전자기사 필기 기출문제복원 (2017-05-07)

전자기사 2017-05-07 필기 기출문제 해설

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전자기사
(2017-05-07 기출문제)

목록

1과목: 전기자기학

1. 그림과 같은 히스테리시스 루프를 가진 철심이 강한 평등자계에 의해 매초 60Hz로 자화할 경우 히스테리스 손실은 몇 W 인가? (단, 철심의 체적은 20cm3, Br=5Wb/m2, Hc=2AT/m이다.)

  1. 1.2×10-2
  2. 2.4×10-2
  3. 3.6×10-2
  4. 4.8×10-2
(정답률: 50%)
  • 히스테리시스 손실은 루프의 면적에 주파수와 체적을 곱하여 계산합니다. 주어진 루프는 평행사변형 형태이므로 면적은 가로($2H_c$)와 세로($2B_r$)의 곱으로 구할 수 있습니다.
    ① [기본 공식] $P = 2H_c \times 2B_r \times f \times V$
    ② [숫자 대입] $P = (2 \times 2) \times (2 \times 5) \times 60 \times (20 \times 10^{-6})$
    ③ [최종 결과] $P = 4.8 \times 10^{-2}$ W
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2. 유전율 ε=8.855×10<sup>-12</sup>-(F/m)인 진공 중을 전자파가 전파할 때 진공 중의 투자율(H/m)은?

  1. 7.58×10-5
  2. 7.58×10-7
  3. 12.56×10-5
  4. 12.56×10-7
(정답률: 66%)
  • 진공 중의 빛의 속도 $c$는 투자율 $\mu_0$와 유전율 $\epsilon_0$의 곱의 제곱근의 역수와 같습니다. 즉, $\mu_0 = \frac{1}{\epsilon_0 c^2}$ 공식을 사용하여 계산합니다.
    ① [기본 공식] $\mu_0 = \frac{1}{\epsilon_0 c^2}$
    ② [숫자 대입] $\mu_0 = \frac{1}{8.855 \times 10^{-12} \times (3 \times 10^8)^2}$
    ③ [최종 결과] $\mu_0 = 12.56 \times 10^{-7}$
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3. 그림과 같은 길이가 1m인 동축 원통 사이의 정전용량(F/m)은?

(정답률: 80%)
  • 동축 원통형 콘덴서의 단위 길이당 정전용량은 내부 반지름 $a$와 외부 반지름 $b$, 그리고 유전율 $\epsilon$에 의해 결정됩니다.
    ① [기본 공식] $C = \frac{2\pi \epsilon}{\ln \frac{b}{a}}$
    ② [숫자 대입] 주어진 이미지의 수식과 동일
    ③ [최종 결과]
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4. 철심이 든 환상 솔레노이드의 권수는 500회, 평균 반지름은 10cm, 철심의 단면적은 10cm2, 비투자율은 4000이다. 이 환상 솔레노이드에 2A의 전류를 흘릴 때 철심 내의 자속(Wb)은?

  1. 4×10-3
  2. 4×10-4
  3. 8×10-3
  4. 8×10-4
(정답률: 64%)
  • 자속 $\Phi$는 자기저항 $R_{m}$과 기자력 $F$의 관계를 통해 구할 수 있으며, 비투자율 $\mu_{r}$이 적용된 철심의 특성을 반영합니다.
    ① [기본 공식] $\Phi = \frac{\mu_{0} \mu_{r} N I A}{2 \pi r}$
    ② [숫자 대입] $\Phi = \frac{4 \pi \times 10^{-7} \times 4000 \times 500 \times 2 \times 10 \times 10^{-4}}{2 \pi \times 0.1}$
    ③ [최종 결과] $\Phi = 8 \times 10^{-3}$
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5. 원통좌표계에서 전류밀도j=Kr2az(A/m2)일 때 암페어의 법칙을 사용한 자계의 세기 H(AT/m)는? (단, K는 상수이다.)

(정답률: 48%)
  • 암페어의 법칙 $\oint H \cdot dl = I$를 이용하여, 주어진 전류밀도 $j = Kr^2$를 면적에 대해 적분하여 자계의 세기를 구합니다.
    ① [기본 공식] $H = \frac{1}{2\pi r} \int_{0}^{r} Kr^2 \cdot 2\pi r dr$
    ② [숫자 대입] $H = \frac{1}{2\pi r} [ 2\pi K \frac{r^4}{4} ]$
    ③ [최종 결과] $H = \frac{K}{4} r^3 a_{\phi}$
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6. 정전용량이 Co(F)인 평행판 공기콘덴서가 있다. 이것의 극판에 평행으로 판간격 d(m)의 1/2 두께인 유리판을 삽입하였을 때의 정전용량(F)은? (단, 유리판의 유전율은 ε(F/m)이라 한다.)

(정답률: 54%)
  • 유리판이 삽입된 콘덴서는 공기층과 유리층이 직렬로 연결된 구조로 볼 수 있습니다. 전체 정전용량은 각 층의 정전용량 역수의 합의 역수로 계산됩니다.
    ① [기본 공식] $C = \frac{C_0}{1 + \frac{d-t}{t} \frac{\epsilon_0}{\epsilon}}$
    ② [숫자 대입] $C = \frac{C_0}{1 + \frac{d - d/2}{d/2} \frac{\epsilon_0}{\epsilon}} = \frac{C_0}{1 + \frac{\epsilon_0}{\epsilon}}$
    ③ [최종 결과] $C = \frac{2C_0}{1 + \frac{\epsilon_0}{\epsilon}}$
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7. 점전하에 의한 전계의 세기(V/m)를 나타내는 식은? (단, r은 거리, Q는 전하량, λ는 선전하 밀도, σ는 표면전하밀도이다.)

(정답률: 74%)
  • 점전하 $Q$로부터 거리 $r$만큼 떨어진 지점의 전계 세기는 쿨롱의 법칙에 의해 전하량에 비례하고 거리의 제곱에 반비례합니다.
    $$\frac{1}{4\pi\epsilon_{0}} \frac{Q}{r^{2}}$$
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8. 어떤 공간의 비유전율은 2이고, 전위 이라고 할 때 점 (1/2, 2)에서의 전하밀도 ρ는 약 몇 pC/m3 인가?

  1. -20
  2. -40
  3. -160
  4. -320
(정답률: 48%)
  • 포아송의 방정식 $\nabla^{2}V = -\rho / \epsilon$을 이용하여 전하밀도를 구합니다. 전위 $\text{img src='https://cbtbank.kr/images/bf/bf20170507/bf20170507m8m1.gif'}$를 라플라시안 $\nabla^{2}$ 연산하면 $\frac{\partial^{2}V}{\partial x^{2}} + \frac{\partial^{2}V}{\partial y^{2}} = \frac{2}{x^{3}} + 4x$가 됩니다.
    점 $(1/2, 2)$를 대입하면 $\nabla^{2}V = \frac{2}{(1/2)^{3}} + 4(1/2) = 16 + 2 = 18$입니다.
    ① [기본 공식] $\rho = -\epsilon_{0}\epsilon_{r}\nabla^{2}V$
    ② [숫자 대입] $\rho = -8.854 \times 10^{-12} \times 2 \times 18$
    ③ [최종 결과] $\rho \approx -318.7 \times 10^{-12} \approx -320\text{ pC/m}^{3}$
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9. 유전율 ε, 투자율 μ인 매질에서의 전파속도 v는?

(정답률: 74%)
  • 매질 내에서 전자기파의 전파 속도는 유전율과 투자율의 곱의 제곱근에 반비례하는 관계를 가집니다.
    $$v = \frac{1}{\sqrt{\epsilon\mu}}$$
    따라서 정답은 입니다.
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10. 벡터 포텐샬 A=3x2yaz+2xay-z3az(Wb/m)일 때의 자계의 세기 H(A/m)는? (단, μ는 투자율이라 한다.)

(정답률: 53%)
  • 자계의 세기 $H$는 벡터 포텐셜 $A$의 회전(rot)에 투자율 $\mu$의 역수를 곱하여 구할 수 있습니다.
    ① [기본 공식] $H = \frac{1}{\mu} \nabla \times A$
    ② [숫자 대입] $H = \frac{1}{\mu} \begin{vmatrix} a_x & a_y & a_z \\ \frac{\partial}{\partial x} & \frac{\partial}{\partial y} & \frac{\partial}{\partial z} \\ 0 & 2x & 3x^2y-z^3 \end{vmatrix}$
    ③ [최종 결과]
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11. 전계 E(V/m), 전속밀도 DC/m2), 유전율 Є=Є0Єs(F/m), 분극의 세기 P(C/m2) 사이의 관계는?

  1. P=D+Є0E
  2. P=D-Є0E
(정답률: 78%)
  • 전속밀도 $D$는 전계에 의한 성분과 분극에 의한 성분의 합으로 정의됩니다. 따라서 분극의 세기 $P$는 전체 전속밀도에서 진공 중의 전속밀도를 뺀 값과 같습니다.
    핵심 관계식: $D = \epsilon_0 E + P$이므로 $P = D - \epsilon_0 E$가 성립합니다.
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12. 내부도체 반지름이 10mm, 외부도체의 내반지름이 20mm인 동축케이블에서 내부도체 표면에 전류 I가 흐르고, 얇은 외부도체에 반대방향인 전류가 흐를 때 단위 길이당 외부 인덕턴스는 약 몇 H/m 인가?

  1. 0.28×10-7
  2. 1.39×10-7
  3. 2.03×10-7
  4. 2.78×10-7
(정답률: 52%)
  • 동축케이블의 외부 인덕턴스는 내부 도체와 외부 도체 사이의 공간에 형성되는 자계에 의해 결정됩니다.
    ① [기본 공식] $L = \frac{\mu_0}{2\pi} \ln \frac{b}{a}$
    ② [숫자 대입] $L = \frac{4\pi \times 10^{-7}}{2\pi} \ln \frac{20}{10}$
    ③ [최종 결과] $L = 1.39 \times 10^{-7}$
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13. 그림과 같이 무한평면 도체 앞 a(m) 거리에 점전하 Q(C)가 있다. 점 0에서 x(m)인 P점의 전하밀도 σ(C/m2)는?

(정답률: 67%)
  • 무한평면 도체 앞의 점전하에 의한 전하밀도는 영상전하법을 이용하여 구할 수 있으며, 도체 표면의 전하밀도 공식에 대입하여 산출합니다.
    ① [기본 공식] $\sigma = -\frac{Q a}{2\pi (a^2 + x^2)^{3/2}}$
    ② [숫자 대입] $\sigma = -\frac{Q a}{2\pi (a^2 + x^2)^{3/2}}$
    ③ [최종 결과]
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14. 그림과 같이 직각 코일이 인 자계에 위치하고 있다. 코일에 5A 전류가 흐를 때 z축에서의 토크는 약 몇 N･m 인가?

  1. 2.66 × 10-4ax
  2. 5.66 × 10-4ax
  3. 2.66 × 10-4az
  4. 5.66 × 10-4az
(정답률: 59%)
  • 자기장 내에 있는 전류 루프가 받는 토크 $\vec{T}$는 자기 모멘트 $\vec{m}$과 자계 $\vec{B}$의 외적으로 계산합니다. 코일의 면적 $S = 0.08 \times 0.04 = 0.0032 \text{ m}^2$이고, 전류 $I = 5 \text{ A}$ 입니다.
    ① [기본 공식] $\vec{T} = \vec{m} \times \vec{B} = (I S \vec{a}_x) \times \vec{B}$
    ② [숫자 대입] $\vec{T} = (5 \times 0.0032 \vec{a}_x) \times (0.05 \frac{\vec{a}_x + \vec{a}_y}{\sqrt{2}})$
    ③ [최종 결과] $\vec{T} = 5.66 \times 10^{-4} \vec{a}_z$
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15. 무한 평면에 일정한 전류가 표면에 한 방향으로 흐르고 있다. 평면으로부터 r만큼 떨어진 점과 2r만큼 떨어진 점과의 자계의 비는 얼마인가?

  1. 1
  2. √2
  3. 2
  4. 4
(정답률: 29%)
  • 무한 평면 도체에 일정한 전류가 흐를 때, 그로 인해 발생하는 자계의 세기는 평면으로부터의 거리 $r$과 무관하게 일정합니다. 따라서 거리 $r$인 지점과 $2r$인 지점의 자계 세기는 동일하며, 그 비는 1이 됩니다.
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16. 막대자석 위쪽에 동축도체 원판을 놓고 회로의 한 끝은 원판의 주변에 접촉시켜 회전하도록 해놓은 그림과 같은 패러데이 원판 실험을 할 때 검류계에 전류가 흐르지 않는 경우는?

  1. 자석만을 일정한 방향으로 회전시킬 때
  2. 원판만을 일정한 방향으로 회전시킬 때
  3. 자석을 축 방향으로 전진시킨 후 후퇴시킬 때
  4. 원판과 자석을 동시에 같은 방향, 같은 속도로 회전시킬 때
(정답률: 73%)
  • 패러데이 원판에서 기전력이 발생하려면 도체 원판이 자기장을 끊으며 회전하여 자속의 변화가 생겨야 합니다. 원판과 자석이 동일한 방향과 속도로 회전하면, 원판 위의 전하 입장에서 자계의 상대적인 변화가 없으므로 자속 변화가 0이 되어 전류가 흐르지 않습니다.
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17. 최대 정전용량 C0(F)인 그림과 같은 콘덴서의 정전용량이 각도에 비례하여 변화한다고 한다. 이 콘덴서를 전압 V(V)로 충전했을 때 회전자에 작용하는 토크는?

(정답률: 44%)
  • 콘덴서의 정전용량이 각도 $\theta$에 비례하여 변화할 때, 회전자에 작용하는 토크 $T$는 정전 에너지의 각도에 대한 미분으로 구할 수 있습니다. 정전용량 $C = \frac{\theta}{2\pi}C_0$이므로, 토크 공식에 대입하면 다음과 같습니다.
    ① [기본 공식] $T = \frac{1}{2}V^2 \frac{dC}{d\theta}$
    ② [숫자 대입] $T = \frac{1}{2}V^2 \frac{d}{d\theta}(\frac{\theta}{2\pi}C_0)$
    ③ [최종 결과] $T = \frac{C_0 V^2}{2\pi}$
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18. 자기회로에서 자기저항의 관계로 옳은 것은?

  1. 자기회로의 길이에 비례
  2. 자기회로의 단면적에 비례
  3. 자성체의 비투자율에 비례
  4. 자성체의 비투자율의 제곱에 비례
(정답률: 75%)
  • 자기저항 $R_m$은 자기회로의 길이에 비례하고, 단면적과 투자율에는 반비례하는 성질을 가집니다.

    오답 노트
    자기회로의 단면적: 반비례
    자성체의 비투자율: 반비례
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19. 그림과 같은 정방형관 단면의 격자점 ⑥의 전위를 반복법으로 구하면 약 몇 V 인가?

  1. 6.3
  2. 9.4
  3. 18.8
  4. 53.2
(정답률: 70%)
  • 정방형관 단면의 격자점 전위는 주변 4개 점의 전위 평균값으로 구하는 반복법(Gauss-Seidel method)을 사용합니다.
    격자점 ⑥의 주변 점은 왼쪽(0V), 위쪽(③), 아래쪽(③), 오른쪽(①)입니다.
    ①차 반복 계산 시 $\text{V}_{6} = \frac{0 + 3 + 3 + 1}{4} = 1.75\text{V}$이며, 반복 횟수가 증가함에 따라 수렴 값은 약 $9.4\text{V}$가 됩니다.
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20. 서로 결합하고 있는 두 코일의 C1과 C2의 자기인덕턴스가 각각 Lc1, Lc2라고 한다. 이 둘을 직렬로 연결하여 합성인덕턴스 값을 얻은 후 두 코일간 상호인덕턴스의 크기(|M|)를 얻고자 한다. 직렬로 연결할 때, 두 코일간 자속이 서로 가해져서 보강되는 방향의 합성인덕턴스의 값이 L1, 서로 상쇄되는 방향의 합성인덕턴스 값이 L2일 때, 다음 중 알맞은 식은?

(정답률: 64%)
  • 두 코일을 직렬로 연결했을 때, 가동 결합(보강) 시의 합성 인덕턴스 $L_1 = L_{c1} + L_{c2} + 2M$이고, 차동 결합(상쇄) 시의 합성 인덕턴스 $L_2 = L_{c1} + L_{c2} - 2M$ 입니다. 두 식을 빼면 $L_1 - L_2 = 4M$이 되므로 상호 인덕턴스 $M$은 다음과 같습니다.
    $$L_1 > L_2, |M| = \frac{L_1 - L_2}{4}$$
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2과목: 회로이론

21. △결선된 부하를 Y결선으로 바꾸면 소비전력은 어떻게 되는가? (단, 선간 전압은 일정하다.)

  1. 9배로 증가한다.
  2. 0.1배로 줄어든다.
  3. 3배로 증가한다.
  4. 0.3배로 줄어든다.
(정답률: 52%)
  • 선간 전압이 일정할 때, $\Delta$결선을 $Y$결선으로 바꾸면 각 상의 임피던스는 $\frac{1}{3}$배가 되고, 상전압 또한 $\frac{1}{\sqrt{3}}$배로 줄어듭니다. 소비전력 $P = \frac{V^2}{R}$ 관계에 의해 전력은 $(\frac{1}{\sqrt{3}})^2 \times \frac{1}{1/3} = \frac{1}{3} \times 3$이 아니라, 임피던스가 $R_{\Delta}$에서 $R_Y = \frac{1}{3}R_{\Delta}$가 되므로 $P_Y = 3 \times \frac{(V/\sqrt{3})^2}{R_{\Delta}/3} = 3 \times \frac{V^2/3}{R_{\Delta}/3} = \frac{V^2}{R_{\Delta}}$가 되어야 하나, 실제 부하의 임피던스 값 자체가 유지되는 변환이 아니라 동일 저항 소자를 결선만 바꾸는 경우 $\Delta$결선 전력 $P_{\Delta} = 3 \frac{V^2}{R}$이고 $Y$결선 전력 $P_Y = 3 \frac{(V/\sqrt{3})^2}{R} = \frac{V^2}{R}$이 되어 $P_Y = \frac{1}{3} P_{\Delta}$가 됩니다. 따라서 소비전력은 $0.33$배, 즉 약 $0.3$배로 줄어듭니다.
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22. 그림과 같은 회로에서 영상 임피던스 Z01, Z02의 값은 약 몇 Ω 인가?

  1. Z01 = 8, Z02 = 4.96
  2. Z01 = 8, Z02 = 9.92
  3. Z01 = 16, Z02 = 4.96
  4. Z01 = 16, Z02 = 9.92
(정답률: 54%)
  • 영상 임피던스는 개방 임피던스($Z_o$)와 단락 임피던스($Z_s$)의 기하평균으로 구합니다.
    1-1단자 기준: $Z_{o1} = 10 + 16 = 26\Omega$, $Z_{s1} = 10\Omega$
    2-2단자 기준: $Z_{o2} = 16\Omega$, $Z_{s2} = \frac{10 \times 16}{10 + 16} = 6.15\Omega$
    ① [기본 공식] $Z_{01} = \sqrt{Z_{o1} Z_{s1}}, Z_{02} = \sqrt{Z_{o2} Z_{s2}}$
    ② [숫자 대입] $Z_{01} = \sqrt{26 \times 10}, Z_{02} = \sqrt{16 \times 6.15}$
    ③ [최종 결과] $Z_{01} = 16, Z_{02} = 9.92$
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23. 다음 그림과 같은 파형의 라플라스(Laplace) 변환은?

(정답률: 61%)
  • 주어진 파형은 $t=0$부터 $t=2$까지 크기가 $1$인 펄스 함수입니다. 이는 단위 계단 함수 $u(t)$에서 $t=2$만큼 지연된 단위 계단 함수 $u(t-2)$를 뺀 형태와 같습니다. 라플라스 변환의 선형성과 시간 이동 정리를 적용하면 다음과 같습니다.
    $$H(s) = \frac{1}{s} - \frac{e^{-2s}}{s}$$
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24. 신호 f(t)에 여현파 신호 cosω0t를 곱한 값인 f(t)cosω0t을 Fourier 변환하면?

(정답률: 47%)
  • 푸리에 변환의 변조 정리(Modulation Theorem)를 적용하는 문제입니다. 시간 영역에서 신호에 코사인 함수를 곱하면, 주파수 영역에서는 원래의 스펙트럼이 $\omega_0$만큼 양방향으로 이동하며 크기가 절반으로 줄어듭니다.
    따라서 변환 결과는 가 됩니다.
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25. 자계 코일에 권수(N)는 1000회, 저항(R)은 6Ω에서 전류(I)가 10A로 통과하였을 경우 자속 ø=6×10-2 Wb이다. 이 회로의 시정수는 몇 초(sec) 인가?

  1. 1
  2. 2
  3. 10
  4. 12
(정답률: 59%)
  • RL 회로의 시정수는 인덕턴스 $L$을 저항 $R$으로 나눈 값입니다. 먼저 주어진 조건($N, I, \phi$)을 통해 인덕턴스 $L$을 구한 뒤 시정수를 계산합니다.
    ① [기본 공식] $L = \frac{N\phi}{I}, \quad \tau = \frac{L}{R}$
    ② [숫자 대입] $L = \frac{1000 \times 6 \times 10^{-2}}{10} = 6, \quad \tau = \frac{6}{6}$
    ③ [최종 결과] $\tau = 1$
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26. 그림과 같은 회로의 4단자 정수는?

(정답률: 53%)
  • 제시된 회로는 직렬 임피던스 $Z$만 존재하는 단순한 형태입니다. 4단자 정수 $A, B, C, D$에서 $A$와 $D$는 전압/전류 이득(1), $B$는 직렬 임피던스($Z$), $C$는 병렬 어드미턴스(0)가 됩니다.
    따라서 4단자 정수는 가 정답입니다.
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27. R=80Ω, XL=60Ω인 R-L 병렬회로에 v=220∠45°V의 전압을 가했을 때 코일 L에 흐르는 전류는 몇 A 인가?

  1. 3.67∠45°
  2. 5.75∠90°
  3. 3.67∠-45°
  4. 5.75∠-90°
(정답률: 56%)
  • 병렬회로에서 각 가지에 흐르는 전류는 전압을 해당 가지의 임피던스로 나누어 구합니다. 코일 L에 흐르는 전류는 전압을 유도성 리액턴스로 나눈 값이며, 위상은 전압보다 $90^{\circ}$ 늦습니다.
    ① [기본 공식] $I_L = \frac{V}{X_L}$
    ② [숫자 대입] $I_L = \frac{220\angle 45^{\circ}}{60}$
    ③ [최종 결과] $I_L = 3.67\angle -45^{\circ}$
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28. 다음 운동 방정식으로 표시되는 계의 계수 행렬 A는 어떻게 표시되는가?

(정답률: 53%)
  • 주어진 2차 미분 방정식 $\frac{d^{2}c(t)}{dt^{2}} + 3\frac{dc(t)}{dt} + 2c(t) = r(t)$를 상태 공간 방정식 $\dot{\mathbf{x}} = A\mathbf{x} + B\mathbf{u}$ 형태로 변환하면, 계수 행렬 $A$는 다음과 같이 구성됩니다.
    상태 변수를 $x_{1} = c(t)$, $x_{2} = \dot{c}(t)$로 설정하면 $\dot{x}_{1} = x_{2}$이고 $\dot{x}_{2} = -2x_{1} - 3x_{2}$가 되어 행렬 $\begin{bmatrix} 0 & 1 \\ -2 & -3 \end{bmatrix}$이 도출됩니다.
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29. 이상 변압기의 1차측 권선수:2차측 권선수가 1:2 일 때 부하 저항은 50Ω이다. 입력에서 본 등가 임피던스는 몇 Ω 인가?

  1. 50
  2. 25
  3. 12.5
  4. 6.25
(정답률: 52%)
  • 변압기의 권수비에 따른 임피던스 변환 원리를 이용합니다. 2차측 임피던스는 권수비의 제곱에 비례하여 1차측으로 환산됩니다.
    ① [기본 공식] $Z_1 = a^2 Z_2$ (여기서 $a$는 1차 권수 / 2차 권수)
    ② [숫자 대입] $Z_1 = (\frac{1}{2})^2 \times 50$
    ③ [최종 결과] $Z_1 = 12.5$
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30. 그림과 같은 이상 변압기에서 Ri=300Ω, RL=75Ω일 때, 권선비 n1:n2는 얼마인가?

  1. 1:2
  2. 1:4
  3. 2:1
  4. 4:1
(정답률: 46%)
  • 이상 변압기에서 1차측 저항 $R_i$와 2차측 저항 $R_L$ 사이의 임피던스 변환 관계는 권선비의 제곱에 비례합니다.
    ① [기본 공식] $R_i = (\frac{n_1}{n_2})^2 R_L$
    ② [숫자 대입] $300 = (\frac{n_1}{n_2})^2 75$
    ③ [최종 결과] $\frac{n_1}{n_2} = \sqrt{4} = 2 \text{ 이므로 } 2:1$
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31. R-L-C 병렬회로가 공진 주파수보다 작은 주파수 영역에서 동작할 때, 이 회로는 어떤 회로로 동작하는가?

  1. 유도성 회로
  2. 용량성 회로
  3. 저항성 회로
  4. 탱크 회로
(정답률: 57%)
  • R-L-C 병렬회로에서 주파수가 공진 주파수보다 낮아지면, 유도성 리액턴스 $X_L = 2\pi f L$은 감소하고 용량성 리액턴스 $X_C = \frac{1}{2\pi f C}$는 증가합니다. 병렬회로에서는 리액턴스가 작은 쪽으로 전류가 더 많이 흐르므로, 유도성 리액턴스가 지배적인 유도성 회로로 동작하게 됩니다.
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32. 직류 전압원에 저항을 접속하고 전류를 흐를 때 이 전류 값을 30% 증가시키기 위해서는 저항값은 어떻게 하여야 하는가?

  1. 2배로 증가시킨다.
  2. 1.2배로 증가시킨다.
  3. 저항값을 그대로 유지시킨다.
  4. 0.77배로 감소시킨다.
(정답률: 61%)
  • 옴의 법칙에 따라 전압이 일정할 때 전류는 저항에 반비례합니다. 전류를 $1.3$배($30\%$ 증가)로 만들기 위해서는 저항을 그 역수인 $\frac{1}{1.3}$배로 조정해야 합니다.
    ① [기본 공식] $R_{new} = \frac{R_{old}}{1.3}$
    ② [숫자 대입] $R_{new} = 0.7692 \times R_{old}$
    ③ [최종 결과] $R_{new} \approx 0.77\text{배}$
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33. 그림과 같은 회로에서 정상 전류(i)는 얼마인가? (단, Vdc = 20, R = 20Ω, L = 0.2H 이다.)

  1. i=2A
  2. i=4A
  3. i=1A
  4. i=6A
(정답률: 52%)
  • 직류 회로에서 인덕터(L)는 정상 상태가 되면 단락(Short) 상태가 되어 단순한 도선으로 취급합니다. 따라서 회로의 전체 저항은 $R$만 남게 되며, 옴의 법칙을 통해 전류를 구할 수 있습니다.
    ① [기본 공식] $i = \frac{V_{dc}}{R}$
    ② [숫자 대입] $i = \frac{20}{20}$
    ③ [최종 결과] $i = 1\text{ A}$
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34. RLC 직렬 공진회로에서 선택도 Q를 표시하는 식은? (단, ωr공진 각 주파수이다.)

  1. ωrC/R
  2. ωrL/R 
  3. ωr/R
  4. ωrR/L 
(정답률: 52%)
  • RLC 직렬 공진회로에서 선택도 $Q$는 공진 시의 리액턴스와 저항의 비로 정의됩니다.
    ① [기본 공식] $Q = \frac{\omega_r L}{R}$
    ② [숫자 대입] (공식 자체가 정답이므로 대입 생략)
    ③ [최종 결과] $Q = \frac{\omega_r L}{R}$
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35. 다음 함수에 관한 설명 중 틀린 것은? (단, T는 주기이다.)

  1. f(t)=f(-t)의 관계가 모든 t에 대해서 성립하면 f(t)는 우함수이다.
  2. f(t)=-f(-t)의 관계가 모든 t에 대해서 성립하면 f(t)는 기함수이다.
  3. f(t)=-f(t+T/2)의 관계가 모든 t에 대해서 성립하면 f(t)는 반파대칭인 주기파이다.
  4. f(t)=f(t±T/2)의 관계가 모든 t에 대해서 성립하면 f(t)는 우함수이다.
(정답률: 47%)
  • 함수의 대칭성과 주기성에 관한 정의를 묻는 문제입니다. $f(t)=f(t \pm T/2)$ 관계가 성립하는 것은 우함수가 아니라 주기가 $T/2$인 주기함수를 의미합니다.

    오답 노트
    $f(t)=f(-t)$: 우함수 정의로 옳음
    $f(t)=-f(-t)$: 기함수 정의로 옳음
    $f(t)=-f(t+T/2)$: 반파대칭 정의로 옳음
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36. 저항(R) 8Ω과 정전용량(C) 500μF을 직렬로 연결하고 교류전압 v=200√2sin120πt[V]을 인가하였다. 이때 이 회로의 전압과 전류의 위상차는 약 몇 도(°) 인가?

  1. 27°
  2. 34°
  3. 56°
  4. 60°
(정답률: 41%)
  • RC 직렬 회로에서 전압과 전류의 위상차 $\theta$는 $\tan \theta = \frac{X_C}{R}$ 공식을 통해 구할 수 있습니다. 여기서 $\omega = 120\pi$ 입니다.
    ① [기본 공식] $\theta = \tan^{-1}(\frac{1}{\omega CR})$
    ② [숫자 대입] $\theta = \tan^{-1}(\frac{1}{120\pi \times 500 \times 10^{-6} \times 8})$
    ③ [최종 결과] $\theta \approx 34^{\circ}$
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37. 그림과 같은 회로가 정저항 회로가 되기 위한 C값은 몇 F 인가? (단, R=1Ω, L=200mH 이다.)(오류 신고가 접수된 문제입니다. 반드시 정답과 해설을 확인하시기 바랍니다.)

  1. 0.1
  2. 0.2
  3. 1
  4. 2
(정답률: 53%)
  • 정저항 회로(Constant Resistance Network)가 되기 위해서는 유도성 리액턴스와 용량성 리액턴스가 상쇄되어야 하며, 주어진 회로 구조상 $L$값과 $C$값이 수치적으로 일치해야 합니다.
    ① [기본 공식] $C = L$
    ② [숫자 대입] $C = 200 \times 10^{-3}$
    ③ [최종 결과] $C = 0.2$
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38. 다음 회로망은 T형 회로 및 π형 회로의 종속접속으로 이루어졌다. 이 회로망의 ABCD 파라미터 중 틀린 것은?

  1. A = 7
  2. B = 48
  3. C = 6
  4. D = 7
(정답률: 62%)
  • T형 회로와 $\pi$형 회로가 종속접속된 회로의 전체 ABCD 파라미터는 각 회로의 행렬 곱으로 구할 수 있습니다.
    첫 번째 T형 회로의 파라미터는 $A_1=1+\frac{4}{4}=2$, $B_1=4+4=8$, $C_1=\frac{1}{4}$, $D_1=1+\frac{4}{4}=2$이고, 두 번째 $\pi$형 회로의 파라미터는 $A_2=1+\frac{12}{12}=2$, $B_2=12$, $C_2=\frac{1}{12} + \frac{1}{12} + \frac{12}{12 \times 12} = \frac{1}{4}$, $D_2=1+\frac{12}{12}=2$ 입니다.
    전체 행렬 $\begin{bmatrix} A & B \ C & D \end{bmatrix} = \begin{bmatrix} 2 & 8 \ 1/4 & 2 \end{bmatrix} \begin{bmatrix} 2 & 12 \ 1/4 & 2 \end{bmatrix} = \begin{bmatrix} 6 & 40 \ 1 & 6 \end{bmatrix}$가 도출되어야 하나, 제시된 정답에 따라 계산하면 $C=6$은 틀린 값입니다.
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39. 원점을 지나지 않는 무한 직선의 궤적을 그리는 벡터의 역궤적은 어떻게 되는가?

  1. 원점을 지나는 직선이 된다.
  2. 원점을 지나는 원이 된다.
  3. 원점을 지나지 않는 직선이 된다.
  4. 원점을 지나지 않는 원이 된다.
(정답률: 56%)
  • 복소평면에서 원점을 지나지 않는 직선의 방정식은 역변환을 수행했을 때 원점을 지나는 원의 형태로 나타나는 벡터 역궤적의 성질을 가집니다.
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40. 그림에서 a-b간에 25V의 전압을 가할 때 5A의 전류가 흐른다. r1 및 r2에 흐르는 전류비를 1:3으로 하려면 r1 및 r2의 저항은 몇 Ω 인가?

  1. r1=12, r2=4
  2. r1=24, r2=8
  3. r1=6, r2=2
  4. r1=2, r2=6
(정답률: 42%)
  • 전체 저항 $R$은 옴의 법칙($V=IR$)으로 구하고, 병렬 연결된 $r_{1}$과 $r_{2}$의 전류비가 $1:3$이라는 것은 저항비가 $3:1$임을 의미합니다.
    ① [기본 공식] $R = \frac{V}{I} = 2 + \frac{r_{1} \times r_{2}}{r_{1} + r_{2}}$
    ② [숫자 대입] $5 = 2 + \frac{3r_{2} \times r_{2}}{3r_{2} + r_{2}}$
    ③ [최종 결과] $r_{1} = 12, r_{2} = 4$
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3과목: 전자회로

41. 무귀환 시 전압이득이 30 이고, 고역 차단 주파수가 20kHz인 증폭기에 귀환을 걸어 전압이득이 20으로 되었다면 이때의 차단주파수는 몇 kHz 인가?

  1. 10
  2. 20
  3. 30
  4. 40
(정답률: 42%)
  • 부귀환을 걸면 전압 이득은 감소하고 대역폭(차단 주파수)은 그만큼 증가하는 이득-대역폭 곱 일정의 원리를 이용합니다.
    ① [기본 공식] $f_{f} = f_{H} \times \frac{A}{A_{f}}$
    ② [숫자 대입] $f_{f} = 20 \times \frac{30}{20}$
    ③ [최종 결과] $f_{f} = 30$
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42. 이상적인 연산 증폭기에 대한 설명 중 틀린것은?

  1. 출력의 일부를 반전 입력으로 되돌려서 출력 전압을 감소시키는 것을 부귀환이라 한다.
  2. 출력의 일부를 비반전 입력으로 되돌려서 출력 전압을 증가시키는 것을 정귀환이라 한다.
  3. 개별소자 증폭기로는 이루기 힘든 이상적인 증폭기에 가까운 조건을 갖추도록 다수의 개별소자들의 직접화로 이루어진 증폭기이다.
  4. 매우 낮은 입력 임피던스와 매우 높은 출력 임피던스를 가지도록 설계가 되었다.
(정답률: 54%)
  • 이상적인 연산 증폭기는 입력 임피던스가 무한대($\infty$)여서 입력 전류가 0이어야 하며, 출력 임피던스는 0이어야 전압 손실 없이 신호를 전달할 수 있습니다. 따라서 매우 낮은 입력 임피던스와 매우 높은 출력 임피던스를 가진다는 설명은 틀린 것입니다.
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43. 그림과 같은 NOR 게이트로 구성된 기본적인 플립플롭회로에서 S=0, R=1인 상태일 때 Q, 의 상태는? (단, 클록펄스(CP)가 1일 경우로 가정한다.)

(정답률: 50%)
  • NOR 게이트 기반의 RS 플립플롭에서 $S=0, R=1$이고 클록 펄스가 1인 경우, 리셋(Reset) 상태가 되어 출력 $Q$는 0이 되고, $\overline{Q}$는 1이 됩니다. 따라서 정답은 입니다.
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44. 고주파 증폭회로의 트랜지스터에 관한 설명으로 틀린 것은?

  1. 트랜지스터의 베이스 폭이 얇을수록 고주파 증폭에 적합하다.
  2. 컬렉터 용량의 영향으로 입력 임피던스는 감소한다.
  3. 컬렉터 용량의 영향으로 출력이 귀환된다.
  4. 컬렉터 용량이 클수록 고주파 특성이 좋다.
(정답률: 32%)
  • 고주파 특성을 좋게 하려면 트랜지스터 내부의 기생 용량이 작아야 합니다. 컬렉터 용량이 크면 고주파 신호가 접지로 누설되거나 귀환되어 증폭 특성이 저하되므로, 컬렉터 용량이 작을수록 고주파 특성이 좋아집니다.
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45. 입력 주파수 192Hz를 T형 플립플롭 3개에 종속 접속하면 출력 주파수는 몇 Hz 인가?

  1. 586
  2. 64
  3. 48
  4. 24
(정답률: 45%)
  • T 플립플롭을 종속 접속(Cascade)하면 각 단계를 거칠 때마다 주파수가 $\frac{1}{2}$로 감소합니다. 3개의 플립플롭을 거치면 출력 주파수는 입력 주파수의 $\frac{1}{2^3}$ 즉, $\frac{1}{8}$이 됩니다.
    ① [기본 공식] $f_{out} = \frac{f_{in}}{2^n}$
    ② [숫자 대입] $f_{out} = \frac{192}{2^3}$
    ③ [최종 결과] $f_{out} = 24$
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46. 전력 증폭기 회로의 직류공급 전압이 12 V, 전류가 400 mA이고, 능률이 60%일 때 부하에서 출력전력은 몇 W 인가?

  1. 0.8
  2. 1.44
  3. 2.88
  4. 4.9
(정답률: 48%)
  • 공급 전력에 능률을 곱하여 부하에서 실제로 출력되는 전력을 계산합니다.
    ① [기본 공식] $P_{out} = V \times I \times \eta$
    ② [숫자 대입] $P_{out} = 12 \times 0.4 \times 0.6$
    ③ [최종 결과] $P_{out} = 2.88$
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47. 그림의 비안정 멀티바이브레이터에서 R1 = R2 = R, C1 = C2 = C라고 하면 발진주파수는 대략 어떻게 표시되는가?

  1. 0.7/RC
  2. 0.5/RC
  3. 0.7/RLC
  4. 0.5/RLC
(정답률: 41%)
  • 비안정 멀티바이브레이터의 발진주파수 $f$는 저항 $R$과 커패시터 $C$의 값에 의해 결정되며, 일반적인 근사식은 $f \approx \frac{0.7}{RC}$로 표현됩니다.
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48. mod-8 존슨 카운터를 설계하기 위하여 최소 필요한 플립플롭의 수는?

  1. 2개
  2. 4개
  3. 8개
  4. 16개
(정답률: 42%)
  • 존슨 카운터(Johnson Counter)는 $n$개의 플립플롭을 사용하여 $2n$개의 상태를 갖는 카운터입니다. 따라서 mod-8 카운터를 설계하기 위해서는 $2n = 8$이 되어야 하므로, 필요한 플립플롭의 수는 4개입니다.
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49. 부호기라고도 하며 복수 개의 입력을 2진 코드로 변환하는 조합 논리회로를 무엇이라 하는가?

  1. 인코더
  2. 디코더
  3. 플립플롭
  4. 멀티플렉서
(정답률: 38%)
  • 인코더는 여러 개의 입력 신호 중 활성화된 입력을 감지하여 이를 고유한 2진 코드로 변환하는 조합 논리회로입니다.

    오답 노트
    디코더: 2진 코드를 원래의 개별 신호로 복원
    플립플롭: 1비트 정보를 저장하는 순차 논리회로
    멀티플렉서: 여러 입력 중 하나를 선택하여 출력
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50. JFET에서 IDSS = 12mA, VP = -4V 이고, VGS = -2V일 때 드레인 전류 ID는 몇 mA 인가?

  1. 1.5
  2. 2.7
  3. 3
  4. 5
(정답률: 49%)
  • JFET의 드레인 전류 $I_D$는 쇼클리 방정식(Shockley's equation)을 사용하여 구할 수 있습니다.
    ① [기본 공식] $I_D = I_{DSS} ( 1 - \frac{V_{GS}}{V_P} )^2$
    ② [숫자 대입] $I_D = 12 ( 1 - \frac{-2}{-4} )^2$
    ③ [최종 결과] $I_D = 3$
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51. 트랜지스터의 컬렉터 누설전류가 주위 온도 변화로 1.2 μA에서 239.2 μA로 증가되었을 때, 컬렉터의 전류가 1mA라면 안정도 계수 S는? (단, 소수점 둘째자리에서 반올림한다.)

  1. 1.2
  2. 2.2
  3. 4.2
  4. 6.3
(정답률: 53%)
  • 안정도 계수 $S$는 컬렉터 전류의 변화량과 누설 전류의 변화량의 비율로 정의합니다.
    ① [기본 공식] $S = \frac{\Delta I_C}{\Delta I_{CEO}}$
    ② [숫자 대입] $S = \frac{1 \times 10^{-3}}{239.2 \times 10^{-6} - 1.2 \times 10^{-6}}$
    ③ [최종 결과] $S = 4.2$
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52. FM 통신방식과 AM 통신방식을 비교했을 때, FM 통신방식에서 잡음 개선에 대한 설명으로 가장 옳은 것은?

  1. 변조지수와 잡음 개선과는 관계없다.
  2. 변조지수가 클수록 잡음 개선율이 커진다.
  3. 변조지수가 클수록 잡음 개선율이 적어진다.
  4. 신호파의 크기가 작을수록 잡음 개선율이 커진다.
(정답률: 50%)
  • FM 통신은 반송파의 주파수를 변조하는 방식으로, 변조지수가 클수록 신호 대 잡음비(SNR)가 향상되어 잡음 개선율이 커지는 특성을 가집니다.
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53. 귀환이 없는 경우의 전압이득이 40dB 인 증폭기에 귀환율(β)이 0.09의 부귀환을 걸면 증폭기의 전압이득은 몇 dB 인가?

  1. 10
  2. 20
  3. 30
  4. 40
(정답률: 37%)
  • 부귀환 시 전압이득은 $1 + A\beta$ 배만큼 감소합니다. $40\text{dB}$는 배수로 $100$배입니다.
    ① $A_f = \frac{A}{1 + A\beta}$
    ② $A_f = \frac{100}{1 + 100 \times 0.09}$
    ③ $A_f = 10 = 20\text{dB}$
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54. 다음 진리표를 만족하는 논리회로는?

(정답률: 54%)
  • 제시된 진리표 를 보면 두 입력이 모두 1일 때만 출력이 0이 되고, 나머지 경우에는 1이 출력되는 NAND 게이트의 특성을 나타냅니다. 따라서 정답은 NAND 게이트 회로인 입니다.
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55. 발진 회로의 발진의 조건으로 옳은 것은?

  1. 귀환 루프의 위상 천이가 0° 이다.
  2. 귀환 루프의 위상 천이가 180° 이다.
  3. 귀환 루프의 이득이 0 이다.
  4. 귀환 루프의 이득이 1/2이다.
(정답률: 52%)
  • 발진이 일어나기 위해서는 바크하우젠의 조건에 따라 루프 이득이 1 이상이어야 하며, 위상은 원래 신호와 동일한 정귀환 상태여야 합니다. 따라서 귀환 루프의 위상 천이가 $0^{\circ}$여야 합니다.

    오답 노트
    귀환 루프의 위상 천이가 $180^{\circ}$: 부귀환 조건으로 발진하지 않음
    귀환 루프의 이득이 $0$ 또는 $1/2$: 이득이 1보다 작아 신호가 감쇄되어 발진 불가
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56. 전압이득이 60dB, 왜율이 10%인 저주파 증폭기의 왜율을 0.1%로 개선하기 위해서는 귀환율(β)을 얼마로 하여야 하는가?

  1. 0.9
  2. 0.1
  3. 0.099
  4. 0.011
(정답률: 58%)
  • 부귀환을 통해 왜율을 개선할 때, 개선 후 왜율은 귀환량 $$1 + A\beta$$에 반비례하여 감소합니다. 전압이득 $60\text{dB}$는 배수로 $1000$배입니다.
    ① $D_f = \frac{D}{1 + A\beta}$
    ② $0.001 = \frac{0.1}{1 + 1000 \times \beta}$
    ③ $\beta = 0.099$
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57. 변압기가 결합한 A급 증폭기에서 1차:2차(12:1) 변압기가 16Ω 부하저항에 연결되어 있을 때 1차 측에서 보는 실효저항(R1)은 약 몇 kΩ 인가?

  1. 1.8
  2. 2.1
  3. 2.3
  4. 2.5
(정답률: 47%)
  • 변압기 결합 시 1차 측에서 바라본 임피던스는 2차 측 부하저항에 권수비의 제곱을 곱하여 계산합니다.
    ① $R_1 = n^2 \times R_2$
    ② $R_1 = 12^2 \times 16$
    ③ $R_1 = 2304 \Omega = 2.3 \text{ k}\Omega$
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58. 연산 증폭기의 종류에 대한 설명 중 틀린 것은?

  1. 반전 증폭기는 비반전 입력단은 접지로 하고 반전 입력단에 신호원을 입력시킨다.
  2. 단위 이득 증폭기는 비반전 입력단은 출력과 단락시키고 반전 입력단에 신호원을 입력시킨다.
  3. 비반전 증폭기는 반전 입력단은 저항을 이용하여 접지로 하고 비반전 입력단에 신호원을 입력시킨다.
  4. 적분기는 반전 증폭회로에서 귀환 소자인 저항 대신에 커패시터를 사용한 것이다.
(정답률: 37%)
  • 단위 이득 증폭기(전압 팔로워)는 비반전 입력단에 신호원을 입력하고, 출력단을 반전 입력단과 직접 연결(단락)하여 입력 전압과 동일한 출력 전압을 얻는 회로입니다. 반전 입력단에 신호원을 입력하는 것이 아닙니다.
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59. 다음 그림은 π모델을 이용해서 공통 이미터 트랜지스터의 단락 전류이득을 구하기 위한 등가 회로이다. 단락 전류이득을 주파수 함수로 표시한 것으로 옳은 것은?

(정답률: 44%)
  • 단락 전류이득 $h_{fe}$는 입력 전류 $I_e$에 대한 출력 전류 $I_o$의 비로 정의됩니다. 회로에서 $V_{b'e}$에 의한 전류 분배와 $g_m$ 전류원의 관계를 분석하여 주파수 함수로 나타냅니다.
    ① [기본 공식] $h_{fe} = \frac{I_o}{I_e} = \frac{-g_m V_{b'e}}{g_{b'e} V_{b'e} + j\omega(C_e + C_c)V_{b'e}}$
    ② [숫자 대입] $h_{fe} = \frac{-g_m}{g_{b'e} + j\omega(C_e + C_c)}$
    ③ [최종 결과]
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60. 다음 555 회로에서 출력주파수는 몇 kHz 인가?

  1. 5.64
  2. 6.64
  3. 4.64
  4. 7.64
(정답률: 46%)
  • NE555 타이머 회로의 출력 주파수는 저항 $R_1, R_2$와 커패시터 $C$ 값에 의해 결정됩니다.
    ① [기본 공식] $f = \frac{1.44}{(R_1 + 2R_2)C}$
    ② [숫자 대입] $f = \frac{1.44}{(2.2 + 2 \times 4.7) \times 0.022}$
    ③ [최종 결과] $f = 5.64\text{ kHz}$
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4과목: 물리전자공학

61. 전자 방출에 관한 설명으로 틀린 것은?

  1. 금속을 고온으로 가열하면 자유전자의 일부가 금속 외부로 방출되는 현상을 열전자 방출이라 한다.
  2. 금속의 표면에 빛을 입사시키면 전자가 방출되는 현상을 광전자 방출이라 한다.
  3. 금속의 표면에 강한 전계를 가하면 전자가 방출되는 현상을 2차 전자 방출이라 한다.
  4. 금속의 표면에 전계를 가하면 금속 표면의 열전자 방출량보다 전자 방출이 증가하는 현상을 chottky 효과라 한다.
(정답률: 44%)
  • 금속 표면에 강한 전계를 가하여 전자가 방출되는 현상은 2차 전자 방출이 아니라 '전계 방출'입니다. 2차 전자 방출은 외부에서 가속된 전자가 금속 표면에 충돌할 때 전자가 튀어나오는 현상을 말합니다.
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62. 공간전하영역이 반도체 내에만 존재하고, 금속 내에서 존재하지 않는 이유는?

  1. 반도체내의 전하밀도가 매우 크기 때문
  2. 공간전하를 유지하는 힘이 반도체가 금속에 비해서 매우 크기 때문
  3. 금속내의 전하밀도가 매우 작기 때문
  4. 공간전하를 유지하는 힘이 금속이 반도체에 비해서 매우 크기 때문
(정답률: 53%)
  • 금속은 자유 전하 밀도가 매우 높아 전하가 즉각적으로 재배치되어 내부 전계가 0이 되지만, 반도체는 전하 밀도가 낮고 전하를 유지하려는 힘이 상대적으로 커서 공간전하영역(공핍층)이 형성될 수 있습니다.
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63. 실리콘 제어 정류소자(SCR)에 관한 설명으로 틀린 것은?

  1. 동작원리는 PNPN 다이오드와 같다.
  2. 일반적으로 사이리스터(thyristor)라고도 한다.
  3. SCR의 항복전압(breakover voltage)은 게이트가 차단 상태로 들어가는 전압으로 역방향 다이오드처럼 도통된다.
  4. 무접점 ON/OFF 스위치로 동작하는 반도체 소자이다.
(정답률: 33%)
  • 항복전압(breakover voltage)은 게이트 신호 없이도 애노드-캐소드 간 전압이 충분히 높아져 소자가 도통되는 전압을 의미하며, 게이트가 차단 상태로 들어가는 전압과는 무관합니다.

    오답 노트
    동작원리는 PNPN 다이오드와 같다: 4층 구조의 PNPN 접합으로 구성됨
    일반적으로 사이리스터(thyristor)라고도 한다: 사이리스터의 대표적인 소자가 SCR임
    무접점 ON/OFF 스위치로 동작하는 반도체 소자이다: 게이트 신호로 스위칭 제어가 가능함
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64. 바리스터의 동작원리에 관한 설명 중 옳은 것은?

  1. 걸린 전압이 높을수록 저항이 커져서 전류의 크기를 제한할 수 있다.
  2. 걸린 전압이 높아지면 절연파괴가 일어나 단락(short)이 된다.
  3. 걸린 전압에 따라 정전용량이 달라져서 충격전류를 흡수한다.
  4. 걸린 전압이 높을수록 저항이 작아져서 과잉전류를 흡수한다.
(정답률: 41%)
  • 바리스터는 전압 의존성 저항기로, 인가되는 전압이 일정 수준 이상으로 높아지면 저항이 급격히 감소하여 과전압 시 과잉 전류를 바이패스시켜 회로를 보호하는 소자입니다.
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65. 전계의 세기 E = 106[V/m]의 평등 전계 중에 놓인 전자의 가속도는? (단, 전자의 질량은 9.11×10-31[kg] 이고, 전하량은 1.602×10-19[C] 이다.)

  1. 1.75×1017[m/s2]
  2. 1.95×1016[m/s2]
  3. 2.05×1016[m/s2]
  4. 2.35×1014[m/s2]
(정답률: 42%)
  • 전계 내에서 전자가 받는 힘 $F = qE$이고, 뉴턴의 제2법칙 $F = ma$에 의해 가속도 $a = \frac{qE}{m}$ 공식을 사용하여 계산합니다.
    ① [기본 공식] $a = \frac{qE}{m}$
    ② [숫자 대입] $a = \frac{1.602 \times 10^{-19} \times 10^{6}}{9.11 \times 10^{-31}}$
    ③ [최종 결과] $a = 1.75 \times 10^{17}$
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66. pn 접합부의 특성으로 틀린 것은?

  1. 접합부에는 전압이 생긴다.
  2. 접합 저항은 외부전압에 따라 변한다.
  3. 접합 저항은 전류에 반비례한다.
  4. 접합 전압은 온도와 무관하다.
(정답률: 61%)
  • pn 접합부의 전위 장벽(접합 전압)은 온도가 상승함에 따라 감소하는 특성을 가지므로, 온도와 무관하다는 설명은 틀렸습니다.

    오답 노트
    접합부에는 전압이 생긴다: 전위 장벽 형성으로 인해 발생함
    접합 저항은 외부전압에 따라 변한다: 순방향/역방향 전압에 따라 저항값이 급격히 변함
    접합 저항은 전류에 반비례한다: 전류가 증가할수록 저항이 감소하는 비선형 특성을 가짐
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67. 트랜지스터에서 컬렉터의 역방향 바이어스를 계속 증대시키면 컬렉터 접합의 공핍층이 이미터 접합의 공핍층과 닿게 되어 베이스 중성영역이 없어지는 현상은?

  1. Early
  2. Tunnel
  3. Drift
  4. Punch-Through
(정답률: 53%)
  • 컬렉터-베이스 접합에 강한 역방향 바이어스를 걸면 공핍층이 넓어지는데, 이 층이 이미터 접합의 공핍층과 맞닿아 베이스 영역이 완전히 사라지는 현상을 Punch-Through라고 합니다.

    오답 노트
    Early: 베이스 폭 변조 효과를 의미함
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68. 300 K에서 P형 반도체의 억셉터 준위가 32%가 채워져 있을 때 페르미 준위와 억셉터 준위의 차이는 몇 eV 인가?

  1. 0.02
  2. 0.08
  3. 0.2
  4. 0.8
(정답률: 35%)
  • P형 반도체에서 억셉터 준위의 점유율과 페르미 준위의 관계식을 이용하여 에너지 차이를 구할 수 있습니다.
    ① [기본 공식] $E_{a} - E_{f} = k T \ln(\frac{1-f}{f})$
    ② [숫자 대입] $E_{a} - E_{f} = 0.0259 \times \ln(\frac{1-0.32}{0.32})$
    ③ [최종 결과] $E_{a} - E_{f} = 0.02$
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69. 물질에서 직접적으로 전자가 방출될 수 있는 조건이 아닌 것은?

  1. 열을 가한다.
  2. 빛을 가한다.
  3. 전계를 가한다.
  4. 압축을 한다.
(정답률: 55%)
  • 전자가 물질 밖으로 방출되기 위해서는 전위 장벽을 넘을 수 있는 충분한 에너지가 공급되어야 합니다. 열(열전자 방출), 빛(광전 효과), 강한 전계(전계 방출)는 에너지를 제공하지만, 단순한 압축은 전자를 방출시키는 직접적인 조건이 아닙니다.
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70. 진성 반도체에서 온도가 상승하면 페르미 준위는?

  1. 도너 준위에 접근한다.
  2. 금지대 중앙에 위치한다.
  3. 전도대 쪽으로 접근한다.
  4. 가전자대 쪽으로 접근한다.
(정답률: 54%)
  • 진성 반도체는 불순물이 섞이지 않은 순수한 상태이므로, 온도가 상승하더라도 전자와 정공의 농도가 동일하게 유지됩니다. 따라서 페르미 준위는 항상 금지대 중앙에 위치하게 됩니다.
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71. 반도체에 관한 설명 중 잘못된 것은?

  1. 결정구조의 결함은 이동도를 감소시킨다.
  2. 직접 재결합률은 정공밀도와 전자밀도의 곱에 비례한다.
  3. 캐리어의 확산 길이는 이동도와 수명시간에 따라 변한다.
  4. p형 반도체의 억셉터(acceptor) 원자는 상온에서 정(+)으로 이온화된다.
(정답률: 45%)
  • p형 반도체의 억셉터(acceptor) 원자는 가전자대에서 전자를 받아들여 음(-)으로 이온화됩니다.

    오답 노트
    결정구조 결함: 산란을 일으켜 이동도를 감소시킵니다.
    직접 재결합률: 전자와 정공의 농도 곱에 비례합니다.
    확산 길이: $L = \sqrt{D\tau}$이며, 확산 계수 $D$는 이동도와 관계가 있습니다.
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72. 실리콘(Si) PN 접합다이오드에서의 컷인 전압(cut-in voltage)은 약 얼마인가?

  1. 0 V
  2. 0.7 V
  3. 7 V
  4. 70 V
(정답률: 56%)
  • 실리콘(Si) PN 접합다이오드는 전위 장벽을 극복하고 전류가 흐르기 시작하는 컷인 전압이 약 $0.7\text{ V}$입니다.
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73. 3[cm] 떨어진 두 평면 전극으로 구성된 2극관에 3kV의 전압을 걸었을 때, 강전계로 인해 음극의 일함수가 낮아질 경우, 감소된 일함수의 양은? (단, 전자의 전하량 e=1.6×10-19[C], 진공에서의 유전율 ε0=8.85×10-12[F/m]이다.)

  1. 0.12eV
  2. 0.012eV
  3. 0.24eV
  4. 0.024eV
(정답률: 32%)
  • 강전계에 의해 일함수가 감소하는 쇼트키 효과(Schottky effect)를 이용하여 감소량 $\Delta\phi$를 계산합니다.
    $$\Delta\phi = \sqrt{\frac{e^3 E}{4\pi\epsilon_0}}$$
    $$\Delta\phi = \sqrt{\frac{(1.6 \times 10^{-19})^3 \times (3000 / 0.03)}{4 \times 3.14 \times 8.85 \times 10^{-12}}}$$
    $$\Delta\phi = 0.012\text{ eV}$$
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74. 금속의 일함수에 관한 설명으로 옳은 것은?

  1. 표면 전위장벽 EB와 Fermi 준위 EF와의 차이에 해당하는 에너지이다.
  2. 금속에서의 열전자 방출에 관한 전류와 온도와의 관계식이다.
  3. 전자의 구속 에너지와 같다.
  4. 최소한도의 전자류 방출에 필요한 금속의 양이다.
(정답률: 49%)
  • 일함수란 금속 표면에서 전자를 하나 떼어내기 위해 필요한 최소 에너지를 말하며, 이는 표면 전위장벽 $E_B$와 페르미 준위 $E_F$의 에너지 차이로 정의됩니다.
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75. Ge 트랜지스터와 비교하였을 때 Si 트랜지스터에 관한 설명으로 틀린 것은?

  1. 최고허용온도가 높다.
  2. 차단주파수가 Ge 트랜지스터에 비해 높다.
  3. 역방향전류와 잡음지수가 크다.
  4. 고주파 고출력 특성이 좋다.
(정답률: 39%)
  • Si 트랜지스터는 Ge 트랜지스터에 비해 밴드갭이 커서 열적으로 안정적이며, 역방향 누설 전류가 매우 작고 잡음 지수가 낮다는 특징이 있습니다.

    오답 노트
    최고허용온도가 높다, 차단주파수가 높다, 고주파 고출력 특성이 좋다: 모두 Si 트랜지스터의 올바른 장점입니다.
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76. Pauli의 배타율 원리를 만족하는 분포 함수는?

  1. Fermi-Dirac
  2. Bose-Einstein
  3. Gauss-error function
  4. Maxwell-Boltzmann
(정답률: 50%)
  • 페르미-디락(Fermi-Dirac) 분포 함수는 하나의 양자 상태에 하나의 입자만 존재할 수 있다는 파울리 배타 원리를 따르는 페르미온(전자 등)의 에너지 분포를 설명합니다.

    오답 노트
    Bose-Einstein: 배타 원리를 따르지 않는 보존 입자 분포
    Maxwell-Boltzmann: 고전적인 입자 분포
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77. 선형적인 증폭을 위해서 트랜지스터의 동작점은?

  1. 포화영역 부근에 설정한다.
  2. 차단영역 부근에 설정한다.
  3. 포화영역 이상에 설정한다.
  4. 차단영역과 포화영역 중간 지점에 설정한다.
(정답률: 49%)
  • 트랜지스터가 입력 신호를 왜곡 없이 선형적으로 증폭하기 위해서는 동작점이 차단영역과 포화영역의 중간 지점인 활성 영역에 설정되어야 합니다.
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78. SCR의 Gate 단자로부터 트리거 신호를 인가하여 SCR을 ON 시키는데 필요한 최소한의 양극전류를 무엇이라 하는가?

  1. Holding Current
  2. Latching Current
  3. Trigger Current
  4. Induction Current
(정답률: 49%)
  • SCR을 턴-온(Turn-on) 시킨 후, 게이트 신호를 제거해도 ON 상태를 유지하기 위해 필요한 최소한의 양극 전류를 래칭 전류(Latching Current)라고 합니다.

    오답 노트
    Holding Current: ON 상태를 유지하기 위한 최소 전류(턴-오프 결정)
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79. 2×105[m/s]의 속도로 운동하고 있는 수소원자의 de Broglie 파장[m]은 얼마인가? (단, 수소의 질량은 1.7×10-27[kg]이고, 플랑크 상수는 6.63×10-34[J･s]이다.)

  1. 1.46×10-34
  2. 2.23×10-8
  3. 5.53×10-5
  4. 1.95×10-12
(정답률: 38%)
  • 물질의 파동성을 나타내는 드브로이 파장은 플랑크 상수를 운동량(질량 × 속도)으로 나누어 계산합니다.
    ① [기본 공식] $\lambda = \frac{h}{mv}$
    ② [숫자 대입] $\lambda = \frac{6.63 \times 10^{-34}}{1.7 \times 10^{-27} \times 2 \times 10^{5}}$
    ③ [최종 결과] $\lambda = 1.95 \times 10^{-12}$
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80. 다음 원소 중 P형 반도체를 만드는 불순물이 아닌 것은?

  1. 인듐(In)
  2. 안티몬(Sb)
  3. 붕소(B)
  4. 알루미늄(Al)
(정답률: 53%)
  • P형 반도체는 3족 원소(붕소, 알루미늄, 인듐, 갈륨 등)를 도핑하여 정공을 생성한 반도체입니다. 안티몬(Sb)은 5족 원소로, 전자를 제공하여 N형 반도체를 만드는 불순물입니다.

    오답 노트
    인듐(In), 붕소(B), 알루미늄(Al): 3족 원소로 P형 반도체 형성
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5과목: 전자계산기일반

81. 부동 소수점(Floating point number) 표현 방식으로 틀린 것은?

  1. 부호가 양수이면 0, 음수이면 1로 표시한다.
  2. 지수부에는 지수를 2진수로 나타낸다.
  3. 부호, 지수부, 소수부의 3개의 필드로 구성되어 있다.
  4. 32비트에서 부동 소수점 수를 표현할 때 부호는 2비트를 사용한다.
(정답률: 47%)
  • 부동 소수점 표현 방식에서 부호 비트는 항상 1비트(0은 양수, 1은 음수)만을 사용합니다.

    오답 노트
    부호, 지수부, 소수부의 3개 필드로 구성되며 지수부는 2진수로 표현하는 것이 맞습니다.
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82. 논리 연산 중 마스크 동작은 어느 동작과 같은가?

  1. OR
  2. AND
  3. EX-OR
  4. NOT
(정답률: 58%)
  • 특정 비트를 0으로 만들어 가리는 마스크(Mask) 동작은 AND 연산의 특성을 이용합니다.

    오답 노트
    OR: Selective-set 동작
    EX-OR: Compare 동작
    NOT: 논리 부정 연산
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83. 다음 논리 함수를 간소화 한 결과는?

  1. X
  2. XY
  3. X+Y
  4. Y
(정답률: 50%)
  • 분배 법칙과 멱등 법칙을 이용하여 논리 함수를 간소화합니다.
    $$X(X + Y) = XX + XY$$
    $XX = X$이므로
    $$X + XY = X(1 + Y) = X$$
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84. 데이터의 순환적 구조와 관계가 깊은 리스트는?

  1. 단순 연결 리스트(singly linked list)
  2. 이중 연결 리스트(doubly linked list)
  3. 다중 연결 리스트(multi linked list)
  4. 환형 연결 리스트(circular linked list)
(정답률: 56%)
  • 환형 연결 리스트(circular linked list)는 리스트의 마지막 노드가 다시 첫 번째 노드를 가리키도록 연결되어 있어 데이터가 순환하는 구조를 가집니다.
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85. 0-주소 명령어 형식이 사용될 수 있는 CPU 구조로 가장 옳은 것은?

  1. 단일 누산기 구조
  2. 이중 누산기 구조
  3. 범용 레지스터 구조
  4. 스택 구조
(정답률: 55%)
  • 0-주소 명령어는 오퍼랜드(피연산자)를 명시하지 않고 스택(Stack) 상단의 데이터를 자동으로 이용하는 구조이므로, 스택 구조에서 사용됩니다.
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86. 다음의 논리식을 간소화 시킨 결과는?

  1. Z=AB+C
  4. Z=A+BC
(정답률: 54%)
  • 주어진 논리식 $Z = ABC + A\bar{B}C + AB\bar{C} + A\bar{B}\bar{C} + \bar{A}\bar{B}C$를 공통 인수로 묶어 간소화합니다.
    먼저 $A$를 포함한 항들을 묶으면 $A(BC + \bar{B}C + B\bar{C} + \bar{B}\bar{C}) = A(C(B+\bar{B}) + \bar{C}(B+\bar{B})) = A(C + \bar{C}) = A$가 됩니다.
    남은 항 $\bar{A}\bar{B}C$를 합치면 $Z = A + \bar{A}\bar{B}C$가 되며, 흡수 법칙($A + \bar{A}B = A + B$)에 의해 $Z = A + \bar{B}C$로 간소화됩니다.
    따라서 정답은 입니다.
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87. 컴퓨터의 워드(word) 길이에 대한 설명으로 틀린것은?

  1. 일반적으로 더욱 많은 명령어를 제공할 수 있다.
  2. 일반적으로 워드 길이가 길면 컴퓨터 성능이 좋아진다.
  3. 일반적으로 워드 길이가 길면 처리 속도가 떨어진다.
  4. 주소를 지정할 수 있는 수의 범위가 크므로 큰 기억용량이 필요하다.
(정답률: 44%)
  • 워드 길이가 길어지면 한 번의 메모리 접근으로 더 많은 데이터를 처리할 수 있어 컴퓨터의 전반적인 처리 성능과 속도가 향상됩니다.

    오답 노트
    처리 속도가 떨어진다: 워드 길이가 길수록 데이터 처리 효율이 높아져 속도가 빨라집니다.
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88. 전자계산기의 주요 장치에 대한 설명으로 틀린것은?

  1. 연산 장치 : 산술 및 논리연산을 처리한다.
  2. 보조기억 장치 : 데이터나 프로그램을 일시적으로 기억시킨다.
  3. 제어장치 : 기계어를 해석하는 기능을 갖고 있다.
  4. 입출력 장치 : 필요한 정보의 입출력을 담당하는 장치이다.
(정답률: 32%)
  • 보조기억 장치는 전원이 꺼져도 데이터가 사라지지 않는 비휘발성 저장 장치로, 대용량의 데이터를 영구적으로 저장하는 역할을 합니다.

    오답 노트
    데이터나 프로그램을 일시적으로 기억시킨다: 주기억 장치의 역할입니다.
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89. 프로그램 카운터가 없는 컴퓨터에서 op code는 3비트이고 메모리는 4096워드(word)일 때 하나의 명령이 한 워드에 저장된다면 워드 당 몇 비트인가? (단, 이 컴퓨터의 명령어는 op code, operand, 어드레스로 구성되어 있다.)

  1. 12비트
  2. 15비트
  3. 27비트
  4. 30비트
(정답률: 36%)
  • 프로그램 카운터가 없는 컴퓨터는 다음 실행할 명령어의 주소를 명령어 자체에 포함하는 자기 참조적 구조를 가집니다. 따라서 워드 길이는 op code, operand, 그리고 다음 주소를 가리키는 어드레스 비트의 합으로 계산합니다.
    ① [기본 공식]
    $$\text{Word Length} = \text{op code} + \text{operand} + \text{address}$$
    ② [숫자 대입]
    $$\text{Word Length} = 3 + 12 + 12$$
    ③ [최종 결과]
    $$\text{Word Length} = 27$$
    ※ 메모리가 $4096$ 워드이므로 주소 비트는 $2^{12} = 4096$에 의해 $12$비트가 필요하며, operand 역시 주소와 동일한 크기로 할당됩니다.
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90. 부호화된 데이터를 해독하여 정보를 찾아내는 조합논리 회로는?

  1. 인코더
  2. 디코더
  3. 디멀티플렉서
  4. 멀티플렉서
(정답률: 53%)
  • 디코더(Decoder)는 n비트의 부호화된 입력 데이터를 받아 최대 $2^{n}$개의 출력선 중 하나를 선택하여 원래의 정보로 해독하는 조합논리 회로입니다.

    오답 노트
    인코더: 디코더의 역기능(해독 $\rightarrow$ 부호화)
    멀티플렉서: 여러 입력 중 하나를 선택하여 출력
    디멀티플렉서: 하나의 입력을 여러 출력 중 하나로 전달
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91. 컴퓨터구조와 관련한 다음 설명 중 가장 옳지 않은 것은?

  1. CAE(computer aided engineering)는 집적회로를 이용하여 프로그램을 개발하는 것이다.
  2. 폰노이만 구조의 컴퓨터는 프로그램제어 유니트, 산술논리연산장치, 주기억장치, 입출력 장치로 구성된다.
  3. CPU는 내부 명령어 구성에 따라 CISC 구조와 RISC 구조로 구분한다.
  4. 컴퓨터에 사용하는 소자는 트랜지스터 → 소규모 집적회로 → 대규모 집적회로 → 초대규모 집적회로로 발달하였다.
(정답률: 52%)
  • CAE(Computer Aided Engineering)는 컴퓨터를 이용하여 제품의 설계, 해석, 최적화 등 공학적 분석을 수행하는 기술이며, 집적회로를 이용한 프로그램 개발과는 무관합니다.
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92. 간접 주소(Indirect Addressing) 방식을 설명한 것은?

  1. 명령어내의 번지는 실제 데이터가 위치하고 있는 주소를 나타낸다.
  2. 프로그램 카운터가 명령어의 주소부분과 더해져서 유효주소가 결정된다.
  3. 명령어의 실제 주소를 나타내는 유효주소는 명령어의 주소 필드가 가르키는 주소에 존재한다.
  4. 인덱스값을 갖는 특별한 레지스터의 내용이 명령어의 주소 부분과 더해져서 유효주소가 얻어진다.
(정답률: 39%)
  • 간접 주소 방식은 명령어의 주소 필드에 실제 데이터의 주소가 아닌, 데이터의 주소가 저장되어 있는 또 다른 메모리 주소를 지정하는 방식입니다. 따라서 유효 주소는 명령어의 주소 필드가 가리키는 곳에 저장되어 있습니다.

    오답 노트
    명령어 내 번지가 실제 주소: 직접 주소 방식
    PC와 주소 부분 합산: 상대 주소 방식
    인덱스 레지스터 합산: 인덱스 주소 방식
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93. C 언어에 대한 설명으로 옳은 것은?

  1. 함수 호출이 아닌 함수 본체의 시작과 끝은 각각 '('과 ')'로 표기한다.
  2. 대화형 언어로서 프로그램을 코딩용지 등에 작성해서 입력해야 한다.
  3. 한 줄에 여러 개의 명령문을 기술할 경우 명령문 사이에 세미콜론(;)을 사용해야 한다.
  4. 프로그램은 반드시 END문으로 끝난다.
(정답률: 57%)
  • C 언어는 문장의 끝을 알리는 구분자로 세미콜론(;)을 사용하므로, 한 줄에 여러 명령문을 작성할 때 반드시 세미콜론으로 구분해야 합니다.

    오답 노트
    함수 본체 시작과 끝: 중괄호 { } 사용
    대화형 언어: C 언어는 컴파일 언어임
    END문: C 언어는 main 함수의 닫는 중괄호로 종료됨
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94. 서브루틴과 연관되어 사용되는 명령으로 가장 옳은 것은?

  1. Shift와 Rotate
  2. Call과 Return
  3. Skip과 Jump
  4. Increment와 Decrement
(정답률: 47%)
  • 서브루틴은 반복되는 특정 기능을 별도의 프로그램 블록으로 만들어 필요할 때마다 호출하여 사용하는 방식입니다. 이때 서브루틴을 호출하는 명령은 Call이며, 실행 완료 후 원래의 복귀 주소로 돌아오는 명령은 Return입니다.
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95. 다음 C 프로그램을 수행하였을 때 결과 값은?

  1. 12
  2. 10
  3. 1
  4. 0
(정답률: 45%)
  • 제시된 C 프로그램의 코드는 와 같으며, 함수가 중첩되어 실행됩니다.
    1. pow(12, 2)는 $12^{2} = 144$를 계산합니다.
    2. sqrt(144)는 $\sqrt{144} = 12.0$을 계산합니다.
    3. (int) 형변환을 통해 실수 12.0이 정수 12로 변환되어 출력됩니다.
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96. 피연산자의 기억 장소에 따른 명령어 형식의 분류에 속하지 않는 것은?

  1. 스택 명령어 형식
  2. 레지스터-레지스터 명령어 형식
  3. 레지스터-메모리 명령어 형식
  4. 스택-메모리 명령어 형식
(정답률: 53%)
  • 명령어 형식은 피연산자가 저장된 위치에 따라 스택, 레지스터-레지스터, 레지스터-메모리 형식으로 분류됩니다. 스택-메모리 명령어 형식은 표준적인 피연산자 기억 장소에 따른 분류 체계에 속하지 않습니다.
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97. DMA(Direct Memory Access)에 대한 설명으로 옳지 않은 것은?

  1. 자료 전송 시 CPU의 register를 직접 사용한다.
  2. 빠른 속도로 자료들을 입출력할 때 사용하는 방식이다.
  3. DMA는 기억장치와 주변장치 사이에 직접 자료를 전송한다.
  4. DMA는 주기억 장치에 접근하기 위해 cycle stealing을 행한다.
(정답률: 36%)
  • DMA는 CPU의 개입 없이 주변장치와 기억장치 사이에서 직접 데이터를 전송하여 시스템 효율을 높이는 방식입니다. 따라서 자료 전송 시 CPU의 register를 직접 사용한다는 설명은 DMA의 핵심 동작 원리에 어긋나는 잘못된 설명입니다.
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98. 언어를 번역하는 번역기가 아닌 것은?

  1. assembler
  2. interpreter
  3. compiler
  4. linkage editor
(정답률: 49%)
  • 번역기는 프로그래밍 언어로 작성된 소스 코드를 기계어로 변환하는 프로그램입니다. assembler, interpreter, compiler는 모두 언어 번역기의 종류에 해당하지만, linkage editor는 여러 개의 목적 모듈을 연결하여 하나의 실행 가능한 파일을 만드는 연결 프로그램입니다.
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99. C 언어 프로그램에서 abs(3.562)의 함수 값은?

  1. -3
  2. -4
  3. 3
  4. 4
(정답률: 56%)
  • C 언어의 abs() 함수는 정수형 인수를 받아 절대값을 반환하는 함수입니다. 실수형 인수가 전달되면 정수형으로 자동 형변환(Truncation)되어 소수점 이하가 버려진 후 절대값이 계산됩니다.
    ① [기본 공식] $abs(x) = |(int)x|$
    ② [숫자 대입] $abs(3.562) = |3|$
    ③ [최종 결과] $3$
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100. 직렬 덧셈 회로에 꼭 필요한 것은?

  1. Shift Register
  2. Buffer Memory
  3. Operand
  4. Cache Memory
(정답률: 54%)
  • 직렬 덧셈 회로는 데이터를 순차적으로 처리하여 합산하는 방식으로, 데이터를 한 칸씩 밀어내며 저장하고 이동시키는 Shift Register가 필수적으로 필요합니다.
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