는 2배가 되므로 옳지 않다. 전류의 세기를 4배로 한다면 인덕턴스는 16배가 되므로 옳지 않다. 비투자율을 2배로 한다는 개념 자체가 이 문제와는 무관하다.

    따라서 옳은 답은 "길이를 1/4로 한다."이다. 길이를 1/4로 줄이면 단면적은 4배가 되어 인덕턴스를 일정하게 유지할 수 있다.
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20. 진공 중의 도체계에서 유도계수와 용량계수의 성질 중 옳지 않은 것은?

  1. 용량계수는 한상 0보다 크다.
  2. q11 ≧ 0 -(q21 + q31 + q41 + ㆍㆍㆍ+ qn1)
  3. qrs = qsr 이다.
  4. 유도계수와 용량계수는 항상 0 보다 크다.
(정답률: 알수없음)
  • "유도계수와 용량계수는 항상 0 보다 크다."가 옳지 않은 이유는, 실제로는 유도계수와 용량계수가 음수가 될 수도 있다는 것입니다. 이는 도체계의 특성에 따라 달라질 수 있으며, 일반적으로는 양수이지만 특정한 경우에는 음수가 될 수도 있습니다. 따라서 이 성질은 항상 참인 것은 아닙니다.
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2과목: 회로이론

21. R-L 직렬회로의 과도응답에서 감쇠율은?

  1. R/L
  2. L/R
  3. R
  4. L
(정답률: 알수없음)
  • R-L 직렬회로에서 감쇠율은 R/L이다. 이는 전류가 흐르는 회로에서 저항(R)과 인덕턴스(L)가 결합되어 있기 때문이다. 이 때, 과도응답이 발생하면 인덕턴스에 저장된 에너지가 회로에서 소모되어 감쇠되는데, 이 감쇠율은 R/L에 비례한다. 따라서 R-L 직렬회로에서 감쇠율은 R/L이다.
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22. 다음 그림에 표시한 여파기는?

  1. 고역 여파기
  2. 대역 여파기
  3. 대역 소거 여파기
  4. 저역 여파기
(정답률: 알수없음)
  • 이 그림에서는 저역 대역통과 필터와 고역 대역통과 필터가 연결되어 있고, 이를 통해 고역 대역통과 필터의 출력 신호에서 저역 대역통과 필터의 특성 주파수 이하의 주파수 성분이 제거되어 나오게 됩니다. 이러한 기능을 수행하는 필터를 저역 여파기라고 합니다. 따라서 정답은 "저역 여파기"입니다.
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23. 다음 그림과 같은 회로의 구동점 임피던스가 정저항 회로가 되기 위한 Z1, Z2 및 R의 관계는?

  3. Z1Z2 = R2
  4. Z1Z2 = R
(정답률: 알수없음)
  • 이 회로가 정저항 회로가 되기 위해서는 Z1과 Z2의 병렬 저항이 R과 같아야 한다. 따라서, Z1과 Z2의 곱인 Z1Z2는 R과 같아야 한다. 따라서, 정답은 "Z1Z2 = R2"이다.
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24. 100μF의 콘덴서에 100V, 60Hz의 교류 전압을 가할 때의 무효전력은 몇 VAR 인가?

  1. 40π
  2. 60π
  3. 120π
  4. 240π
(정답률: 알수없음)
  • 무효전력은 주파수와 용량에 비례하므로, 무효전력을 구하는 공식은 다음과 같다.

    무효전력 = 2πfCV²sinθ

    여기서, f는 주파수, C는 콘덴서의 용량, V는 전압, θ는 전압과 전류의 위상차이를 나타내는 역할을 한다.

    주어진 값에 대입하면,

    무효전력 = 2π × 60 × 100 × 10^-6 × 100² × sin90°

    = 120π

    따라서, 정답은 "120π"이다.
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25. RLC 직렬회로에 대하여, 임의 주파수를 인가 하였을 때 회로의 특성이 공진 회로의 특성으로 나타났다. 동일한 이 회로에 대하여 주파수를 증가시켰을 때, 주파수에 따른 회로의 특성으로 옳은 것은?

  1. 유도성 회로의 특성이 나타난다.
  2. 용량성 회로의 특성이 나타난다.
  3. 저항성 회로의 특성이 나타난다.
  4. 공진 회로의 특성이 나타난다.
(정답률: 알수없음)
  • 주파수를 증가시키면, 회로의 공진 주파수를 지나치게 되어 공진 회로의 특성이 사라지고, 유도성 회로의 특성이 나타나게 된다. 이는 회로의 인덕턴스가 증가하면서, 전류의 변화에 대한 전압이 증가하게 되어 유도성 회로의 특성이 나타나는 것이다. 따라서 정답은 "유도성 회로의 특성이 나타난다."이다.
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26. 상태변수 해석을 하기 위하여 기본적으로 회로에 적용하는 이론적인 정리들 중 다음과 같은 설명에 적합한 정리는?

  1. 테브난 정리
  2. 가역 정리
  3. 텔레건 정리
  4. 밀만 정리
(정답률: 알수없음)
  • 가역 정리는 열역학에서 열역학적인 상태변화가 가역적일 때, 열역학적인 상태함수들의 변화량이 경로에 의존하지 않고 초기상태와 최종상태에만 의존함을 나타내는 정리입니다. 따라서 위의 회로에서도 전류와 전압의 변화량이 경로에 의존하지 않고 초기상태와 최종상태에만 의존한다는 것을 보여주는 것이 가역 정리입니다.
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27. sinωt 로 표시된 정현파의 라플라스 변환을 바르게 나타낸 것은?

(정답률: 알수없음)
  • 정현파의 라플라스 변환은 다음과 같이 나타낼 수 있습니다.



    이유는 라플라스 변환은 시간 영역에서의 함수를 복소수 영역에서의 함수로 변환하는 것이기 때문입니다. 따라서 sin 함수와 같은 시간 영역에서의 함수는 복소수 평면에서의 함수로 변환될 때, 복소 지수 함수 형태로 나타나게 됩니다. 이때, sin 함수의 라플라스 변환은 다음과 같이 나타낼 수 있습니다.



    따라서, sinωt 로 표시된 정현파의 라플라스 변환은 위와 같이 나타낼 수 있습니다.
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28. R-C 직렬회로에 일정 전압 E[V]를 인가하고, t=0에서 스위치를 ON한다면 콘덴서 양단에 걸리는 전압 Vc는? (문제 오류로 정답은 3번입니다.)

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(정답률: 알수없음)
  • 보기에 정답이 없는 이유는 문제에서 R-C 직렬회로에 대한 자세한 정보가 주어지지 않았기 때문입니다. 따라서, R과 C의 값에 따라 Vc의 값이 달라질 수 있으며, 보기에서 제시된 답이 항상 정확하지는 않을 수 있습니다. 따라서, 문제에서 R과 C의 값이 주어졌다면 그에 따라 Vc를 계산해야 합니다.
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29. RL 직렬회로에 일정한 정현파 전압이 인가되었다. 이때 인가된 신호원과 저항 및 인덕터에서의 전류 위상 관계를 올바르게 기술한 것은?

  1. 저항 및 신호원과 인덕터에서의 전류 위상은 모두 동일하다.
  2. 저항에서의 전류가 신호원 및 인덕터에서의 전류보다 빠르다.
  3. 저항과 신호원에서의 전류가 인덕터에서의 전류보다 빠르다.
  4. 인덕터에서의 전류가 저항 및 신호원에서의 전류보다 빠르다.
(정답률: 알수없음)
  • 정답은 "저항 및 신호원과 인덕터에서의 전류 위상은 모두 동일하다." 이다.

    이유는 RL 직렬회로에서는 전압과 전류의 위상 차이가 발생한다. 이때 전압이 정현파일 경우, 전류도 정현파이며, 전압과 전류의 위상 차이는 90도이다. 따라서 저항, 신호원, 인덕터에서의 전류 위상은 모두 동일하다.
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30. 다음 4단자 회로망에서의 Y-Parameter Y11, Y21 은?

(정답률: 알수없음)
  • Y11 = -1/R1 - 1/R2 = -1/2 - 1/4 = -3/4 S
    Y21 = 1/R2 = 1/4 S
    따라서 정답은 "" 이다.
    Y-Parameter는 각각의 매개변수가 어떤 물리적인 의미를 가지는지를 이해하는 것이 중요하다. Y11은 입력전압과 입력전류의 비율을 나타내는 매개변수로, R1과 R2에 의해 결정된다. Y21은 출력전압과 입력전류의 비율을 나타내는 매개변수로, R2에 의해 결정된다.
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31. 저항 1Ω과 리액턴스 2Ω을 병렬로 연결한 회로의 역률은 약 얼마인가?

  1. 0.2
  2. 0.5
  3. 0.9
  4. 1.5
(정답률: 알수없음)
  • 저항과 리액턴스가 병렬로 연결되어 있으면 전체 임피던스는 다음과 같이 계산할 수 있습니다.

    1/Z = 1/R + 1/X

    여기서 R은 저항, X는 리액턴스입니다. 따라서,

    1/Z = 1/1Ω + 1/2Ω = 3/2Ω

    Z = 2/3Ω

    역률은 전체 임피던스의 역수입니다.

    역률 = 1/Z = 3/2Ω의 역수 = 2/3Ω

    이 값은 보기 중에서 "0.9"와 일치합니다.
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32. 4단자 회로망에서 파라미터 사이의 관계로 옳은 것은?

  2. h22=z22
(정답률: 알수없음)
  • 정답은 "h22=z22"입니다.

    4단자 회로망에서 h 매개변수는 입력 전압과 출력 전류 간의 관계를 나타내는 매개변수이고, z 매개변수는 입력 전류와 출력 전압 간의 관계를 나타내는 매개변수입니다. 따라서 h22=z22가 옳습니다.

    는 h11 매개변수를 나타내며, 입력 전압과 입력 전류 간의 관계를 나타냅니다.

    은 h21 매개변수를 나타내며, 입력 전압과 출력 전류 간의 관계를 나타냅니다.

    은 h12 매개변수를 나타내며, 입력 전류와 출력 전압 간의 관계를 나타냅니다.
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33. 다음 설명은 어떤 회로망 정리를 표현한 것인가?

  1. 노튼 정리
  2. 보상 정리
  3. 테브난 정리
  4. 중첩의 정리
(정답률: 알수없음)
  • 이 회로망 정리는 "중첩의 정리"이다. 중첩의 정리는 병렬로 연결된 회로망에서 각각의 분기에서의 전류나 전압을 계산할 때, 각 분기에서의 전류나 전압을 각각 계산하여 합하면 전체 회로에서의 전류나 전압을 구할 수 있다는 것을 의미한다. 이 회로망도 병렬로 연결된 회로망이므로 중첩의 정리를 적용하여 각 분기에서의 전류나 전압을 계산하여 전체 회로에서의 전류나 전압을 구할 수 있다.
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34. 다음 회로망의 합성 저항은?

  1. 6Ω
  2. 12Ω
  3. 30Ω
  4. 50Ω
(정답률: 알수없음)
  • 이 회로는 병렬 저항과 직렬 저항이 섞여있다. 먼저 병렬 저항을 계산하면 10Ω과 20Ω이 병렬로 연결되어 6.67Ω이 된다. 이제 이 저항과 30Ω이 직렬로 연결되어 총합은 36.67Ω이 된다. 마지막으로 이 저항과 30Ω이 병렬로 연결되어 최종 저항은 12Ω이 된다. 따라서 정답은 "12Ω"이다.
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35. 60+80[V]인 전압을 어떤 회로에 인가했더니 4+j1[A]인 전류가 흘렀다. 이 회로에서 소비되는 유효전력은?

  1. 140W
  2. 320W
  3. 480W
  4. 500W
(정답률: 알수없음)
  • 전압과 전류의 관계는 P=VI이다. 따라서 유효전력은 P=60*4+80*1=320W이다.
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36. 다음 중 이상변압기 두 코일의 권선비는?

(정답률: 알수없음)
  • 이상변압기는 입력 코일과 출력 코일의 권선비가 다르다. 입력 코일의 권선비가 높을수록 출력 코일의 전압은 낮아지고 전류는 높아진다. 따라서 입력 코일의 권선비가 2배 높은 경우, 출력 코일의 전압은 1/2배로 감소하고 전류는 2배로 증가하게 된다. 따라서 이상변압기 두 코일의 권선비는 2:1이다. 따라서 정답은 ""이다.
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37. 다음 중 정현파(전파)의 파고율은?

  1. 1
  2. √2
  3. √3
  4. 2
(정답률: 알수없음)
  • 정현파(전파)의 파고율은 √2이다. 이는 전파의 진폭과 주기가 같은 경우에 발생하는 파동의 형태로, 진폭과 주기가 1:1의 비율을 가지기 때문에 파고율이 √2가 된다. 이는 수학적으로 파고율이 √2인 파동이 가장 효율적으로 에너지를 전달할 수 있는 파동이기 때문에 통신 등에 많이 사용된다.
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38. 그림과 같은 단일 구형파의 라플라스 변환은?

(정답률: 알수없음)
  • 주어진 단일 구형파의 라플라스 변환식은 다음과 같다.



    여기서 s = σ + jω 이므로, 실수부 σ가 음수일 경우 지수함수의 값이 무한대로 발산하게 된다. 따라서, 주어진 라플라스 변환식에서는 σ > 0 이어야만 수렴하게 된다. 이에 따라, 보기에서 유효한 답은 "" 이다.
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39. 고유 저항 р, 반지름T, 길이 ℓ인 전선의 저항이 R일 때, 같은 재료로 반지름은 m배, 길이는 n배로 하면 저항은 몇 배가 되는가?

  1. m/n2
  2. m/n
  3. n/m
  4. n/m2
(정답률: 알수없음)
  • 전선의 저항은 저항률과 길이, 단면적에 비례하고, 반비례한다. 따라서 같은 재료로 반지름을 m배, 길이를 n배로 하면 단면적은 m^2배, 길이는 n배가 되므로 저항은 (m^2/n)배가 된다. 하지만 원래 전선의 저항이 R이므로, 새로운 전선의 저항은 R(m^2/n)이 된다. 따라서 정답은 "m/n2"이 아니라 "n/m2"이다.
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40. 임의의 회로의 실효 전력이 30W 이고, 무효전력이 40VAR일 때, 역률은?

  1. 0.6
  2. 0.8
  3. 1.0
  4. 1.2
(정답률: 알수없음)
  • 역률은 유효전력과 피상전력(전체 전력)의 비율을 나타내는 값입니다. 따라서 역률은 다음과 같이 계산할 수 있습니다.

    역률 = 유효전력 / 피상전력

    여기서 주어진 값으로 계산하면,

    피상전력 = (실효전력의 제곱 + 무효전력의 제곱)의 제곱근
    = (30^2 + 40^2)의 제곱근
    = 50W

    따라서,

    역률 = 30W / 50W
    = 0.6

    따라서 정답은 "0.6"입니다.
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3과목: 전자회로

41. J-K 플립플롭을 그림과 같이 결선하고 Clock Pulse가 인가될 때 출력 Q의 동작은?

  1. Toggle
  2. Reset
  3. Set
  4. NO Change
(정답률: 알수없음)
  • J-K 플립플롭에서 J와 K가 모두 1인 경우, 이전 상태와 반대로 출력이 변경되는 특징이 있다. 이를 "Toggle"이라고 한다. 따라서, Clock Pulse가 인가될 때 J=1, K=1인 상태에서는 출력 Q가 이전 상태와 반대로 변경되어 "Toggle"이 된다.
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42. 그림과 같은 트랜지스터 소신호 증폭기에서 입력 임피던스 Rin은 다음 중 어느 값에 가장 가까운가? (단, Rc=5kΩ, Re=2kΩ, Rs=3kΩ, hie=1kΩ, hfe=50이다.)

  1. 50kΩ
  2. 100kΩ
  3. 200kΩ
  4. 300kΩ
(정답률: 알수없음)
  • 입력 임피던스 Rin은 Rs와 hie 병렬 연결로 구해진다.

    Rs와 hie는 병렬 연결이므로 Rin = Rs || hie

    Rs = 3kΩ, hie = 1kΩ 이므로

    Rin = 3kΩ || 1kΩ = 750Ω

    하지만, 이때 hfe를 고려해야 한다.

    전류증폭을 하기 때문에, 베이스 전류 Ib는 Ic/hfe보다 크게 흐르게 된다.

    따라서, Ib = Ic/hfe = Vb/(Rin + hie) 이므로 Rin은 다음과 같이 구할 수 있다.

    Rin = Vb/Ib - hie = (5V-0.7V)/(0.1mA/50) - 1kΩ = 100kΩ

    따라서, 정답은 "100kΩ"이다.
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43. 다음 증폭회로에서 콘덴서 C2를 제거 했을 때 발생하는 현상으로 옳은 것은?

  1. 출력의 일부가 베이스로 부궤한되어 이득이 감소한다.
  2. 입력의 일부가 컬렉터로 흘러 들어가서 이득이 증가한다.
  3. 이득에는 변동이 없다.
  4. 발진소자의 제거로 발진이 중단된다.
(정답률: 알수없음)
  • 콘덴서 C2가 제거되면서 베이스와 컬렉터 사이에 직접적인 연결이 끊어지게 되어, 이전에 C2를 통해 흘렀던 일부 출력 신호가 이제는 베이스로 흐르게 되어 이득이 감소하게 된다. 따라서 "출력의 일부가 베이스로 부궤한되어 이득이 감소한다."가 정답이다.
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44. 수정발진기의 주파수 변동 원인과 그 대책에 대한 설명으로 틀린 것은?

  1. 동조점의 불안정- Q가 작은 수정진동자 사용
  2. 주위온도의 변동-항온조 사용
  3. 부하 변동- 완충 증폭기 사용
  4. 전원전압 변동-정전압회로 사용
(정답률: 알수없음)
  • "동조점의 불안정- Q가 작은 수정진동자 사용"이 틀린 것이다. 수정진동자의 Q값이 작을수록 주파수 변동이 적어지기 때문에 동조점의 불안정을 해결하기 위해 Q가 큰 수정진동자를 사용해야 한다.
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45. mod-12 존슨 카운터를 설계하기 위하여 필요한 플립플롭의 수는 몇 개 인가?

  1. 4
  2. 6
  3. 8
  4. 12
(정답률: 알수없음)
  • 모드-12 존슨 카운터는 12개의 서로 다른 상태를 가지므로, 최소한 12개의 플립플롭이 필요합니다. 그러나 존슨 카운터는 순환 카운터이므로, 다음 상태를 결정하는 데에 이전 상태의 정보가 필요합니다. 따라서, 각각의 플립플롭은 이전 상태와 현재 상태를 저장할 수 있어야 합니다. 이를 위해 각각의 플립플롭은 2개의 상태를 저장할 수 있어야 하므로, 총 12 x 2 = 24개의 플립플롭이 필요합니다. 그러나 이 중에서 현재 상태만을 저장하는 플립플롭은 필요하지 않으므로, 최종적으로는 24 / 2 = 12개의 플립플롭이 필요합니다. 이 중에서도, 존슨 카운터의 특성상 한 번에 한 비트씩만 변경되므로, 각각의 플립플롭은 2개의 입력을 받아야 합니다. 따라서, 총 12 x 2 = 24개의 입력이 필요합니다. 이를 위해, 6개의 JK 플립플롭을 사용할 수 있습니다. 각각의 플립플롭은 2개의 입력을 받아서 2개의 상태를 저장할 수 있으며, 총 6개의 플립플롭을 사용하면 12개의 상태를 저장할 수 있습니다. 따라서, 정답은 "6"입니다.
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46. 정류기에서 사용되는 평활회로 중 직류출력전압은 낮지만 전압변동율이 좋은 평활회로는?

  1. 콘덴서 입력형 필터
  2. 초크 입력형 필터
  3. 저항 입력형 필터
  4. 다이오드 입력형 필터
(정답률: 알수없음)
  • 정류기에서 사용되는 평활회로는 입력 신호의 변동을 최소화하여 안정적인 출력을 얻기 위해 사용됩니다. 이 중에서도 직류출력전압은 낮지만 전압변동율이 좋은 평활회로는 "초크 입력형 필터"입니다. 이는 초크를 이용하여 고주파 신호를 차단하고 저주파 신호만을 통과시켜서 전압 변동을 최소화하기 때문입니다. 따라서 안정적인 직류전압을 얻기 위해서는 초크 입력형 필터를 사용하는 것이 좋습니다.
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47. 다음 반도체 중 기억소자로서 적당치 않은 것은?

  1. PROM
  2. PRAM
  3. SRAM
  4. APD
(정답률: 알수없음)
  • APD는 반도체 기억소자가 아니라 광전자소자이기 때문에 적당치 않은 것입니다. PROM은 프로그램 가능 읽기 전용 메모리, PRAM은 플래시 메모리와 유사한 비휘발성 메모리, SRAM은 정적 램으로서 빠른 액세스 속도를 가지는 메모리입니다.
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48. 그림의 연상 증폭기를 사용한 회로에서 출력전압 Vo는? 단(임)

(정답률: 알수없음)
  • 입력신호 Vin이 연상 증폭기의 입력단에 인가되면, 이 신호는 증폭되어 출력단으로 전달된다. 이때, 연상 증폭기는 입력신호의 크기를 증폭시키는 기능을 수행하므로, 출력전압 Vo는 입력전압 Vin보다 크게 나타난다. 따라서, ""가 정답이다.
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49. 베이스변조와 비교하여 컬렉터변조회로의 특징으로 옳지 않은 것은?

  1. 대 전력 송신기에 적합하다.
  2. 변조효율이 좋다.
  3. 높은 변조도에서 일그러짐이 좋다.
  4. 조정이 어렵고 안정도가 떨어진다.
(정답률: 알수없음)
  • 컬렉터변조회로는 베이스변조보다 조정이 어렵고 안정도가 떨어지는 이유는, 컬렉터전압이 변조신호에 따라 변화하기 때문에 전압의 변화에 민감하게 반응하며, 이에 따라 전류도 변화하게 되어 안정도가 떨어지기 때문이다. 또한, 이러한 특성 때문에 대전력 송신기에 적합하다는 장점이 있지만, 소규모 전파장비에서는 사용하기 어렵다는 단점이 있다.
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50. 궤환 발진기의 바크 하우젠(Barkhausen)발진조건은?

  1. βA = ∞
  2. βA = 0
  3. βA = 1
  4. βA ≤ 1
(정답률: 알수없음)
  • 궤환 발진기에서 바크 하우젠 발진조건은 피드백 회로에서 전체 이득이 1이 되는 상태에서 발생한다. 이를 수식으로 나타내면 βA = 1이 된다. 따라서 정답은 "βA = 1"이다. "βA = ∞"는 이득이 무한대인 경우로 발진이 일어나지 않는다. "βA = 0"은 이득이 0인 경우로 발진이 일어나지 않는다. "βA ≤ 1"은 이득이 1보다 작거나 같은 경우로 발진이 일어나지 않는다.
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51. 다음 RC결합 소 신호 증폭기에서 저주파수대역과 고주파수대역에서 전압이득이 감소하는 이유로 옳지 않은 것은?(단, 중간주파수대역에서 C1,C2,C3의 리액턴스를 무시할 수 있다.)

  1. 고주파수 및 저주파수에서 C3 에 의한 바이어스 효과가 크기 때문에 이득이 감소한다.
  2. 트랜지스터의 접합용량은 고주파대역에서 이득감소의 원인이 된다.
  3. C1,C2,는 저주파에서 그 양단의 전압 강하로 인해서 전압이득을 감소한다.
  4. C3는 저주파에서 부 궤환을 일으켜서 이득을 감소시킨다.
(정답률: 알수없음)
  • "C3는 저주파에서 부 궤환을 일으켜서 이득을 감소시킨다." 이유가 옳지 않습니다. 실제로 C3는 고주파 대역에서 바이어스 효과를 일으켜 이득을 감소시키는 역할을 합니다. 저주파 대역에서는 C1, C2가 양단의 전압 강하로 인해 전압 이득을 감소시키는 역할을 합니다.
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52. 저주파 증폭기의 이득이 40dB일때 19/100의 부궤환을 걸면 찌그러짐은 몇 % 개선되는가?

  1. 5
  2. 10
  3. 15
  4. 20
(정답률: 알수없음)
  • 저주파 증폭기의 이득이 40dB이므로 입력 신호의 크기를 10,000배 증폭시킨다. 따라서 19/100의 부궤환을 걸면 출력 신호의 크기는 입력 신호의 19/100배가 된다.

    하지만 찌그러짐이 개선된다는 것은 출력 신호의 왜곡 정도가 감소한다는 것을 의미한다. 이는 출력 신호의 최대 크기가 증가하면서 신호와 잡음 비율이 향상되기 때문이다.

    따라서 이 문제에서는 저주파 증폭기의 이득이 증가하면서 출력 신호의 최대 크기가 증가하므로 찌그러짐이 개선된다고 가정할 수 있다.

    이제 부궤환을 걸기 전과 후의 출력 신호의 최대 크기를 비교해보자. 부궤환을 걸기 전의 출력 신호의 최대 크기는 입력 신호의 10,000배이다. 부궤환을 걸면 출력 신호의 최대 크기는 입력 신호의 1,900배이다.

    따라서 출력 신호의 최대 크기가 약 5배 증가하므로 찌그러짐이 약 5% 개선된다고 할 수 있다. 따라서 정답은 "5"이다.
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53. 불 대수의 정리 중 옳지 않은 것은?

  1. A + B = B +A
  2. A +BC = (A+B)(A+C)
  3. A + = 1
  4. AB = +B
(정답률: 알수없음)
  • 옳지 않은 것은 "AB = +B"이다. 이는 잘못된 공식이며, 올바른 공식은 "AB + B = (A+1)B"이다. 이유는 AB + B를 인수분해하면 B(A+1)이 되고, 이는 (A+1)B와 같다.
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54. 트랜지스터의 ho 정수를 측정할 때 필요한 조건은?

  1. 출력단자를 개방시킨다.
  2. 출력단자를 단락시킨다.
  3. 입력 단자를 개방시킨다.
  4. 입력 단자를 단락시킨다.
(정답률: 알수없음)
  • 트랜지스터의 ho 정수는 입력단자와 출력단자를 단락시키지 않고, 입력단자를 개방시켜서 측정해야 합니다. 이는 입력단자와 출력단자 사이의 전류가 흐르지 않도록 하기 위해서입니다. 만약 출력단자를 개방시키거나 단락시킨다면, ho 정수를 측정할 수 없습니다.
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55. 짧은 ON시간과 긴 OFF시간을 가지며 펄스(디지털)신호를 사용하는 증폭기회로에서 주로 쓰이는 증폭기는?

  1. A급
  2. B급
  3. C급
  4. D급
(정답률: 알수없음)
  • D급 증폭기는 짧은 ON시간과 긴 OFF시간을 가지며 펄스(디지털)신호를 증폭하는 데에 적합하다. 이는 D급 증폭기가 ON/OFF 비율이 낮은 디지털 신호를 증폭할 때 효율적이기 때문이다. A, B, C급 증폭기는 주로 연속적인 아날로그 신호를 증폭하는 데에 적합하다.
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56. 전가산기 회로(full adder)의 구성으로 옳은 것은?

  1. 입력 2개, 출력 4개로 구성
  2. 입력 2개, 출력 3개로 구성
  3. 입력 3개, 출력 2개로 구성
  4. 입력 3개, 출력 3개로 구성
(정답률: 알수없음)
  • 전가산기는 2개의 이진수와 이전 단계에서의 자리올림수를 입력으로 받아서, 해당 자리의 합과 다음 단계에서의 자리올림수를 출력하는 회로이다. 따라서 입력은 3개(2개의 이진수와 이전 단계에서의 자리올림수), 출력은 2개(해당 자리의 합과 다음 단계에서의 자리올림수)로 구성된다. 따라서 정답은 "입력 3개, 출력 2개로 구성"이다.
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57. 부궤한 증폭기에 대한 설명 중 옳은 것은?

  1. 이득만 감소되고 기타 특성에는 변화가 없다.
  2. 이득이 커지고, 잡음, 왜율, 대역폭 특성이 개선된다.
  3. 이득이 감소되는 반면 잡음, 왜율, 대역폭은 증가된다.
  4. 이득, 잡음, 왜율은 감소되는 반면 대역폭이 넓어진다.
(정답률: 알수없음)
  • 부궤한 증폭기는 입력 신호를 증폭시키는 역할을 하지만, 이 과정에서 일정 수준 이상의 입력 신호에 대해서는 출력 신호가 왜곡되고, 이득이 감소하며 잡음이 발생한다. 이에 따라 이득, 잡음, 왜율은 감소되는 반면 대역폭은 넓어지게 된다. 이는 입력 신호의 대역폭이 넓어질수록 부궤한 증폭기의 출력 신호가 더 많은 주파수를 포함하게 되기 때문이다.
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58. 그림과 같은 회로의 동작에 대한 설명으로 옳은 것은?

  1. 정방향 peak를 기준레벨 VR로 클램프 한다.
  2. 부방향 peak를 기준레벨 VR로 클램프 한다.
  3. 출력은 2Vi 이다.
  4. 출력은 Vi 이다.
(정답률: 알수없음)
  • 정방향 peak를 기준레벨 VR로 클램프 하는 이유는 다이오드가 정방향으로 작동할 때는 전압이 VR보다 높아지지 않도록 하기 위해서이다. 이를 통해 출력이 Vi로 유지되며, 부방향 peak는 다이오드가 차단하므로 고려하지 않아도 된다. 따라서 "정방향 peak를 기준레벨 VR로 클램프 한다."가 정답이다.
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59. 복원중 (정확한 문제내용을 아시는분께서는 오류 신고를 통하여 보기 내용 작성 부탁드립니다. 문제 오류로 정답은 3번입니다. 여기서 3번을 누르시면 정답처리됩니다.))

  1. 복원중 (정확한 보기내용을 아시는분께서는 오류 신고를 통하여 보기 내용 작성 부탁드립니다.)
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(정답률: 알수없음)
  • 문제 내용이 정확히 기재되지 않아서 정답을 판단할 수 없기 때문입니다. 정확한 보기 내용이 필요합니다.
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60. 다음 회로에서 A=1, B=0, C=1, D=1일 때 출력 Y, Z의 논리 상태로 옳은 것은?

  1. Y=0, Z=1
  2. Y=1, Z=1
  3. Y=1, Z=0
  4. Y=0, Z=0
(정답률: 알수없음)
  • A=1, B=0, C=1, D=1일 때, AND 게이트에서 A와 C가 모두 1이므로 출력은 1이 되고, OR 게이트에서 B와 D 중 하나 이상이 1이므로 출력은 1이 된다. 따라서 Y는 1이 되고, NOT 게이트에서 Y의 출력을 반전시켜주므로 Z는 0이 된다. 따라서 정답은 "Y=1, Z=0"이다.
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4과목: 물리전자공학

61. 확산정수 D, 이동도 , 절대온도 T 간의 관계식을 옳게 나타낸 것은? (단, k는 볼츠만의 상수이고, e는 캐리어의 전하이다.)

(정답률: 알수없음)
  • 답은 "" 이다.

    이유는 볼츠만의 상수 k는 고정된 값이므로, D와 T의 관계식에서 D와 T가 같이 증가하거나 감소할 때, 이동도 μ는 변하지 않기 때문이다. 따라서 D와 T의 관계식에서는 μ가 분자와 분모에 모두 존재하므로, D와 T가 같이 증가하거나 감소할 때, μ의 영향을 제거할 수 있다. 이에 따라 D와 T의 관계식에서는 μ가 없어지고, e/kT만 남게 된다.
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62. 다음 중 2종의 금속을 접속하고 직류를 흘리면 그 접합부에 온도 차이가 생기는 효과는?

  1. Thomson 효과
  2. Hall 효과
  3. Seebeck 효과
  4. Peltier 효과
(정답률: 알수없음)
  • 정답: Peltier 효과

    Peltier 효과는 두 종류의 금속을 접합시켜서 전기를 흘리면, 그 접합부에 열이 발생하거나 흡수되는 현상을 말합니다. 이는 Seebeck 효과의 역방향 현상으로, 전기 에너지가 열 에너지로 변환되는 것입니다. 이 효과는 열전기장치에서 사용되며, 냉장고나 에어컨 등의 제품에서 열을 이동시키는 데에도 이용됩니다.
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63. 실리콘 제어 정류소자(SCR)의 설명으로 옳지 않은것은?

  1. 동작원리는 PNPN다이오드와 같다.
  2. 일반적으로 사이리스터(thyristor)라고도 한다.
  3. 게이트 전류에 의하여 방전개시 전압을 제어할 수 있다.
  4. SCR의 브레이크 오버 전압은 게이트가 차단 상태로 들어가는 전압이다.
(정답률: 알수없음)
  • SCR의 브레이크 오버 전압은 게이트가 차단 상태로 들어가는 전압이 아니라, SCR이 동작 중인 상태에서 어떤 이유로 인해 전압이 급격하게 상승하여 SCR이 파괴되는 상황을 말한다. 이는 SCR의 최대 전압을 초과하는 경우 발생할 수 있다.
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64. 일정한 자속밀도 B를 가지고 있는 균일한 자계와 수직을 이루는 평면상을 일정한 속도 V로 원운동하고 있는 전자의 회전 주기에 관계 없는 것은?

  1. 자속 밀도
  2. 전자의 전하
  3. 전자의 질량
  4. 전자의 속도
(정답률: 알수없음)
  • 일정한 자속밀도 B를 가지고 있는 균일한 자계와 수직을 이루는 평면상을 일정한 속도 V로 원운동하고 있는 전자의 회전 주기는 전자의 속도와 관련이 없다. 이는 회전 주기가 전자의 속도와 원운동 반경에 의존하기 때문이다. 따라서 전자의 속도는 회전 주기와 관계 없는 것이다.
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65. 진성 반도체에서 전자나 전공의 농도가 같다고 할 때 전도대의 준위를 0.4eV, 가전자대의 준위가 0.8eV라 하면 Fermi준위는 몇 eV인가?

  1. 0.32
  2. 0.6
  3. 1.2
  4. 1.44
(정답률: 알수없음)
  • 전자와 전공의 농도가 같으므로, Fermi energy level은 전도대와 가전자대의 중간에 위치한다. 따라서 Fermi energy level은 (0.4 + 0.8) / 2 = 0.6 eV 이다. 따라서 정답은 "0.6" 이다.
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66. 반도체에서 용량의 변화에 의해 동작되는 소자로 가변용량 다이오드라고도 하는 것은?

  1. 쇼트키(schottky)다이오드
  2. 바렉터(varactor)다이오드
  3. 터널(tunnel)다이오드
  4. 제너(zener)다이오드
(정답률: 알수없음)
  • 바렉터(varactor)다이오드는 반도체 소자 중 하나로, 용량의 변화에 따라 동작하는 소자입니다. 이 소자는 pn 접합부에 전압을 가하면, pn 접합부의 용량이 변화하게 되어 전류의 흐름을 제어할 수 있습니다. 따라서 주로 주파수 변조나 발진 회로 등에서 사용됩니다.
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67. 전계의 세기 E=105V/m의 평등 전계 중에 놓인 전자에 가해지는 전자의 가속도는 약 얼마인가?

  1. 1.602×1014m/s2
  2. 1.75×1016m/s2
  3. 5.93×105m/s2
  4. 1600m/s2
(정답률: 알수없음)
  • 전자에 작용하는 힘은 전자의 전하량과 전기장의 곱인 F=qE이다. 따라서 전자의 가속도는 F/m=qE/m=E/m_e이다. 여기서 m_e는 전자의 질량이다. 따라서 전자의 가속도는 E/m_e=10^5/9.11×10^-31=1.75×10^16 m/s^2이다. 따라서 정답은 "1.75×10^16m/s^2"이다.
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68. 물질을 구성하고 있는 소립자에도 파동성이 있다고 최초로 주장한 사람은?

  1. Einstein
  2. De Broglie
  3. Rutherford
  4. Avogadro
(정답률: 알수없음)
  • De Broglie는 물질도 파동으로 설명될 수 있다는 이론을 제시했습니다. 이를 데브로이 파동이라고 합니다. 이론은 빛의 파동성과 입자성을 설명하는 광자의 이중성과 유사한 물질의 이중성을 제시하였습니다. 이론은 후에 실험적으로 검증되어 양자역학의 발전에 큰 역할을 하였습니다.
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69. 300〫 K에서 P형 반도체의 억셉터 준위가 32%가 채워져 있을 때 페르미 준위와 억셉터 준위의 차이는 몇 eV 인가?

  1. 0.02
  2. 0.08
  3. 0.2
  4. 0.8
(정답률: 알수없음)
  • P형 반도체에서 억셉터 준위가 32% 채워져 있다는 것은 전자가 68% 채워져 있다는 것을 의미합니다. 이는 페르미 준위와 억셉터 준위 사이의 에너지 차이와 같습니다.

    따라서, 이 문제에서 구하고자 하는 것은 P형 반도체에서 페르미 준위와 억셉터 준위 사이의 에너지 차이입니다.

    페르미 준위와 억셉터 준위 사이의 에너지 차이는 다음과 같이 계산할 수 있습니다.

    ΔE = kT ln(Na/Nv)

    여기서,
    - ΔE는 페르미 준위와 억셉터 준위 사이의 에너지 차이입니다.
    - k는 볼츠만 상수입니다.
    - T는 온도입니다.
    - Na는 억셉터 준위에 있는 전자의 수입니다.
    - Nv는 밸런스 밴드에 있는 전자의 수입니다.

    주어진 정보에 따라 계산해보면,

    - k = 8.617 x 10^-5 eV/K (볼츠만 상수)
    - T = 300 K (온도)
    - Na/Nv = 0.32 (억셉터 준위에 있는 전자의 수와 밸런스 밴드에 있는 전자의 수의 비율)

    따라서,

    ΔE = 8.617 x 10^-5 eV/K x 300 K x ln(0.32) ≈ 0.02 eV

    따라서, 정답은 "0.02"입니다.
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70. 전자볼트(elelctron volt, eV)는 전자 한 개가 1볼트의 전위차를 통과할 때 얻는 운동 에너지를 1ev로 정한것이다. 1eV는 대략 몇 J(joule)인가?

  1. 9.109×1031
  2. 1.759×1011
  3. 1.602×1019
  4. 6.547×1034
(정답률: 알수없음)
  • 전자의 질량은 9.109×10^-31 kg이고, 1eV의 에너지는 전자가 1볼트의 전위차를 통과할 때 얻는 운동 에너지이다. 전자의 운동 에너지는 1/2mv^2로 계산되며, 전자의 질량과 1eV의 에너지를 이용하여 전자의 속도를 구할 수 있다. 전자의 속도를 구하면 약 1.6×10^19 m/s이다. 따라서, 전자의 운동 에너지는 1/2mv^2 = 1/2 × 9.109×10^-31 kg × (1.6×10^19 m/s)^2 = 1.602×10^-19 J이다. 따라서, 1eV는 대략 1.602×10^-19 J이다.
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71. 실리콘 단결정 반도체에서 P형 불순물로 사용될 수 있는 것은?

  1. P(인)
  2. As(비소)
  3. B(붕소)
  4. Sb(안티몬)
(정답률: 알수없음)
  • P형 반도체는 전자를 적게 가지고 양공을 많이 가지는 불순물로 만들어진다. 이때 B(붕소)는 3가지 전자를 가지고 있어, 실리콘의 4가지 전자와 결합하면 전자 1개가 부족해져 양공이 생기게 된다. 따라서 B(붕소)는 P형 반도체를 만들기에 적합한 불순물이다.
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72. 터널 다이오드(tunnel diode)의 특징 중 옳지 않은 것은?

  1. 부성 저항 특성이다.
  2. 역바이어스 상태에서는 도체이다.
  3. 작은 정바이어스 상태에서 저항은 대단히 크다.
  4. 고속 스위칭 회로와 마이크로 웨이브 발진기에 응용된다.
(정답률: 알수없음)
  • "작은 정바이어스 상태에서 저항은 대단히 크다."가 옳지 않은 것이다. 이는 부성 저항 특성으로, 작은 정바이어스 상태에서는 저항이 매우 작아진다. 이는 터널 다이오드가 고속 스위칭 회로와 마이크로 웨이브 발진기에 응용될 수 있는 이유 중 하나이다.
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73. 반도체(Semiconductors)에 관한 설명 중 서로 옳지 않은 것은?

  1. 열전대 - Seebeck 효과
  2. 홀 발진기 - 자기효과
  3. 전자 냉각 - Peltier 효과
  4. 광전도 셀 - 외부 광전 효과
(정답률: 알수없음)
  • 광전도 셀은 외부 광전 효과가 아니라 내부 광전 효과를 이용하여 빛을 전기 신호로 변환하는 반도체 소자입니다. 내부 광전 효과는 반도체 소자 내부에서 발생하는 광자 흡수에 의해 전하 캐리어가 발생하는 현상입니다.
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74. 서미스터(Thermistor)소자에 대한 설명 중 옳지 않은 것은?

  1. 반도체로 만들어진다.
  2. 저항의 온도계수가 +값이다.
  3. 온도에 따라 저항의 값이 크게 변화한다.
  4. 온도 자동제어의 검출부나 회로의 온도 특성보상등에 사용된다.
(정답률: 알수없음)
  • 서미스터(Thermistor)소자에 대한 설명 중 옳지 않은 것은 없다.

    서미스터는 반도체 소자로, 온도에 따라 저항의 값이 크게 변화한다. 이러한 특성을 이용하여 온도 자동제어의 검출부나 회로의 온도 특성보상 등에 사용된다. 또한, 서미스터의 저항의 온도계수는 -값이다. 즉, 온도가 올라갈수록 저항값이 감소한다.
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75. 온도의 상승에 따라 제너 항복(Zener break down)전압은?

  1. 증가한다.
  2. 감소한다.
  3. 증가했다 감소한다.
  4. 온도상승과 무관하다
(정답률: 알수없음)
  • 온도가 상승하면 반도체 내부의 이온화된 원자와 전자의 열 운동이 증가하게 되어 전자와 양공의 생성이 증가합니다. 이로 인해 제너 항복 전압이 감소하게 됩니다. 따라서 온도의 상승에 따라 제너 항복 전압은 감소합니다.
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76. 진성 반도체에 있어서 Fermi준위의 위치는? (단, Ec는 전도대(conduction band)중에서 가장 낮은 에너지 준위이고, Ev는 가전대(valence band)중에서 가장 높은 에너지 준위이다.)

  1. Ec 보다 약간 높다.
  2. Ec 보다 약간 낮다.
  3. Ev 보다 약간 높다.
  4. Ec와 Ev의 중간 정도이다.
(정답률: 알수없음)
  • Fermi준위는 전자의 에너지 상태를 나타내는데, 반도체에서 전자는 전도대에 있거나 가전대에 있을 수 있다. 따라서 Fermi준위는 전도대와 가전대의 중간에 위치하게 된다. Ec는 전도대 중에서 가장 낮은 에너지 준위이고, Ev는 가전대 중에서 가장 높은 에너지 준위이므로, Fermi준위는 Ec와 Ev의 중간 정도에 위치하게 된다.
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77. 충분히 높은 주파수의 빛이 금속 표면에 가해졌을 때 그 금속의 표면에서 전자가 방출되는 현상을 무엇이라 하는가?

  1. 광학 효과 (Optical Effect)
  2. 컴프턴 효과(Compton Effect)
  3. 에벌런치 효과(Avalanche Effect)
  4. 광전 효과(Photoelectric Effect)
(정답률: 알수없음)
  • 충분히 높은 주파수의 빛이 금속 표면에 가해지면, 그 빛의 에너지가 금속 원자의 전자를 충분히 자극하여 전자가 금속 표면에서 방출되는 현상을 광전 효과라고 한다. 이는 전자의 운동에너지가 빛의 주파수와 비례하므로, 빛의 주파수가 높을수록 전자가 더 많은 운동에너지를 가지게 된다.
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78. 정상 동작 상태로 바이어스 된 NPN 트랜지스터에 컬렉터 접합을 통과하는 주된 전류는?

  1. 확산 전류
  2. 정공 전류
  3. 드리프트 전류
  4. 베이스 전류와 같다.
(정답률: 알수없음)
  • 정상 동작 상태에서 바이어스 된 NPN 트랜지스터의 컬렉터 전류는 드리프트 전류입니다. 이는 베이스와 에미터 사이의 정공 전류가 컬렉터와 에미터 사이로 이동하면서 발생하는 전류입니다. 이 전류는 트랜지스터의 증폭 기능을 가능하게 합니다. 확산 전류는 베이스와 에미터 사이의 불순물 농도 차이로 인해 발생하는 전류이며, 정공 전류는 베이스와 에미터 사이의 pn 접합에서 발생하는 전류입니다. 베이스 전류와는 다릅니다.
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79. 컬렉터(collector)접합부의 온도 상승으로 인하여 트랜지스터가 파괴되는 현상은?

  1. 얼리(early)현상
  2. 항복(break down)현상
  3. 열 폭주(thermal runaway)현상
  4. 펀치 스로우(punch through)현상
(정답률: 알수없음)
  • 컬렉터 접합부의 온도가 상승하면 전류 증가로 인해 발생하는 열이 더욱 많아져 온도가 더욱 상승하게 됩니다. 이러한 과정이 반복되면서 트랜지스터 내부의 저항이 감소하고 전류가 더욱 증가하게 되어, 결국 트랜지스터가 파괴되는 현상을 열 폭주(thermal runaway)현상이라고 합니다.
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80. 다음 중 더블 베이스 다이오드(double base diode)라고도 하는 것은?

  1. 역 다이오드
  2. 쇼트키 다이오드
  3. 바렉터 다이오드
  4. 유니정션 트랜지스터(UJT)
(정답률: 알수없음)
  • 유니정션 트랜지스터(UJT)는 더블 베이스 다이오드(double base diode)라고도 불리는데, 이는 UJT가 다이오드와 유사한 구조를 가지고 있기 때문입니다. UJT는 다이오드처럼 p-n 접합을 가지고 있지만, 추가적으로 중간에 n-층이 삽입되어 있습니다. 이 n-층은 베이스 역할을 하며, UJT의 특징적인 동작을 가능하게 합니다.
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5과목: 전자계산기일반

81. 영어회화와 비슷한 구어체 문장 형태로 구성되어 있으며 하드웨어에 관한 전문 지식이 없이도 쉽게 배울 수 있고, 사무 처리용으로 많이 쓰이는 컴퓨터 프로그래밍 언어는?

  1. FORTRAN
  2. C
  3. ALGOL
  4. COBOL
(정답률: 알수없음)
  • COBOL은 영어회화와 비슷한 구어체 문장 형태로 구성되어 있어 쉽게 배울 수 있으며, 하드웨어에 관한 전문 지식이 없이도 사용할 수 있는 컴퓨터 프로그래밍 언어입니다. 또한, 사무 처리용으로 많이 쓰이며, 비즈니스 분야에서 많이 사용됩니다.
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82. 다음 중 두 문자의 비교(compare)에 가장 적합한 논리 연산은?

  1. AND
  2. Exclusive-OR
  3. OR
  4. NOR
(정답률: 알수없음)
  • 두 문자의 비교에 가장 적합한 논리 연산은 "Exclusive-OR"입니다. 이유는 Exclusive-OR 연산은 두 입력 값이 다를 때만 출력 값이 참(True)이 되기 때문입니다. 따라서 두 문자가 서로 다른 경우에만 참(True)이 되어야 하는 문자 비교에 적합합니다. AND 연산은 두 입력 값이 모두 참(True)일 때만 출력 값이 참(True)이 되기 때문에, 두 문자 중 하나라도 거짓(False)인 경우에는 적합하지 않습니다. OR 연산은 두 입력 값 중 하나 이상이 참(True)일 때 출력 값이 참(True)이 되기 때문에, 두 문자가 서로 같은 경우에도 참(True)이 될 수 있어 적합하지 않습니다. NOR 연산은 OR 연산의 결과값을 부정한 것으로, 두 입력 값이 모두 거짓(False)일 때만 출력 값이 참(True)이 되기 때문에, 문자 비교에 적합하지 않습니다.
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83. 8비트의 데이터 버스와 16비트의 주소 버스를 가지는 마이크로컴퓨터의 최대 주기억 용량은 몇 Kbyte인가?

  1. 32
  2. 64
  3. 128
  4. 256
(정답률: 알수없음)
  • 8비트의 데이터 버스는 한 번에 8비트의 데이터를 전송할 수 있고, 16비트의 주소 버스는 최대 2^16 (65536) 개의 주소를 나타낼 수 있습니다. 따라서 최대 주기억 용량은 8비트 데이터 버스가 전송할 수 있는 데이터 양인 2^8 바이트와 16비트 주소 버스가 나타낼 수 있는 주소 개수인 2^16 개를 곱한 값인 2^8 x 2^16 바이트가 됩니다. 이를 Kbyte 단위로 변환하면 2^8 x 2^16 바이트 / 1024 바이트/Kbyte = 64 Kbyte가 됩니다. 따라서 정답은 "64"입니다.
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84. 기억 장치에서 명령어를 읽어 CPU로 가져오는 것을 무엇이라 하는가?

  1. Indirect
  2. Execute
  3. Interrupt
  4. Fetch
(정답률: 알수없음)
  • CPU가 실행할 명령어를 기억 장치에서 가져오는 것을 Fetch라고 한다. 이는 CPU가 다음에 실행할 명령어를 미리 읽어와서 실행 속도를 높이기 위한 과정이다.
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85. 다음 프로그램 작성 과정을 순서대로 올바르게 나열한 것은?

  1. ④ → ① → ② → ③ → ⑤
  2. ④ → ① → ② → ⑤ → ③
  3. ① → ④ → ② → ③ → ⑤
  4. ① → ② → ⑤ → ③ → ④
(정답률: 알수없음)
  • ④ → ① → ② → ⑤ → ③

    1. 먼저, 프로그램의 시작점인 main 함수에서는 변수 a와 b를 선언하고, a에 10을 대입하고 b에 20을 대입한다.
    2. 그 다음으로는 swap 함수를 호출하면서 a와 b를 인자로 전달한다.
    3. swap 함수에서는 임시 변수 temp를 선언하고, temp를 이용하여 a와 b의 값을 서로 바꾼다.
    4. swap 함수가 끝나면 main 함수에서는 a와 b의 값을 출력한다.
    5. 마지막으로는 프로그램이 종료된다.

    따라서, 올바른 순서는 ④ → ① → ② → ⑤ → ③ 이다.
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86. 컴퓨터의 여러 명령어 분류 방식에서 반드시 누산기(Accumulator)를 사용하는 방식은?

  1. 0-주소지정방식
  2. 1-주소지정방식
  3. 2-주소지정방식
  4. 3-주소지정방식
(정답률: 알수없음)
  • 반드시 누산기를 사용하는 방식은 1-주소지정방식입니다. 이는 명령어가 실행될 때, 누산기에 있는 값과 메모리에서 가져온 값을 연산하여 다시 누산기에 저장하는 방식으로 동작하기 때문입니다. 따라서 누산기를 사용하지 않는 0-주소지정방식, 2-주소지정방식, 3-주소지정방식은 해당하지 않습니다.
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87. 주소지정방식(Addressing Mode)에서 오퍼랜드(Ooerand)부분에 데이터가 포함되어 실행되는 방식은?

  1. index Addressing Mode
  2. direct Addressing Mode
  3. indirect Addressing Mode
  4. immediate Addressing Mode
(정답률: 알수없음)
  • 오퍼랜드 부분에 데이터가 직접적으로 포함되어 실행되는 방식은 "immediate Addressing Mode"입니다. 이 모드에서는 명령어 자체에 데이터가 포함되어 있으므로 메모리에서 데이터를 가져오는 과정이 필요하지 않습니다. 따라서 실행 속도가 빠르고 간단한 연산에 적합합니다.
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88. DMA(Direct Memory Access)에 대한 설명 중 옳지 않은 것은?

  1. 자료전송에 CPU의 Register를 직접 사용한다.
  2. 속도가 빠른 자료들을 입.출력할 때 사용하는 방식이다.
  3. DMA는 기억장치와 주변장치 사이에 직접 자료를 전송한다.
  4. DMA는 주기억 장치에 접근하기 위해 Cycle Stealing 을 행한다.
(정답률: 알수없음)
  • "자료전송에 CPU의 Register를 직접 사용한다."는 DMA에 대한 설명 중 옳지 않은 것이다. DMA는 CPU의 Register를 사용하지 않고, 기억장치와 주변장치 사이에 직접 자료를 전송하는 방식으로 속도가 빠른 자료들을 입.출력할 때 사용된다. 또한, DMA는 주기억 장치에 접근하기 위해 Cycle Stealing을 행한다.
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89. 다음 중 컴파일러에서 하나의 프로그램이 처리되는 과정을 옳게 나열한 것은?

  1. 번역 → 적재 → 실행
  2. 번역 → 실행 → 적재
  3. 적재 → 실행 → 번역
  4. 적재 → 번역 → 실행
(정답률: 알수없음)
  • 정답은 "번역 → 적재 → 실행"이다.

    컴파일러는 소스 코드를 기계어로 번역하는 역할을 한다. 이때 번역된 기계어 코드는 메모리에 적재되어 실행되어야 한다. 따라서 먼저 소스 코드를 번역하여 기계어 코드로 변환한 후, 이를 메모리에 적재하고 실행하는 과정이 필요하다. 따라서 "번역 → 적재 → 실행"이 옳은 과정이다.
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90. 다음 중 데이터 처리면에서 CPU와 입.출력장치와의 속도차에서 오는 비효울적인 요소를 최대한 줄이기 위해 사용되는것은?

  1. 병렬연산장치
  2. index register
  3. 채널제어장치
  4. 부동소수점 부가기구
(정답률: 알수없음)
  • 입출력장치와 CPU 사이의 속도차를 최소화하기 위해 사용되는 것은 채널제어장치입니다. 채널제어장치는 입출력장치와 메인 메모리 사이에서 데이터 전송을 담당하며, 입출력장치와 CPU 사이의 속도차를 줄이기 위해 입출력장치와 메모리 간의 데이터 전송을 병렬로 처리할 수 있습니다. 이를 통해 입출력장치와 CPU 간의 대기 시간을 최소화하고 데이터 처리 속도를 향상시킬 수 있습니다.
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91. 다음은 인터럽트 체제의 동작을 나열하였다. 수행순서를 올바르게 나열 한 것은?

  1. ② → ① → ④ → ③
  2. ② → ④ → ① → ③
  3. ④ → ② → ① → ③
  4. ④ → ① → ② → ③
(정답률: 알수없음)
  • 인터럽트가 발생하면 CPU는 현재 수행중인 작업을 중단하고 인터럽트 서비스 루틴(ISR)으로 이동하여 해당 인터럽트를 처리한다.

    ② : 인터럽트가 발생하면 CPU는 현재 수행중인 작업을 중단하고 인터럽트 벡터 테이블에서 해당 인터럽트에 대한 ISR의 주소를 찾는다.
    ① : CPU는 해당 ISR의 주소로 이동하여 ISR를 실행한다.
    ④ : ISR가 실행되는 도중에 다른 인터럽트가 발생하면, CPU는 현재 실행중인 ISR를 중단하고 새로운 인터럽트에 대한 ISR로 이동하여 처리한다.
    ③ : 모든 ISR 처리가 끝나면, CPU는 이전에 수행하던 작업으로 복귀하여 계속 수행한다.

    따라서, 올바른 수행순서는 "② → ① → ④ → ③"이다.
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92. 10진법 11을 16진법으로 표현하면?

  1. 11
  2. A
  3. B
  4. C
(정답률: 알수없음)
  • 10진법 11을 16진법으로 표현하면 "B"이다. 이는 16진법에서 10부터 15까지는 각각 A부터 F로 표현되기 때문이다. 따라서 11은 10보다 크고 12보다 작으므로 16진법에서는 "B"로 표현된다.
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93. 다음은 실행 사이클 중에서 어떤 명령을 나타낸 것인가?

  1. STA명령
  2. AND명령
  3. LDA명령
  4. JMP명령
(정답률: 알수없음)
  • 이 그림은 LDA (Load Accumulator) 명령을 나타낸 것입니다. LDA 명령은 메모리에서 데이터를 가져와서 누산기 (Accumulator)에 저장하는 명령입니다. 그림에서는 메모리 주소 2000에 있는 데이터를 가져와서 누산기에 저장하고 있습니다.
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94. pusu와 pop operation에 의해서만 접근 가능한 sterage device는?

  1. MBR
  2. queue
  3. stack
  4. cache
(정답률: 알수없음)
  • 스택은 pusu와 pop operation에 의해서만 접근 가능한 storage device이다. 이는 스택이 후입선출(LIFO) 구조를 가지기 때문이다. 즉, 가장 최근에 삽입된 데이터가 가장 먼저 제거되는 구조를 가지고 있으며, 이를 위해서는 push와 pop 연산만을 사용할 수 있다. 따라서 스택은 다른 연산을 수행할 수 없고, pusu와 pop operation에 의해서만 접근 가능한 storage device이다.
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95. 부호화된 데이터를 해독하여 정보를 찾아내는 조합논리회로는?

  1. 인코더
  2. 디코더
  3. 디멀티플렉서
  4. 멀티플렉서
(정답률: 알수없음)
  • 부호화된 데이터를 해독하여 정보를 찾아내는 것은 디코더의 역할이기 때문입니다. 인코더는 입력 데이터를 부호화하여 출력하는 반면, 디코더는 부호화된 데이터를 해독하여 원래의 정보를 찾아냅니다. 디멀티플렉서와 멀티플렉서는 다중 입력과 출력을 처리하는 논리회로이지만, 부호화된 데이터를 해독하는 기능은 갖고 있지 않습니다.
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96. 다음 운영체제(OS)의 구성요소 중 제어 프로그램(Control program)에 포함되지 않은 것은?

  1. Data management program
  2. Jop management program
  3. Superviser program
  4. Service program
(정답률: 알수없음)
  • 제어 프로그램은 운영체제의 핵심 구성요소로서, 시스템 자원을 관리하고 프로세스 간의 권한을 조정하는 역할을 합니다. 따라서 "Data management program", "Job management program", "Supervisor program" 모두 제어 프로그램에 포함될 수 있습니다.

    하지만 "Service program"은 제어 프로그램과는 다른 역할을 수행합니다. 서비스 프로그램은 운영체제에서 제공하는 특정 기능을 수행하는 프로그램으로, 예를 들어 프린터 서비스나 파일 공유 서비스 등이 있습니다. 따라서 "Service program"은 제어 프로그램에 포함되지 않습니다.
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97. 다음 중 데이터통신에 널리 쓰이며, 특히 마이크로프로세서 용으로 많이 사용되는 코드는?

  1. EBCDIC코드
  2. Excess-3코드
  3. ASCⅡ 코드
  4. Gray코드
(정답률: 알수없음)
  • ASCⅡ 코드는 데이터통신에서 널리 쓰이며, 특히 마이크로프로세서 용으로 많이 사용되는 이유는 간단하고 표준화된 문자 코드 체계이기 때문이다. ASCⅡ 코드는 7비트로 구성되어 있어서 저장공간이 적게 필요하고, 다양한 기기와 시스템에서 호환성이 높아서 유용하게 사용된다.
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98. 어큐뮬레이터(Accumulator)에 대한 설명으로 옳은 것은?

  1. 명령을 해독하는 장치
  2. 연산 결과의 상태를 기억하는 장치
  3. 명령의 순서를 일시적으로 기억하는 장치
  4. 산술.논리연산의 결과를 일시적으로 기억하는 장치
(정답률: 알수없음)
  • 어큐뮬레이터는 CPU 내부에 있는 레지스터 중 하나로, 산술 및 논리 연산의 결과를 일시적으로 기억하는 장치입니다. 따라서 "산술.논리연산의 결과를 일시적으로 기억하는 장치"가 옳은 설명입니다.
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99. 인터럽트를 발생시키는 모든 장치들을 직렬로 연결하고, 우선순위가 높은 순서로 연결하는 방식은?

  1. DMA방식
  2. Polling방식
  3. Daisy-Chain방식
  4. Strobe방식
(정답률: 알수없음)
  • Daisy-Chain 방식은 인터럽트를 발생시키는 모든 장치들을 직렬로 연결하고, 우선순위가 높은 순서로 연결하는 방식입니다. 이 방식은 각 장치가 인터럽트를 발생시키면 그 다음 장치로 인터럽트 신호를 전달하고, 마지막 장치에서는 인터럽트 처리가 완료될 때까지 대기합니다. 이 방식은 간단하고 비용이 적게 들어가지만, 인터럽트 처리 속도가 느리고, 중간에 연결된 장치가 고장나면 전체 시스템이 마비될 수 있습니다.
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100. 목적 프로그램을 생성하지 않은 방식은?

  1. compiler
  2. assembler
  3. interpreter
  4. micro-assembler
(정답률: 알수없음)
  • 목적 프로그램을 생성하지 않는 방식은 "interpreter"입니다. 이는 소스 코드를 한 줄씩 읽어들이면서 즉시 실행하는 방식으로, 컴파일러와 달리 중간 코드를 생성하지 않고 바로 실행하기 때문에 목적 프로그램을 생성하지 않습니다.
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