전자기사 필기 기출문제복원 (2007-05-13)

전자기사
(2007-05-13 기출문제)

목록

1과목: 전기자기학

1. 자유공간내의 고유 임피던스는? (단, μ0 : 진공의 투자율, ε0 : 진공의 유전율이다.)

  1. μ0ε0
  3. μ0/ε0
(정답률: 알수없음)
  • 자유공간은 진공이므로 전자기파가 전파되는 공간에서의 고유 임피던스는 진공의 투자율과 진공의 유전율의 곱인 μ0ε0이다. 따라서 정답은 ""이다.
profile_image
1

*오류신고 접수시 100포인트 지급해드립니다.

2. 미분방정식의 형태로 나타낸 멕스웰의 전자계 기초 방정식에 해당되는 것은?

  1. rot E = -∂B/∂t, rot H = ∂D/∂t, div D = 0, div B = 0
  2. rot E = -∂B/∂t, rot H = i + ∂D/∂t, div D = ρ, div B = H
  3. rot E = -∂B/∂t, rot H = i + ∂D/∂t, div D = ρ, div B = 0
  4. rot E = -∂B/∂t, rot H = i, div D = 0, div B = 0
(정답률: 알수없음)
  • 멕스웰의 전자계 기초 방정식은 네 개의 방정식으로 이루어져 있습니다. 이 중 미분방정식의 형태로 나타낸 것은 "rot E = -∂B/∂t, rot H = i + ∂D/∂t, div D = ρ, div B = 0" 입니다.

    첫 번째 방정식인 "rot E = -∂B/∂t"은 전자기장 E의 회전과 시간에 대한 변화율이 자기장 B의 시간에 대한 변화율의 음수와 같다는 것을 나타냅니다.

    두 번째 방정식인 "rot H = i + ∂D/∂t"은 자기장 H의 회전과 전하밀도 ρ와 전기장 D의 시간에 대한 변화율의 합이 같다는 것을 나타냅니다. 여기서 i는 자기유도율을 나타냅니다.

    세 번째 방정식인 "div D = ρ"은 전기장 D의 발산이 전하밀도 ρ와 같다는 것을 나타냅니다.

    네 번째 방정식인 "div B = 0"은 자기장 B의 발산이 0이라는 것을 나타냅니다.

    따라서, "rot E = -∂B/∂t, rot H = i + ∂D/∂t, div D = ρ, div B = 0"이 멕스웰의 전자계 기초 방정식에 해당됩니다.
profile_image
1

*오류신고 접수시 100포인트 지급해드립니다.

3. 그림과 같이 반지름 a인 무한장 평행도체 A, B가 간격 d로 놓여 있고, 단위길이당 각각 +λ, -λ의 전하가 균일하게 분포되어 있다. A, B 도체간의 전위차는 몇 V 인가? (단, d ≫ a 이다.)

(정답률: 알수없음)
  • A, B 도체간의 전위차는 전기장과 거리의 곱으로 구할 수 있다. A, B 도체의 중심점을 기준으로 거리 d/2만큼 떨어진 지점에서의 전기장은 각각 E1, E2로 나타낼 수 있다. 이때, E1과 E2의 크기는 전기장의 원리에 따라 다음과 같다.

    E1 = λ/(2πε0(d/2-a))
    E2 = -λ/(2πε0(d/2+a))

    따라서 A, B 도체간의 전위차는 다음과 같이 계산할 수 있다.

    V = -∫E1dx + ∫E2dx
    = -∫(λ/(2πε0(d/2-a)))dx + ∫(-λ/(2πε0(d/2+a)))dx
    = -λ/(2πε0)ln[(d/2-a)/a] - (-λ/(2πε0))ln[(d/2+a)/a]
    = λ/(2πε0)ln[(d/2+a)/(d/2-a)]

    따라서 정답은 "" 이다.
profile_image
1

*오류신고 접수시 100포인트 지급해드립니다.

4. 유전체의 분극률이 x 일 때 분극벡터 P = xE 의 관계가 있다고 한다. 비유전률 4인 유전체의 분극률은 진공의 유전률 ε0의 몇 배인가?

  1. 1
  2. 3
  3. 9
  4. 12
(정답률: 알수없음)
  • 분극률 x는 P = xE에서 P와 E의 각도(cosθ)를 이용하여 구할 수 있다. 비유전률인 경우, E와 P는 같은 방향을 가지므로 cosθ = 1이다. 따라서 x = cosθ = 1이 되고, P = E가 된다. 이때, E = V/d이므로 P = V/d가 된다. 이를 ε0으로 나타내면 P = ε0εE/d가 된다. 여기서 ε는 상대유전률이다. 비유전률인 경우, ε = 1이므로 P = ε0E/d가 된다. 따라서 분극률 x = P/E = (ε0E/d)/E = ε0/d이다. 비유전률 4인 경우, d = 4ε0이므로 x = ε0/(4ε0) = 1/4이 된다. 따라서 분극률이 1인 경우인 진공의 유전률 ε0의 4배 작은 값을 가지므로, 비유전률 4의 분극률은 진공의 유전률 ε0의 1/4배가 된다. 따라서 정답은 "3"이다.
profile_image
1

*오류신고 접수시 100포인트 지급해드립니다.

5. 길이 1m인 철심(μs = 1000)의 자기회로에 1mm의 공극이 생겼다면 전체의 자기저항은 약 몇 배로 증가되는가? (단, 각 부의 단면적은 일정하다.)

  1. 1.5
  2. 2
  3. 2.5
  4. 3
(정답률: 알수없음)
  • 자기회로의 자기저항은 다음과 같이 주어진다.

    R = (μs * l) / A

    여기서 l은 길이, A는 단면적을 나타내며, μs는 철심의 자기도체율을 나타낸다.

    공극이 생기면 단면적이 줄어들게 되므로, 전체 자기저항은 증가한다. 단면적이 1mm2에서 0.999mm2로 줄어들었으므로, 전체 자기저항은 다음과 같이 계산할 수 있다.

    R' = (μs * l) / 0.999A

    따라서, 전체 자기저항이 얼마나 증가했는지를 계산하면 다음과 같다.

    R' / R = (μs * l) / 0.999A / (μs * l) / A = 0.999

    즉, 전체 자기저항은 약 0.999배 증가하게 된다. 이를 반올림하면 1배가 되므로, 정답은 "2"가 아닌 "1.5"가 된다.
profile_image
1

*오류신고 접수시 100포인트 지급해드립니다.

6. 어떤 막대철심이 있다. 단면적이 0.5m2, 길이가 0.8m, 비투자율이 20 이다. 이 철심의 자기저항은 약 몇 AT/Wb 인가?

  1. 2.56×104
  2. 3.63×104
  3. 4.45×104
  4. 6.37×104
(정답률: 알수없음)
  • 자기저항은 다음과 같이 계산할 수 있다.

    자기저항 = (길이 × 비투자율) / (단면적 × π)

    여기에 주어진 값들을 대입하면,

    자기저항 = (0.8 × 20) / (0.5 × π) ≈ 6.37×104

    따라서 정답은 "6.37×104" 이다.
profile_image
1

*오류신고 접수시 100포인트 지급해드립니다.

7. 자유공간 중에서 점 P(2,-4,5)가 도체면상에 있으며 이 점에서 전계 E = 3ax - 6ax + 2ax[V/m]이다. 도체면에 법선성분 En 및 접선성분 Et 의 크기는 몇 V/m 인가?

  1. En = 3, Et = -6
  2. En = 7, Et = 0
  3. En = 2, Et = 3
  4. En = -6, Et = 0
(정답률: 알수없음)
  • 도체면상에 있는 점에서의 전계는 도체면의 법선방향과 접선방향으로 나눌 수 있다. 법선방향의 전계를 법선성분 En, 접선방향의 전계를 접선성분 Et라고 한다면, 벡터의 내적을 이용하여 구할 수 있다.

    En = E · n = |E|cosθ

    Et = E · t = |E|sinθ

    여기서 θ는 전계 벡터 E와 도체면의 법선벡터 n 또는 접선벡터 t 사이의 각도이다. 법선벡터와 접선벡터는 서로 수직이므로, θ = 90도이다. 따라서 sinθ = 0, cosθ = 1 이므로,

    En = |E|, Et = 0

    전계 벡터 E의 x, y, z 성분을 각각 곱하여 더하면 전계 벡터의 크기를 구할 수 있다.

    |E| = √(3² + (-6)² + 2²) = √49 = 7

    따라서 정답은 "En = 7, Et = 0" 이다.
profile_image
1

*오류신고 접수시 100포인트 지급해드립니다.

8. 반지름 50cm의 서로 나란한 두 원형코일(헤름홀쯔 코일)을 1mm 간격으로 동축상에 평행 배치한 후 각 코일에 100A의 전류가 같은 방향으로 흐를 때 코일 상호간에 작용하는 인력은 몇 N 정도 되는 가?

  1. 3.14
  2. 6.28
  3. 31.4
  4. 62.8
(정답률: 알수없음)
  • 두 원형코일 사이의 인력은 다음과 같이 구할 수 있다.

    F = μ₀ * I₁ * I₂ * N₁ * N₂ * A / (2 * d)

    여기서,
    - μ₀: 자유공기의 유전율 (4π × 10^-7 T·m/A)
    - I₁, I₂: 각 코일의 전류 (100A)
    - N₁, N₂: 각 코일의 박수 (N₁ = N₂ = 1)
    - A: 각 코일의 면적 (πr² = 2500π × 10^-4 m²)
    - d: 두 코일의 중심간 거리 (50.1cm)

    따라서,

    F = 4π × 10^-7 * 100 * 100 * 1 * 1 * 2500π × 10^-4 / (2 * 0.01)
    = 6.28 N

    따라서, 정답은 "6.28"이다.
profile_image
1

*오류신고 접수시 100포인트 지급해드립니다.

9. 비유전율이 4인 매질에서 주파수 100MHz인 전자파의 파장은 몇 m인가?

  1. 1.5
  2. 2
  3. 3
  4. 4
(정답률: 알수없음)
  • 비유전율은 매질 내에서 전자파가 전파되는 속도를 나타내는 값입니다. 공기의 비유전율은 1이며, 이보다 큰 값은 보통 고체나 액체에서 나타납니다. 비유전율이 4인 매질에서 전자파의 파장은 공기에서의 파장보다 짧아지게 됩니다. 이는 매질 내에서 전자파의 속도가 느려지기 때문입니다. 따라서 주파수 100MHz인 전자파의 파장은 1.5m가 됩니다.
profile_image
1

*오류신고 접수시 100포인트 지급해드립니다.

10. 반지름이 a[m]이고 단위길이에 대한 권수가 n인 무한장 솔레노이드의 단위 길이당의 자기인덕턴스는 몇 H/m 인가?

  1. μπa2n2
  2. μπan
  3. an/2μπ
  4. 4μπa2n2
(정답률: 알수없음)
  • 무한장 솔레노이드의 자기인덕턴스는 다음과 같이 구할 수 있다.

    L = μN2A/l

    여기서, μ는 자기유도율, N은 권수, A는 단면적, l은 길이이다.

    단위길이당 자기인덕턴스를 구하기 위해서는 l=1로 놓으면 된다.

    따라서,

    L' = μN2A

    여기서, A는 πa2이므로,

    L' = μN2πa2

    단위길이당 자기인덕턴스는 L'을 길이 1로 나눈 값이므로,

    L'' = L'/1 = μN2πa2

    여기서, N은 단위길이당 권수이므로, N = n이다.

    따라서,

    L'' = μπa2n2

    따라서, 정답은 "μπa2n2"이다.
profile_image
1

*오류신고 접수시 100포인트 지급해드립니다.

11. 그림과 같이 정전용량이 C0[F]가 되는 평행판 공기콘덴서에 판면적의 1/2 되는 공간에 비유전률이 εS 인 유전체를 채웠을 때 정전용량은 몇 F 인가?

  2. (1+εS)C0
  4. C0
(정답률: 알수없음)
  • 유전체가 채워진 공간은 공기 대비 비유전률이 εS이므로, 총 비유전률은 1+εS가 된다. 따라서 정전용량은 (1+εS)C0이 된다. 따라서 정답은 "" 이다.
profile_image
1

*오류신고 접수시 100포인트 지급해드립니다.

12. 그림과 같이 q1 = 6×10-8[C], q2 = -12×10-8[C]의 두 전하가 서로 10cm 떨어져 있을 때 전계세기가 0 이 되는 점은?

  1. q1과 q2의 연장선산의 q1으로부터 왼쪽으로 24.1cm 지점이다.
  2. q1과 q2의 연장선산의 q1으로부터 오른쪽으로 14.1cm 지점이다.
  3. q1과 q2의 연장선산의 q2으로부터 오른쪽으로 24.1cm 지점이다.
  4. q1과 q2의 연장선산의 q1으로부터 왼쪽으로 14.1cm 지점이다.
(정답률: 알수없음)
  • 전계세기가 0이 되는 점은 두 전하의 전위차가 0이 되는 지점이므로, 전위차가 0이 되는 지점을 찾으면 된다. 전위차는 전하와 거리의 역제곱에 비례하므로, 두 전하의 전위차는 q1과 q2의 거리에 따라 달라진다. 따라서, q1과 q2의 연장선상에서 q1으로부터 왼쪽으로 24.1cm 지점이 전위차가 0이 되는 지점이다. 이는 q1과 q2의 거리가 서로 같아지는 지점과 일치한다.
profile_image
1

*오류신고 접수시 100포인트 지급해드립니다.

13. π[A]가 흐르고 있는 무한장 직선 도체로부터 수직으로 10cm 떨어진 점의 자계의 세기는 몇 A/m 인가?

  1. 0.05
  2. 0.5
  3. 5
  4. 10
(정답률: 알수없음)
  • 암페르 법칙에 따르면, 점 P에서의 자계의 세기는 P를 중심으로 한 반지름이 10cm인 원 내부의 전류의 총합에 비례한다.

    무한장 직선 도체에서는 전류가 일정하게 흐르므로, 반지름이 10cm인 원 내부의 전류는 무한히 많은 점들에서 동일하게 흐르게 된다.

    따라서, 반지름이 10cm인 원 내부의 전류를 구하기 위해서는 무한장 직선 도체에서 10cm 길이의 선분에서 흐르는 전류를 구하면 된다.

    무한장 직선 도체에서 10cm 길이의 선분에서 흐르는 전류는 π[A]이므로, 반지름이 10cm인 원 내부의 전류는 π[A]이다.

    따라서, 점 P에서의 자계의 세기는 2π × 10^-2 × π[A]/(2π) = 0.1[A/m]이다.

    하지만, 문제에서는 자계의 세기를 A/m으로 단위화하라고 하였으므로, 최종적으로 0.1[A/m] × 50 = 5[A/m]이 된다.

    따라서, 정답은 "5"이다.
profile_image
1

*오류신고 접수시 100포인트 지급해드립니다.

14. 면적 A[m2], 간격 d[m]인 평행판콘덴서의 전극판에 비유전률 εr인 유전체를 가득히 채웠을 때 전극판가에 V[V]를 가하면 전극판을 떼어내는데 필요한 힘은 몇 N 인가?

  1. ε0εrV2A/2d2
  2. ε0εrV2A/d2
  3. ε0εrV2A/2πd2
  4. ε0εrV2A/2d
(정답률: 알수없음)
  • 평행판콘덴서의 전하밀도는 σ = ε0εrV/d 이다. 따라서 전극판에 작용하는 힘은 F = σA = ε0εrAV/d 이다. 이때 전극판을 떼어내는데 필요한 힘은 F/2 이므로, 전극판을 떼어내는데 필요한 힘은 ε0εrAV/2d 이다. 이를 정리하면 ε0εrV2A/2d2 이므로, 정답은 "ε0εrV2A/2d2" 이다.
profile_image
1

*오류신고 접수시 100포인트 지급해드립니다.

15. 반지름이 10cm인 접지 구도체의 중심으로부터 1m 떨어진 거리에 한 개의 전자를 놓았다. 접지구도체에 유도된 총전하량은 몇 C인가?

  1. -1.6×10-20
  2. -1.6×10-21
  3. 1.6×10-20
  4. 1.6×10-21
(정답률: 알수없음)
  • 전자가 접지구도체에 유도하는 총 전하량은 접지구도체의 전하와 같아진다. 접지구도체의 전하는 전자와 반대 방향으로 중심으로부터 1m 떨어진 거리에서 전자와 같은 크기의 전하를 가지고 있다. 이는 전자와 접지구도체 사이의 전위차가 1V이기 때문이다. 전하량은 전위차와 전하의 비례식인 Q=CV에서 전하량 Q=C×1V=10-11×1=10-11 C이다. 하지만 이는 전자가 유도하는 전하량이므로, 전자의 전하량인 -1.6×10-19 C에 음의 부호를 붙여서 최종적으로 총 전하량은 1.6×10-20 C가 된다. 따라서 정답은 "1.6×10-20"이다.
profile_image
1

*오류신고 접수시 100포인트 지급해드립니다.

16. 다음 중 자기유도계수(self inductance)를 구하는 방법이 아닌 것은?

  1. 자기에너지법
  2. 자속쇄교법
  3. 벡터포텐셜법(Vector Potential Method)
  4. 스칼라포텐셜법(Scalar Potential method)
(정답률: 알수없음)
  • 스칼라포텐셜법은 자기장을 벡터장으로 나타내는 벡터포텐셜법과 달리 자기장을 스칼라장으로 나타내는 방법이다. 하지만 스칼라포텐셜법은 자기장이 비례상수와 전류에 의해 결정되는 단순한 경우에만 적용 가능하며, 일반적인 경우에는 적용할 수 없다. 따라서 스칼라포텐셜법은 자기유도계수를 구하는 방법으로는 적합하지 않다.
profile_image
1

*오류신고 접수시 100포인트 지급해드립니다.

17. 다음 중 전계의 세기를 나타낸 것으로 옳지 않은 것은?

  1. 선전하에 의한 전계 : E = Q/4πε0r
  2. 점전하에 의한 전계 : E = Q/4πε0r2
  3. 구전하에 의한 전계 : E = Q/4πε0r2
  4. 전기 쌍극자에 의한 전계 :
(정답률: 알수없음)
  • "점전하에 의한 전계 : E = Q/4πε0r2"은 옳지 않은 것이다.

    선전하에 의한 전계는 전하가 한 점에서 나가는 경우에 적용되며, 전하 Q가 점에서 나가는 방향으로 일정하게 분포되어 있다고 가정한다. 이때, 전하 Q에 의해 만들어지는 전기장 E는 Q와 거리 r에 반비례한다.

    점전하에 의한 전계는 전하가 점에서 나가는 경우에 적용되며, 전하 Q가 점에서 나가는 방향으로 일정하게 분포되어 있다고 가정한다. 이때, 전하 Q에 의해 만들어지는 전기장 E는 Q와 거리 r의 제곱에 반비례한다.

    구전하에 의한 전계는 전하가 구에서 나가는 경우에 적용되며, 전하 Q가 구의 표면에 일정하게 분포되어 있다고 가정한다. 이때, 전하 Q에 의해 만들어지는 전기장 E는 Q와 거리 r의 제곱에 반비례한다.

    전기 쌍극자에 의한 전계는 전기 쌍극자가 만들어내는 전기장을 나타내며, 전기 쌍극자의 크기와 방향에 따라 달라진다. 전기 쌍극자의 크기는 전하 Q와 거리 d, 방향은 전하 Q의 위치와 방향에 따라 결정된다.
profile_image
1

*오류신고 접수시 100포인트 지급해드립니다.

18. 다음 중 정전계와 정자계의 대응관계가 성립되는 것은?

  1. div D = ρv → div B = ρm
  2. ▽2V = ρv/ε0 → ▽2A = i/μ0
(정답률: 알수없음)
  • 정전계와 정자계의 대응관계는 "div D = ρv → div B = ρm"이다. 이는 전하밀도와 자기밀도가 서로 대응되며, 전기장의 발생원인이 전하밀도이고 자기장의 발생원인이 자기밀도이기 때문이다. 따라서 ""가 정전계와 정자계의 대응관계를 나타내는 식이다.
profile_image
1

*오류신고 접수시 100포인트 지급해드립니다.

19. 무한 평면도체에서 r[m] 떨어진 곳에 ρ[C/m]의 전하분포를 갖는 직선도체를 놓았을 때 직선도체가 받는 힘의 크기[N/m]는? (단, 공간의 유전율은 이다)

  1. ρ2/ε0r
  2. ρ2/πε0r
  3. ρ2/2πε0r
  4. ρ2/4πε0r
(정답률: 알수없음)
  • 직선도체가 받는 힘은 전하분포가 만들어내는 전기장과 직선도체의 전하와의 상호작용으로 인해 발생한다. 이 때, 전기장은 무한 평면도체에서의 전기장과 직선도체에서의 전기장의 합으로 구할 수 있다.

    무한 평면도체에서의 전기장은 평면과 수직인 방향으로 일정하게 분포하므로, 직선도체와의 상호작용에는 영향을 주지 않는다. 따라서, 직선도체가 받는 힘은 직선도체에서의 전기장에 의한 것이다.

    직선도체에서의 전기장은 전하분포가 만들어내는 전기장과 직선도체의 전하와의 상호작용으로 인해 발생한다. 이 때, 전하분포가 만들어내는 전기장은 직선도체와 수직인 방향으로 일정하게 분포하므로, 직선도체와의 상호작용에는 영향을 주지 않는다. 따라서, 직선도체가 받는 힘은 직선도체의 전하와 전기장의 상호작용으로 인해 발생한다.

    직선도체의 전하는 길이가 L인 선분에 대해 Q = ρL이므로, 직선도체가 받는 힘은 다음과 같이 계산할 수 있다.

    F = QE = ρL(E1 + E2)

    여기서 E1은 무한 평면도체에서의 전기장, E2는 직선도체에서의 전기장이다.

    무한 평면도체에서의 전기장은 평면과 수직인 방향으로 일정하게 분포하므로, 크기는 다음과 같다.

    E1 = σ/2ε0

    여기서 σ는 무한 평면도체의 표면전하밀도이다.

    직선도체에서의 전기장은 전하분포가 만들어내는 전기장과 직선도체의 전하와의 상호작용으로 인해 발생한다. 이 때, 전하분포가 만들어내는 전기장은 직선도체와 수직인 방향으로 일정하게 분포하므로, 크기는 다음과 같다.

    E2 = ρ/2πε0r

    여기서 r은 직선도체와 무한 평면도체 사이의 거리이다.

    따라서, 직선도체가 받는 힘은 다음과 같다.

    F = ρL(E1 + E2) = ρL(σ/2ε0 + ρ/2πε0r)

    여기서 L = 2r이므로,

    F = ρ(2r)(σ/2ε0 + ρ/2πε0r) = ρ2r/πε0

    따라서, 정답은 "ρ2/πε0r"이다.
profile_image
1

*오류신고 접수시 100포인트 지급해드립니다.

20. 다음 중 정상자계(시불변자계)의 원천이 아닌 것은?

  1. 도선을 흐르는 직류전류
  2. 영구자석
  3. 가속도를 가지고 이동하는 전하
  4. 일정한 속도로 회전하는 대전원반(帶電圓盤)
(정답률: 알수없음)
  • 정상자계(시불변자계)의 원천은 전기장과 자기장의 상호작용으로 인한 전자의 이동이다. 따라서 "가속도를 가지고 이동하는 전하"는 정상자계의 원천이 아니다.

    가속도를 가지고 이동하는 전하는 전기장이나 자기장에 의해 가속되어 이동하는 것이며, 이는 비정상적인 상황이다. 정상자계는 시간에 따라 변하지 않는 전기장과 자기장이 유지되는 상태에서 전하가 이동하는 것이다.
profile_image
1

*오류신고 접수시 100포인트 지급해드립니다.

2과목: 회로이론

21. 인덕턴스 L1 , L2가 각각 2mH, 4mH 인 두 코일간의 상호 인덕턴스 M이 4mH라고 하면 결합계수 K는 약 얼마인가?

  1. 1.41
  2. 1.54
  3. 1.66
  4. 2.47
(정답률: 알수없음)
  • 결합계수 K는 다음과 같이 계산할 수 있다.

    K = M / √(L1 * L2)

    여기에 주어진 값들을 대입하면,

    K = 4mH / √(2mH * 4mH) = 4mH / √8mH^2 = 4mH / (2mH * √2) = 2 / √2 = 1.41

    따라서 정답은 "1.41"이다. 결합계수는 두 코일이 얼마나 강하게 결합되어 있는지를 나타내는 지표로, 1에 가까울수록 강한 결합을 나타낸다. 이 문제에서는 두 코일의 인덕턴스와 상호 인덕턴스가 주어졌기 때문에, 결합계수를 계산하여 두 코일의 결합 상태를 파악할 수 있다.
profile_image
1

*오류신고 접수시 100포인트 지급해드립니다.

22. 페이저도가 다음 그림과 같이 주어졌을 때 이 페이저도에 일치하는 등가 임피던스는?

  1. 12.9+j48.3
  2. -25+j43.3
  3. 25+j43.3
  4. 2.8+j2.8
(정답률: 알수없음)
  • 이 페이저도는 병렬로 연결된 두 개의 RC 회로로 이루어져 있습니다. 따라서 등가 임피던스는 두 RC 회로의 병렬 연결임을 알 수 있습니다.

    각 RC 회로의 임피던스는 다음과 같습니다.

    - 왼쪽 RC 회로: Z1 = R1 + jX1 = 20 + j30
    - 오른쪽 RC 회로: Z2 = R2 + jX2 = 30 - j40

    여기서 R1, X1, R2, X2는 각각 저항, 리액턴스를 나타냅니다.

    따라서 두 RC 회로의 병렬 연결 임피던스는 다음과 같습니다.

    Z = (Z1 × Z2) / (Z1 + Z2) = (20 + j30) × (30 - j40) / (20 + j30 + 30 - j40) = 12.9 + j48.3

    따라서 정답은 "12.9+j48.3"입니다.
profile_image
1

*오류신고 접수시 100포인트 지급해드립니다.

23. 저항 3Ω, 유도리액턴스 4Ω의 직렬회로에 60Hz의 정현파 전압 180V를 가했을 때 흐르는 전류의 실효치는?

  1. 26A
  2. 36A
  3. 45A
  4. 60A
(정답률: 알수없음)
  • 직렬회로에서 전압은 저항과 유도리액턴스에 나누어져 각각에 전압이 걸리게 됩니다. 이를 전압분배법칙이라고 합니다. 따라서, 전압분배법칙을 이용하여 각각의 전압을 구하면 다음과 같습니다.

    전압 = 전압원 전압 × (저항 / (저항 + 유도리액턴스))

    전압 = 180V × (3Ω / (3Ω + 4Ω)) = 108V (저항에 걸리는 전압)

    전압 = 180V × (4Ω / (3Ω + 4Ω)) = 72V (유도리액턴스에 걸리는 전압)

    따라서, 저항과 유도리액턴스에 걸리는 전압을 이용하여 전류를 구할 수 있습니다.

    전류 = 전압 / 임피던스

    전류 = 108V / 3Ω + 72V / 4Ω = 36A

    따라서, 이 직렬회로에서 흐르는 전류의 실효치는 36A입니다.
profile_image
1

*오류신고 접수시 100포인트 지급해드립니다.

24. 그림에 표시한 여파기는 다음 중 어디에 속하는가?

  1. 고역통과 여파기
  2. 대역통과 여파기
  3. 대역소거 여파기
  4. 저역통과 여파기
(정답률: 알수없음)
  • 그림에 표시된 여파기는 고역통과 여파기에 해당합니다. 이는 고주파 신호를 통과시키고 저주파 신호를 차단하여 고주파 신호만을 출력하는 필터입니다. 이러한 필터는 주로 무선 통신에서 사용되며, 고주파 신호를 정확하게 전달하기 위해 필요합니다.
profile_image
1

*오류신고 접수시 100포인트 지급해드립니다.

25. 다음 그림과 같은 이상 변압기의 권선비는?

  1. V1/V2 = N2/N1
  2. V1/V2 = N1/N2
  3. I1/I2 = N1/N1
  4. I2/I1 = N2/N1
(정답률: 알수없음)
  • 이상 변압기에서는 전력의 보존 법칙에 따라 입력 전력과 출력 전력이 같아야 한다. 입력 전력은 V1 × I1이고 출력 전력은 V2 × I2이므로 V1 × I1 = V2 × I2이다. 이를 정리하면 V1/V2 = I2/I1이다. 이때 이상 변압기에서는 전류의 크기가 변하지 않으므로 I1 = I2이다. 따라서 V1/V2 = N1/N2이 성립한다.
profile_image
1

*오류신고 접수시 100포인트 지급해드립니다.

26. 대칭 4단자 회로망의 영상 임피던스는?

(정답률: 알수없음)
  • 대칭 4단자 회로망에서는 전압과 전류가 대칭적으로 분포하므로, 각 단자의 전압과 전류는 모두 같습니다. 따라서, 전압과 전류의 비율인 임피던스도 각 단자에서 동일합니다. 따라서, 영상 임피던스는 각 단자의 임피던스 값인 50Ω입니다. 따라서, 정답은 ""입니다.
profile_image
1

*오류신고 접수시 100포인트 지급해드립니다.

27. F(S) = S+α/(S+α)2+ω2의 역 라플라스 변환은?

  1. eatsinωt
  2. e-atsinωt
  3. eatcosωt
  4. e-atcosωt
(정답률: 알수없음)
  • 주어진 함수 F(S)를 분수 분해하면 다음과 같다.

    F(S) = S/(S+α)2+ω2 + α/(S+α)2+ω2

    이를 역 라플라스 변환하면 각각 다음과 같다.

    L-1{S/(S+α)2+ω2} = d/dt (e-αtsinωt)

    L-1{α/(S+α)2+ω2} = α/ω e-αtsinωt

    따라서 F(S)의 역 라플라스 변환은 다음과 같다.

    L-1{F(S)} = d/dt (e-αtsinωt) + α/ω e-αtsinωt

    이를 간단하게 정리하면 다음과 같다.

    L-1{F(S)} = e-αt(α/ω sinωt + cosωt)

    따라서 정답은 "e-atcosωt"이다.
profile_image
1

*오류신고 접수시 100포인트 지급해드립니다.

28. 그림의 π형 4단자망에 있어서의 전송 파라미터 A 는?

  2. Z1+Z2+Z3/Z1Z2
  3. Z3
(정답률: 알수없음)
  • 전송 파라미터 A는 입력단의 임피던스 Z1과 출력단의 임피던스 Z3을 고려한 전체 회로의 전달 효율을 나타내는 값입니다. 그림에서 입력단과 출력단 사이에는 Z2이라는 중간 임피던스가 있습니다. 이 때문에 전체 회로의 전달 효율은 입력단의 임피던스 Z1과 출력단의 임피던스 Z3뿐만 아니라 중간 임피던스 Z2도 고려해야 합니다. 따라서 전송 파라미터 A는 Z1+Z2+Z3/Z1Z2로 표현됩니다.
profile_image
1

*오류신고 접수시 100포인트 지급해드립니다.

29. 다음 중 임피던스와 쌍대 관계가 되는 것은?

  1. 서셉턴스
  2. 컨덕턴스
  3. 어드미턴스
  4. 리액턴스
(정답률: 알수없음)
  • 임피던스는 전기 회로에서 전류와 전압의 비율을 나타내는 값이며, 이에 대한 쌍대 관계는 어드미턴스입니다. 어드미턴스는 전류와 전압의 비율의 역수를 나타내는 값으로, 임피던스와는 역수 관계에 있습니다. 따라서 어드미턴스가 정답입니다.
profile_image
1

*오류신고 접수시 100포인트 지급해드립니다.

30. 비정현 주기파에 있어서 사각파 또는 구형파로부터 일그러짐의 정도를 나타내는 계수는?

  1. 0
  2. 1
  4. 2
(정답률: 알수없음)
  • 일그러짐의 정도를 나타내는 계수는 왜도(skewness)이다. 비정현 주기파에서 사각파나 구형파는 완전한 대칭성을 가지므로 왜도는 0이 된다. 따라서 정답은 "1"이 아닌 ""이다.
profile_image
1

*오류신고 접수시 100포인트 지급해드립니다.

31. 무손실 분포정수 선로의 특성 임피던스 Z0 는?

  1. 1
  4. L/C
(정답률: 알수없음)
  • 무손실 분포정수 선로에서 특성 임피던스 Z0는 전기적으로 일정하며, 전기적으로 일정한 이유는 전기적으로 일정한 파동속도를 가지기 때문이다. 파동속도는 전기적인 특성에 의해 결정되며, 이 특성은 전기용량과 인덕턴스에 의해 결정된다. 따라서, Z0는 전기용량과 인덕턴스에 의해 결정되며, 보기 중에서 ""가 Z0의 값과 일치하기 때문에 정답이 된다.
profile_image
1

*오류신고 접수시 100포인트 지급해드립니다.

32. 함수 f(t) = teat를 올바르게 라플라스 변환시킨 것은?

  1. F(S) = 1/(S-a)2
  2. F(S) = 1/(S-a)
  3. F(S) = 1/S(S-a)
  4. F(S) = 1/S(S-a)2
(정답률: 알수없음)
  • 정답은 "F(S) = 1/(S-a)2"이다.

    f(t) = teat를 라플라스 변환하면 다음과 같다.

    L{f(t)} = ∫0∞ te-steat dt

    = ∫0∞ t e(a-s)t dt

    이 식을 적분하면 다음과 같다.

    L{f(t)} = [t/(a-s)]e(a-s)t|0∞ - ∫0∞ (1/(a-s))e(a-s)t dt

    ∫0∞ (1/(a-s))e(a-s)t dt은 라플라스 변환 표에서 1/(s-a)와 같다.

    따라서,

    L{f(t)} = [t/(a-s)]e(a-s)t|0∞ - 1/(s-a)

    = [(-1)/(a-s)2]e(a-s)t|0∞ - 1/(s-a)

    = 1/(s-a)2

    따라서, F(S) = 1/(S-a)2이다.
profile_image
1

*오류신고 접수시 100포인트 지급해드립니다.

33. 어떤 회로에서 콘덴서의 캐패시턴스가 2.12μF 일 때, 주파수가 100Hz, 전압 200V를 인가했다면, 이 때 콘덴서의 용량성 리액턴스 XC [Ω]의 값은 약 얼마인가?

  1. 320
  2. 750
  3. 830
  4. 910
(정답률: 알수없음)
  • 콘덴서의 용량성 리액턴스 XC [Ω]는 다음과 같은 공식으로 계산할 수 있다.

    XC = 1 / (2πfC)

    여기서 f는 주파수, C는 캐패시턴스를 나타낸다. 따라서 주어진 값으로 계산하면,

    XC = 1 / (2π x 100 x 2.12 x 10^-6) ≈ 750 [Ω]

    따라서 정답은 "750"이다.
profile_image
1

*오류신고 접수시 100포인트 지급해드립니다.

34. V = 311sin(377t-π/2) 인 파형의 주파수는 약 얼마인가?

  1. 60Hz
  2. 120Hz
  3. 311Hz
  4. 377Hz
(정답률: 알수없음)
  • 주파수는 파형이 1초에 반복되는 횟수를 의미한다. 이 파형은 sin 함수의 인자가 377t-π/2 이므로, 1초에 377회 진동하고 있다. 하지만 이 진동은 sin 함수의 주기에 따라 2π라디안마다 반복되므로, 주파수는 377/2π ≈ 60Hz 이다. 따라서 정답은 "60Hz" 이다.
profile_image
1

*오류신고 접수시 100포인트 지급해드립니다.

35. 다음 중 변압기 결선에서 제3고조파를 발생하는 것은?

  1. Δ-Y
  2. Y-Δ
  3. Δ-Δ
  4. Y-Y
(정답률: 알수없음)
  • 변압기 결선에서 제3고조파를 발생시키는 것은 "Y-Y" 결선이다. 이는 Y-Δ 변환을 사용하여 3상 전원을 공급하는 경우에 발생한다. 이 결선은 각 상의 중간점을 공유하는 Y 연결로 시작하여, 각 상의 끝점을 연결하는 델타(Δ) 연결로 끝난다. 이러한 결선은 제3고조파가 발생할 가능성이 높기 때문에 주의해야 한다.
profile_image
1

*오류신고 접수시 100포인트 지급해드립니다.

36. RLC 직렬회로에서, 공진 주파수보다 큰 주파수 범위에서의 전류는?

  1. 인가 전압의 위상과 동일하다.
  2. 인가 전압보다 위상이 뒤진다.
  3. 인가 전압보다 위상이 앞선다.
  4. 전류가 흐르지 않는다.
(정답률: 알수없음)
  • 공진 주파수보다 큰 주파수 범위에서의 전류는 인가 전압보다 위상이 뒤진다. 이는 적용된 전압이 증가함에 따라 전류가 감소하게 되는데, 이는 코일의 자기장이 증가함에 따라 적용된 전압이 감소하기 때문이다. 이로 인해 전류의 위상이 인가 전압보다 뒤로 밀리게 된다.
profile_image
1

*오류신고 접수시 100포인트 지급해드립니다.

37. 도선의 반지름이 4배로 늘어나면, 그 저항은 어떻게 되는가?

  1. 4배로 늘어난다.
  2. 1/4로 줄어든다.
  3. 1/16로 줄어든다.
  4. 2배로 늘어난다.
(정답률: 알수없음)
  • 도선의 저항은 도선의 길이와 반비례하기 때문에, 반지름이 4배로 늘어나면 길이는 4배가 아닌 16배가 된다. 따라서, 저항은 길이의 제곱에 반비례하므로 16의 제곱인 256배가 된다. 이를 간단하게 나타내면, 256을 16로 나누면 16분의 1이 되므로, 저항은 1/16로 줄어든다.
profile_image
1

*오류신고 접수시 100포인트 지급해드립니다.

38. R-L-C 직렬회로에서 R = 5Ω, L = 10mH, C = 100μF 이라면, 공진주파수는 약 몇 Hz 인가?

  1. 129
  2. 139
  3. 149
  4. 159
(정답률: 알수없음)
  • 공진주파수는 다음과 같이 계산할 수 있다.

    ω₀ = 1/√(LC)

    여기서 L은 헨리(Henry) 단위이므로, 10mH = 0.01H 이다. 또한 C는 파라미터 단위이므로, 100μF = 0.0001F 이다. 따라서,

    ω₀ = 1/√(0.01H × 0.0001F) = 1/√(10⁻⁶) = 1/0.001 = 1000 rad/s

    여기서 Hz로 변환하려면, 2π를 곱해줘야 한다.

    f₀ = ω₀/2π = 1000/2π ≈ 159 Hz

    따라서, 정답은 "159" 이다.
profile_image
1

*오류신고 접수시 100포인트 지급해드립니다.

39. 공급 전압이 50V이고, 회로에 전류가 15A가 흐른다고 할 때, 이 회로의 유효전력은 몇 W 인가? (단, 전압과 전류의 위상차는 30°이다.)

(정답률: 알수없음)
  • 유효전력은 전압과 전류의 곱에 위상차(cosθ)를 곱한 값이다. 따라서 유효전력은 다음과 같이 계산할 수 있다.

    유효전력 = 전압 × 전류 × cosθ
    = 50V × 15A × cos30°
    = 1297.88W

    따라서, 정답은 "" 이다.
profile_image
1

*오류신고 접수시 100포인트 지급해드립니다.

40. RL 직렬 회로에서 그 양단에 직류 전압 E를 연결한 후, 스위치 S를 개방하면 L/R초 후의 전류는 몇 [A]인가?

(정답률: 알수없음)
  • RL 직렬 회로에서 스위치 S를 개방하면 전류는 감쇠하면서 지수적으로 감소하게 된다. 이때, 감쇠 시간 상수는 L/R이므로, L/R초 후에 전류는 E/R의 1/e배가 된다. 따라서 정답은 ""이다. 이유는 L/R초 후에 전류가 E/R의 1/e배가 되기 때문이다.
profile_image
1

*오류신고 접수시 100포인트 지급해드립니다.

3과목: 전자회로

41. 다음 회로의 출력 파형(Vo)으로 가장 적합한 것은?

(정답률: 알수없음)
  • 정답은 "" 이다.

    이유는 입력 신호가 0V일 때, D1 다이오드는 역방향으로 흐르게 되어 차단되고, D2 다이오드는 정방향으로 흐르게 되어 전류가 흐르게 된다. 이때, R1과 R2에 걸리는 전압이 같아지게 되어 출력 신호가 0V가 된다.

    반대로 입력 신호가 5V일 때, D1 다이오드는 정방향으로 흐르게 되어 전류가 흐르게 되고, D2 다이오드는 역방향으로 흐르게 되어 차단된다. 이때, R1에 걸리는 전압이 R2에 걸리는 전압보다 크게 되어 출력 신호가 5V가 된다.

    따라서, 입력 신호에 따라 출력 신호가 0V 또는 5V로 바뀌는 디지털 스위치 역할을 하게 된다.
profile_image
1

*오류신고 접수시 100포인트 지급해드립니다.

42. 트랜지스터 증폭기에서 동작점(Q)의 변동 원인에 영향이 가장 적은 것은?

  1. 동작 주파수의 변화
  2. β값의 변화
  3. ICO 값의 변화
  4. VBE(베이스와 이미터간의 바이어스 전압)의 변화
(정답률: 알수없음)
  • 트랜지스터 증폭기에서 동작점(Q)은 정확한 전압과 전류 값을 유지해야 합니다. 이를 위해 β값과 ICO 값의 변화, 그리고 VBE(베이스와 이미터간의 바이어스 전압)의 변화는 동작점(Q)의 변동 원인이 될 수 있습니다. 하지만 동작 주파수의 변화는 전류와 전압의 변화를 초래하지 않기 때문에 동작점(Q)의 변동 원인에 영향이 가장 적습니다. 따라서 동작 주파수의 변화는 동작점(Q)의 안정성에 큰 영향을 미치지 않습니다.
profile_image
1

*오류신고 접수시 100포인트 지급해드립니다.

43. 입력전압이 0.02V 일 때, 기본파의 출력전압이 30V이고, 7%의 제2고조파를 포함하고 있다. 이 증폭기의 출력 1.2%를 입력에 부궤환 했을 때 출력전압은 약 몇 V 인가?

  1. 1.2
  2. 1.6
  3. 4.5
  4. 6.8
(정답률: 알수없음)
  • 입력전압이 0.02V일 때, 출력전압은 30V이므로 증폭비는 30V/0.02V = 1500이다. 제2고조파는 기본파의 7%이므로, 제2고조파의 크기는 30V x 0.07 = 2.1V이다. 따라서, 총 출력전압은 30V + 2.1V = 32.1V이다. 입력전압을 1.2% 증폭했을 때, 출력전압은 32.1V x 1.012 = 32.55V이다. 따라서, 정답은 1.6이 아닌 32.55V이다.
profile_image
1

*오류신고 접수시 100포인트 지급해드립니다.

44. 다음 그림의 회로가 논리회로라면 입력 A, B와 출력 C 사이의 논리식은? (단, 정의 논리이다.)

  1. C = A + B
  2. C = AㆍB
(정답률: 알수없음)
  • 입력 A와 B가 OR 게이트를 통과하면 출력 C가 1이 되므로, C는 A와 B 중 하나 이상이 1일 때 1이 된다. 따라서 C = A + B가 된다. 그리고 보기 중에서 ""가 C = A + B와 같은 논리식이므로 정답이 된다.
profile_image
1

*오류신고 접수시 100포인트 지급해드립니다.

45. 그림과 같은 논리회로에서 Y는 어떻게 표시되는가?

(정답률: 알수없음)
  • Y는 AND 게이트의 출력이므로, A와 B가 모두 1일 때만 1이 출력된다. 따라서 Y는 A와 B의 논리곱이므로 ""이 정답이다.
profile_image
1

*오류신고 접수시 100포인트 지급해드립니다.

46. SR 플립플롭을 JK 플립플롭으로 바꾸어 사용하려 할 때 필요한 논리 게이트는?

  1. 2개의 OR
  2. 2개의 AND
  3. 2개의 NOR
  4. 2개의 NAND
(정답률: 알수없음)
  • SR 플립플롭은 S와 R 입력이 모두 1일 때 상태가 불확정해지는 문제가 있습니다. 이를 해결하기 위해 JK 플립플롭을 사용합니다. JK 플립플롭은 S와 R 대신 J와 K 입력을 사용하며, J와 K가 모두 1일 때만 상태가 불확정해집니다. 따라서 SR 플립플롭을 JK 플립플롭으로 바꾸기 위해서는 S와 R 입력을 J와 K 입력으로 변환해야 합니다. 이를 위해 S와 R 입력을 AND 게이트로 연결하여 J 입력을 만들고, S와 R 입력을 반전시켜서 AND 게이트로 연결하여 K 입력을 만듭니다. 따라서 필요한 논리 게이트는 "2개의 AND" 입니다.
profile_image
1

*오류신고 접수시 100포인트 지급해드립니다.

47. 이미터 접지 증폭기에서 ICO = 0.1mA 이고, IB = 0.2mA 일 때, 컬렉터 전류는 약 몇 mA 인가? (단, 이 트랜지스터의 β = 50 이다.)

  1. 10
  2. 12.5
  3. 15.1
  4. 24.3
(정답률: 알수없음)
profile_image
1

*오류신고 접수시 100포인트 지급해드립니다.

48. 다음과 같은 FET 소신호 증폭기회로에서 입력전압이 10mV 일때, 출력전압으로 가장 적합한 것은?

  1. 입력전압과 동위상인 100mV
  2. 입력전압과 역위상인 100mV
  3. 입력전압과 동위상인 200mV
  4. 입력전압과 역위상인 200mV
(정답률: 알수없음)
  • FET 소신호 증폭기 회로에서는 입력 신호가 FET의 게이트-소스 저항(Rgs)을 통해 들어가게 되고, 출력 신호는 FET의 드레인-소스 저항(Rds)을 통해 나오게 됩니다. 이때, FET의 게이트와 소스 사이에는 전압이 거의 없기 때문에 입력 신호는 거의 전압 강하 없이 FET의 드레인-소스 저항을 통해 출력 신호로 전달됩니다. 따라서, 출력 신호의 크기는 입력 신호의 크기에 비례하게 됩니다.

    그러나, FET는 양의 전압을 가진 입력 신호에 대해서는 거의 전압 강하 없이 출력 신호를 전달하지만, 음의 전압을 가진 입력 신호에 대해서는 전압 강하가 발생하게 됩니다. 이는 FET의 게이트와 소스 사이에 형성되는 pn 접합 다이오드 때문입니다. 따라서, 입력 신호와 출력 신호의 극성이 반대인 경우에는 출력 신호의 크기가 더욱 커지게 됩니다.

    따라서, 입력전압과 역위상인 200mV가 가장 적합한 출력전압입니다.
profile_image
1

*오류신고 접수시 100포인트 지급해드립니다.

49. 다음 그림 (b)와 같은 회로에서 신호전압 Vi가 그림 (a)와 같이 변화할 때 출력전압 Vo로 가장 적합한 것은? (단, 다이오드 커트인 전압은 무시한다.)

(정답률: 알수없음)
  • 정답은 ""이다.

    다이오드는 양방향으로 전류가 흐르지 않기 때문에, 입력신호가 양수일 때는 다이오드가 역방향으로 작동하여 출력신호는 0V가 된다. 반면, 입력신호가 음수일 때는 다이오드가 정방향으로 작동하여 출력신호는 입력신호와 같은 음수값이 된다. 따라서, 입력신호가 음수일 때만 출력신호가 발생하므로 ""이 정답이다.
profile_image
1

*오류신고 접수시 100포인트 지급해드립니다.

50. 링 카운터(Ring Counter)에 대한 설명 중 가장 적합한 것은?

  1. 직렬 시프트 레지스터의 최초 플립플롭의 출력(Q)을 최초 플립플롭의 J에 연결한다.
  2. 직렬 시프트 레지스터의 최종 플립플롭의 출력(Q)을 최초 플립플롭의 J에 연결한다.
  3. 직렬 시프트 레지스터의 최종 플립플롭의 보수 출력( )을 최종 플립플롭의 J에 연결한다.
  4. 직렬 시프트 레지스터의 최초 플립플롭의 보수 출력( )을 최종 플립플롭의 J에 연결한다.
(정답률: 알수없음)
  • 링 카운터는 직렬 시프트 레지스터의 최종 플립플롭의 출력(Q)을 최초 플립플롭의 J에 연결하여 구성된다. 이는 최종 플립플롭의 출력이 다시 최초 플립플롭의 입력으로 들어가서 순환하는 구조를 만들어내기 때문이다. 따라서 링 카운터는 순환 카운터로서 동작하며, 특정한 패턴을 생성하는 데에 사용된다.
profile_image
1

*오류신고 접수시 100포인트 지급해드립니다.

51. 수정발진기 회로의 특징에 대한 설명 중 적합하지 않은 것은?

  1. 수정진동자의 Q는 매우 크다.
  2. 통신용 송신기으 발진회로 등에 사용된다.
  3. 발진 주파수를 쉽게 가변시킬 수 있다.
  4. 발진 주파수의 안정도가 매우 높다.
(정답률: 알수없음)
  • "발진 주파수를 쉽게 가변시킬 수 있다."는 수정발진기 회로의 특징 중 적합하지 않은 것이다. 이유는 수정발진기 회로는 일정한 주파수를 발진하기 위해 설계되어 있으며, 발진 주파수를 가변시키는 것은 그 안정성을 해칠 수 있기 때문이다. 따라서 수정발진기 회로에서는 발진 주파수를 일정하게 유지하는 것이 중요하다.
profile_image
1

*오류신고 접수시 100포인트 지급해드립니다.

52. 다음 그림 (b)는 회로 (a)에 대한 직류 및 교류 부하선을 나타낸 것이다. 회로 (a)의 부하저항 RL 의 값은 약 몇 kΩ인가? (단, C2는 교류적으로 단락이다.)

  1. 1
  2. 2
  3. 3
  4. 4
(정답률: 알수없음)
  • 부하선에서 직류 부하선과 교류 부하선이 만나는 지점에서의 전압은 0V이다. 따라서 RL과 C1의 병렬 저항과 R1의 저항이 서로 같아야 한다. 이를 이용하여 RL을 구하면 다음과 같다.

    1/(1/R1 + 1/(RL + 1/(1/jωC1))) = R1

    RL = (1/(1/R1 + 1/(R1/(1/jωC1)))) - R1

    RL = (R1/(1 - jωR1C1)) - R1

    여기서 ω는 각주파수로, 2πf이다. 주파수 f가 1kHz일 때, RL을 계산하면 약 2.5kΩ이다. 따라서 정답은 "2"이다.
profile_image
1

*오류신고 접수시 100포인트 지급해드립니다.

53. 어떤 차동증폭기의 동상신호제거비 CMRR이 80dB이고 차 신호에 대한 전압이득이 100000 이라고 할 때, 이 차동증폭기의 동상신호에 대한 이득은 얼마인가?

  1. 0.1
  2. 1
  3. 10
  4. 12.5
(정답률: 알수없음)
  • CMRR은 공통모드 신호에 대한 억제능력을 나타내는 지표이다. 따라서 동상신호에 대한 이득은 CMRR과 차 신호에 대한 이득을 이용하여 구할 수 있다.

    동상신호에 대한 이득 = 차 신호에 대한 이득 / CMRR
    = 100000 / 10^(80/20)
    = 100000 / 10000
    = 10

    따라서 정답은 "10"이다.
profile_image
1

*오류신고 접수시 100포인트 지급해드립니다.

54. 어떤 트랜지스터 증폭회로의 전류증폭도 Ai = 50, 전압증폭도 Av = 200 이라고 할 때, 이 회로의 전력증폭도 Ap는 몇 dB 인가?

  1. 10
  2. 20
  3. 30
  4. 40
(정답률: 알수없음)
  • 전력증폭도는 전압증폭도와 전류증폭도의 곱으로 계산할 수 있습니다. 따라서, Ap = Av x Ai = 200 x 50 = 10,000 입니다. 이 값을 dB로 변환하면 10log(10,000) = 40dB가 됩니다. 따라서, 정답은 "40"입니다.
profile_image
1

*오류신고 접수시 100포인트 지급해드립니다.

55. 듀티 사이클(Duty Cycle)이 0.1 이고, 주기가 30μs 인 펄스의 폭은 몇 μs 인가?

  1. 0.3
  2. 1
  3. 3
  4. 10
(정답률: 알수없음)
  • 듀티 사이클(Duty Cycle)이 0.1 이므로, 펄스의 폭은 주기의 0.1 배가 됩니다. 따라서, 폭은 30μs x 0.1 = 3μs 가 됩니다. 따라서 정답은 "3" 입니다.
profile_image
1

*오류신고 접수시 100포인트 지급해드립니다.

56. FM 통신방식과 AM 통신방식을 비교했을 때, FM 통신방식에서 잡음 개선에 대한 설명으로 가장 적합한 것은?

  1. 변조지수와 잡음 개선과는 관계없다.
  2. 변조지수가 클수록 잡음 개선율이 커진다.
  3. 변조지수가 클수록 잡음 개선율이 적어진다.
  4. 신호파의 크기가 적을수록 잡음 개선율이 커진다.
(정답률: 알수없음)
  • 정답은 "변조지수가 클수록 잡음 개선율이 커진다." 이다.

    FM(Frequency Modulation) 통신방식은 변조지수가 크면 클수록 잡음에 강하다는 특징이 있다. 변조지수란, 변조 신호의 최대 주파수 변화량과 기본 주파수의 비율을 의미한다. 변조지수가 크면 변조 신호의 주파수 변화가 빠르고 크기가 크기 때문에 잡음에 강해진다. 따라서, FM 방식에서는 변조지수를 크게 설정하여 잡음을 개선할 수 있다.
profile_image
1

*오류신고 접수시 100포인트 지급해드립니다.

57. 공통 이미터 증폭기 회로에서 이미터 저항의 바이패스 콘덴서를 제거하면 어떤 현상이 일어나는가?

  1. 잡음이 증가한다.
  2. 전압이득이 감소한다.
  3. 전류이득이 증가한다.
  4. 회로가 불안정하게 된다.
(정답률: 알수없음)
  • 공통 이미터 증폭기 회로에서 이미터 저항의 바이패스 콘덴서를 제거하면, 고주파 신호가 이미터 저항을 우회하지 못하고 콘덴서를 통해 지나가게 되어 전압이 감소하게 됩니다. 따라서 전압이득이 감소한다는 것입니다.
profile_image
1

*오류신고 접수시 100포인트 지급해드립니다.

58. 증폭기의 궤환에 대한 설명 중 옳지 않은 것은?

  1. 부궤환을 걸어주면 전압이득은 감소하지만 대역폭이 증가하고 신호왜곡이 감소한다.
  2. 궤환신호(전류 또는 전압)가 출력전압에 비례할 때 전압궤환이라 한다.
  3. 출력 전압 또는 전류에 비례하는 궤환전압이 입력신호 전압에 직렬로 연결되는 경우 직렬궤환이라 한다.
  4. 직렬궤환과 병렬궤환이 함께 사용된 것을 복합궤환이라 한다.
(정답률: 알수없음)
  • 정답은 "출력 전압 또는 전류에 비례하는 궤환전압이 입력신호 전압에 직렬로 연결되는 경우 직렬궤환이라 한다."입니다. 이 설명은 옳은 설명입니다.

    따라서, 옳지 않은 설명은 없습니다. 직렬궤환과 병렬궤환이 함께 사용된 것을 복합궤환이라고 하는 이유는, 이 두 궤환을 조합하여 전압이득과 대역폭을 동시에 증가시키기 위해서입니다. 직렬궤환은 전압이득을 증폭시키고, 병렬궤환은 대역폭을 넓히기 때문에, 두 궤환을 함께 사용하면 더욱 효과적인 증폭이 가능해집니다.
profile_image
1

*오류신고 접수시 100포인트 지급해드립니다.

59. 연산증폭기(OP Amp)의 일반적인 특징에 대한 설명으로 옳은 것은?

  1. 주파수 대역폭이 좁다.
  2. 입력 임피던스가 낮다.
  3. 온도변화에 따른 드리프트가 크다.
  4. 동상신호제거비가 크다.
(정답률: 알수없음)
  • 연산증폭기(OP Amp)는 입력 신호를 증폭하거나 필터링하는 등의 작업을 수행하는데 사용되는 전자기기입니다. 이에 대한 일반적인 특징은 다음과 같습니다.

    - 주파수 대역폭이 넓다.
    - 입력 임피던스가 높다.
    - 온도변화에 따른 드리프트가 작다.
    - 동상신호제거비가 크다.

    동상신호제거비가 크다는 것은, 입력 신호 중에서 같은 주파수로 발생한 상보적인 신호(동상신호)를 제거하는 능력이 뛰어나다는 것을 의미합니다. 이는 연산증폭기가 신호 처리 과정에서 발생할 수 있는 잡음이나 외부 간섭 등을 최소화하는 데에 큰 도움을 줍니다.
profile_image
1

*오류신고 접수시 100포인트 지급해드립니다.

60. 다음 논리 게이트 중에서 중 Fan-out이 가장 큰 것은?

  1. RTL(Resistor-Transistor-Logic) 게이트
  2. TTL(Transistor-Transistor-Logic) 게이트
  3. DTL(Diode-Transistor-Logic) 게이트
  4. DL(Diode-Logic) 게이트
(정답률: 알수없음)
  • Fan-out은 출력 신호를 몇 개의 입력 신호로 전달할 수 있는지를 나타내는 값입니다. TTL 게이트는 다른 게이트에 비해 Fan-out이 크기 때문에 중 Fan-out이 가장 큰 게이트입니다. 이는 TTL 게이트가 내부적으로 다수의 트랜지스터를 사용하기 때문에 출력 신호를 더 많은 입력 신호로 전달할 수 있기 때문입니다.
profile_image
1

*오류신고 접수시 100포인트 지급해드립니다.

4과목: 물리전자공학

61. 균일자계 B에 자계와 직각 방향으로 속도 V를 갖고 입사한 전자의 각속도는? (단, 전자의 질량을 m, 전하량은 q)

  1. mV/qB
  2. qB/m
  3. 2πm/qB
  4. qB/2πm
(정답률: 알수없음)
  • 전자가 균일자계 B에 직각 방향으로 입사하면, 로렌츠 힘에 의해 전자는 원형 궤도를 그리며 회전하게 됩니다. 이때, 각속도는 다음과 같이 구할 수 있습니다.

    F = qvB (로렌츠 힘)
    F = ma (운동 방정식)
    qvB = ma
    a = v^2/r (원형 운동 방정식)
    qvB = mv^2/r
    r = mv/qB
    a = v^2/(mv/qB) = qB/m
    각속도 w = a/r = qB/m

    따라서, 정답은 "qB/m" 입니다.
profile_image
1

*오류신고 접수시 100포인트 지급해드립니다.

62. 1eV를 올바르게 설명한 것은?

  1. 1개의 전자가 1J의 에너지를 얻는데 필요한 에너지이다.
  2. 1개의 전자가 1cm의 간격을 통과할 때 필요한 에너지이다.
  3. 1개의 전자가 1V의 전위차를 통과할 때 필요한 운동 에너지이다.
  4. 1개의 전자가 1m/sec의 속도를 얻는데 필요한 에너지이다.
(정답률: 알수없음)
  • 1eV는 1개의 전자가 1V의 전위차를 통과할 때 필요한 운동 에너지입니다. 즉, 전자가 전위차를 이동하면서 에너지를 얻는데 필요한 최소한의 에너지량을 나타내는 단위입니다.
profile_image
1

*오류신고 접수시 100포인트 지급해드립니다.

63. 다음은 드브로이(de Broglie) 전자파의 파장 λ를 나타내는 관계식이다. h에 가장 합당한 것은?

  1. 일함수
  2. 페르미(Fermi)의 상수
  3. 플랭크(Plank)의 상수
  4. 볼쯔만(Boltzmann)의 상수
(정답률: 알수없음)
  • 드브로이 전자파의 파장 λ는 물질의 운동량 p와 플랑크 상수 h의 비례식으로 나타낼 수 있다. 따라서 h가 가장 합당한 답이다. 일함수는 양자역학에서 파동함수의 정규화 상수를 나타내는 상수이고, 페르미의 상수는 전자의 에너지와 온도를 연결하는 상수이며, 볼쯔만 상수는 열역학에서 온도와 열역학적 엔트로피를 연결하는 상수이다.
profile_image
1

*오류신고 접수시 100포인트 지급해드립니다.

64. 기체 중에서 방전 현상은 어느 현상에 해당하는가?

  1. 전리 현상
  2. 절연 파괴
  3. 광전 효과
  4. 절연
(정답률: 알수없음)
  • 방전 현상은 기체가 전기적으로 충전되어 있는 상태에서 전기적인 에너지가 방출되는 현상을 말한다. 이때 기체 내부에서 전기적인 에너지가 충분히 쌓이면, 기체 내부의 분자나 원자들이 이 에너지를 방출하면서 방전 현상이 일어난다. 이때 방전 현상이 지속되면 기체 내부의 절연체가 파괴되어 전기적인 에너지가 외부로 누출되는데, 이를 절연 파괴라고 한다. 따라서 정답은 "절연 파괴"이다.
profile_image
1

*오류신고 접수시 100포인트 지급해드립니다.

65. 베이스 접지전류 증폭율이 0.98일 때 이미터 접지전류 증폭율은 얼마인가?

  1. 20
  2. 39
  3. 40
  4. 49
(정답률: 알수없음)
  • 베이스 접지전류 증폭율이 0.98이므로, 베이스 전류의 1%만큼 이미터 전류가 증폭됩니다. 따라서 이미터 접지전류 증폭율은 1% 증폭된 값인 49가 됩니다.
profile_image
1

*오류신고 접수시 100포인트 지급해드립니다.

66. 컬렉터 접합부의 온도 상승으로 트랜지스터가 파괴되는 현상은?

  1. Saturation 현상
  2. break down 현상
  3. thermal runaway 현상
  4. pinch off 현상
(정답률: 알수없음)
  • 컬렉터 접합부의 온도 상승으로 인해 트랜지스터 내부의 전류 증폭 기능이 강화되어 더 많은 전류가 흐르게 되고, 이로 인해 더 많은 열이 발생하여 온도가 더욱 상승하는 양상을 보이게 됩니다. 이러한 과정이 반복되면서 트랜지스터는 점차적으로 파괴되는데, 이를 thermal runaway 현상이라고 합니다.
profile_image
1

*오류신고 접수시 100포인트 지급해드립니다.

67. n 채널 전계 효과 트랜지스터(Field Effect Transistor)에 흐르는 전류는 주로 어느 현상에 의한 것인가?

  1. 전자의 확산 현상
  2. 정공의 확산 현상
  3. 정공의 드리프트 현상
  4. 전자의 드리프트 현상
(정답률: 알수없음)
  • 정답은 "전자의 드리프트 현상"입니다.

    전자의 드리프트 현상은 전기장에 의해 전자가 일정한 방향으로 움직이는 현상입니다. n 채널 전계 효과 트랜지스터에서는 양극판 사이에 전기장이 형성되어 있고, 이 전기장에 의해 n 채널에 있는 전자들이 드리프트 현상을 일으키면서 전류가 흐릅니다. 따라서 n 채널 전계 효과 트랜지스터에서 흐르는 전류는 전자의 드리프트 현상에 의한 것입니다.
profile_image
1

*오류신고 접수시 100포인트 지급해드립니다.

68. 광전자 방출에 대한 설명으로 옳지 않은 것은?

  1. 광전자 방출은 금속의 일함수와 관계가 있다.
  2. 금속 표면에 빛이 입사되면 전자가 방출되는 현상을 광전자 방출이라 한다.
  3. 한계 파장보다 긴 파장의 빛을 다량으로 입사시키면 광전자 방출이 일어난다.
  4. 광전자 방출을 위해서는 금속 표면에 입사되는 빛의 파장이 한계 파장보다 짧아야 한다.
(정답률: 알수없음)
  • 한계 파장보다 긴 파장의 빛을 다량으로 입사시키면 광전자 방출이 일어난다는 설명이 옳지 않습니다. 광전자 방출을 일으키기 위해서는 금속 표면에 입사되는 빛의 파장이 한계 파장보다 짧아야 합니다. 이는 플랑크 상수와 일함수의 관계로 설명됩니다. 금속 표면에 빛이 입사되면 일부 전자는 빛의 에너지를 흡수하여 활성화되고, 이 활성화된 전자가 금속 표면에서 빠져나와 광전자 방출이 일어납니다. 이 때, 빛의 파장이 짧을수록 빛의 에너지가 높아지므로, 광전자 방출을 일으키기 위해서는 빛의 파장이 짧아야 합니다.
profile_image
1

*오류신고 접수시 100포인트 지급해드립니다.

69. Pauli의 배타율 원리를 만족하는 분포 함수는?

  1. Fermi-Dirac
  2. Bose-Einstein
  3. Gauss-error function
  4. Maxwell-Boltzmann
(정답률: 알수없음)
  • Pauli의 배타율 원리는 동일한 양자 상태를 가진 두 개의 입자가 동시에 존재할 수 없다는 원리입니다. 이 원리는 전자와 같은 페르미온에 대해 적용됩니다.

    따라서, 페르미온 분포 함수는 Pauli의 배타율 원리를 만족해야 합니다. 이를 만족하는 분포 함수는 Fermi-Dirac 분포 함수입니다. 이 함수는 전자와 같은 페르미온의 분포를 설명하는 데 사용됩니다.

    반면, Bose-Einstein 분포 함수는 보존된 양자수를 가진 보존된 입자에 대해 적용됩니다. Gauss-error function은 오차 함수로, Maxwell-Boltzmann 분포 함수는 이상 기체의 분포를 설명하는 데 사용됩니다.
profile_image
1

*오류신고 접수시 100포인트 지급해드립니다.

70. 반도체의 특성에 대한 설명 중 옳지 않은 것은?

  1. 홀 효과가 크다.
  2. 빛을 쪼이면 도전율이 증가한다.
  3. 온도에 의해 도전율이 현저하게 변화한다.
  4. 미량의 불순물을 첨가하면 도전율은 거의 비례하여 감소한다.
(정답률: 알수없음)
  • 미량의 불순물을 첨가하면 도전율은 거의 비례하여 감소한다는 설명이 옳지 않다. 이는 불순물이 첨가되면 그리고 그 불순물이 전자를 가지고 있으면, 전자와 결합하여 전자의 이동을 방해하기 때문에 도전율이 감소하는 것이다. 따라서 불순물이 적을수록 도전율이 높아지는 것이다.
profile_image
1

*오류신고 접수시 100포인트 지급해드립니다.

71. 진성 반도체에서 오도가 상승하면 페르미 준위는?

  1. 도너 준위에 접근한다.
  2. 금지대 중앙에 위치한다.
  3. 전도대 쪽으로 접근한다.
  4. 가전자대 쪽으로 접근한다.
(정답률: 알수없음)
  • 오도가 상승하면 페르미 준위는 도너 준위에 접근하게 된다. 그러나 보기에서 정답은 "금지대 중앙에 위치한다." 이다. 이는 오도가 상승하면 전자가 금지대 중앙에 위치하게 되기 때문이다. 이는 반도체의 전기적 특성을 나타내는 것으로, 전자가 금지대 중앙에 위치하면 전기적으로 중립적인 상태가 되어 전기적으로 안정하다는 것을 의미한다.
profile_image
1

*오류신고 접수시 100포인트 지급해드립니다.

72. 트랜지스터의 제조에서 에피텍셜 층(epitaxial layer)이 많이 사용되는 이유는?

  1. 베이스 전극을 만들기 위해서
  2. 베이스 영역을 좁게 만들기 위해서
  3. 낮은 저항의 이미터 영역을 만들기 위해서
  4. 낮은 저항의 기판에 같은 도전성 형태를 가진 높은 저항의 컬렉터 영역을 만들기 위해서
(정답률: 알수없음)
  • 에피텍셜 층은 낮은 저항의 기판에 같은 도전성 형태를 가진 높은 저항의 컬렉터 영역을 만들기 위해서 사용됩니다. 이는 전류의 흐름을 원활하게 하기 위해 필요한 것입니다.
profile_image
1

*오류신고 접수시 100포인트 지급해드립니다.

73. 자유전자가 정공에 의해 다시 잡혀서 정공을 채운다. 이러한 과정을 무엇이라 하는가?

  1. 열적 평형
  2. 확산(diffusion)
  3. 수명 시간(life time)
  4. 재결합(recombination)
(정답률: 알수없음)
  • 재결합은 자유전자와 정공이 다시 결합하여 전하를 중성화시키는 과정을 말한다. 이 과정은 반도체에서 전기적 특성을 결정하는 중요한 요소 중 하나이다.
profile_image
1

*오류신고 접수시 100포인트 지급해드립니다.

74. 진성 반도체에서 전자나 정공의 농도가 같다고 하고, 전도대 준위는 0.3eV, 가전자대 준위를 0.7eV이라하면 페르미 준위는 몇 eV인가?

  1. 0.7
  2. 0.5
  3. 0.025
  4. 0.45
(정답률: 알수없음)
  • 페르미 준위는 전자와 정공의 농도가 같을 때 전자와 정공의 에너지준위가 같아지는 지점을 말한다. 따라서 전도대 준위와 가전자대 준위의 중간인 0.5eV가 페르미 준위가 된다.
profile_image
1

*오류신고 접수시 100포인트 지급해드립니다.

75. 다음 중 부성 저항 특성을 나타내는 다이오드는?

  1. 터널 다이오드
  2. 바랙터
  3. 제너 다이오드
  4. 정류용 다이오드
(정답률: 알수없음)
  • 터널 다이오드는 부성 저항 특성을 가지며, 이는 다른 다이오드들과는 달리 전압이 일정 범위 내에서 증가함에 따라 전류가 감소하는 현상을 보입니다. 이는 터널 다이오드 내부의 터널 다리를 통해 전자가 터널링 현상을 일으키면서 발생하는 것으로, 이러한 특성을 이용하여 고주파 발진기, 레이더 등에 사용됩니다.
profile_image
1

*오류신고 접수시 100포인트 지급해드립니다.

76. 다음 중 N형 반도체를 표시하는 식으로 옳은 것은? (단, n : 전자의 농도, p : 정공의 농도)

  1. n = p
  2. n＞p
  3. n＜p
  4. np = 0
(정답률: 알수없음)
  • n＞p

    N형 반도체는 전자의 농도(n)가 정공의 농도(p)보다 많은 반도체를 말한다. 이는 외부에서 도핑원자로 인해 음전하를 가진 전자가 추가되어 전자의 농도가 증가하기 때문이다. 따라서 n＞p가 옳다.
profile_image
1

*오류신고 접수시 100포인트 지급해드립니다.

77. 트랜지스터에서 컬렉터의 역방향 바이어스를 계속 증대시키면 컬렉터 접합의 공핍층이 이미터 접합의 공핍층과 닿게 되어 베이스 중성영역이 없어지는 현상을 무엇이라 하는가?

  1. Early
  2. Tunnel
  3. Drift
  4. Punch-Through
(정답률: 알수없음)
  • 컬렉터의 역방향 바이어스를 계속 증대시키면 컬렉터 접합의 공핍층이 이미터 접합의 공핍층과 닿게 되어 베이스 중성영역이 없어지는 현상을 Punch-Through라고 한다. 이는 공핍층이 서로 만나면서 전류가 흐르는 경로가 생기기 때문에 발생한다. 이러한 현상은 트랜지스터의 동작을 제대로 수행하지 못하게 하므로 방지해야 한다.
profile_image
1

*오류신고 접수시 100포인트 지급해드립니다.

78. 열전자를 방출하고 있는 금속 표면에 전기장을 가하면 전자방출 효과가 증가하는 현상을 무엇이라 하는가?

  1. 지백 효과(Seeback effect)
  2. 톰슨 효과(Thomson effect)
  3. 펠티어 효과(Peltier effect)
  4. 쇼트키 효과(Schottky effect)
(정답률: 알수없음)
  • 쇼트키 효과는 전기장을 가하면 금속 표면과 전기장 사이에 존재하는 공간에 있는 전자들이 전기장에 의해 가속되어 금속 표면에서 더 쉽게 방출되는 현상을 말한다. 이는 전자의 에너지가 증가하면서 금속 표면과 결합력이 약화되기 때문에 발생한다.
profile_image
1

*오류신고 접수시 100포인트 지급해드립니다.

79. 다음 중 Fermi-Dirac 분포함수 f(E)는? (단, Ef는 페르미 준위, E는 에너지, T는 절대온도, k는 볼츠만의 상수이다.)

(정답률: 알수없음)
  • Fermi-Dirac 분포함수 f(E)는 ""이다. 이유는 Fermi-Dirac 분포함수는 에너지 E가 페르미 준위 Ef보다 작을 때는 1에 가까워지고, E가 Ef보다 클 때는 0에 가까워지기 때문이다. 또한, 절대온도 T가 낮을수록 Fermi-Dirac 분포함수는 뚜렷한 계단 모양을 띄게 되며, 이는 저온에서는 전자가 특정 에너지 대역에서만 존재할 수 있기 때문이다.
profile_image
1

*오류신고 접수시 100포인트 지급해드립니다.

80. 다음 중 확산 정수 D, 이동도 μ, 절대온도 T 간의 관계식은?

  1. D/μ = kT
  2. μ/D = kT
  3. D/μ = kT/e
  4. μ/D = kT/e
(정답률: 알수없음)
  • 확산 정수 D는 입자의 이동성과 관련된 상수이며, 이동도 μ는 입자의 운동성과 관련된 상수입니다. 절대온도 T는 입자의 열운동과 관련된 상수입니다. 이들 상수는 서로 연관되어 있으며, 이를 나타내는 관계식은 "D/μ = kT/e"입니다. 이 식에서 k는 볼츠만 상수이며, e는 자연상수인 오일러 수입니다. 이 식은 에인슈타인의 관계식에서 유도되었으며, 입자의 이동성, 운동성, 열운동이 서로 연관되어 있다는 것을 보여줍니다.
profile_image
1

*오류신고 접수시 100포인트 지급해드립니다.

5과목: 전자계산기일반

81. 다음 중에서 일반적인 직렬 전송 통신 속도를 나타낼 때 사용하는 단위는?

  1. LPM(Line Per Minute)
  2. CPM(Character Per Minute)
  3. CPS(Character Per Second)
  4. BPS(Bit Per Second)
(정답률: 알수없음)
  • 정답: BPS(Bit Per Second)

    이유: 일반적으로 데이터 전송 속도는 비트 단위로 측정되기 때문에 BPS(Bit Per Second)가 일반적인 직렬 전송 통신 속도를 나타내는 단위로 사용된다. 다른 단위인 LPM(Line Per Minute)과 CPM(Character Per Minute)은 주로 인쇄물의 속도를 나타내는 데 사용되며, CPS(Character Per Second)는 문자 전송 속도를 나타내는 데 사용된다.
profile_image
1

*오류신고 접수시 100포인트 지급해드립니다.

82. 메모리 인터리빙(memory interleaving)의 목적은?

  1. memory의 효율을 높이기 위해서
  2. CPU의 idle time을 없애기 위해서
  3. memory의 access 회수를 줄이기 위해서
  4. 명령들의 memory access 충돌을 막기 위해서
(정답률: 알수없음)
  • 메모리 인터리빙의 목적은 "명령들의 memory access 충돌을 막기 위해서"입니다. 이는 CPU가 동시에 여러 개의 명령어를 처리할 때, 각 명령어가 메모리에 접근하는 순서가 겹치는 경우 충돌이 발생하여 처리 속도가 느려지는 것을 방지하기 위함입니다.
profile_image
1

*오류신고 접수시 100포인트 지급해드립니다.

83. 캐시(cashe) 메모리에 관한 설명 중 옳은 것은?

  1. hard disk에 비해서 가격이 저렴하다.
  2. 주기억장치에 비해서 속도가 느리지만 오류 수정 기능이 있다.
  3. 주기억장치에 비해서 속도가 빠르고, 가격이 비싸다.
  4. 병렬 처리 컴퓨터에 필수적이다.
(정답률: 알수없음)
  • 캐시 메모리는 CPU가 자주 사용하는 데이터를 미리 저장해 놓는 고속 버퍼 메모리이며, 주기억장치에 비해서 속도가 빠르고, 가격이 비싸기 때문에 용량이 작다. 이는 CPU가 데이터를 빠르게 처리하기 위해 필요한 것이다.
profile_image
1

*오류신고 접수시 100포인트 지급해드립니다.

84. 인터프리터(interpreter)와 컴파일러(compiler)의 차이점으로 옳은 것은?

  1. 목적 프로그램의 생성
  2. 원시 프로그램의 생성
  3. 목적 프로그램의 실행
  4. 원시 프로그램의 번역
(정답률: 알수없음)
  • 인터프리터는 원시 프로그램을 한 줄씩 읽어들여 바로 실행하며, 컴파일러는 원시 프로그램 전체를 분석하여 목적 프로그램을 생성합니다. 따라서 인터프리터는 원시 프로그램의 실행을 바로 수행하고, 컴파일러는 목적 프로그램의 생성을 수행합니다.
profile_image
1

*오류신고 접수시 100포인트 지급해드립니다.

85. 서브루틴의 리턴(복귀) 어드레스를 저장하기 위해 사용되는 자료구조는?

  1. STACK
  2. QUEUE
  3. Linked List
  4. Tree 구조
(정답률: 알수없음)
  • 서브루틴의 리턴 어드레스를 저장하기 위해 사용되는 자료구조는 스택이다. 스택은 후입선출(LIFO) 구조로, 가장 최근에 저장된 데이터가 가장 먼저 꺼내지는 구조이다. 따라서 서브루틴에서 호출한 리턴 어드레스를 스택에 저장하면, 서브루틴이 끝나고 복귀할 때는 스택에서 가장 최근에 저장된 리턴 어드레스를 꺼내서 사용하면 된다. 이렇게 스택을 사용하면 서브루틴에서 여러 번 호출되더라도 각각의 호출에서 리턴 어드레스를 저장하고 복귀할 수 있으므로 프로그램의 흐름을 유연하게 제어할 수 있다.
profile_image
1

*오류신고 접수시 100포인트 지급해드립니다.

86. 2개의 지점 A와 B가 있을 때 양쪽에서 정보를 보내거나 받을 수는 있지만 동시에 정보를 주고받을 수 없는 전송 방식은?

  1. 단방향전송(simplex)
  2. 반이중전송(harfduplex)
  3. 전이중전송(fullduplex)
  4. 디지털전송(digital)
(정답률: 알수없음)
  • 반이중전송은 양쪽에서 정보를 보내거나 받을 수는 있지만, 동시에 정보를 주고받을 수는 없는 전송 방식입니다. 즉, A와 B가 서로 통신할 때 A가 정보를 보내면 B는 받기만 하고, B가 정보를 보내면 A는 받기만 합니다. 이러한 방식은 예를 들어 무전기나 대화형 채팅 등에서 사용됩니다.
profile_image
1

*오류신고 접수시 100포인트 지급해드립니다.

87. 레이스(race) 현상을 방지하기 위하여 사용되는 것은?

  1. JK 플립플롭
  2. RS 플립플롭
  3. T 플립플롭
  4. M/S 플립플롭
(정답률: 알수없음)
  • 레이스 현상은 여러 개의 논리 게이트가 동시에 입력 신호를 받아 출력 신호를 내보내는 과정에서 발생하는 문제입니다. 이 때, 입력 신호가 동시에 들어오면 게이트들이 서로 경쟁하면서 출력 신호를 내보내게 되는데, 이를 방지하기 위해 딜레이를 주는 것이 좋습니다. M/S 플립플롭은 딜레이를 주어 레이스 현상을 방지하는 논리 회로입니다. 따라서 M/S 플립플롭이 레이스 현상을 방지하기 위해 사용됩니다.
profile_image
1

*오류신고 접수시 100포인트 지급해드립니다.

88. 두 수의 부호 비교 판단에 적합한 것은?

  1. NOR
  2. OR
  3. NAND
  4. EX-OR
(정답률: 알수없음)
  • 두 수의 부호를 비교할 때는 두 수의 부호가 같으면 양수, 다르면 음수라는 것을 이용할 수 있습니다. 이를 판단하기 위해서는 두 수의 부호를 비교해야 하는데, 이때 EX-OR 연산이 적합합니다. EX-OR 연산은 두 비트가 다를 때 1을 반환하므로, 두 수의 부호가 다르면 1을 반환하고 같으면 0을 반환합니다. 따라서 EX-OR 연산을 이용하여 두 수의 부호를 비교할 수 있습니다.
profile_image
1

*오류신고 접수시 100포인트 지급해드립니다.

89. 어드레스 모드(address mode) 중 번지 필드가 필요없는 모드(mode)는?

  1. register addressing mode
  2. implied addressing mode
  3. direct addressing mode
  4. indirect addressing mode
(정답률: 알수없음)
  • "Implied addressing mode"는 명령어에서 명시적으로 주소를 지정하지 않는 모드이다. 대신, 명령어 자체가 작동할 메모리 위치를 암시한다. 따라서, 이 모드에서는 번지 필드가 필요하지 않다. 예를 들어, "CLC" 명령어는 "Carry Flag를 클리어한다"는 의미를 가지며, 특정한 메모리 위치를 지정하지 않는다. 이러한 이유로 "implied addressing mode"는 번지 필드가 필요없는 모드이다.
profile_image
1

*오류신고 접수시 100포인트 지급해드립니다.

90. 자기 보수 코드(self complement code)는?

  1. 8421 code(BCD)
  2. gray code
  3. 6311 code
  4. excess-3 code
(정답률: 알수없음)
  • 자기 보수 코드는 어떤 수의 보수를 취할 때, 그 수 자체를 더하는 방식으로 계산하는 코드이다. 예를 들어, 7의 자기 보수는 3이 되는데, 이는 7과 3을 더하면 10이 되기 때문이다.

    반면에 excess-3 code는 8421 코드와 유사하지만, 각 숫자에 3을 더한 값을 이진수로 나타낸 코드이다. 예를 들어, 0의 excess-3 code는 0011이 되고, 1의 excess-3 code는 0100이 된다. 이 코드는 BCD 코드와 달리 연산이 용이하고 오류 검출이 가능하다는 장점이 있어서 자주 사용된다. 따라서, 자기 보수 코드와는 다른 코드이므로 excess-3 code가 정답이 된다.
profile_image
1

*오류신고 접수시 100포인트 지급해드립니다.

91. 누산기(Accumulator)에 관한 설명으로 적합하지 않은 것은?

  1. CPU내에 존재하는 레지스터이다.
  2. 계산 속도를 향상시킨다.
  3. 연산을 하는 곳이다.
  4. 연살 결과를 일시적으로 기억하는 곳이다.
(정답률: 알수없음)
  • "연산을 하는 곳이다."가 적합하지 않은 것이다. 누산기는 연산 결과를 저장하는 레지스터로, CPU 내에 존재하며 계산 속도를 향상시킨다. 연산을 하는 곳은 ALU(산술 논리 장치)이다.
profile_image
1

*오류신고 접수시 100포인트 지급해드립니다.

92. 논리회로를 설계하는 과정에서 최적화를 위한 고려 대상이 아닌것은?

  1. 게이트 종류의 다양화
  2. 전파 지연 시간의 최적화
  3. 사용 게이트 수의 최소화
  4. 게이트 간의 상호 변수의 최소화
(정답률: 알수없음)
  • 게이트 종류의 다양화는 최적화를 위한 고려 대상이 아닙니다. 이는 게이트 종류가 다양하다고 해서 무조건 더 좋은 것이 아니기 때문입니다. 게이트 종류가 다양할수록 설계 복잡도가 증가하고, 따라서 사용 게이트 수가 늘어나고 전파 지연 시간이 증가할 수 있습니다. 따라서 최적화를 위한 고려 대상은 게이트 종류의 다양화가 아니라 사용 게이트 수의 최소화와 게이트 간의 상호 변수의 최소화, 그리고 전파 지연 시간의 최적화입니다.
profile_image
1

*오류신고 접수시 100포인트 지급해드립니다.

93. 다음 논리 연산자 중 데이터의 필요없는 부분을 지우고자 할 때 쓰는 연산자는?

  1. AND
  2. OR
  3. EX-OR
  4. NOT
(정답률: 알수없음)
  • 정답은 "AND"이다. "AND" 연산자는 두 개의 조건이 모두 참일 때만 참을 반환하기 때문에, 데이터의 필요없는 부분을 지우고자 할 때 사용할 수 있다. 예를 들어, A AND 0은 항상 0이 되기 때문에 A의 필요없는 부분을 지울 수 있다. 반면에 "OR"나 "EX-OR" 연산자는 하나 이상의 조건이 참일 때 참을 반환하기 때문에, 데이터의 필요없는 부분을 지우는 데에는 적합하지 않다. "NOT" 연산자는 단순히 조건을 부정하는 연산자이기 때문에, 데이터의 필요없는 부분을 지우는 데에는 적합하지 않다.
profile_image
1

*오류신고 접수시 100포인트 지급해드립니다.

94. 다음 10진수 -426을 팩 십진수(pack decimal)로 나타낸 것 중 옳은 것은? (단, 맨 오른쪽 4비트가 부호 비트이다.)

  1. 0100 0010 0110 1111
  2. 0110 0010 0110 1101
  3. 0100 0010 0110 0001
  4. 0100 0010 0110 1100
(정답률: 알수없음)
  • 정답은 "0110 0010 0110 1101"이다.

    팩 십진수는 10진수를 4비트씩 끊어서 나타내는 방법으로, 맨 왼쪽 비트는 부호 비트로 사용된다. 부호 비트가 0이면 양수, 1이면 음수를 나타낸다.

    -426을 이진수로 나타내면 1111 1110 0010 이다. 맨 왼쪽 비트가 1이므로 음수이다. 따라서 부호 비트는 1이 된다.

    나머지 비트는 1111 1110 0010을 4비트씩 끊어서 나타내면 1111 1110, 0010 이 된다. 이를 팩 십진수로 나타내면 각각 1110, 0010 이 된다.

    따라서 정답은 "0110 0010 0110 1101"이다.
profile_image
1

*오류신고 접수시 100포인트 지급해드립니다.

95. 다음 중 컴퓨터 운영체제에 속하지 않는 것은?

  1. LINUX
  2. WINDOW NT
  3. UNIX
  4. P에 11
(정답률: 알수없음)
  • 정답은 "P에 11"입니다. 이유는 "P에 11"이라는 운영체제는 존재하지 않기 때문입니다. "LINUX", "WINDOW NT", "UNIX"는 모두 실제로 존재하는 운영체제입니다.
profile_image
1

*오류신고 접수시 100포인트 지급해드립니다.

96. 언어를 번역하는 번역기가 아닌 것은?

  1. Assembler
  2. Interpreter
  3. Compiler
  4. Linkage Editor
(정답률: 알수없음)
  • Linkage Editor는 프로그램의 여러 모듈을 하나로 합치는 역할을 하며, 언어를 번역하는 역할을 하지 않기 때문에 언어를 번역하는 번역기가 아니다. Assembler, Interpreter, Compiler는 모두 언어를 번역하는 역할을 한다.
profile_image
1

*오류신고 접수시 100포인트 지급해드립니다.

97. n 비트를 부호화된 2진 정보를 최대 2n개의 출력으로 변환하는 조합 논리회로는?

  1. Encoder
  2. Decoder
  3. Multiplexer
  4. Demultiplexer
(정답률: 알수없음)
  • Decoder는 입력 비트를 해석하여 최대 2n개의 출력 중 하나를 선택하는 논리회로이다. 따라서 입력 비트를 부호화된 2진 정보로 받아들이고, 이를 해석하여 최대 2n개의 출력 중 하나를 선택하는 기능을 수행하므로, 이 문제에서 정답은 "Decoder"이다.
profile_image
1

*오류신고 접수시 100포인트 지급해드립니다.

98. 다음 중 마이크로프로세서 내부에 있는 레지스터에서 일반적으로 사용되는 기억소자는?

  1. Magnetic Tape
  2. Magnetic Disk
  3. Magnetic Core
  4. Flip-Flop
(정답률: 알수없음)
  • 마이크로프로세서 내부에 있는 레지스터는 데이터를 저장하고 처리하는 데 사용됩니다. 이러한 레지스터에서 일반적으로 사용되는 기억소자는 Flip-Flop입니다. Flip-Flop은 이진 데이터를 저장하는 데 사용되며, 전기 신호를 이용하여 데이터를 저장하고 전달합니다. 이는 빠른 속도와 안정성을 제공하며, 마이크로프로세서에서 많이 사용됩니다. Magnetic Tape, Magnetic Disk, Magnetic Core은 주로 보조기억장치에서 사용되는 기억소자입니다.
profile_image
1

*오류신고 접수시 100포인트 지급해드립니다.

99. BASIC 프로그래밍 언어와 관계 없는 것은?

  1. 매우 간단한 프로그램이다.
  2. 컴퓨터 언어 학습용 프로그램이다.
  3. 소형 컴퓨터 및 PC에서 많이 사용한다.
  4. 사무처리용 프로그램이다.
(정답률: 알수없음)
  • 사무처리용 프로그램은 BASIC 프로그래밍 언어와 관계가 없다. BASIC은 프로그래밍 언어이며, 사무처리용 프로그램은 일반적으로 문서 작성, 스프레드시트, 프레젠테이션 등의 기능을 제공하는 소프트웨어를 말한다.
profile_image
1

*오류신고 접수시 100포인트 지급해드립니다.

100. 마이크로프로세서의 명령어 형식이 OP-code 5비트, Operand 11비트로 이루어져 있다면, 명령어의 최대 개수와 사용할 수 있는 최대 메모리 크기는?

  1. 32개, 1024워드
  2. 32개, 2048워드
  3. 64개, 1024워드
  4. 64개, 2048워드
(정답률: 알수없음)
  • OP-code가 5비트이므로 2^5 = 32개의 명령어를 사용할 수 있다. Operand가 11비트이므로 2^11 = 2048워드의 메모리를 사용할 수 있다. 따라서 정답은 "32개, 2048워드"이다.
profile_image
1

*오류신고 접수시 100포인트 지급해드립니다.

< 이전회차목록 다음회차 >