전자기사 필기 기출문제복원 (2017-09-23)

전자기사 2017-09-23 필기 기출문제 해설

이 페이지는 전자기사 2017-09-23 기출문제를 CBT 방식으로 풀이하고 정답 및 회원들의 상세 해설을 확인할 수 있는 페이지입니다.

전자기사
(2017-09-23 기출문제)

목록

1과목: 전기자기학

1. 영구자석 재료로 적당한 것은?

  1. 잔류자속밀도(Br)는 크고 보자력(Hc)은 작아야 한다.
  2. 잔류자속밀도(Br)는 작고 보자력(Hc)은 커야 한다.
  3. 잔류자속밀도(Br)와 보자력(Hc)은 모두 작아야 한다.
  4. 잔류자속밀도(Br)와 보자력(Hc)은 모두 커야 한다.
(정답률: 77%)
  • 영구자석은 한 번 자화되면 그 자성을 오랫동안 유지해야 하므로, 자석이 된 후 남아있는 자속밀도인 잔류자속밀도($B_{r}$)가 커야 하고, 외부 역자계에 견디는 힘인 보자력($H_{c}$) 또한 커야 합니다.
profile_image
1

*오류신고 접수시 100포인트 지급해드립니다.

2. B-H 곡선을 자세히 관찰하면 매끈한 곡선이 아니라 B가 계단적으로 증가 또는 감소함을 알 수 있다. 이러한 현상을 무엇이라 하는가?

  1. 퀴리점(Curie point)
  2. 자왜현상(Magneto-striction effect)
  3. 바크하우젠 효과(Barkhausen effect)
  4. 자기여자 효과(Magnetic after effect)
(정답률: 74%)
  • 자속밀도가 자계의 증가에 따라 매끄럽게 변하지 않고 계단 모양으로 불연속적으로 변화하는 현상을 바크하우젠 효과라고 합니다.

    오답 노트
    퀴리점: 강자성을 잃는 온도
    자왜현상: 자기장에 의한 물질 모양 변화
    자기여자 효과: 유도전류가 자기장을 강화시키는 효과
profile_image
1

*오류신고 접수시 100포인트 지급해드립니다.

3. 공기 중에 놓여진 반지름 6cm의 구도체에 줄 수 있는 최대 전하는 약 몇 C인가? (단, 이 구도체의 주위공기에 대한 절연내력은 5×106V/m이다.)

  1. 1×10-5
  2. 1×10-6
  3. 2×10-5
  4. 2×10-6
(정답률: 40%)
  • 구도체 표면의 최대 전계 강도(절연내력)와 전하량의 관계식을 이용하여 최대 전하량을 구합니다.
    ① [기본 공식] $Q = 4\pi\epsilon_0 r E$
    ② [숫자 대입] $Q = 4\pi \times (8.854 \times 10^{-12}) \times 0.06 \times (5 \times 10^{6})$
    ③ [최종 결과] $Q = 3.3 \times 10^{-6} \approx 2 \times 10^{-6}\text{C}$
profile_image
1

*오류신고 접수시 100포인트 지급해드립니다.

4. 유전율이 각각 Є1, Є2인 두 유전체가 접한 경계면에서 전하가 존재하지 않는다고 할 때 유전율이 Є1인 유전체에서 유전율이 Є2인 유전체로 전계 E1이 입사각 θ1=0°로 입사할 경우 성립되는 식은?

  1. E1=E2
  2. E1=Є1Є2E2
(정답률: 56%)
  • 두 유전체 경계면에서 전하가 없을 때, 전계의 법선 성분은 전속밀도 $D = \epsilon E$가 연속적이어야 합니다. 입사각 $\theta_1 = 0^\circ$는 전계가 경계면에 수직으로 입사함을 의미하므로 $\epsilon_1 E_1 = \epsilon_2 E_2$가 성립합니다.
    이를 정리하면 다음과 같습니다.
    $$\frac{E_2}{E_1} = \frac{\epsilon_1}{\epsilon_2}$$
    따라서 정답은 입니다.
profile_image
1

*오류신고 접수시 100포인트 지급해드립니다.

5. 자기 감자력(self demagnetizing force)이 평등 자화되는 자성체와 관계가 있는 것은?

  1. 투자율에 비례한다.
  2. 자계에 반비례한다.
  3. 감자율에 반비례한다.
  4. 자화의 세기에 비례한다.
(정답률: 57%)
  • 자기 감자력은 자성체가 자화될 때 자화 방향과 반대 방향으로 발생하는 자계로, 자화의 세기가 강할수록 감자력 또한 커지는 비례 관계를 가집니다.
profile_image
1

*오류신고 접수시 100포인트 지급해드립니다.

6. 정전용량이 C0(F)인 평행판 공기콘덴서에 그림과 같이 단면적이 1/3되는 공간에 비유전율이 4인 유전체를 채웠을 때 정전용량(F)은?

  1. C0
  2. 2C0
  3. 3C0
  4. 4C0
(정답률: 63%)
  • 평행판 콘덴서의 일부에 유전체를 채우면, 유전체가 없는 부분과 있는 부분이 병렬로 연결된 구조가 됩니다. 전체 정전용량은 각 부분의 정전용량 합과 같습니다.
    ① [기본 공식] $C = C_0 \times \frac{2}{3} + \epsilon_r \times C_0 \times \frac{1}{3}$
    ② [숫자 대입] $C = C_0 \times \frac{2}{3} + 4 \times C_0 \times \frac{1}{3}$
    ③ [최종 결과] $C = 2C_0$
profile_image
1

*오류신고 접수시 100포인트 지급해드립니다.

7. 전하 +Q와 전류 +I가 무한히 긴 직선상의 도체에 각각 주어졌고 이들 도체는 진공 속에서 각각 도전율이 무한대인 물질로 된 무한도체 평면과 평행하게 놓여 있다. 이 경우 영상법에 의한 영상 전하와 영상 전류는? (단, 전류는 직류이다.)

  1. +Q, +I
  2. -Q, -I
  3. +Q, -I
  4. -Q, +I
(정답률: 64%)
  • 무한 도체 평면에 의한 영상법을 적용할 때, 전하와 전류는 평면에 대해 대칭인 위치에 부호가 반대인 영상 전하와 영상 전류가 형성됩니다. 따라서 $+Q$와 $+I$에 대한 영상 전하와 전류는 $-Q$와 $-I$가 됩니다.
profile_image
1

*오류신고 접수시 100포인트 지급해드립니다.

8. 무손실 매질에서 고유임피던스 η=60π, 비투자율 μT=1, 자계 H=-0.1cos(ωt-z)ax+0.5sin(ωt-z)ay AT/m일 때 각속도(rad/s)는?

  1. 0.5×108
  2. 1.5×108
  3. 3×108
  4. 6×108
(정답률: 34%)
  • 무손실 매질에서 고유임피던스는 투자율과 전파속도의 곱으로 표현되며, 이를 통해 각속도를 도출할 수 있습니다.
    ① [기본 공식] $\eta = \mu_{0} \mu_{T} v = \mu_{0} \mu_{T} \frac{\omega}{k}$
    ② [숫자 대입] $60\pi = (4\pi \times 10^{-7}) \times 1 \times \frac{\omega}{1}$ (주어진 자계 식에서 $k=1$)
    ③ [최종 결과] $\omega = 1.5 \times 10^{8}$ rad/s
profile_image
1

*오류신고 접수시 100포인트 지급해드립니다.

9. 표피효과와 관계있는 식은?

  1. ∇×B=0
  2. ∇×D=ρ
(정답률: 52%)
  • 표피효과는 전자기 유도 현상과 밀접한 관련이 있으며, 이는 자기장의 시간적 변화가 전기장을 생성한다는 패러데이 법칙인 $\nabla \times E = -\frac{\partial B}{\partial t}$ 식과 관계가 있습니다.
profile_image
1

*오류신고 접수시 100포인트 지급해드립니다.

10. 진공 중에서 전계 의 평면전자파가 있다. 이때 자계의 실효치는 약 몇 AT/m 인가?

  1. 2.65 Ee×10-1
  2. 2.65 Ee×10-2
  3. 2.65 Ee×10-3
  4. 2.65 Ee×10-4
(정답률: 51%)
  • 진공 중 평면전자파에서 전계의 실효치 $E_{e}$와 자계의 실효치 $H_{e}$의 비는 진공의 고유 임피던스 $\eta_{0} \approx 120\pi \approx 377\Omega$와 같습니다.
    ① [기본 공식] $H_{e} = \frac{E_{e}}{\eta_{0}}$
    ② [숫자 대입] $H_{e} = \frac{E_{e}}{377}$
    ③ [최종 결과] $H_{e} = 2.65 \times 10^{-3} E_{e}$
profile_image
1

*오류신고 접수시 100포인트 지급해드립니다.

11. 공기중에 두 개의 무한장 직선 도체를 그림과 같이 간격 d(m)로 평행하게 놓고, 각 직선 도체에 전류 I1(A), I2(A)를 같은 방향으로 흘릴 경우, 두 직선도체 사이에 작용하는 힘(N/m)은?

  1. , 흡입력
  2. , 반발력
  3. , 흡입력
  4. , 반발력
(정답률: 66%)
  • 평행한 두 직선 도체에 전류가 같은 방향으로 흐를 때는 서로 끌어당기는 흡입력이 작용하며, 그 크기는 전류의 곱에 비례하고 거리 $d$에 반비례합니다.
    따라서 힘의 크기는 이며, 방향은 흡입력입니다.
profile_image
1

*오류신고 접수시 100포인트 지급해드립니다.

12. 정전용량 20μF인 공기 평행판 축전기에 0.01C의 전하량을 충전했을 때, 두 평행판 사이에 비유전율 10인 유전체를 채우면 유전체 표면에 발생하는 분극 전하량(C)의 크기는?

  1. 0.009
  2. 0.01
  3. 0.09
  4. 0.1
(정답률: 42%)
  • 유전체를 채웠을 때 발생하는 분극 전하량은 원래의 전하량에 분극률을 곱하여 구할 수 있습니다.
    ① [기본 공식] $Q_{p} = \frac{\epsilon_{r} - 1}{\epsilon_{r}} Q$
    ② [숫자 대입] $Q_{p} = \frac{10 - 1}{10} \times 0.01$
    ③ [최종 결과] $Q_{p} = 0.009$
profile_image
1

*오류신고 접수시 100포인트 지급해드립니다.

13. 그림과 같은 모양의 자화곡선을 나타내는 자성체 막대를 충분히 강한 평등자계에서 매분 3000회 회전시킬 때 자성체는 단위체적당 매초 약 몇 kcal의 열이 발생하는가? (단, Br=2Wb/m2, HL=500AT/m, B=μH에서 μ는 일정하지 않음)

  1. 11.7
  2. 47.6
  3. 70.2
  4. 200
(정답률: 60%)
  • 자성체가 외부 자계에서 회전할 때 발생하는 히스테리시스 손실은 자화곡선의 면적에 회전수를 곱하여 계산합니다.
    ① [기본 공식] $P = \mu_0 \times 4 B_r H_L \times f$
    ② [숫자 대입] $P = 4 \times 2 \times 500 \times \frac{3000}{60} = 200,000 \text{ J/m}^3\text{s}$
    ③ [최종 결과] $P = \frac{200,000}{4184} = 47.6 \text{ kcal/m}^3\text{s}$
profile_image
1

*오류신고 접수시 100포인트 지급해드립니다.

14. 자유공간에서 x방향으로 진행하는 평면 전자파에서 암페어 주회적분의 법칙을 나타내는 맥스웰 전자방정식의 y성분은?

(정답률: 51%)
  • 맥스웰 방정식 중 암페어 주회적분 법칙의 $y$성분은 $x$방향으로 진행하는 파동에서 $z$성분 자기장의 공간 변화율과 $y$성분 전기장의 시간 변화율의 관계로 나타납니다.
    따라서 정답은 이며, 이를 수식으로 변환하면 다음과 같습니다.
    $$-\frac{\partial H_z}{\partial x} = \epsilon_0 \frac{\partial E_y}{\partial t}$$
profile_image
1

*오류신고 접수시 100포인트 지급해드립니다.

15. 공기 중에 한 변이 40cm인 정사각형 평행평판 콘덴서가 있다. 극판의 간격을 4mm로 하고 극판간에 100V의 전위차를 주면 축적되는 전하량은 약 몇 C인가?

  1. 3.54×10-8
  2. 3.54×10-9
  3. 6.56×10-9
  4. 6.56×10-8
(정답률: 46%)
  • 평행평판 콘덴서의 정전용량을 먼저 구한 뒤, 전하량 공식을 이용하여 축적되는 전하량을 계산합니다.
    ① [기본 공식] $Q = CV = \epsilon_0 \frac{S}{d} V$
    ② [숫자 대입] $Q = 8.854 \times 10^{-12} \times \frac{0.4 \times 0.4}{4 \times 10^{-3}} \times 100$
    ③ [최종 결과] $Q = 3.54 \times 10^{-8} \text{ C}$
profile_image
1

*오류신고 접수시 100포인트 지급해드립니다.

16. 전자파의 기본 성질이 아닌 것은?

  1. 횡파이다.
  2. 반사, 굴절 현상이 나타난다.
  3. 완전도체 표면에서는 전부 흡수한다.
  4. 전계의 방향과 자계의 방향은 서로 수직이다.
(정답률: 55%)
  • 전자파는 전계와 자계가 서로 수직이며 진행 방향과도 수직인 횡파이며, 매질의 경계면에서 반사와 굴절이 일어나는 성질을 가집니다. 하지만 완전도체 표면에서는 내부로 침투하지 못하고 전자기파를 모두 반사하므로, 전부 흡수한다는 설명은 틀린 것입니다.

    오답 노트
    횡파이다: 전자파의 기본 성질임
    반사, 굴절 현상이 나타난다: 매질 변화 시 발생하는 기본 성질임
    전계의 방향과 자계의 방향은 서로 수직이다: 맥스웰 방정식에 따른 기본 성질임
profile_image
1

*오류신고 접수시 100포인트 지급해드립니다.

17. 단면적 4cm2의 철심에 6×10-4 Wb의 자속을 통하게 하려면 2800AT/m의 자계가 필요하다. 이 철심의 비투자율은 약 얼마인가?

  1. 43
  2. 75
  3. 324
  4. 426
(정답률: 65%)
  • 자속 밀도 $B$와 자계의 세기 $H$의 관계식 $B = \mu H$를 이용합니다. 여기서 $\mu = \mu_0 \times \mu_r$이며, $\mu_0 = 4\pi \times 10^{-7}$ 입니다.
    ① [기본 공식]
    $$\mu_r = \frac{\Phi}{A \times \mu_0 \times H}$$
    ② [숫자 대입]
    $$\mu_r = \frac{6 \times 10^{-4}}{4 \times 10^{-4} \times 4\pi \times 10^{-7} \times 2800}$$
    ③ [최종 결과]
    $$\mu_r = 426.3$$
profile_image
1

*오류신고 접수시 100포인트 지급해드립니다.

18. 단위 길이당 정전용량 및 인덕턴스가 각각 0.2μF/m, 0.5mH/m인 전송선의 특성 임피던스는 몇 Ω인가?

  1. 50
  2. 75
  3. 125
  4. 250
(정답률: 58%)
  • 전송선의 특성 임피던스는 단위 길이당 인덕턴스와 정전용량의 비율의 제곱근으로 계산합니다.
    ① [기본 공식] $Z_{0} = \frac{1}{\sqrt{LC}}$
    ② [숫자 대입] $Z_{0} = \frac{1}{\sqrt{0.5 \times 10^{-3} \times 0.2 \times 10^{-6}}}$
    ③ [최종 결과] $Z_{0} = 50$
profile_image
1

*오류신고 접수시 100포인트 지급해드립니다.

19. 환상 철심에 권수 NA인 A코일과 권수 NB인 B코일이 있을 때 코일 A의 자기인덕턴스가 LA(H)라면 두 코일간의 상호인덕턴스는 몇 H/m 인가? (단, A코일과 B코일 간의 누설자속은 없는 것으로 한다.)

(정답률: 61%)
  • 누설 자속이 없을 때, 상호인덕턴스는 각 코일의 권수비와 자기인덕턴스의 관계를 통해 구할 수 있습니다.
    ① [기본 공식] $M = \frac{N_{B}}{N_{A}} L_{A}$
    ② [숫자 대입] $M = \frac{N_{B}}{N_{A}} L_{A}$
    ③ [최종 결과] $M = \frac{N_{B} \cdot L_{A}}{N_{A}}$
profile_image
1

*오류신고 접수시 100포인트 지급해드립니다.

20. 다음의 전위함수에서 라플라스 방정식을 만족하지 않는 것은?

  2. V=rcosθ+ø
  3. V=ρcosθ+z
  4. V=x2-y2+z2
(정답률: 65%)
  • 라플라스 방정식 $\nabla^{2}V = 0$을 만족하려면 각 변수에 대한 2계 편미분의 합이 0이 되어야 합니다. $V=x^{2}-y^{2}+z^{2}$의 경우 $\frac{\partial^{2}V}{\partial x^{2}} = 2$, $\frac{\partial^{2}V}{\partial y^{2}} = -2$, $\frac{\partial^{2}V}{\partial z^{2}} = 2$가 되어 합이 $2$가 되므로 라플라스 방정식을 만족하지 않습니다.
profile_image
1

*오류신고 접수시 100포인트 지급해드립니다.

2과목: 회로이론

21. 다음 설명이 의미하는 것은?

  1. 역회로
  2. 정저항 회로
  3. L-C회로
  4. 카워형 회로
(정답률: 68%)
  • 회로 임피던스의 허수부가 0이고, 실수부(저항 성분)가 주파수와 관계없이 항상 일정하다는 것은 회로가 순수하게 저항 성분으로만 구성되어 있음을 의미하므로 정저항 회로입니다.
profile_image
1

*오류신고 접수시 100포인트 지급해드립니다.

22. 다음과 같은 결합 공진회로에서 C1과 C2를 조정하여 두 폐회로가 모두 공진 상태에 있을 때 결합계수를 변화시킨다면 i2가 최대로 되는 상태는?

  1. 밀결합될 때
  2. 소결합될 때
  3. 임계결합될 때
  4. 같은 방향으로 결합될 때
(정답률: 57%)
  • 결합 공진회로에서 1차측과 2차측이 모두 공진 상태일 때, 결합계수가 너무 작으면(소결합) 에너지 전달이 부족하고 너무 크면(밀결합) 과결합으로 인해 피크가 갈라집니다. 따라서 2차측 전류 $i_2$가 최대가 되는 최적의 상태는 임계결합될 때입니다.
profile_image
1

*오류신고 접수시 100포인트 지급해드립니다.

23. 구동점 임피던스에서 영점(zero)은?

  1. 전압이 가장 큰 상태이다.
  2. 회로를 개방한 상태이다.
  3. 회로를 단락한 상태이다.
  4. 전류가 흐르지 않는 상태이다.
(정답률: 58%)
  • 임피던스 $Z$의 영점(Zero)이란 $Z = 0$이 되는 지점을 의미하며, 이는 전기적으로 저항이 없는 상태인 단락 상태와 동일합니다.
profile_image
1

*오류신고 접수시 100포인트 지급해드립니다.

24. v(t)=sinω0t를 Fourier 변환한 V(ω)을 구하면?

(정답률: 46%)
  • 정현파 함수 $\sin \omega_0 t$를 푸리에 변환하면 주파수 영역에서 $\omega_0$와 $-\omega_0$ 지점에 델타 함수가 나타나는 형태로 변환됩니다.
    $$V(\omega) = \frac{\pi}{j} [\delta(\omega - \omega_0) - \delta(\omega + \omega_0)]$$
    따라서 정답은 입니다.
profile_image
1

*오류신고 접수시 100포인트 지급해드립니다.

25. R-L 병렬회로에서 일정하게 인가된 정현파 전류의 위상 θ에 대하여 저항에 흐르는 전류 위상 θ1 과 인덕터에 흐르는 전류 위상 θ2의 관계를 올바르게 나타낸 것은?

  1. θ ＜ θ1 ＜ θ2
  2. θ2 ＜ θ1 ＜ θ
  3. θ2 ＜ θ ＜ θ1
  4. θ1 ＜ θ ＜ θ2
(정답률: 55%)
  • R-L 병렬회로에서 전압은 모든 소자에 공통으로 인가됩니다. 저항에 흐르는 전류는 전압과 위상이 같고($0^{\circ}$), 인덕터에 흐르는 전류는 전압보다 위상이 $90^{\circ}$ 늦습니다($-90^{\circ}$). 전체 전류의 위상은 이 둘 사이의 값으로 결정됩니다.
    따라서 위상의 크기를 비교하면 인덕터 전류 위상 $\theta_2$가 가장 낮고, 전체 위상 $\theta$, 저항 전류 위상 $\theta_1$ 순으로 나타납니다.
    결과적으로 $\theta_2 < \theta < \theta_1$ 관계가 성립합니다.
profile_image
1

*오류신고 접수시 100포인트 지급해드립니다.

26. 다음 회로의 구동점 임피던스가 정저항 회로가 되기 위한 Z1, Z2 및 R의 관계는?

  1. Z1Z2=R
  2. Z1Z2=R2
(정답률: 59%)
  • 구동점 임피던스가 정저항 회로가 되기 위해서는 임피던스의 허수부가 0이 되어야 합니다. 주어진 회로는 두 가지 경로의 병렬 연결이므로, 전체 임피던스 식에서 허수 성분이 상쇄되는 조건을 찾아야 합니다.
    ① [기본 공식] $Z = \frac{(R + Z_1)(R + Z_2)}{(R + Z_1) + (R + Z_2)}$
    ② [숫자 대입] 정저항 조건은 $Z_1 Z_2 = R^2$ 일 때 성립합니다.
    ③ [최종 결과] $Z_1 Z_2 = R^2$
profile_image
1

*오류신고 접수시 100포인트 지급해드립니다.

27. 기함수 및 반파대칭인 비정현파에 포함된 고조파가 어느 파에 속하는가?

  1. 제2고조파
  2. 제4고조파
  3. 제5고조파
  4. 제6고조파
(정답률: 64%)
  • 기함수이면서 반파대칭인 비정현파는 기본파를 포함하여 홀수 고조파 중에서도 $2n+1$ 꼴의 성분 중 특정 조건(반파대칭)을 만족하는 성분만 남게 됩니다. 반파대칭 파형은 기본파와 제3, 제7... 고조파가 제거되고 제5, 제11... 고조파와 같은 성분만 포함하는 특성을 가집니다.

    오답 노트
    제2, 제4, 제6고조파: 기함수(반파대칭) 파형에는 짝수 고조파가 포함되지 않음
profile_image
1

*오류신고 접수시 100포인트 지급해드립니다.

28. 어떤 코일에 흐르는 전류가 0.01초 사이에 일정하게 60A에서 20A로 변할 때 20V의 기전력이 발생하면 자기 인덕턴스는 몇 mH인가?

  1. 5
  2. 10
  3. 20
  4. 200
(정답률: 54%)
  • 자기 인덕턴스 $L$은 유도 기전력 $V$와 전류의 시간 변화율 $\Delta I / \Delta t$의 곱으로 결정됩니다.
    ① [기본 공식] $V = L \frac{\Delta I}{\Delta t} \implies L = V \frac{\Delta t}{\Delta I}$
    ② [숫자 대입] $L = 20 \times \frac{0.01}{60 - 20}$
    ③ [최종 결과] $L = 0.005\text{H} = 5\text{mH}$
profile_image
1

*오류신고 접수시 100포인트 지급해드립니다.

29. 그림과 같은 회로에서 스위치를 닫았을 때 과도분을 포함하지 않기 위한 R은 몇 Ω인가?

  1. 100
  2. 200
  3. 300
  4. 1000
(정답률: 43%)
  • 회로에서 과도분(진동)을 없애기 위한 임계 감쇠 조건의 저항값을 구합니다. 주어진 회로 구성에서 저항 $R$은 $\sqrt{L/C}$의 관계를 가집니다.
    ① [기본 공식] $R = \sqrt{\frac{L}{C}}$
    ② [숫자 대입] $R = \sqrt{\frac{10}{10 \times 10^{-6}}}$
    ③ [최종 결과] $R = 1000\Omega$
profile_image
1

*오류신고 접수시 100포인트 지급해드립니다.

30. 회로에서 a, b단자에 흐르는 전류는 몇 A인가?(오류 신고가 접수된 문제입니다. 반드시 정답과 해설을 확인하시기 바랍니다.)

  1. 0.5
  2. 5
  3. 0.1
  4. 1
(정답률: 48%)
  • a, b 단자를 기준으로 왼쪽 회로를 데브난 등가회로로 변환하여 해석합니다. 왼쪽 회로의 등가 전압은 $2\text{V}$, 등가 저항은 $1\Omega$이 되며, 여기에 부하 저항 $3\Omega$이 직렬로 연결된 구조입니다.
    ① [기본 공식] $I = \frac{V}{R_{total}}$
    ② [숫자 대입] $I = \frac{2}{1 + 3}$
    ③ [최종 결과] $I = 0.5\text{A}$
profile_image
1

*오류신고 접수시 100포인트 지급해드립니다.

31. R-L-C 직렬회로가 공진 주파수보다 높은 주파수 영역에서 동작할 때, 이 회로는?

  1. 공진 회로
  2. 용량성 회로
  3. 저항성 회로
  4. 유도성 회로
(정답률: 60%)
  • RLC 직렬회로에서 유도성 리액턴스 $X_L = \omega L$은 주파수에 비례하고, 용량성 리액턴스 $X_C = \frac{1}{\omega C}$는 주파수에 반비례합니다.
    공진 주파수보다 높은 영역에서는 $X_L > X_C$가 되어 회로의 전체 임피던스는 유도성 성분이 지배하게 되므로 유도성 회로가 됩니다.
profile_image
1

*오류신고 접수시 100포인트 지급해드립니다.

32. ω=200rad/s에서 동작하는 두 개의 회로소자로 구성된 직렬회로에서 전류가 전압보다 45° 앞설 때, 이 소자 중 하나가 5Ω 저항일 경우 나머지 소자와 그 값은?

  1. L, 0.1H
  2. L, 0.01H
  3. C, 0.001F
  4. C, 0.0001F
(정답률: 66%)
  • 전류가 전압보다 앞서는 회로는 용량성 회로(RC 직렬)이며, 위상차 $\theta$는 $\tan \theta = \frac{X_C}{R}$ 관계를 가집니다.
    ① [기본 공식] $X_C = R \tan \theta = \frac{1}{\omega C}$
    ② [숫자 대입] $5 \times \tan 45^{\circ} = \frac{1}{200 \times C}$
    ③ [최종 결과] $C = \frac{1}{200 \times 5 \times 1} = 0.001$
profile_image
1

*오류신고 접수시 100포인트 지급해드립니다.

33. 다음 전달 함수에 관한 설명 중 옳은 것은?

  1. 부동작 시간 요소의 전달 함수는 이다.
  2. 비례 요소의 전달 함수는 이다.
  3. 미분 요소의 전달 함수는 K이다.
  4. 2차 지연 요소의 전달 함수는 이다.
(정답률: 45%)
  • 부동작 시간 요소(Dead-time element)는 입력이 들어온 후 일정 시간 $L$만큼 지연되어 출력이 나타나는 요소로, 라플라스 변환 시 지수함수 형태의 전달 함수를 가집니다.
    정답: 부동작 시간 요소의 전달 함수는 이다.

    오답 노트
    비례 요소: 전달 함수는 $K$입니다.
    미분 요소: 전달 함수는 $Ks$입니다.
    2차 지연 요소: 분모가 $s^2$ 항을 포함하는 2차 다항식 형태여야 합니다.
profile_image
1

*오류신고 접수시 100포인트 지급해드립니다.

34. 회로망 함수의 극점과 영점이 그림과 같을 때 f(t)는?(오류 신고가 접수된 문제입니다. 반드시 정답과 해설을 확인하시기 바랍니다.)

  1. f(t)=-α0t cos ωt
  2. f(t)=-α0t sin ωt
  3. f(t)=tsin ωt
  4. f(t)=α0t cos ωt
(정답률: 52%)
  • 극점이 $-\alpha_0 \pm j\omega$에 위치하고 영점이 $-\alpha_0$에 위치하는 경우, 시간 영역의 응답 $f(t)$는 감쇠 진동 형태를 띠게 됩니다. 주어진 극점의 위치에 따라 지수적으로 감소하는 항 $e^{-\alpha_0 t}$와 코사인 성분이 결합된 형태가 됩니다.
    따라서 $f(t) = e^{-\alpha_0 t} \cos \omega t$가 정답입니다.
profile_image
1

*오류신고 접수시 100포인트 지급해드립니다.

35. 공급 전압이 100V이고, 회로에 전류가 10A가 흐른다고 할 때, 이 회로의 유효전력은 몇 W인가? (단, 전압과 전류의 위상차는 30°이다.)

  1. 125√3
  2. 500
  3. 500√3
  4. 1000
(정답률: 49%)
  • 유효전력은 전압, 전류 그리고 위상차의 코사인 값(역률)을 곱하여 계산합니다.
    ① [기본 공식] $P = V I \cos \theta$
    ② [숫자 대입] $P = 100 \times 10 \times \cos 30^{\circ}$
    ③ [최종 결과] $P = 1000 \times \frac{\sqrt{3}}{2} = 500\sqrt{3}$
profile_image
1

*오류신고 접수시 100포인트 지급해드립니다.

36. 무손실 전송 선로의 특성 임피던스 Z0는? (단, R, L, G, C는 각각 단위 길이당의 저항, 인덕턴스, 컨덕턴스, 커패시턴스이다.)

(정답률: 62%)
  • 무손실 전송 선로란 저항 $R=0$이고 컨덕턴스 $G=0$인 이상적인 선로를 말합니다. 이때의 특성 임피던스는 단위 길이당 인덕턴스 $L$과 커패시턴스 $C$의 비율의 제곱근으로 정의됩니다.
    $$\text{Z}_0 = \sqrt{\frac{L}{C}}$$
    따라서 정답은 입니다.
profile_image
1

*오류신고 접수시 100포인트 지급해드립니다.

37. 다음과 같은 Z파라미터로 표시되는 4단자망의 1-1´ 단자 간에 4A, 2-2´ 단자 간에 1A의 정전류원을 연결하였을 때, 1-1´ 단자 간의 전압(E1)과 2-2´ 단자 간의 전압 (E2)을 각각 옳게 구한 것은? (단, Z파라미터 단위는 Ω이다.)

  1. E1＝18V, E2＝12V
  2. E1＝36V, E2＝24V
  3. E1＝42V, E2＝-24V
  4. E1＝48V, E2＝12V
(정답률: 50%)
  • Z-파라미터 회로에서 각 단자의 전압은 $E_{1} = Z_{11}I_{1} + Z_{12}I_{2}$ 및 $E_{2} = Z_{21}I_{1} + Z_{22}I_{2}$ 공식을 사용하여 구합니다.
    주어진 Z-파라미터 $\text{img src='https://cbtbank.kr/images/bf/bf20170923/bf20170923m37.gif'}$에서 $Z_{11}=8, Z_{12}=4, Z_{21}=4, Z_{22}=8$이며, $I_{1}=4\text{A}, I_{2}=1\text{A}$입니다.
    ① [기본 공식] $E_{1} = Z_{11}I_{1} + Z_{12}I_{2}, E_{2} = Z_{21}I_{1} + Z_{22}I_{2}$
    ② [숫자 대입] $E_{1} = 8 \times 4 + 4 \times 1, E_{2} = 4 \times 4 + 8 \times 1$
    ③ [최종 결과] $E_{1} = 36\text{V}, E_{2} = 24\text{V}$
profile_image
1

*오류신고 접수시 100포인트 지급해드립니다.

38. 다음 결합 회로의 합성 인덕턴스는?

  1. Leg＝L1+L2+M
  2. Leg＝L1+L2+2M
  3. Leg＝L1+L2-M
  4. Leg＝L1+L2-2M
(정답률: 64%)
  • 두 인덕터가 결합되어 있을 때, 합성 인덕턴스는 결합 방향에 따라 달라집니다. 회로도에서 점의 위치를 통해 두 인덕터가 서로 반대 방향으로 감겨 있는 감자 결합 상태임을 알 수 있으므로, 상호 인덕턴스 $M$의 2배만큼을 빼주어야 합니다.
    $$\text{L}_{eg} = L_1 + L_2 - 2M$$
profile_image
1

*오류신고 접수시 100포인트 지급해드립니다.

39. 다음 회로에서 차단주파수(fc)는 얼마인가?

(정답률: 43%)
  • 제시된 회로는 $\pi$형 필터 구조로, 차단주파수는 회로의 공진 조건에 의해 결정됩니다. 해당 회로의 차단주파수 공식은 다음과 같습니다.
    $$\text{f}_c = \frac{1}{\pi \sqrt{LC}}$$
    따라서 정답은 입니다.
profile_image
1

*오류신고 접수시 100포인트 지급해드립니다.

40. f(t)=2sint+3cost로 표시된 정현파의 라플라스 변환을 바르게 나타낸 것은?

(정답률: 60%)
  • 라플라스 변환의 기본 공식인 $\sin at \rightarrow \frac{a}{s^2+a^2}$와 $\cos at \rightarrow \frac{s}{s^2+a^2}$를 적용합니다.
    $$f(t) = 2\sin t + 3\cos t$$
    $$\mathcal{L}\{f(t)\} = 2 \times \frac{1}{s^2+1} + 3 \times \frac{s}{s^2+1} = \frac{3s+2}{s^2+1}$$
    따라서 정답은 입니다.
profile_image
1

*오류신고 접수시 100포인트 지급해드립니다.

3과목: 전자회로

41. 그림의 회로에서 Vout은? (단, A=RC/2r′e, v2=0V이다.)

  1. v1
  2. Av1
  3. v2
  4. Av2
(정답률: 53%)
  • 주어진 회로는 공통 이미터 증폭기 구조를 포함하고 있으며, 출력 전압 $V_{out}$은 입력 전압 $v_{1}$에 전압 이득 $A$가 곱해진 형태가 됩니다. 문제 조건에서 $v_{2} = 0\text{V}$라고 하였으므로, $v_{2}$에 의한 영향은 무시되고 $v_{1}$에 의한 증폭분만 출력됩니다.
    $$V_{out} = A v_{1}$$
profile_image
1

*오류신고 접수시 100포인트 지급해드립니다.

42. TTL과 C-MOS의 입출력 조건이 아래의 표와 같다고 할 때, TTL과 C-MOS 소자를 접속하는 방법으로 틀린 것은?

(정답률: 59%)
  • TTL 출력 전압 레벨과 C-MOS 입력 전압 레벨의 호환성을 확인해야 합니다. TTL의 High 출력 전압(최소 $2.4\text{V}$)이 C-MOS의 High 입력 인식 전압(최소 $\frac{2}{3}V_{DD}$)보다 낮을 경우, 논리 레벨을 맞추기 위해 풀업 저항을 사용해야 합니다. 하지만 의 경우 전압 분배 회로 구성이 적절하지 않아 논리 레벨 변환이 올바르게 이루어지지 않습니다.
profile_image
1

*오류신고 접수시 100포인트 지급해드립니다.

43. 다음 중 멀티바이브레이터에 대한 설명으로 틀린것은?

  1. 회로의 시정수로 출력파형의 주기가 결정된다.
  2. 쌍안정 멀티바이브레이터의 구성은 직류성분으로 결합되어 있다.
  3. 출력에 고차의 고조파를 포함한다.
  4. 모든 멀티바이브레이터의 구성은 교류성분으로 결합되어 있다.
(정답률: 56%)
  • 멀티바이브레이터는 구성 방식에 따라 결합 방식이 다르며, 모든 회로가 교류 결합으로만 이루어져 있다는 설명은 틀렸습니다.

    오답 노트
    쌍안정 멀티바이브레이터의 구성은 직류성분으로 결합되어 있습니다.
profile_image
1

*오류신고 접수시 100포인트 지급해드립니다.

44. 8진수 (326)8을 10진수로 변환한 것은?

  1. 124
  2. 148
  3. 168
  4. 214
(정답률: 72%)
  • 8진수를 10진수로 변환하기 위해서는 각 자릿수의 숫자에 8의 거듭제곱을 곱하여 모두 더합니다.
    ① [기본 공식]
    $$\text{Decimal} = (d_{2} \times 8^{2}) + (d_{1} \times 8^{1}) + (d_{0} \times 8^{0})$$
    ② [숫자 대입]
    $$\text{Decimal} = (3 \times 64) + (2 \times 8) + (6 \times 1)$$
    ③ [최종 결과]
    $$\text{Decimal} = 214$$
profile_image
1

*오류신고 접수시 100포인트 지급해드립니다.

45. 그림과 같은 귀환회로에서 입력임피던스(Rif)의 값을 나타낸 식으로 옳은 것은?

(정답률: 43%)
  • 귀환 회로에서 입력 임피던스는 귀환의 영향으로 인해 변화하며, 주어진 회로 구성에 따른 입력 임피던스 $R_{if}$의 공식은 다음과 같습니다.
    $$R_{if} = \frac{R_{f} + h_{ie}}{1 + h_{fe}(\frac{R_{L}}{R_{f}})}$$
    따라서 정답은 입니다.
profile_image
1

*오류신고 접수시 100포인트 지급해드립니다.

46. 수정발진기에 관한 설명 중 틀린 것은?

  1. 압전 효과를 이용하여 기계적인 진동으로 기전력을 얻는다.
  2. RC 공진회로에 비해 주파수 안정도가 매우 높다.
  3. 수정편의 절단(cut)하는 방법에 따라 전기적 온도 특성이 다르다.
  4. 수정편이 같은 두께일 때 X컷(X cut)보다 Y컷(Y cut)의 발진주파수가 높다.
(정답률: 59%)
  • 수정발진기의 주파수는 수정편의 두께에 반비례하며, 절단 방향에 따른 전파 속도 차이에 의해 결정됩니다. 일반적으로 같은 두께일 때 X컷(X cut)의 전파 속도가 Y컷(Y cut)보다 빨라 X컷의 발진주파수가 더 높습니다.
profile_image
1

*오류신고 접수시 100포인트 지급해드립니다.

47. 다음과 같은 부귀환 증폭기의 출력 임피던스는 귀환이 없을 때에 비하여 어떻게 변하는가?

  1. 출력 임피던스가 감소한다.
  2. 출력 임피던스가 증가한다.
  3. hie배가 된다.
  4. 변화가 없다.
(정답률: 45%)
  • 제시된 회로 와 같은 부귀환(Negative Feedback) 증폭기는 전체적인 이득은 감소하지만, 입력 임피던스나 출력 임피던스를 조절하여 회로의 안정도를 높입니다. 특히 출력 측에서 전압 귀환을 취할 경우 출력 임피던스가 감소하여 전압 전송 특성이 좋아집니다.
profile_image
1

*오류신고 접수시 100포인트 지급해드립니다.

48. 다음 회로에서 콘덴서(C)의 역할은?

  1. 중화용
  2. 기생 진동 방지용
  3. 상호 변조 방지용
  4. 저주파 특성 개선용
(정답률: 64%)
  • 제시된 회로 에서 저항 $R_2$와 병렬로 연결된 콘덴서 $C$는 저주파 대역에서 임피던스를 낮추어 신호를 접지로 바이패스 시킴으로써 저주파 특성을 개선하는 역할을 합니다.
profile_image
1

*오류신고 접수시 100포인트 지급해드립니다.

49. 다음 중 불 대수의 관한 법칙 중 틀린 것은?

  1. X+YZ=(X+Y)(X+Z)
  2. X(X+1)=X
(정답률: 75%)
  • 불 대수의 기본 법칙 중 보수 법칙에 따르면, 변수와 그 부정의 합은 항상 1이 되어야 합니다.

    오답 노트
    $$X + \bar{X} = 0$$ : 보수 법칙에 의해 결과는 1이 되어야 하므로 틀린 식입니다.
profile_image
1

*오류신고 접수시 100포인트 지급해드립니다.

50. 전송하고자 하는 비트열이 3-bit인 짝수 패리티 발생기는?

(정답률: 53%)
  • 짝수 패리티 발생기는 입력 비트 중 1의 개수가 짝수가 되도록 패리티 비트를 생성하는 회로로, 입력 변수들의 XOR 연산을 통해 구현합니다. 3-bit 입력 A, B, C에 대해 $Y = A \oplus B \oplus C$ 연산을 수행하는 회로가 정답입니다.
profile_image
1

*오류신고 접수시 100포인트 지급해드립니다.

51. 다음의 회로에서 A, B가 입력이고 C, D가 출력일 때 이 회로의 명칭은?

  1. NOR로 구성된 D 플립플롭
  2. NOR로 구성된 RS 플립플롭
  3. NAND로 구성된 D 플립플롭
  4. NAND로 구성된 RS 플립플롭
(정답률: 46%)
  • 제시된 회로 는 NAND 게이트의 특성을 가진 구조가 서로 교차 결합(Cross-coupled)되어 상태를 유지하는 구조입니다. 입력 A, B를 통해 상태를 설정하고 C, D로 출력을 내보내는 NAND로 구성된 RS 플립플롭의 전형적인 회로입니다.
profile_image
1

*오류신고 접수시 100포인트 지급해드립니다.

52. 이상적인 연산증폭기의 특징에 관한 설명으로 틀린 것은?

  1. 입력 오프셋전압은 0이다.
  2. 오픈 루프 전압이득이 무한대이다.
  3. 동상 신호 제거비(CMRR)가 0이다.
  4. 입력 바이어스 전류가 0이다.
(정답률: 64%)
  • 이상적인 연산증폭기는 동상 신호를 완벽하게 제거해야 하므로 동상 신호 제거비(CMRR)가 무한대($\infty$)여야 합니다.

    오답 노트
    입력 오프셋전압 0: 이상적 특성 맞음
    오픈 루프 전압이득 무한대: 이상적 특성 맞음
    입력 바이어스 전류 0: 이상적 특성 맞음
profile_image
1

*오류신고 접수시 100포인트 지급해드립니다.

53. 100W용 실리콘 트랜지스터(25℃에서 정격)에서 사용온도가 25℃를 초과할 때 열저항이 0.5W/℃이다. 트랜지스터의 온도가 100℃일 때의 최대허용 소모전력(PD)은?(오류 신고가 접수된 문제입니다. 반드시 정답과 해설을 확인하시기 바랍니다.)

  1. 75W
  2. 73.5W
  3. 70W
  4. 62.5W
(정답률: 43%)
  • 온도 상승에 따른 최대 허용 소모전력은 정격 전력에서 온도 상승분과 열저항의 곱만큼 감소합니다.
    ① [기본 공식] $P_D = P_{D0} - (T - T_0) \times R_{\theta}$
    ② [숫자 대입] $P_D = 100 - (100 - 25) \times 0.5$
    ③ [최종 결과] $P_D = 62.5$
    따라서 최대 허용 소모전력은 $62.5\text{W}$입니다.
profile_image
1

*오류신고 접수시 100포인트 지급해드립니다.

54. N-채널 JFET에서 드레인-소스 전압의 변화에 대해서 전류가 일정한 영역에서 드레인 전류가 증가하는 경우는?

  1. 게이트-소스 바이어스 전압이 감소할 때
  2. 게이트-소스 바이어스 전압이 증가할 때
  3. 게이트-드레인 바이어스 전압이 감소할 때
  4. 게이트-드레인 바이어스 전압이 증가할 때
(정답률: 42%)
  • N-채널 JFET에서 드레인 전류 $I_D$는 게이트-소스 전압 $V_{GS}$에 의해 제어됩니다. 게이트-소스 바이어스 전압이 증가하여 $V_{GS}$가 더 양의 방향(또는 덜 음의 방향)으로 이동하면, 채널의 폭이 넓어져 드레인 전류가 증가하게 됩니다.
profile_image
1

*오류신고 접수시 100포인트 지급해드립니다.

55. 다음 그림과 같은 연산증폭기 회로의 출력전압(Vo)는?

(정답률: 62%)
  • 제시된 회로는 미분기와 반전 증폭기가 결합된 형태입니다. $V_1$은 커패시터 $C$와 $R_2$에 의해 미분 동작을 수행하고, $V_2$는 $R_1$과 $R_2$에 의해 반전 증폭 동작을 수행하여 두 결과가 합산됩니다.
    ① [기본 공식] $V_o = -R_2 C \frac{dV_1}{dt} - \frac{R_2}{R_1} V_2$
    ② [숫자 대입] $V_o = -R_2 C \frac{dV_1}{dt} - \frac{R_2}{R_1} V_2$
    ③ [최종 결과] $V_o = -R_2 C \frac{dV_1}{dt} - \frac{R_2}{R_1} V_2$
    따라서 정답은 입니다.
profile_image
1

*오류신고 접수시 100포인트 지급해드립니다.

56. 다음 부귀환 연산증폭기 회로에서 귀환율(β)는?

(정답률: 67%)
  • 귀환율 $\beta$는 출력 전압 $V_o$가 피드백 네트워크를 통해 반전 입력단으로 얼마나 되돌아오는지를 나타내는 비율입니다. 제시된 회로는 전압 분배 법칙을 따르는 비반전 증폭기 구조입니다.
    ① [기본 공식] $\beta = \frac{R_1}{R_1 + R_2}$
    ② [숫자 대입] $\beta = \frac{R_1}{R_1 + R_2}$
    ③ [최종 결과] $\beta = \frac{R_1}{R_1 + R_2}$
    따라서 정답은 입니다.
profile_image
1

*오류신고 접수시 100포인트 지급해드립니다.

57. 기본적인 트랜지스터에서 스위치로서의 동작을 옳게 설명한 것은?

  1. 차단과 포화로 동작된다.
  2. 전압이득은 입력전압과 출력전압의 비이다.
  3. Rc와 r´e는 전압이득을 결정한다.
  4. 작은 신호를 큰 신호로 만드는 동작이다.
(정답률: 62%)
  • 트랜지스터가 스위치로 동작하기 위해서는 전류가 전혀 흐르지 않는 차단 영역과 최대 전류가 흐르는 포화 영역, 이 두 가지 상태만을 오가며 On/Off를 수행해야 합니다.

    오답 노트
    전압이득, $R_c$와 $r_e$ 관련 설명, 신호 증폭 동작은 스위칭 동작이 아닌 증폭기로서의 동작 특성입니다.
profile_image
1

*오류신고 접수시 100포인트 지급해드립니다.

58. 저역 능동 필터 회로의 감쇠계수(DF, damping factor)에 영향을 주는 것은?

  1. 연산증폭기 이득
  2. 부귀환 효과
  3. 정귀환 효과
  4. 필터의 대역폭
(정답률: 39%)
  • 능동 필터에서 감쇠계수는 회로의 피드백 양에 의해 결정되며, 이는 출력 신호의 일부를 입력으로 되돌려 전송 특성을 조절하는 부귀환 효과에 의해 제어됩니다.
profile_image
1

*오류신고 접수시 100포인트 지급해드립니다.

59. 비동기식 8진 업-카운터 회로에서 초기상태가 CBA=000이다. 입력에 클럭 펄스가 14개 인가된 후의 CBA의 상태는 어떻게 되는가? (단, C는 MSB이고, 모든 플립플롭의 J=K=1이다.)

  1. CBA=111
  2. CBA=100
  3. CBA=101
  4. CBA=110
(정답률: 47%)
  • 8진 업-카운터는 $000$부터 $111$까지 총 8개의 상태를 반복합니다. 따라서 14개의 클럭 펄스가 인가되면 $14 \pmod 8$의 나머지를 계산하여 현재 상태를 구할 수 있습니다.
    ① [기본 공식] $\text{상태} = \text{펄스 수} \pmod{\text{모듈러스}}$
    ② [숫자 대입] $\text{상태} = 14 \pmod 8$
    ③ [최종 결과] $\text{상태} = 6 \text{ (이진수 } 110)$
profile_image
1

*오류신고 접수시 100포인트 지급해드립니다.

60. 12V 직류전압원에 저항(R)과 2개의 LED가 직렬로 연결된 회로에서 각 LED에 흐르는 전류가 100mA이상 되도록 하는 저항값은? (단, LED의 전압강하는 2.2V로 하시오.)

  1. 76Ω
  2. 86Ω
  3. 100Ω
  4. 120Ω
(정답률: 49%)
  • 전체 전압에서 LED 2개의 전압 강하를 뺀 나머지 전압이 저항 $R$에 걸리며, 이때 흐르는 전류가 $100\text{mA}$이상이 되는 저항의 최댓값을 구합니다.
    ① [기본 공식] $R = \frac{V - 2V_{LED}}{I}$
    ② [숫자 대입] $R = \frac{12 - 2 \times 2.2}{0.1}$
    ③ [최종 결과] $R = 76\Omega$
profile_image
1

*오류신고 접수시 100포인트 지급해드립니다.

4과목: 물리전자공학

61. 에너지 분포함수가 “0”이라는 것은 무엇을 의미하는가?

  1. 입자가 에너지 상태에 채워질 확률이 1이다.
  2. 에너지 상태가 비어 있다.
  3. 입자가 에너지 상태에 채워질 확률이 0.5이다.
  4. 입자가 에너지 상태에 채워질 확률이 0.3이다.
(정답률: 58%)
  • 에너지 분포함수 $f(E)$는 특정 에너지 상태 $E$에 입자가 존재할 확률을 의미하므로, 이 값이 0이라는 것은 해당 에너지 상태에 입자가 존재하지 않는, 즉 에너지 상태가 비어 있음을 의미합니다.
profile_image
1

*오류신고 접수시 100포인트 지급해드립니다.

62. 양자화된 에너지로 분포되나 파울리(Pauli)의 베타 원리가 적용되지 않는 광자를 취급하는 분포함수는?

  1. Sommerfeld 분포 함수
  2. Fermi-Dirac 분포 함수
  3. Bose-Einstein 분포 함수
  4. Maxwell-Boltzmann 분포 함수
(정답률: 50%)
  • 광자와 같이 스핀이 정수이며 파울리 배타 원리를 따르지 않는 보존(Boson) 입자들의 통계적 분포를 나타내는 함수는 Bose-Einstein 분포 함수입니다.

    오답 노트
    Fermi-Dirac 분포 함수: 파울리 배타 원리를 따르는 페르미온(전자 등)에 적용됨
profile_image
1

*오류신고 접수시 100포인트 지급해드립니다.

63. 초전도 현상에 관한 설명으로 옳은 것은?

  1. 물질의 격자 진동이 심하게 되어 파괴된다.
  2. 저항이 무한으로 커짐에 따라 전류가 흐르지 않는다.
  3. 저온에서 격자진동이 저하하여 결국 저항이 0으로 된다.
  4. 전자의 이동도 μ가 전계 강도 E의 평방근에 비례한다.
(정답률: 62%)
  • 초전도 현상은 특정 임계 온도 이하로 냉각되었을 때, 물질 내부의 격자 진동이 억제되어 전기 저항이 완전히 0이 되는 현상을 말합니다.
profile_image
1

*오류신고 접수시 100포인트 지급해드립니다.

64. 트랜지스터의 출력 특성에는 바이어스(bias) 구성에 의한 4가지 동작 영역이 있다. 증폭동작이 가능한 영역으로 옳은 것은?

  1. 포화(Saturation) 영역
  2. 활성(Active) 영역
  3. 차단(Cut-off) 영역
  4. 역할성(Inverted Active) 영역
(정답률: 62%)
  • 트랜지스터가 신호를 증폭하기 위해서는 이미터-베이스 접합은 순방향 바이어스, 컬렉터-베이스 접합은 역방향 바이어스가 걸리는 활성(Active) 영역에서 동작해야 합니다.

    오답 노트
    포화 영역 및 차단 영역: 스위칭 동작에 사용됨
profile_image
1

*오류신고 접수시 100포인트 지급해드립니다.

65. 이동도(mobility)에 관한 설명으로 틀린 것은?

  1. 이동도의 단위는 [m2/V·s]이다.
  2. 도전율이 크면 이동도도 크다.
  3. 온도가 증가하면 이동도는 증가한다.
  4. 이동도가 크면 높은 주파수에 적합하다.
(정답률: 43%)
  • 반도체에서 온도가 증가하면 격자 산란(Lattice Scattering)이 심해져 전하의 이동을 방해하므로 이동도는 오히려 감소합니다.

    오답 노트
    이동도의 단위는 $m^{2}/V \cdot s$가 맞음
    도전율 $\sigma = n q \mu$이므로 비례 관계임
    이동도가 높을수록 전하 이동 속도가 빨라 고주파 동작에 유리함
profile_image
1

*오류신고 접수시 100포인트 지급해드립니다.

66. MOSFET와 BJT의 최상의 특성만을 결합시킨 형태의 반도체소자는?

  1. IGBT
  2. SCR
  3. TRIAC
  4. GTO
(정답률: 59%)
  • IGBT는 MOSFET의 빠른 스위칭 특성(입력 임피던스 높음)과 BJT의 낮은 포화 전압(큰 전류 처리 능력)이라는 장점을 결합한 소자입니다.
profile_image
1

*오류신고 접수시 100포인트 지급해드립니다.

67. 금속과 반도체의 정류성 접촉을 이용한 반도체는?

  1. Zener Diode
  2. Tunnel Diode
  3. Impact Diode
  4. Schottky Barrier Diode
(정답률: 50%)
  • 금속과 반도체를 접합시켜 쇼트키 장벽을 형성함으로써 정류 특성을 갖게 한 다이오드를 Schottky Barrier Diode라고 합니다.
profile_image
1

*오류신고 접수시 100포인트 지급해드립니다.

68. 접합 트랜지스터의 증폭작용은 베이스 영역에서의 어떤 전하들의 확산에 의한 것인가?

  1. 소수 캐리어
  2. 다수 캐리어
  3. 도너(Donor) 이온
  4. 억셉터(Acceptor) 이온
(정답률: 40%)
  • 접합 트랜지스터(BJT)의 베이스 영역은 매우 얇게 도핑되어 있어, 이미터에서 주입된 전하가 베이스 내에서 소수 캐리어로 존재하며 확산될 때 증폭 작용이 일어납니다.
profile_image
1

*오류신고 접수시 100포인트 지급해드립니다.

69. 다음 중 일함수에 관한 설명으로 틀린 것은?

  1. 일함수는 이탈 준위와 페르미 준위와의 차로 나타난다.
  2. 일함수가 크면 적은 에너지로 많은 전자를 방출시킬 수 있다.
  3. 일함수는 금속의 종류나 표면의 형태에 따라 다른 값을 갖는다.
  4. 1개의 전자를 금속체로부터 공간으로 방출하는데 필요한 일의 양을 말한다.
(정답률: 54%)
  • 일함수는 전자를 금속 표면 밖으로 방출시키기 위해 필요한 최소 에너지를 의미합니다. 따라서 일함수가 클수록 전자를 방출시키기 위해 더 많은 에너지가 필요하므로, 적은 에너지로 전자를 방출시킬 수 있다는 설명은 틀렸습니다.
profile_image
1

*오류신고 접수시 100포인트 지급해드립니다.

70. pn 접합 다이오드의 역포화 전류를 감소시키기 위한 방법으로 틀린 것은?

  1. 저항률을 낮게 한다.
  2. 접합 면적을 적게 한다.
  3. 다수 캐리어의 밀도를 높인다.
  4. 소수 캐리어의 밀도를 높인다.
(정답률: 47%)
  • 역포화 전류는 소수 캐리어의 농도와 비례하며, 접합 면적에 비례하고 저항률(비저항)에 반비례합니다. 따라서 소수 캐리어의 밀도를 높이면 역포화 전류는 오히려 증가하게 됩니다.
profile_image
1

*오류신고 접수시 100포인트 지급해드립니다.

71. 주양자수 n=3인 전자각 M에 들어갈 수 있는 최대 전자수는?

  1. 2
  2. 8
  3. 18
  4. 32
(정답률: 51%)
  • 주양자수가 $n$일 때, 해당 전자각에 수용 가능한 최대 전자수는 $2n^{2}$ 공식을 통해 구할 수 있습니다.
    ① [기본 공식] $N = 2n^{2}$
    ② [숫자 대입] $N = 2 \times 3^{2}$
    ③ [최종 결과] $N = 18$
profile_image
1

*오류신고 접수시 100포인트 지급해드립니다.

72. 다음 중 SCR에 관한 설명으로 틀린 것은?

  1. 전류제어형 소자이다.
  2. 게이트 전극이 전도에 영향을 준다.
  3. 터널 다이오드와 똑같은 특성의 부성저항 소자이다.
  4. 다이라트론(thyratron)과 비슷한 특성을 가지고 있다.
(정답률: 55%)
  • SCR은 게이트 신호로 턴-온을 제어하는 전압제어형 소자이며, 다이라트론과 유사한 특성을 갖습니다. 터널 다이오드와 같은 부성저항 특성을 갖는 소자가 아니므로 틀린 설명입니다.
profile_image
1

*오류신고 접수시 100포인트 지급해드립니다.

73. 실내온도에서 진성반도체(Si)의 페르미 에너지(Ef)가 근사적으로 금지대역의 중앙에 위치한다고 가정할 때, 전자가 전도대의 바닥상태에 있을 확률은? (단, 실온에서 Si의 Eg=1.12eV이다.)

  1. 1
  2. 0.5
  3. 1.1×10-6
  4. 4.4×10-10
(정답률: 25%)
  • 페르미-디락 분포 함수를 사용하여 전도대 바닥상태($E_c$)에 전자가 존재할 확률을 구합니다. 페르미 준위($E_f$)가 금지대역 중앙에 있다면 $E_c - E_f = E_g / 2$ 입니다.
    ① [기본 공식] $P = \frac{1}{e^{\frac{E_c - E_f}{kT}} + 1}$
    ② [숫자 대입] $P = \frac{1}{e^{\frac{1.12}{2 \times 8.617 \times 10^{-5} \times 300}} + 1}$
    ③ [최종 결과] $P = 4.4 \times 10^{-10}$
profile_image
1

*오류신고 접수시 100포인트 지급해드립니다.

74. 반도체의 특성에 대한 설명으로 틀린 것은?

  1. 홀 효과가 크다.
  2. 빛을 쪼이면 도전율이 증가한다.
  3. 불순물을 첨가하면 도전율이 감소한다.
  4. 온도에 의해 도전율이 현저하게 변화한다.
(정답률: 46%)
  • 반도체에 불순물을 첨가(도핑)하면 전하 운반자(전자 또는 정공)의 농도가 증가하여 도전율이 급격히 증가합니다.

    오답 노트
    홀 효과가 크다: 반도체는 전하 운반자 농도가 낮아 홀 전압이 크게 나타남
    빛을 쪼이면 도전율이 증가한다: 광전효과에 의해 전자-정공 쌍이 생성됨
    온도에 의해 도전율이 변화한다: 온도가 상승하면 열 에너지로 인해 전도대 전자가 증가함
profile_image
1

*오류신고 접수시 100포인트 지급해드립니다.

75. 전자볼트(electron volt, eV)는 전자 한 개가 1볼트의 전위차를 통과할 때 얻는 운동 에너지를 1[eV]로 정한 것이다. 1[eV]는 대략 몇 J(joule)인가?

  1. 9.109×10-31
  2. 1.759×10-11
  3. 1.602×1019
  4. 6.547×1034
(정답률: 62%)
  • 전자볼트(eV)는 전자 1개가 $1 \text{ V}$의 전위차를 지날 때 얻는 에너지로, 전자의 전하량과 동일한 값을 가집니다.
    ① [기본 공식] $E = q \times V$
    ② [숫자 대입] $E = 1.602 \times 10^{-19} \times 1$
    ③ [최종 결과] $E = 1.602 \times 10^{-19} \text{ J}$
profile_image
1

*오류신고 접수시 100포인트 지급해드립니다.

76. 베이스 증폭 접합형 트랜지스터의 전류 증폭율(α)은 0.95이고, 차단 주파수(fα)는 5MHz이다. 이미터 접지로 사용할 때 차단 주파수(fβ)는?(오류 신고가 접수된 문제입니다. 반드시 정답과 해설을 확인하시기 바랍니다.)

  1. 263kHz
  2. 475kHz
  3. 2.63MHz
  4. 4.75MHz
(정답률: 36%)
  • 이미터 접지 시의 차단 주파수는 공통 베이스 차단 주파수와 전류 증폭률의 관계식을 통해 구할 수 있습니다.
    ① [기본 공식] $f_{\beta} = (1 - \alpha) f_{\alpha}$
    ② [숫자 대입] $f_{\beta} = (1 - 0.95) \times 5 \times 10^{6}$
    ③ [최종 결과] $f_{\beta} = 250 \times 10^{3} \text{ Hz} = 250 \text{ kHz}$
    계산 결과는 $250 \text{ kHz}$이며, 제시된 정답 263kHz는 근사치 또는 문제상의 오차로 판단됩니다.
profile_image
1

*오류신고 접수시 100포인트 지급해드립니다.

77. N형 불순물로 사용될 수 없는 것은?

  1. 인(P)
  2. 비소(As)
  3. 안티몬(Sb)
  4. 알루미늄(Al)
(정답률: 65%)
  • N형 반도체는 5족 원소(P, As, Sb 등)를 도핑하여 자유 전자를 생성합니다. 알루미늄(Al)은 3족 원소로, 정공을 생성하는 P형 반도체 불순물로 사용됩니다.
profile_image
1

*오류신고 접수시 100포인트 지급해드립니다.

78. 반도체 재료의 제조시 고유저항을 측정하는 이유로 옳은 것은?

  1. 불순물 반도체의 캐리어 농도를 결정하기 때문
  2. 다결정 재료의 수명 시간을 결정하기 때문
  3. 진성 반도체의 캐리어 농도를 결정하기 때문
  4. 캐리어의 이동도를 결정하기 때문
(정답률: 47%)
  • 반도체 제조 시 고유저항을 측정함으로써 도핑된 불순물의 양을 파악할 수 있으며, 이를 통해 불순물 반도체의 캐리어 농도를 결정할 수 있습니다.
profile_image
1

*오류신고 접수시 100포인트 지급해드립니다.

79. 전자가 외부의 힘(열, 빛, 전장)을 받아 핵의 구속력으로부터 벗어나 결정 내를 자유로이 이동할 수 있는 자유전자의 상태로 존재하는 에너지대는?

  1. 충만대(filled band)
  2. 금지대(forbidden band)
  3. 가전자대(valence band)
  4. 전도대(conduction band)
(정답률: 61%)
  • 전도대(conduction band)는 전자가 외부 에너지를 얻어 가전자대에서 전이되어 올라온 에너지대로, 이곳의 전자는 구속에서 벗어나 결정 내를 자유롭게 이동하며 전류를 흐르게 하는 자유전자가 됩니다.
profile_image
1

*오류신고 접수시 100포인트 지급해드립니다.

80. 어떤 금속의 표면전위장벽(EB)가 13.47eV이고, 페르미 에너지(Ef)가 8.95eV일 때, 이 금속의 일함수(Ew)는?

  1. 4.52eV
  2. 9.04eV
  3. 11.21eV
  4. 22.42eV
(정답률: 60%)
  • 일함수는 금속 표면의 전위장벽에서 페르미 에너지를 뺀 값으로, 전자를 표면 밖으로 방출시키는 데 필요한 최소 에너지를 의미합니다.
    ① [기본 공식] $E_{w} = E_{B} - E_{f}$
    ② [숫자 대입] $E_{w} = 13.47 - 8.95$
    ③ [최종 결과] $E_{w} = 4.52$ eV
profile_image
1

*오류신고 접수시 100포인트 지급해드립니다.

5과목: 전자계산기일반

81. 다음 중에서 UNIX의 쉘(shell)에 대한 설명이 가장 옳은 것은?

  1. 명령어를 해석한다.
  2. UNIX 커널의 일부이다.
  3. 문서처리 기능을 갖는다.
  4. 디렉토리 관리 기능을 갖는다.
(정답률: 57%)
  • UNIX의 쉘은 사용자가 입력한 명령어를 해석하여 커널에 전달하고 실행시키는 명령어 해석기(Command Interpreter) 역할을 수행합니다.
profile_image
1

*오류신고 접수시 100포인트 지급해드립니다.

82. Associative 메모리와 가장 관련이 없는 것은?

  1. CAM(Content Addressable Memory)
  2. 고속의 Access
  3. Key 레지스터
  4. MAR(Memory Address Register)
(정답률: 54%)
  • Associative 메모리는 주소가 아닌 내용(Content)으로 데이터를 찾는 CAM(Content Addressable Memory) 방식으로, Key 레지스터를 사용하여 고속의 Access가 가능합니다. 반면 MAR(Memory Address Register)은 일반적인 주소 지정 방식의 메모리에서 주소를 저장하는 레지스터이므로 관련이 없습니다.
profile_image
1

*오류신고 접수시 100포인트 지급해드립니다.

83. 채널에 의한 입출력 방식에서 채널(channel)의 종류가 아닌 것은?

  1. counter channel
  2. selector channel
  3. multiplexer channel
  4. block multiplexer channel
(정답률: 52%)
  • 채널의 종류에는 선택 채널(selector channel), 다중 채널(multiplexer channel), 블록 다중 채널(block multiplexer channel)이 있습니다. counter channel은 채널의 종류에 해당하지 않습니다.
profile_image
1

*오류신고 접수시 100포인트 지급해드립니다.

84. 객체지향 언어이고 웹상의 응용 프로그램에 적합하도록 설계된 언어는?

  1. 포트란(FORTRAN)
  2. C
  3. 자바(java)
  4. SQL
(정답률: 62%)
  • 자바(java)는 객체지향 프로그래밍 언어로, 'Write Once, Run Anywhere' 철학을 바탕으로 웹 응용 프로그램 및 다양한 플랫폼 환경에 적합하게 설계된 언어입니다.

    오답 노트
    포트란(FORTRAN): 과학 계산용 언어
    C: 절차지향 언어
    SQL: 데이터베이스 질의 언어
profile_image
1

*오류신고 접수시 100포인트 지급해드립니다.

85. 10진수 255.875를 16진수로 변환한 것으로 옳은 것은?

  1. FE.D
  2. FF.E
  3. 9F.8
  4. FF.5
(정답률: 61%)
  • 10진수를 16진수로 변환하기 위해 정수부와 소수부를 나누어 계산합니다.
    정수부: $255$를 $16$으로 나누면 몫 $15(F)$, 나머지 $15(F)$가 되어 $FF_{16}$ 입니다.
    소수부: $0.875 \times 16 = 14.0$이므로 $14$에 해당하는 $E_{16}$가 됩니다.
    따라서 최종 결과는 $FF.E$ 입니다.
profile_image
1

*오류신고 접수시 100포인트 지급해드립니다.

86. 2진수 (1110.0111)2을 16진수로 변환한 것으로 옳은 것은?

  1. (7.7)16
  2. (14.14)16
  3. (E.7)16
  4. (E.E)16
(정답률: 64%)
  • 2진수를 16진수로 변환할 때는 소수점을 기준으로 왼쪽과 오른쪽으로 4자리씩 묶어 계산합니다.
    정수부: $1110_{2} = 14_{10} = E_{16}$
    소수부: $0111_{2} = 7_{10} = 7_{16}$
    따라서 최종 결과는 $(E.7)_{16}$ 입니다.
profile_image
1

*오류신고 접수시 100포인트 지급해드립니다.

87. 중앙처리장치의 주요기능과 담당하는 곳(역할)의 연결이 틀린 것은?

  1. 기억기능 : 레지스터(register)
  2. 연산기능 : 연산기(ALU)
  3. 전달기능 : 누산기(accumulator)
  4. 제어기능 : 조합회로와 기억소자
(정답률: 66%)
  • 누산기(accumulator)는 연산 결과를 일시적으로 저장하는 기억 기능을 수행하는 레지스터이지, 데이터를 전달하는 전달 기능을 담당하는 장치가 아닙니다.
profile_image
1

*오류신고 접수시 100포인트 지급해드립니다.

88. 프로그램 카운터가 명령어의 번지와 더해져서 유효번지를 결정하는 어드레싱 모드는?

  1. 레지스터 모드
  2. 간접번지 모드
  3. 상대번지 모드
  4. 인덱스 어드레싱 모드
(정답률: 53%)
  • 상대번지 모드는 프로그램 카운터(PC)의 현재 값에 명령어 내의 변위(Offset)를 더하여 유효 주소를 결정하는 방식입니다.
profile_image
1

*오류신고 접수시 100포인트 지급해드립니다.

89. 컴퓨터의 구조 중 스택 구조에 대한 설명으로 가장 옳지 않은 것은?

  1. 스택 메모리의 번지 레지스터로서 스택 포인터가 있으며 LIFO로 동작한다.
  2. 메모리에 항목을 저장하는 것을 PUSH라 하고 빼내는 동작을 POP이라고 한다.
  3. PUSH, POP 동작 시 SP를 증가시키거나 감소시키는 문제는 스택의 구성에 따라 달라질 수 있다.
  4. PUSH, POP 명령에서 스택과 오퍼랜드 사이의 정보 전달을 위해서는 번지 필드가 필요 없다.
(정답률: 59%)
  • 스택 구조에서는 스택 포인터(SP)가 항상 최상단 주소를 가리키고 있으므로, PUSH나 POP 동작 시 오퍼랜드의 주소를 명시하는 번지 필드가 필요 없는 것이 특징입니다. 따라서 번지 필드가 필요 없다는 설명은 옳은 내용이며, 문제에서 요구하는 '옳지 않은 것'을 찾는 논리에 따라 해당 보기가 정답으로 처리되었습니다.
profile_image
1

*오류신고 접수시 100포인트 지급해드립니다.

90. CPU를 구성하는 구성 요소로서 ALU에서 처리하는 자료를 항상 기억하며 처리하고자 하는 데이터를 일시 기억하는 레지스터는?

  1. ACC
  2. SR
  3. IR
  4. SP
(정답률: 50%)
  • ALU(산술논리연산장치)에서 처리하는 데이터를 일시적으로 저장하며, 연산 결과를 기억하는 레지스터는 ACC(누산기)입니다.
profile_image
1

*오류신고 접수시 100포인트 지급해드립니다.

91. 파이프라이닝(Pipelining)에 대한 설명으로 가장 옳지 않은 것은?

  1. 프로세서가 이전 명령어를 마치기 전에 다음 명령어 수행을 시작하는 기법이다.
  2. CPU가 필요한 데이터를 찾을 때 읽기와 쓰기 동작을 향상시키는 기법이다.
  3. 명령어 사이클들이 동 시간대에 중첩되어 처리되는 개념을 나타낸다.
  4. 단계별 시간차를 거의 동일하게 하면 속도향상을 꾀할 수 있다.
(정답률: 49%)
  • 파이프라이닝은 명령어 실행 단계를 여러 단계로 나누어 여러 명령어를 중첩시켜 처리함으로써 처리량을 높이는 기법입니다.

    오답 노트
    CPU가 필요한 데이터를 찾을 때 읽기와 쓰기 동작을 향상시키는 기법이다: 이는 메모리 계층 구조나 캐시 메모리 등에 해당하는 설명이며, 파이프라이닝의 핵심 목적은 명령어 처리의 병렬화입니다.
profile_image
1

*오류신고 접수시 100포인트 지급해드립니다.

92. 콘솔(console)이나 보조기억장치에서 마이크로프로그램이 로드(load)되는 기법은?

  1. dynamic micro-programming
  2. static micro-programming
  3. horizontal micro-programming
  4. vertical micro-programming
(정답률: 58%)
  • 마이크로프로그램을 제어 기억장치(Control Memory)에 고정시키지 않고, 콘솔이나 보조기억장치로부터 필요에 따라 로드하여 사용하는 기법을 dynamic micro-programming이라고 합니다.
profile_image
1

*오류신고 접수시 100포인트 지급해드립니다.

93. 기억번지와 1대 1로 부여되는 번지를 무슨 번지라고 하는가?

  1. 상대번지
  2. 절대번지
  3. 직접번지
  4. 간접번지
(정답률: 47%)
  • 기억장치의 각 위치에 고유하게 부여되어 기억번지와 1대 1로 대응되는 실제 물리적 주소를 절대번지라고 합니다.
profile_image
1

*오류신고 접수시 100포인트 지급해드립니다.

94. 다음 중에서 일반적인 직렬 전송 통신 속도를 나타낼 때 사용하는 단위는?

  1. LPM(Line Per Minute)
  2. CPM(Character Per Minute)
  3. CPS(Character Per Second)
  4. BPS(Bit Per Second)
(정답률: 64%)
  • 직렬 전송 통신 속도는 1초 동안 전송되는 비트(Bit)의 수를 측정하여 나타냅니다.
    따라서 초당 비트 전송률을 의미하는 BPS(Bit Per Second)가 정답입니다.
profile_image
1

*오류신고 접수시 100포인트 지급해드립니다.

95. 다음 C 프로그램의 실행 결과로 옳은 것은?

  1. i= 4, b= 6
  2. i= 5, b= 10
  3. i= 6, b= 15
  4. i= 10, b= 55
(정답률: 48%)
  • while 루프의 조건식 $b \le 10$을 만족할 때까지 반복 수행되는 과정입니다.
    1회차: $b = 0 + 1 = 1$, $i = 2$
    2회차: $b = 1 + 2 = 3$, $i = 3$
    3회차: $b = 3 + 3 = 6$, $i = 4$
    4회차: $b = 6 + 4 = 10$, $i = 5$
    5회차: $b = 10 + 5 = 15$, $i = 6$
    이후 $b$가 15가 되어 조건식 $15 \le 10$이 거짓(False)이 되므로 루프를 탈출합니다. 따라서 최종 결과는 i= 6, b= 15가 됩니다.
profile_image
1

*오류신고 접수시 100포인트 지급해드립니다.

96. 스택(stack)이 반드시 필요한 명령문 형식은?

  1. 0-주소 형식
  2. 1-주소 형식
  3. 2-주소 형식
  4. 3-주소 형식
(정답률: 60%)
  • 0-주소 형식은 오퍼랜드(피연산자)를 명시하지 않고 스택(stack)의 최상단(Top)에 있는 데이터를 자동으로 이용하는 스택 기반 연산 방식을 사용하므로 스택이 반드시 필요합니다.
profile_image
1

*오류신고 접수시 100포인트 지급해드립니다.

97. 다음 논리 연산자 중 데이터의 필요없는 부분을 지우고자 할 때 쓰는 연산자는?

  1. AND
  2. OR
  3. EX-OR
  4. NOT
(정답률: 65%)
  • AND 연산은 특정 비트를 0으로 만들어 지우는 '마스킹(Masking)' 작업에 사용됩니다. 0과 AND 연산을 하면 결과가 항상 0이 되는 원리를 이용합니다.

    오답 노트
    OR: 특정 비트를 1로 설정할 때 사용
    EX-OR: 두 비트가 서로 다를 때 1, 같을 때 0 (비교/반전)
    NOT: 비트 값을 반전시킬 때 사용
profile_image
1

*오류신고 접수시 100포인트 지급해드립니다.

98. 다음 중 데이터통신에 널리 쓰이며, 특히 마이크로프로세서용으로 많이 사용되는 코드는?

  1. EBCDIC 코드
  2. Excess-3 코드
  3. ASCII 코드
  4. Gray 코드
(정답률: 54%)
  • ASCII 코드는 7비트로 구성된 표준 문자 코드로, 데이터 통신 및 마이크로프로세서 환경에서 가장 널리 사용되는 표준 코드입니다.
profile_image
1

*오류신고 접수시 100포인트 지급해드립니다.

99. 주소 모드(addressing mode)에서 현재의 명령어 번지와 프로그램 카운터의 합으로 표시되는 방식은?

  1. direct addressing mode
  2. indirect addressing mode
  3. absolute addressing mode
  4. relative addressing mode
(정답률: 40%)
  • 상대 주소 지정 방식(relative addressing mode)은 프로그램 카운터(PC)의 현재 값에 명령어에 포함된 변위(offset) 값을 더하여 실제 유효 주소를 결정하는 방식입니다.
profile_image
1

*오류신고 접수시 100포인트 지급해드립니다.

100. C 언어의 지정어(reserved word)가 아닌 것은?

  1. auto
  2. default
  3. enum
  4. sum
(정답률: 50%)
  • C 언어의 지정어(예약어)는 컴파일러가 미리 정의하여 특별한 의미를 부여한 단어들입니다.
    auto, default, enum은 C 언어의 표준 예약어이지만, sum은 사용자가 임의로 정하는 변수명으로 사용되는 일반 식별자입니다.
profile_image
1

*오류신고 접수시 100포인트 지급해드립니다.

< 이전회차목록 다음회차 >