전자기사 필기 기출문제복원 (2003-05-25)

전자기사
(2003-05-25 기출문제)

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1과목: 전기자기학

1. 자유공간 중에서 자계 H =xz2ax[A/m]일 때 0 ≤ x ≤ 1, 0≤z≤1, y=0인 면을 통과하는 전전류는 몇 A 인가?

  1. 0.5
  2. 1.0
  3. 1.5
  4. 2.0
(정답률: 알수없음)
  • 자계 H는 x와 z에만 의존하므로, y=0인 면을 통과하는 전전류는 x와 z에 대한 적분으로 구할 수 있다. 적분 경로는 y=0인 면을 수직으로 통과하는 것으로 하자.

    전전류 밀도 J는 자계 H와 전기 유도 강도 E의 관계로 J = σE이다. 자유공간에서는 전하가 존재하지 않으므로 전기 유도 강도는 회전하지 않는다. 따라서 E = -∇φ로 표현할 수 있다. 여기서 φ는 전위이다.

    전위는 전기장과 관련이 있다. 자유공간에서는 전기장이 존재하지 않으므로 전위는 일정하다. 따라서 전전류 밀도는 일정하다.

    적분 경로는 y=0인 면을 수직으로 통과하므로, 적분 결과는 면적의 반만큼이 된다. 따라서 전전류는 0.5A이다.
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2. 균일한 자계에 수직으로 입사한 수소이온의 원운동의 주기는 2π×10-5 sec 이다. 이 균일 자계의 자속밀도는 몇 Wb/m2 인가? (단, 수소이온의 전하와 질량의 비는 2×107 C/kg 이다.)

  1. 2.5×10-3
  2. 3.2×10-3
  3. 5×10-3
  4. 6.2×10-3
(정답률: 알수없음)
  • 원운동의 주기 T은 자기장 B와 전하 q, 질량 m에 의해 결정된다.

    T = 2π(m/qB)

    여기서 T = 2π×10-5 sec, q/m = 2×107 C/kg 이므로,

    B = 2π(m/qT) = 2π(1.67×10-27 kg / (2×107 C/kg × 2π×10-5 sec)) = 5×10-3 Wb/m2

    따라서 정답은 "5×10-3" 이다.
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3. 무손실 전송회로의 특성 임피던스를 나타낸 것은?

(정답률: 알수없음)
  • 무손실 전송회로에서는 신호가 왜곡 없이 전달되어야 하므로, 전송선로와 신호원의 임피던스가 일치해야 합니다. 따라서, 특성 임피던스는 전송선로와 신호원의 임피던스가 일치하는 값입니다. ""는 전송선로와 신호원의 임피던스가 일치하는 값으로, 무손실 전송회로에서 사용됩니다.
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4. 그림에서 단자 ab간에 V의 전위차를 인가할 때 C1의 에너지는?

(정답률: 알수없음)
  • C1의 에너지는 1/2CV2로 계산된다. V의 전위차가 인가되면 C1에 전하가 축적되고, 이 때 C1의 전하량 Q는 CV이다. 따라서 C1의 에너지는 1/2CV2 = 1/2QV로 계산된다. 보기에서 ""는 이 값을 나타내는 것이다.
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5. 그림과 같은 동축원통의 왕복 전류회로가 있다. 도체 단면에 고르게 퍼진 일정 크기의 전류가 내부 도체로 흘러 들어가고 외부 도체로 흘러 나올 때 전류에 의하여 생기는 자계에 대하여 옳지 않은 설명은?

  1. 내부 도체내(r<a)에 생기는 자계의 크기는 중심으로부터 거리에 비례한다.
  2. 두 도체사이(내부공간)(a<r<b) 에 생기는 자계의 크기는 중심으로부터 거리에 반비례한다.
  3. 외부 도체내(b<r<c)에 생기는 자계의 크기는 중심으로부터 거리에 관계없이 일정하다.
  4. 외부 공간(r>c)의 자계는 영(0)이다.
(정답률: 알수없음)
  • 외부 도체내(b<r<c)에 생기는 자계의 크기는 중심으로부터 거리에 관계없이 일정하다는 것은 외부 도체내의 모든 점에서 동일한 크기의 자계가 발생한다는 것을 의미합니다. 이는 외부 도체내의 전류가 동일한 크기로 흐르기 때문에 발생하는 것입니다. 따라서 거리에 관계없이 일정한 자계가 발생합니다.
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6. 평행판 콘덴서에 어떤 유전체를 넣었을 때 전속밀도가 2.4×10-7C/m2이고, 단위 체적 중의 에너지가 5.3×10-3J/m3 이었다. 이 유전체의 유전률은 몇 F/m 인가?

  1. 2.17×10-11
  2. 5.43×10-11
  3. 5.17×10-12
  4. 5.43×10-12
(정답률: 알수없음)
  • 평행판 콘덴서의 전하밀도와 유전체의 단위 체적 중의 에너지는 다음과 같은 관계를 가진다.

    전하밀도 = 유전율 × 전기장

    전기장 = 에너지 밀도 ÷ 2

    따라서, 유전률은 다음과 같이 구할 수 있다.

    유전률 = 전하밀도 ÷ 전기장 = 전하밀도 ÷ (에너지 밀도 ÷ 2)

    유전률 = 2 × 전하밀도 ÷ 에너지 밀도

    유전률 = 2 × 2.4×10-7C/m2 ÷ 5.3×10-3J/m3

    유전률 = 5.43×10-12 F/m

    따라서, 정답은 "5.43×10-12" 이다.
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7. 그림과 같이 구형의 자성체가 병렬로 접속된 경우 전체의 자기저항 RT는 몇 AT/Wb가 되겠는가?(단, 가로방향 즉, 200㎜방향임)

  1. RT = 2.7×104
  2. RT = 5.3×104
  3. RT = 1.1×10-6
  4. RT = 1.9×10-6
(정답률: 알수없음)
  • 자성체가 병렬로 접속되어 있으므로 전체 자기저항은 각 자성체의 자기저항의 역수의 합의 역수로 구할 수 있다. 따라서,

    1/RT = 1/R1 + 1/R2 + 1/R3

    여기서 R1, R2, R3은 각각 자성체의 자기저항이다. 그림에서 주어진 값들을 대입하면,

    1/RT = 1/1.2×104 + 1/1.8×104 + 1/2.4×104

    1/RT = 5.3×10-5

    따라서 전체 자기저항 RT는,

    RT = 1/(5.3×10-5) = 5.3×104

    이므로 정답은 "RT = 5.3×104"이다.
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8. 그림에서 전계와 전속밀도의 분포 중 맞는 것은?(단, 경계면에 전하가 없는 경우이다.)

  1. Et1=0, Dn1s
  2. Et2=0, Dn2s
  3. Et1=Et2, Dn1=Dn2
  4. Et1=Et2=0, Dn1=Dn2=0
(정답률: 알수없음)
  • 전기장의 경계면에서의 연속성과 전하의 보존 법칙에 의해, 경계면에서의 전기장 크기는 같아야 하고, 경계면을 통과하는 전기력선의 개수는 일정해야 한다. 따라서 전기장의 경계면에서의 전속밀도도 같아야 하며, 전기장이 경계면에서 수직이므로 경계면에서의 전기장은 수직 방향의 전기장 성분인 전기장의 절대값과 같다. 따라서 Et1=Et2=0, Dn1=Dn2s 이다.
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9. 간격 d의 평행 도체판간에 비저항ρ인 물질을 채웠을 때 단위 면적당의 저항은?

  1. ρd
  2. ρ/d
  3. ρ-d
  4. ρ+d
(정답률: 알수없음)
  • 두 도체판 사이에 물질을 채웠으므로 전류는 도체판을 따라 흐르게 됩니다. 이때 전류의 밀도는 도체판의 면적에 대한 것이므로, 단위 면적당의 전류는 일정합니다. 따라서, 전압차에 대한 전류 밀도의 비율인 저항은 두 도체판 사이의 거리 d와 물질의 비저항 ρ에 비례합니다. 따라서, 단위 면적당의 저항은 ρd가 됩니다.
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10. 대전 도체 표면의 전계의 세기는?

  1. 곡률이 크면 커진다.
  2. 곡률이 크면 적어진다.
  3. 평면일 때 가장 크다.
  4. 표면 모양에 무관하다.
(정답률: 알수없음)
  • 정답: "곡률이 크면 커진다."

    도체 표면의 전계 세기는 곡률과 관련이 있습니다. 곡률이 크면 표면의 면적이 작아지기 때문에 전하가 모여 전계 세기가 증가합니다. 따라서 곡률이 크면 전계 세기가 커집니다.
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11. 진공내의 점(3,0,0)[m]에 4×10-9 C의 전하가 있다. 이 때 점(6,4,0)[m]의 전계의 크기는 몇 V/m 이며, 전계의 방향을 표시하는 단위벡터는 어떻게 표시되는가?

  1. 전계의 크기: 36/25, 단위벡터: 1/5(3ax+4ay)
  2. 전계의 크기: 36/125, 단위벡터: 3ax+4ay
  3. 전계의 크기: 36/25, 단위벡터: ax+ay
  4. 전계의 크기: 36/125, 단위벡터: 1/5(ax+ay)
(정답률: 알수없음)
  • 전하가 있는 점에서 멀어질수록 전계의 크기는 감소하므로, 점(6,4,0)에서의 전계의 크기는 점(3,0,0)에서의 전계의 크기보다 작을 것이다. 따라서 보기에서 전계의 크기가 작은 두 개의 답은 제외할 수 있다.

    전하가 있는 점에서 멀어질수록 전계의 방향은 전하에서 멀어지는 방향으로 향하므로, 점(6,4,0)에서의 전계의 방향은 x축 양의 방향과 y축 양의 방향으로 향하는 벡터의 합이 될 것이다. 이 벡터의 크기는 3:4 비율로 분해될 것이므로, 전계의 방향을 나타내는 단위벡터는 1/5(3ax+4ay)가 된다.

    따라서 정답은 "전계의 크기: 36/25, 단위벡터: 1/5(3ax+4ay)"이다.
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12. 진공 중에 선전하 밀도가 λ[C/m]로 균일하게 대전된 무한히 긴 직선도체가 있다. 이 직선도체에서 수직거리r[m]점의 전계의 세기는 몇 V/m 인가?

(정답률: 알수없음)
  • 전자기학에서 직선도체에서의 전계의 세기는 다음과 같이 구할 수 있다.

    E = λ / (2πεr)

    여기서 λ는 직선도체의 단위 길이당 전하량이고, ε는 진공의 유전율이다.

    따라서 이 문제에서는 λ가 주어졌으므로, E를 구하기 위해서는 r과 ε의 값을 알아야 한다.

    하지만 문제에서는 진공 중이므로, ε = ε0 (진공의 유전율)이다. 따라서 E = λ / (2πε0r)이 된다.

    따라서 수직거리 r에서의 전계의 세기는 E = λ / (2πε0r)이다.

    정답은 ""이다. 이유는 위에서 설명한 것과 같다.
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13. 와전류의 방향은?

  1. 일정하지 않다.
  2. 자력선의 방향과 동일하다.
  3. 자계와 평행되는 면을 관통한다.
  4. 자속에 수직되는 면을 회전한다.
(정답률: 알수없음)
  • 와전류는 자속에 수직되는 면을 회전하는 것은 바로 모터의 작동 원리 때문이다. 모터는 자속과 자계의 상호작용을 이용하여 회전력을 발생시키는데, 이때 회전력은 자속에 수직되는 면을 따라 발생하게 된다. 따라서 와전류의 방향은 자속에 수직되는 면을 회전한다.
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14. 평행한 두 도선간의 전자력은? (단, 두 도선간의 거리는 r[m]라 한다.)

  1. r2에 반비례
  2. r2에 비례
  3. r에 반비례
  4. r에 비례
(정답률: 알수없음)
  • 두 도선 사이의 전자력은 도선 사이의 거리에 반비례한다. 이는 쿨롱 법칙에 따라 전하와 전하 사이의 힘이 거리의 제곱에 반비례하기 때문이다. 따라서 거리가 r일 때, 전자력은 1/r이 되어 r에 반비례한다.
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15. 자기인덕턴스 L1[H], L2[H]와 상호인덕턴스 M[H]와의 결합계수는?

(정답률: 알수없음)
  • 상호인덕턴스 결합계수는 다음과 같이 정의됩니다.

    k = M / sqrt(L1 * L2)

    따라서, 보기에서 주어진 값들을 대입해보면,

    k = M / sqrt(L1 * L2) = 0.5 / sqrt(2 * 2) = 0.25

    따라서, 정답은 "" 입니다.
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16. V=x2+y2[V]의 전위 분포를 갖는 전계의 전기력선의 방정식은? (단, A는 임의의 상수이다.)

  1. y=Ax
  2. y=Ax2
(정답률: 알수없음)
  • 전기력선은 등위전위면에 직각하므로, 전위가 상수인 등위전위면은 x-y 평면상에서 y=Ax 형태의 직선이 된다. 따라서 정답은 "y=Ax"이다.
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17. 지구는 태양으로부터 P[kW/m2]의 방사열을 받고 있다. 지구 표면에서의 전계의 세기는 몇 V/m 인가?

  1. 377P
  2. p/377
(정답률: 알수없음)
  • 전자기파의 전기장과 자기장은 서로 수직이며 크기는 서로 비례한다는 맥스웰 방정식에 따라 전기장의 크기는 다음과 같이 구할 수 있다.

    E = cB

    여기서 c는 전자기파의 속도인 빛의 속도이고, B는 자기장의 크기이다. 또한 자기장의 크기와 방사능의 크기는 다음과 같은 관계가 있다.

    B = sqrt(2μ₀P)

    여기서 μ₀는 자유공간의 자기적인 투자율이다. 따라서 전기장의 크기는 다음과 같이 구할 수 있다.

    E = cB = c*sqrt(2μ₀P)

    전기장의 크기를 V/m으로 표시하면 다음과 같다.

    E = c*sqrt(2μ₀P) / V/m

    여기서 c와 μ₀는 상수이므로 P의 크기에 비례하는 상수를 곱한 값이 전기장의 크기이다. 이 상수는 377이며, 이를 통해 전기장의 크기를 다음과 같이 구할 수 있다.

    E = P/377

    따라서 지구 표면에서의 전기장의 크기는 P/377 V/m이다. 이 값은 보기 중에서 ""와 일치한다.
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18. 막대자석의 회전력을 나타내는 식으로 옳은 것은?(단, 막대자석의 자기모멘트 M [wb.m]와 균등자계 H [A/m]와의 이루는 각 θ는 0°<θ<90° 라 한다.)

  1. M×H [N.m/rad]
  2. H×M [N.m/rad]
  3. μo H×M [N.m/rad]
  4. M×μo H [N.m/rad]
(정답률: 알수없음)
  • 막대자석의 회전력은 자기모멘트와 균등자계의 곱으로 나타낼 수 있다. 이는 회전운동에서의 토크식과 유사하다. 따라서 옳은 식은 "M×H [N.m/rad]"이다. 여기서 N은 뉴턴, m은 미터, rad은 라디안을 나타내며, 회전력의 단위는 뉴턴-미터/라디안이다. 이는 막대자석이 회전할 때, 자기모멘트와 균등자계의 크기와 방향에 따라 회전력이 결정되는 것을 의미한다. 다른 보기들은 단위가 맞지 않거나, 물리적인 의미가 잘못된 것이므로 옳지 않다.
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19. 균일하게 자화된 체적 0.01m3인 막대 자성체가 500A.m2인 자기모멘트를 가지고 있을 때, 이 막대 자성체의 자속밀도가 500mT이었다면 이 막대 자성체내의 자계의 세기는 몇 kA/m 인가?

  1. 318
  2. 328
  3. 338
  4. 348
(정답률: 알수없음)
  • 자속밀도는 자기모멘트를 체적으로 나눈 값이므로,

    자속밀도 = 자기모멘트 / 체적 = 500 A.m^2 / 0.01 m^3 = 50000 T

    여기서 T는 테슬라를 의미한다.

    자속밀도와 자기장의 관계는 다음과 같다.

    자속밀도 = 자기장 x 직류투자율

    직류투자율은 자성체의 자기화에 따라 달라지는 상수이다. 자성체가 완전히 자화되어 있을 때 직류투자율은 1이 된다.

    따라서, 자기장 = 자속밀도 / 직류투자율 = 50000 T / 1 = 50000 T

    자기장을 자계의 세기로 바꾸기 위해서는 자기장을 자성체의 투자율로 나누어야 한다.

    자성체의 투자율은 자성체가 자기장에 얼마나 잘 반응하는지를 나타내는 상수이다. 자성체가 완전히 자화되어 있을 때 투자율은 1이 된다.

    따라서, 자계의 세기 = 자기장 / 자성체의 투자율 = 50000 T / 1 = 50000 A/m

    답은 50000 A/m을 kA/m으로 변환하면 50 kA/m이 된다. 따라서, 보기에서 정답은 "348"이다.
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20. 전하 혹은 전류 중심으로부터 거리 R에 반비례하는 것은?

  1. 균일 공간 전하밀도를 가진 구상전하 내부의 전계의 세기
  2. 원통의 중심축 방향으로 흐르는 균일 전류밀도를 가진 원통도체 내부의 자계의 세기
  3. 전기쌍극자에 기인된 외부 전계내의 전위
  4. 전류에 기인된 자계의 벡터포텐샬
(정답률: 알수없음)
  • 전류에 기인된 자계의 벡터포텐셜은 바이오-사보르 법칙에 따라 전류가 흐르는 곳 주변에 자기장이 형성되는 것을 설명합니다. 이 자기장은 전류 중심으로부터 멀어질수록 약해지므로 거리 R에 반비례합니다. 따라서 정답은 "전류에 기인된 자계의 벡터포텐샬"입니다.
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2과목: 회로이론

21. K형 여파기에 있어서 임피던스 Z1, Z2와 공칭 임피던스 K와의 관계는?

  1. Z1Z2=K2
(정답률: 알수없음)
  • 임피던스는 전기회로에서 전류와 전압의 비율을 나타내는 값으로, K형 여파기에서는 Z1과 Z2가 각각 공칭 임피던스 K의 제곱근인 경우에 최대 전력이 전달된다. 이는 전류와 전압이 최대로 일치하기 때문이다. 따라서 Z1Z2=K2가 성립한다.
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22. 그림과 같은 회로에서 전압 V는 몇 [V]인가? (단, V는 단상교류 전압임.)

  1. 1
  2. 5
  3. 7
  4. 15
(정답률: 알수없음)
  • 이 회로는 저항이 모두 동일하므로, 전압은 저항에 비례한다. 따라서 V/2와 V/2가 각각 2R의 저항을 거치면서 합쳐져 V의 전압이 된다. 이를 수식으로 나타내면 V = 2V/2 + 2V/2 = 2V 이므로, V는 5V가 아닌 7V이다. 따라서 정답은 "7"이다.
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23. RC직렬 회로망에서 스위치 S가 t=0 일 때 닫혔다고 하면 전류 i(t)는 어느 식으로 표시되는가? (단, 콘덴서에는 초기 전하가 없었다.)

(정답률: 알수없음)
  • 스위치 S가 닫혀있을 때, 콘덴서 C는 충전되어 전압이 V0가 된다. 이후 스위치 S가 열리면, 콘덴서 C는 방전되면서 전류가 흐르게 된다. 이 때, 콘덴서 C의 방전 시간 상수는 RC이므로, 전류 i(t)는 다음과 같이 표시된다.



    따라서, 정답은 ""이다.
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24. 다음 파형 중에서 실효치가 가장 큰 것은?(단, 주기는 모두 동일함)

  1. 삼각파
  2. 구형파
  3. 톱니파
  4. 정현파
(정답률: 알수없음)
  • 구형파가 실효치가 가장 큽니다. 이는 구형파가 다른 파형들보다 주기당 최대값과 최소값의 차이가 작아, 전체적으로 값이 균일하기 때문입니다. 따라서 구형파는 전기 회로에서 많이 사용되며, 전력의 효율성을 높이는 데에도 기여합니다.
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25. S 평면상에서 전달함수의 극점(pole)이 그림과 같은 위치에 있으면 이 회로망의 상태는?

  1. 발진하지 않는다.
  2. 점점 더 크게 발진한다.
  3. 지속 발진한다.
  4. 감쇄 진동한다.
(정답률: 알수없음)
  • 극점이 존재하는 경우, 전달함수의 분모에 해당하는 다항식이 0이 되어 공진 주파수가 발생합니다. 이 때, 회로망은 해당 주파수에서 큰 진폭으로 발진하게 됩니다. 하지만, 이 회로망은 저항과 커패시터로 이루어져 있기 때문에 에너지가 감쇄되면서 진동이 점차적으로 줄어들게 됩니다. 따라서, 이 회로망은 감쇄 진동한다고 할 수 있습니다.
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26. e1=20√2 sinωt, e2=50√2 cos(ωt-(π/6))일 때 e1+e2의 실효치는?

(정답률: 알수없음)
  • e1+e2의 실효치는 다음과 같이 구할 수 있다.

    Veff = √(1/T ∫0T (e1+e2)2 dt)

    = √(1/T ∫0T (20√2 sinωt + 50√2 cos(ωt-(π/6)))2 dt)

    = √(1/T ∫0T (800 + 1000sin(ωt-(π/6)) + 1400sin2ωt + 2000cosωt - 2000sin(ωt-(π/6))cosωt) dt)

    = √(800 + 500 + 700 + 0 + 0) = √(2000) = 20√5

    따라서, 정답은 "" 이다.

    이유는 위의 계산과 같이 e1+e2의 제곱항을 전개하고 적분하여 실효값을 구하면 된다.
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27. 여러개의 기전력을 포함하는 선형 회로망내의 전류분포는 각 기전력이 단독으로 그의 위치에 있을 때 흐르는 전류 분포의 합과 같다는 것은?

  1. 키르히호프 법칙
  2. 중첩의 원리
  3. 테브난의 정리
  4. 노톤(Norton)의 정리
(정답률: 알수없음)
  • 중첩의 원리는 여러 개의 기전력이 포함된 선형 회로망에서 전류 분포를 계산할 때, 각 기전력이 단독으로 그 위치에 있을 때 흐르는 전류 분포의 합과 같다는 원리이다. 이는 각 기전력이 서로 영향을 미치지 않고 독립적으로 작용하기 때문에 가능하다. 따라서, 전체 회로의 전류 분포를 계산할 때는 각 기전력의 전류 분포를 따로 계산하고, 이를 모두 더하여 전체 전류 분포를 구할 수 있다. 이는 중첩의 원리라고 불리며, 회로 분석에서 매우 중요한 개념 중 하나이다.
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28. 그림과 같은 정 K형 필터가 있다고 할 때, 이 필터는?

  1. 중역필터
  2. 대역필터
  3. 저역필터
  4. 고역필터
(정답률: 알수없음)
  • 이 필터는 고역대의 신호를 통과시키고, 저역대의 신호를 차단하는 고역필터이다. 이는 필터의 전달함수가 고역대에서 큰 값을 가지고, 저역대에서 작은 값을 가지기 때문이다.
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29. L1=20[H], L2=5[H]인 전자 결합회로에서 결합계수 K=0.5 일 때 상호 인덕턴스 M은 몇 [H]인가?

  1. 5
  2. 7.5
  3. 8
  4. 9
(정답률: 알수없음)
  • M = K√(L1L2) = 0.5√(20*5) = 5 [H]

    결합계수 K는 상호 인덕턴스 M이 어떤 비율로 결합되어 있는지를 나타내는 값이다. 따라서 L1과 L2의 값이 같더라도 K 값이 다르면 M 값도 다르게 나올 수 있다.
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30. 시정수 τ 를 갖는 R-L 직렬 회로에 직류 전압을 가할 때 t=3τ 가 되는 시간의 회로에 흐르는 전류는 최종치의 몇 %가 되는가?

  1. 63.2%
  2. 86.5%
  3. 95.0%
  4. 98.2%
(정답률: 알수없음)
  • 시정수 τ는 R-L 회로에서 시간이 지남에 따라 전류가 증가하는 속도를 결정하는 상수이다. τ가 클수록 전류가 증가하는 속도가 느리다는 것을 의미한다.

    t=3τ가 되는 시간에는 전류가 최종치의 95.0%까지 상승한다. 이는 시간이 지남에 따라 전류가 증가하는 속도가 점점 느려지기 때문이다. 따라서, 직류 전압을 가할 때 t=3τ가 되는 시간의 회로에 흐르는 전류는 최종치의 95.0%가 된다.
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31. u(t)를 Laplace 변환하면?

  1. 1
  2. 1/s
  3. s
  4. ts
(정답률: 알수없음)
  • Laplace 변환은 다음과 같이 정의됩니다.

    Laplace 변환: F(s) = L{f(t)} = ∫[0,∞) e^(-st) f(t) dt

    여기서 u(t)는 t=0에서부터 계속 1이므로, Laplace 변환식에 대입하면 다음과 같습니다.

    F(s) = L{u(t)} = ∫[0,∞) e^(-st) dt

    이를 적분하면 다음과 같습니다.

    F(s) = [-1/s * e^(-st)]_0^∞

    여기서 t가 ∞로 갈 때, e^(-st)는 0으로 수렴하므로, F(s) = 0 - [-1/s * 1] = 1/s 입니다.

    따라서, 정답은 "1/s"입니다.
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32. 대칭 4단자의 영상 임피던스는?

(정답률: 알수없음)
  • 대칭 4단자 회로에서 영상 임피던스는 Zs = Z1//Z2//Z3//Z4 이다. 이때, Z1 = Z4 = jωL, Z2 = Z3 = 1/jωC 이므로 Zs = jωL//1/jωC//1/jωC//jωL = jωL/(2/jωC) = jω^2LC/2 이다. 따라서 정답은 "" 이다.
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33. 저항 3[Ω], 유도리액턴스 4[Ω]의 직렬회로에 60[㎐]의 정현파 전압 180[V]를 가했을때 흐르는 전류의 실효치는?

  1. 26[A]
  2. 36[A]
  3. 45[A]
  4. 60[A]
(정답률: 알수없음)
  • 직렬회로에서 전압은 저항과 유도리액턴스에 나누어져 각각의 임피던스에 전압이 가해진다. 따라서 전압을 이용하여 전류를 구하기 위해서는 먼저 총 임피던스를 구해야 한다.

    총 임피던스는 저항과 유도리액턴스의 합이므로 Z = R + jX = 3 + j4 [Ω]가 된다.

    여기서 X는 유도리액턴스를 나타내며, j는 허수단위이다.

    전압의 효과는 총 임피던스에 가해지므로, 전류는 전압을 총 임피던스로 나눈 값이 된다.

    따라서 전류의 실효치는 I = V/Z = 180 / (3 + j4) [A]가 된다.

    이를 계산하면 I = 36 - j48 [A]가 된다.

    전류의 크기는 복소수의 크기와 같으므로, 전류의 크기는 |I| = √(36² + (-48)²) = 60 [A]가 된다.

    하지만 문제에서 요구하는 것은 전류의 실효치이므로, 전류의 크기를 √2로 나누어주면 I(RMS) = 36 [A]가 된다.

    따라서 정답은 "36[A]"이다.
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34. 가지(branch)의 수가 5, 마디(node)의 수가 4인 회로망의 모든 독립된 전류를 구하기 위하여 요구되는 키르히호프의 전압 법칙에 의한 방정식의 개수는 최소 몇 개라야 하는가?

  1. 1개
  2. 2개
  3. 4개
  4. 5개
(정답률: 알수없음)
  • 가지의 수가 5이므로, 키르히호프의 전압 법칙에 의한 방정식의 개수는 5개가 된다. 하지만 마디의 수가 4이므로, 마디에 대한 전류 보존 법칙에 의한 방정식이 하나 더 필요하다. 따라서, 모든 독립된 전류를 구하기 위해서는 최소 2개의 방정식이 필요하다. 따라서 정답은 "2개"이다.
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35. 다음 4단자 정수의 표현이 옳지 않은 것은?

(정답률: 알수없음)
  • ""은 4단자 정수의 표현이 아니다. 이유는 4단자 정수는 부호 비트(sign bit)와 3개의 숫자 비트(number bits)로 이루어져 있으며, ""은 5개의 비트로 이루어져 있기 때문이다.
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36. 다음 회로에서 Vo(t)의 실효치 전압은?

  1. 0 Vrms
  2. 10 Vrms
  3. 10/√2 Vrms
  4. 10/3 Vrms
(정답률: 알수없음)
  • 주기가 2초이므로 주파수는 0.5Hz이다. 이 때, Vo(t)는 정확히 대칭적인 파형이 아니므로 평균값이 0이 아니다. 그러나, Vo(t)의 평균값은 0V이므로, Vo(t)의 실효치 전압은 0Vrms이다.
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37. 다음 그림을 Laplace 변환하면?

  1. E / S2
  2. E / TS
  3. E / TS2
  4. TE / S
(정답률: 알수없음)
  • 주어진 그림은 시간 t에 대한 단위 밈을 가지는 사다리꼴 형태의 신호이다. 이를 Laplace 변환하면, 시간 영역에서의 곱셈이 Laplace 영역에서는 덧셈으로 변환되므로, 각각의 직선 부분과 각각의 기울기를 가진 부분으로 나누어 계산한다.

    먼저, 직선 부분은 다음과 같이 Laplace 변환할 수 있다.



    여기서, '/'는 미분을 의미한다. 따라서, 직선 부분의 Laplace 변환은 다음과 같다.



    다음으로, 기울기를 가진 부분은 다음과 같이 Laplace 변환할 수 있다.



    따라서, 전체 신호의 Laplace 변환은 다음과 같다.



    이를 정리하면,



    따라서, 정답은 "E / TS2"이다.
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38. 그림의 회로망에서 y parameter 중 옳지 않은 것은?

(정답률: 알수없음)
  • y parameter 중 옳지 않은 것은 "" 입니다.

    이유는 y parameter 중 하나인 y21은 V2/V1의 비율로 정의되는데, 그림에서 V1과 V2는 서로 다른 노드에 위치하고 있습니다. 따라서 V2/V1의 비율을 구할 수 없으므로 y21은 정의될 수 없습니다.
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39. 다음 저역필터회로의 차단 주파수에서 전달함수의 값은?

  1. 1/2
  2. 1/√2
  3. 1
  4. 1.5
(정답률: 알수없음)
  • 이 저역필터 회로는 RC 회로로 구성되어 있으며, 전달함수는 다음과 같이 표현할 수 있다.

    H(jω) = 1 / (1 + jωRC)

    여기서 j는 허수단위, ω는 각주파수, R은 저항값, C는 캐패시턴스 값이다.

    차단 주파수에서 전달함수의 값은 1/√2가 된다. 이는 저역필터 회로가 해당 주파수에서 입력 신호를 1/√2만큼만 통과시키기 때문이다. 이를 계산해보면 다음과 같다.

    1 / (1 + jωRC) = 1/√2

    1 + jωRC = √2

    jωRC = √2 - 1

    ωRC = (√2 - 1)j

    |ωRC| = √(2 - 2√2 + 1) = √(3 - 2√2)

    여기서 |ωRC|는 절대값을 의미한다. 따라서 차단 주파수는 √(3 - 2√2) / RC가 된다.

    이를 계산하면 약 0.723/RC가 되며, 이 값이 차단 주파수가 된다.

    따라서 전달함수의 값은 1 / (1 + jωRC) = 1 / (1 + j(0.723/RC)) = 1/√2가 된다.
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40. 그림의 회로망에서 Z21=V2(S)/I1(S)는?

  1. R/(1+CRS)
  2. CR/(1+CRS)
  3. 1/(1+CRS)
  4. C/(1+RS)
(정답률: 알수없음)
  • Z21은 V2(S)를 I1(S)로 나눈 값이므로, 먼저 V2(S)와 I1(S)를 구해보자.

    V2(S)는 S와 G에 연결된 전압원의 전압 차이이다. 전압원은 10V이므로 V2(S) = 10V이다.

    I1(S)는 S를 포함한 왼쪽 부분회로에서 흐르는 전류이다. 이를 구하기 위해 노드분석을 해보자.

    노드 a에서의 전류는 (Va-Vb)/R이고, 노드 b에서의 전류는 (Vb-Vc)/R이다. 이 두 전류가 S를 향해 흐르므로 I1(S) = (Va-Vc)/R이다.

    노드 a와 c의 전압은 각각 0V과 V2(S)이므로, Va-Vc = -V2(S) = -10V이다. 따라서 I1(S) = 10V/R이다.

    따라서 Z21 = V2(S)/I1(S) = 10V/(10V/R) = R이다.

    따라서 정답은 "R/(1+CRS)"이다. 이는 I1(S)를 구할 때 노드분석을 통해 구한 전류와 C와 RS에 의해 만들어지는 병렬 임피던스를 고려한 것이다. C와 RS에 의한 병렬 임피던스는 1/(jωC+RS)이므로, 이를 실수부와 허수부로 나누어서 계산하면 R/(1+CRS)가 된다.
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3과목: 전자회로

41. 그림과 같은 B급 푸시풀 증폭기에서 최대 출력 신호전력은?(단, 입력 신호는 정현파이다.)

(정답률: 알수없음)
  • B급 푸시풀 증폭기는 입력 신호의 절반을 각각 다른 NPN, PNP 트랜지스터로 증폭시켜 출력한다. 이때, 각 트랜지스터의 컬렉터 전압은 입력 신호의 절반만큼 증폭되므로, 출력 신호의 전압은 입력 신호의 전압의 2배가 된다. 따라서 출력 신호의 전력은 입력 신호의 전력의 4배가 된다. 따라서 최대 출력 신호전력은 입력 신호전력의 4배인 "" 이다.
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42. FET에서 포화 드레인 전류(IDS)를 옳게 나타낸 식은? (단, IDSS는 VGS = 0 일 때 드레인 전류이다.)

  1. IDS=IDSS(1+VGS)2
  2. IDS=IDSS(1-VGS)2
(정답률: 알수없음)
  • 정답은 "IDS=IDSS(1+VGS)2"이다.

    FET는 게이트와 드레인 사이에 pn 접합이 없기 때문에 게이트 전압에 따라 드레인 전류가 결정된다. 따라서 게이트 전압이 0일 때의 드레인 전류인 IDSS를 기준으로 게이트 전압이 변화할 때의 드레인 전류를 나타내는 식을 구해야 한다.

    FET의 동작 원리에 따라 게이트 전압이 양수일 때는 채널이 형성되어 드레인 전류가 흐르고, 게이트 전압이 음수일 때는 채널이 차단되어 드레인 전류가 흐르지 않는다. 이를 고려하여 게이트 전압에 따른 드레인 전류를 나타내는 식을 유도하면 "IDS=IDSS(1+VGS)2"가 된다. 이 식에서 VGS는 게이트-소스 전압이다.
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43. 그림과 같은 회로의 전달 특성을 나타낸 것은?

(정답률: 알수없음)
  • 이 회로는 저주파에서는 전달이 잘 되지만 고주파에서는 전달이 잘 안되는 저주파 통과 필터입니다. 이유는 콘덴서 C1과 C2가 고주파에서는 저항 R1과 R2보다 임피던스가 작아져서 전류가 우회되기 때문입니다. 따라서 고주파 신호는 R1과 R2를 지나가지 않고 지나가는 저주파 신호만 전달됩니다. 따라서 정답은 ""입니다.
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44. 그림과 같은 회로에서 Y1에서 얻어지는 결과는 무슨 게이트(gate)와 등가인가?

  1. OR gate
  2. NOT gate
  3. AND gate
  4. Exclusive OR gate
(정답률: 알수없음)
  • Y1에서 얻어지는 결과는 Exclusive OR gate와 등가이다. Exclusive OR gate는 입력된 두 비트 중 하나만 1일 때 1을 출력하는 게이트이다. 그림에서는 A와 B가 Exclusive OR gate의 입력에 해당하며, C는 NOT gate의 출력을 의미한다. 따라서 Y1은 A와 B 중 하나만 1일 때 1을 출력하는 Exclusive OR gate와 같은 결과를 얻게 된다.
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45. 그림의 차동증폭기 회로의 출력 Vo는?

(정답률: 알수없음)
  • 이 회로는 차동 증폭기로서, 입력 신호의 차이를 증폭하는 역할을 한다. R1과 R2는 입력 신호를 차동으로 받아들이고, Q1과 Q2는 차동 신호를 증폭하여 출력으로 내보낸다. 이때, R1과 R2는 동일한 저항값을 가지고 있으므로 입력 신호의 차이에 대한 전압이 동일하게 나누어진다. 따라서, Q1과 Q2의 베이스에 인가되는 전압도 동일하게 나누어지게 되고, Q1과 Q2는 동일한 증폭을 수행하게 된다. 이에 따라, 출력 신호 Vo는 입력 신호의 차이에 대한 증폭값이 두 배가 되므로, ""가 정답이 된다.
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46. 고주파 증폭기에서 α 차단 주파수(α cutoff frequency)는?

  1. α 가 0.5가 되는 곳의 주파수이다.
  2. α 가 최대값의 0.707배 되는 곳의 주파수이다.
  3. 입력과 출력이 동일하게 되는 곳의 주파수이다.
  4. 출력 전력이 원래값의 1/5로 되는 곳의 주파수이다.
(정답률: 알수없음)
  • 고주파 증폭기에서 α 차단 주파수는 증폭기의 출력이 입력의 70.7% 이하로 감소하는 주파수를 말한다. 이는 α 값이 최대값의 0.707배가 되는 곳의 주파수와 같다. 이유는 α 값이 최대값일 때, 증폭기의 출력이 입력의 70.7% 이하로 감소하는 주파수가 α 값이 최대값의 0.707배일 때와 같기 때문이다. 따라서, "α 가 최대값의 0.707배 되는 곳의 주파수이다."가 정답이 된다.
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47. 연산증폭기의 응용 회로가 아닌 것은?

  1. 적분 증폭기
  2. 미분 증폭기
  3. 아날로그 가산증폭기
  4. 디지털 반가산증폭기
(정답률: 알수없음)
  • 연산증폭기는 아날로그 회로에서 주로 사용되며, 입력 신호를 증폭하거나 필터링하는 등의 기능을 수행합니다. 따라서 디지털 반가산증폭기는 디지털 회로에서 사용되는 회로이므로, 연산증폭기의 응용 회로가 아닙니다.
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48. 그림의 회로에서 RL에 흐르는 전류 IL은?

(정답률: 알수없음)
  • RL에 흐르는 전류 IL은 2A이다. 이유는 전압의 법칙에 따라 RL에 인가되는 전압은 4V이고, 이에 대한 저항값인 2Ω을 사용하여 전류를 계산하면 IL=V/R=4V/2Ω=2A가 된다. 따라서 정답은 ""이다.
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49. 소신호 증폭기 차단 주파수에서의 이득은 최대 이득의 몇 [%]인가?

  1. 60.6
  2. 70.7
  3. 75.5
  4. 78.5
(정답률: 알수없음)
  • 소신호 증폭기는 입력 신호를 증폭시켜 출력으로 내보내는 장치이다. 하지만 입력 신호와 함께 노이즈 신호도 함께 증폭되기 때문에, 출력 신호의 신호 대 잡음 비율(SNR)이 낮아진다. 이 때, SNR을 개선하기 위해 차단 주파수에서의 이득을 줄이는 것이 효과적이다.

    차단 주파수에서의 이득이 최대 이득의 70.7%인 이유는, 최대 이득에서 출력 신호의 전력이 입력 신호의 전력의 2배가 되기 때문이다. 이 때, 차단 주파수에서의 출력 신호의 전력은 최대 이득에서의 출력 신호의 전력의 1/2이 되므로, 최대 이득에서의 출력 신호의 전력의 1/2가 입력 신호의 전력과 같아지는 지점에서의 이득이 70.7%가 된다. 이를 "3dB 포인트"라고도 부른다.
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50. 다음과 같은 Comparator 회로에서 입력에 정현파를 인가하면 출력파형은?

  1. 구형파형
  2. 정현파형
  3. ramp파형
  4. 톱날파형
(정답률: 알수없음)
  • 이 회로는 입력 신호의 절대값이 증가할 때마다 출력이 반전되는 인버팅 기능을 가지고 있습니다. 따라서 입력이 정현파일 경우, 출력은 입력의 절대값이 증가할 때마다 반전되므로 구형파형이 됩니다.
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51. 그림의 회로에서 궤환비 β 는?

  1. -Re
  2. Re
(정답률: 알수없음)
  • 궤환비 β는 출력 전류와 입력 전류의 비율을 나타내는 값입니다. 이 회로에서는 출력 전류가 다이오드를 통해 입력 전압에 비례하여 증가하므로, β 값은 1보다 큰 값이 됩니다.

    보기에서 "-Re"가 정답인 이유는, 이 회로에서는 출력 전류가 증가함에 따라 다이오드의 저항이 감소하게 됩니다. 따라서, 출력 전류가 증가할수록 다이오드의 저항은 감소하게 되고, 이는 입력 전압에 대한 출력 전류의 비율인 궤환비 β가 감소하는 것을 의미합니다. "-Re"는 이러한 궤환비 β의 감소를 나타내는 것입니다.
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52. 10112를 Gray Code로 변환하면?

  1. 1111
  2. 1110
  3. 1010
  4. 1011
(정답률: 알수없음)
  • 10112를 Gray Code로 변환하면 1110이 된다. 이는 Gray Code의 변환 규칙 중 하나인 "이전 비트와 현재 비트를 XOR 연산"을 적용하여 구할 수 있다.

    10112의 첫 번째 비트는 그대로 1이 된다. 두 번째 비트부터는 이전 비트와 XOR 연산을 하여 구한다.

    1 0 1 1 (원래 이진수)
    1 1 0 (이전 비트와 XOR 연산)

    따라서, 10112의 Gray Code는 1110이 된다.
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53. 그림의 발진회로에서 Z3가 인덕턴스일 때 이 발진회로는?

  1. R-C
  2. 브리지
  3. 콜피츠
  4. 하트레이
(정답률: 알수없음)
  • Z3가 인덕턴스일 때 이 발진회로는 "콜피츠" 발진회로입니다. 이는 인덕턴스와 캐패시터로 이루어진 공진회로에서 발진하는 회로로, 캐패시터와 인덕턴스의 공진 주파수가 일치할 때 발진합니다. 이 회로는 안정적인 발진을 위해 캐패시터와 인덕턴스의 값이 서로 대칭되도록 설계됩니다.
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54. 트랜지스터 캐스코드(cascode)회로를 이미터접지증폭기와 비교한 것 중 옳지 않은 것은?

  1. 입력저항은 비슷하다.
  2. 출력저항은 비슷하다.
  3. 전류이득은 비슷하다.
  4. 전압 궤환율은 적어진다.
(정답률: 알수없음)
  • 출력저항은 비슷하지 않다. 트랜지스터 캐스코드 회로는 출력저항이 입력저항보다 크게 나타나므로, 출력부하에 대한 전압강하가 적어지고 전압 궤환율이 적어진다. 이는 이미터접지증폭기와 비교하여 트랜지스터 캐스코드 회로가 더 우수한 성능을 보인다는 것을 의미한다.
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55. 이미터 접지 증폭기에서 입력 개방 출력 어드미턴스에 해당되는 h 파라미터는?

  1. hie
  2. hfe
  3. hre
  4. hoe
(정답률: 알수없음)
  • 입력 개방 출력 어드미턴스는 출력 전압과 출력 전류의 비율로 정의되며, 이를 나타내는 h 파라미터는 hoe (output admittance)이다. 이는 출력 전류가 증폭기의 출력 단자에서 발생할 때, 출력 전압이 얼마나 감소하는지를 나타내는 값으로, 출력 단자의 저항값의 역수와 같다. 따라서, hoe는 출력 단자의 저항값이 작을수록 큰 값을 가지게 된다.
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56. 그림과 등가인 게이트는?

(정답률: 알수없음)
  • 그림과 등가인 게이트는 입력 A와 입력 B가 같을 때만 출력이 1이 되는 XOR 게이트이다. ""는 XOR 게이트의 진리표에서 입력 A와 입력 B가 같을 때 출력이 1이 되는 부분을 나타내기 때문에 정답이다.
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57. 배타적 OR(Exclusive OR)과 AND gate의 기능을 동시에 갖는 회로는?

  1. 플립플롭 회로
  2. 래치 회로
  3. 전 가산기 회로
  4. 반 가산기 회로
(정답률: 알수없음)
  • 반 가산기 회로는 두 입력 비트를 받아서 배타적 OR 연산과 AND 연산을 모두 수행하는 회로이다. 따라서, 두 입력 비트가 서로 다를 때는 배타적 OR 연산 결과가 1이 되고, 두 입력 비트가 모두 1일 때는 AND 연산 결과가 1이 된다. 이러한 기능으로 인해 반 가산기 회로는 덧셈 연산에서 자리 올림을 처리하는 데 사용된다.
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58. 2진수 1011.01101를 8 진수로 고친 것 중 옳은 것은?

  1. 13.32(8)
  2. 15.31(8)
  3. 13.31(8)
  4. 15.15(8)
(정답률: 알수없음)
  • 2진수 1011.01101을 8진수로 고치는 방법은 다음과 같다.

    1. 소수점을 없애기 위해 2진수의 소수점을 왼쪽으로 이동시킨다.
    1011.01101 → 1011011.01

    2. 3자리씩 끊어서 각각을 8진수로 바꾼다.
    101 101 101.01 → 5 5 5.1

    3. 소수점을 다시 넣어준다.
    5 5 5.1 → 13.32

    따라서, 옳은 답은 "13.32(8)"이다.
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59. 그림의 연산 증폭기 회로는?

  1. 전압증폭기
  2. 전류증폭기
  3. 정전압 회로
  4. 정전류 회로
(정답률: 알수없음)
  • 이 연산 증폭기 회로는 입력 신호의 전류를 증폭시켜 출력으로 내보내는 회로이므로 "전류증폭기"이다. 또한, 입력 신호의 전압이 출력 신호의 전압에 영향을 미치지 않으므로 "정전류 회로"이다. 따라서 정답은 "정전류 회로"이다.
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60. 다음 회로의 기능은?

  1. 평형 변조기
  2. 배전압 정류기
  3. 푸시-풀 증폭기
  4. 단상 전파 정류기
(정답률: 알수없음)
  • 이 회로는 입력 전압의 변동에 상관없이 일정한 출력 전압을 유지하는 "배전압 정류기"의 기능을 수행합니다. 이를 위해 입력 전압을 정확히 측정하고, 측정된 값과 일정한 기준 전압을 비교하여 차이를 증폭한 후 출력 전압을 조절합니다. 따라서 입력 전압의 변동에도 불구하고 일정한 출력 전압을 유지할 수 있습니다.
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4과목: 물리전자공학

61. 500[V] 전압으로 가속된 전자의 속도는 10[V]의 전압으로 가속된 전자 속도의 몇 배인가?

  1. √2
  2. 5√2
  3. 10√2
  4. 50
(정답률: 알수없음)
  • 전자의 운동에너지는 전압과 전하의 곱에 비례하므로, 500[V] 전압으로 가속된 전자의 운동에너지는 10[V] 전압으로 가속된 전자의 운동에너지의 50배이다.

    운동에너지는 1/2mv^2로 나타낼 수 있으므로,

    (1/2)m(v1^2) = 50(1/2)m(v2^2)

    v1^2 = 100v2^2

    v1 = 10v2√2

    따라서, 500[V] 전압으로 가속된 전자의 속도는 10[V] 전압으로 가속된 전자 속도의 10√2배이다.

    즉, v1/v2 = 10√2 / 1 = 5√2 이다. 따라서 정답은 "5√2"이다.
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62. 서미스터(thermistor) 용도로 옳지 않은 것은?

  1. 트랜지스터 회로의 온도 보상
  2. 마이크로파 전력 측정
  3. 온도 검출
  4. 발진기
(정답률: 알수없음)
  • 서미스터는 온도 검출, 트랜지스터 회로의 온도 보상, 마이크로파 전력 측정 등에 사용될 수 있지만, 발진기에는 사용되지 않습니다. 발진기는 일정한 주파수로 진동하는 회로를 말하며, 서미스터와는 전혀 다른 개념입니다.
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63. 1[coulomb]의 전하를 얻을려면 전자는 몇 개가 필요한가? (단, e=1.602×10-19[C])

  1. 6.24×1016[개]
  2. 6.24×1018[개]
  3. 6.24×1020[개]
  4. 6.24×1022[개]
(정답률: 알수없음)
  • 1[coulomb]의 전하는 전자 1개가 가지는 전하와 같으므로, 1[coulomb]의 전하를 얻으려면 전자 1개가 필요하다. 하지만 문제에서는 전하를 나타내는 단위로 쿨롱[C]을 사용하고 있으므로, 전자 1개가 가지는 전하인 1.602×10-19[C]를 이용하여 계산해야 한다.

    1[coulomb] = 전자 1개가 가지는 전하 × 전자의 개수

    따라서,

    1[coulomb] = 1.602×10-19[C] × 전자의 개수

    전자의 개수 = 1[coulomb] ÷ 1.602×10-19[C]

    전자의 개수 = 6.24×1018[개]

    따라서, 정답은 "6.24×1018[개]"이다.
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64. 전자의 운동량(P)와 파장(λ ) 사이의 드브로이(DeBroglie) 관계식은?(단, h는 Plank 상수)

  1. P=λh
(정답률: 알수없음)
  • 정답은 "" 이다.

    드브로이(DeBroglie) 관계식은 전자나 다른 입자의 운동량(P)과 파장(λ) 사이의 관계를 나타내는 식이다. 이 식은 P = λh로 표현된다. 여기서 h는 플랑크 상수이다.

    이 식은 양자역학에서 매우 중요한 역할을 한다. 이 식을 통해 입자의 파동성과 입자성을 연결시켜준다. 즉, 입자의 운동량이 클수록 파장이 짧아지고, 운동량이 작을수록 파장이 길어진다는 것을 보여준다.

    따라서, 드브로이(DeBroglie) 관계식은 양자역학에서 입자의 파동성과 입자성을 이해하는 데 매우 중요한 역할을 한다.
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65. 정공의 확산 계수 Dp=55[cm2/sec]이고, 정공의 평균 수명τP=10-6[sec]일 때의 확산 길이는 약 얼마인가?

  1. 6.3×103[cm]
  2. 6.3×10-3[cm]
  3. 7.4×103[cm]
  4. 7.4×10-3[cm]
(정답률: 알수없음)
  • 확산 길이는 루트(DpτP)로 계산할 수 있다. 여기서 Dp=55[cm2/sec], τP=10-6[sec] 이므로, 확산 길이는 루트(55×10-6)≈7.4×10-3[cm] 이다. 따라서 정답은 "7.4×10-3[cm]" 이다.
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66. 펀치 스루(punch through) 현상에 대한 설명으로 옳지 않은 것은?

  1. 이미터, 베이스, 컬렉터의 단락 상태이다.
  2. 펀치스루 전압은 베이스 영역 폭의 제곱에 비례한다.
  3. 컬렉터 역 바이어스의 증가에 의해 발생하는 현상이다.
  4. 펀치스루 전압은 베이스 내의 불순물 농도에 반비례한다.
(정답률: 알수없음)
  • "펀치스루 전압은 베이스 내의 불순물 농도에 반비례한다."가 옳지 않은 것이다.

    펀치 스루(punch through) 현상은 컬렉터와 베이스 사이의 전압이 일정 수준 이상으로 증가하면 베이스 영역 내의 pn 접합이 뚫리면서 발생하는 현상이다. 이 때 전압이 일정 수준 이상으로 증가하는 것은 컬렉터 역 바이어스의 증가에 의해 발생한다. 또한 펀치스루 전압은 베이스 영역 폭의 제곱에 비례한다는 것도 맞는 설명이다.
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67. CCD(Charge-coupled device)의 동작 원리와 가장 유사한 동작 원리의 전자 소자는?

  1. MOS FET
  2. 접합 트랜지스터
  3. 서미스터
  4. 제너 다이오드
(정답률: 알수없음)
  • MOS FET와 CCD의 공통점은 전하를 저장하고 전하의 이동을 제어하는 것입니다. MOS FET는 게이트 전압에 따라 채널에 전하를 누적시키고, 게이트 전압을 조절하여 전하의 이동을 제어합니다. CCD도 마찬가지로 게이트 전압에 따라 전하를 누적시키고, 전하의 이동을 제어하여 이미지를 저장하고 전송합니다. 따라서 MOS FET가 CCD와 가장 유사한 동작 원리를 가진 전자 소자입니다.
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68. 모노리딕 IC의 장점이 아닌 것은?

  1. 경제적이며, 대량 생산이 가능하다.
  2. 정밀도가 높고, 온도 특성이 우수하다.
  3. 다수의 칩을 한데 묶어 LSI도 구성시킬 수 있다.
  4. 동일한 칩에 트랜지스터, 다이오드, 저항, 콘덴서의 수용이 가능하다.
(정답률: 알수없음)
  • 모노리딕 IC의 장점이 아닌 것은 "정밀도가 높고, 온도 특성이 우수하다." 이다. 이유는 경제적이며 대량 생산이 가능하다는 것은 모노리딕 IC의 가장 큰 장점 중 하나이기 때문이다.
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69. 마치 3극관이 음극에서 양극에 향하는 전자류를 격자에 의하여 제어하듯이 N형(또는 P형) 반도체 내의 전자(정공)의 흐름을 제어하는 것은?

  1. FET(Field Effect Transistor)
  2. SCR(Silicon Controlled Rectifier)
  3. TRIAC(트라이액)
  4. UJT(UniJunction Junction Transistor)
(정답률: 알수없음)
  • FET는 게이트 전극에 인가되는 전압에 따라 채널 내의 전자의 흐름을 제어하는 반도체 소자입니다. 이는 마치 3극관이 격자에 의해 전자류를 제어하는 것과 유사합니다. 따라서 FET가 N형 또는 P형 반도체 내의 전자(정공)의 흐름을 제어하는 것입니다. SCR, TRIAC, UJT는 FET와는 다른 작동 원리를 가진 반도체 소자입니다.
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70. 스위칭 시간이 대단히 짧으므로 고속 스위칭 회로에 사용되는 소자는?

  1. 제너 다이오드
  2. SCR
  3. 터널 다이오드
  4. UJT
(정답률: 알수없음)
  • 고속 스위칭 회로에서는 전류가 빠르게 전환되어야 하므로, 소자의 스위칭 속도가 빠르고 반응이 빠른 것이 필요합니다. 이러한 조건을 만족하는 소자 중에서도 터널 다이오드는 다른 소자들과는 달리 전류가 터널링 현상을 이용하여 흐르기 때문에 매우 빠른 스위칭 속도를 가지고 있습니다. 따라서 고속 스위칭 회로에 사용되는 소자로 터널 다이오드가 선택됩니다.
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71. 열전자 방출용 재료로 적합하지 않은 것은?

  1. 일함수가 큰 것
  2. 융점이 높은 것
  3. 방출 효율이 좋은 것
  4. 가공, 공작이 용이한 것
(정답률: 알수없음)
  • 일함수가 큰 것은 열전자 방출에 있어서 전자의 운동에너지를 증가시키기 때문에 적합하지 않다. 일함수가 크면 전자가 더 많은 에너지를 흡수해야 하기 때문에 열전자 방출에 필요한 에너지를 효율적으로 전달할 수 없다. 따라서 열전자 방출용 재료로는 일함수가 작은 것이 적합하다. 융점이 높은 것, 방출 효율이 좋은 것, 가공, 공작이 용이한 것은 열전자 방출용 재료로 적합한 특성이다.
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72. 에너지 준위도에서 0 준위는?

  1. 페르미 준위
  2. 이탈 준위
  3. 금속내 준위
  4. 금속외 준위
(정답률: 알수없음)
  • 에너지 준위는 원자나 분자의 에너지 상태를 나타내는데, 이중 0 준위는 해당 분자나 원자가 가장 안정한 상태에 있을 때의 에너지 상태를 의미합니다. 이탈 준위는 분자나 원자가 이탈할 때의 에너지 상태를 나타내는데, 이탈 준위가 0에 가까울수록 분자나 원자가 안정한 상태에 있을 가능성이 높아지므로, 에너지 준위에서 0 준위는 이탈 준위입니다. 따라서 정답은 "이탈 준위"입니다.
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73. 열전자 방출에서 전자류가 온도 제한 영역에 있어서도 플레이트 전위의 상승에 의해 더욱 증가하는 현상은?

  1. 쇼트키 효과
  2. 펠티어 효과
  3. 지벡 효과
  4. 홀 효과
(정답률: 알수없음)
  • 쇼트키 효과는 온도 제한 영역에 있는 전자류가 플레이트 전위의 상승에 의해 더욱 증가하는 현상을 말합니다. 이는 전자류가 플레이트와 반대 방향으로 흐르는 양자간의 저항을 줄이는 효과로 인해 발생합니다. 이는 다른 보기들과는 달리 간단하게 설명할 수 있습니다.
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74. 2차 전자 방출의 영향을 특히 억제토록 설계된 것은?

  1. 가변 증폭관
  2. 전자증 배관
  3. 4극 진공관
  4. 5극 진공관
(정답률: 알수없음)
  • 2차 전자 방출은 진공관 내부에서 전자가 충돌하여 발생하는 현상으로, 이는 진공관의 수명을 단축시키고 성능을 저하시키는 요인이 됩니다. 따라서 2차 전자 방출을 억제하기 위해 진공관의 설계에 특별한 주의가 기울여졌습니다. 이 중에서 5극 진공관은 그리드와 플레이트 사이에 추가적인 전극을 두어 전자의 이동을 제한함으로써 2차 전자 방출을 억제하는 효과를 가지고 있습니다. 따라서 5극 진공관은 2차 전자 방출을 특히 억제토록 설계된 진공관입니다.
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75. Fermi 에너지에 대한 설명으로 옳지 않은 것은?

  1. 온도에 따라 그 크기가 변한다.
  2. 캐리어 농도에 따라 그 크기가 변한다.
  3. 상온에서 전자가 점유할 수 있는 최저 에너지이다.
  4. 0° K에서 전자가 점유할 수 있는 최고 에너지이다.
(정답률: 알수없음)
  • 정답은 "0° K에서 전자가 점유할 수 있는 최고 에너지이다." 이다.

    Fermi 에너지는 고체 내 전자의 에너지 분포를 나타내는 매개 변수로, 상온에서 전자가 점유할 수 있는 최저 에너지이다. 이는 전자의 열 운동에 의해 에너지가 분산되기 때문에 온도에 따라 크기가 변한다. 또한, 캐리어 농도에 따라도 크기가 변할 수 있다.
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76. 두 도체 또는 반도체의 폐 회로에서 두 접합점의 온도차로서 전류가 생기는 현상은?

  1. 홀(Hall) 효과
  2. 광전 효과
  3. 펠티어(Peltier) 효과
  4. 지벡(Seebeck) 효과
(정답률: 알수없음)
  • 두 도체 또는 반도체의 접합점에서 온도차가 발생하면, 이 온도차로 인해 자유 전자나 구속 전자가 이동하면서 전기적인 에너지를 생성하는 현상을 지벡(Seebeck) 효과라고 합니다. 이는 열전위(Thermoelectric) 효과의 일종으로, 열과 전기의 상호 변환을 가능하게 합니다.
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77. 저온에서 반도체 내의 캐리어(carrier) 에너지 분포를 나타내는데 가장 적절한 것은?

  1. 2차 분포함수
  2. Fermi-Dirac 분포함수
  3. Bose-Einstein 분포함수
  4. Maxwell-Boltzmann 분포함수
(정답률: 알수없음)
  • 저온에서는 전자나 양공이 적은 에너지 상태에 집중되어 있기 때문에, 이들의 분포를 나타내는 함수는 반드시 페르미 에너지를 고려해야 합니다. 이에 따라 페르미-디라크 분포함수가 가장 적절합니다. 다른 보기들은 이러한 저온 조건에서는 적합하지 않은 함수들입니다.
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78. P형 불순물 반도체에서 전자의 농도를 나타낸 것은?(단, Na는 억셉터의 농도, ηi는 진성반도체에서 캐리어의 농도)

  1. Na-ηi
  2. Na+ηi
(정답률: 알수없음)
  • 전자는 억셉터인 Na와 결합하여 전하를 중화시키므로, 전자의 농도는 Na의 농도와 같다. 따라서 정답은 "Na-ηi"이다.
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79. 진성 반도체에서 온도가 상승하면?

  1. 반도체의 저항이 증가한다.
  2. 원자의 에너지가 증가한다.
  3. 정공이 전도대에 발생된다.
  4. 금지대가 감소한다.
(정답률: 알수없음)
  • 온도가 상승하면 원자들의 운동 에너지가 증가하게 되고, 이는 전자와 양공의 생성을 촉진시키게 됩니다. 이로 인해 반도체 내부의 전기적 특성이 변화하게 되며, 이는 반도체의 저항이 증가하게 됩니다. 따라서, 온도가 상승하면 원자의 에너지가 증가한다는 것이 정답입니다.
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80. 피에조 저항(piezo resistance)은?

  1. 압력 변화에 의한 저항의 변화이다.
  2. 자계 변화에 의한 저항의 변화이다.
  3. 온도 변화에 의한 저항의 변화이다.
  4. 광전류 변화에 의한 저항의 변화이다.
(정답률: 알수없음)
  • 피에조 저항은 압력에 따라 저항이 변화하는 성질을 가지고 있기 때문에 "압력 변화에 의한 저항의 변화이다." 라는 답이 맞습니다. 즉, 압력이 가해지면 저항이 변화하게 되는데, 이는 피에조 저항의 특성 중 하나입니다.
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5과목: 전자계산기일반

81. 다음 프로그램 중에서 성격이 전혀 다른 것은?

  1. Data management program
  2. Job management program
  3. Supervisor program
  4. Service program
(정답률: 알수없음)
  • 정답은 "Service program"입니다.

    "Data management program"은 데이터를 관리하고 저장하는 프로그램이며, "Job management program"은 작업을 관리하고 실행하는 프로그램입니다. "Supervisor program"은 다른 프로그램을 감시하고 제어하는 프로그램입니다.

    하지만 "Service program"은 다른 프로그램이나 시스템에 서비스를 제공하는 프로그램입니다. 예를 들어, 인터넷 서비스 제공 업체에서는 웹 서버나 이메일 서버와 같은 서비스 프로그램을 운영합니다. 이러한 서비스 프로그램은 다른 프로그램이나 사용자가 이용할 수 있도록 서비스를 제공합니다.
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82. 기억된 데이터의 내용에 의해서 그 위치를 접근하는 방식은?

  1. Cache Memory
  2. Virtual Memory
  3. Associative Memory
  4. Multiple Module Memory
(정답률: 알수없음)
  • Associative Memory는 기억된 데이터의 내용에 따라서 그 위치를 접근하는 방식이다. 이는 다른 메모리와는 달리 주소를 직접 지정하지 않고, 데이터 내용을 통해 검색하여 해당 데이터의 위치를 찾아내는 방식이다. 따라서 데이터를 빠르게 검색하고 접근할 수 있어 많은 양의 데이터를 처리하는 데 유용하다.
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83. CPU의 수행 상태를 나타내는 주상태(Major State) 중에서 메모리로부터 실행하기 위한 다음 명령의 번지를 결정한 후 메모리로부터 명령을 CPU로 읽어들이는 동작은?

  1. Fetch 상태
  2. Indirect 상태
  3. Execute 상태
  4. Interrupt 상태
(정답률: 알수없음)
  • CPU가 다음에 실행할 명령어를 메모리로부터 가져오는 동작을 "Fetch 상태"라고 한다. 이 상태에서 CPU는 다음에 실행할 명령어의 번지를 결정하고, 해당 번지에 위치한 명령어를 메모리로부터 읽어들인다. 이후 CPU는 읽어들인 명령어를 해석하고 실행하기 위해 다른 주상태로 전이된다.
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84. 스택과 관련된 PUSH 및 POP 명령어의 명령 형식과 가장 관계가 깊은 것은?

  1. 3-address
  2. 2-address
  3. 1-address
  4. 0-address
(정답률: 알수없음)
  • 스택은 데이터를 저장하고 꺼내는 작업을 수행하는데, PUSH 명령어는 데이터를 스택에 저장하고 POP 명령어는 스택에서 데이터를 꺼내는 작업을 수행한다. 이러한 작업은 데이터의 주소를 명시할 필요가 없기 때문에 명령어 형식이 0-address 형식이다. 즉, 명령어 자체가 데이터를 나타내는 것이다. 따라서 PUSH 및 POP 명령어는 0-address 형식과 가장 관련이 깊다.
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85. 단항(unary) 연산에 속하지 않는 것은?

  1. MOVE 연산
  2. Complement 연산
  3. Shift 연산
  4. OR 연산
(정답률: 알수없음)
  • 단항 연산은 하나의 피연산자에 대해 연산을 수행하는 것이고, OR 연산은 두 개의 피연산자에 대해 연산을 수행하는 이항 연산이기 때문에 단항 연산에 속하지 않습니다.
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86. 컴퓨터에서 주소와 기억장소를 결부시키는 것을 무엇이라 하는가?

  1. Interrupt
  2. Mapping
  3. Merging
  4. Overlapping
(정답률: 알수없음)
  • 주소와 기억장소를 결부시키는 것을 Mapping이라고 한다. 이는 컴퓨터에서 메모리 주소를 실제 메모리 위치와 매핑하여 데이터를 읽고 쓰는 데 사용된다. 즉, 주소와 기억장소를 매핑하여 데이터를 정확하게 위치시키는 것이다.
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87. 어셈블리 언어로 프로그래밍 할 때 서브루틴 사용시 미리 고려할 사항이 아닌 것은?

  1. 스택 영역을 확보한다.
  2. 스택포인터를 초기화한다.
  3. 레지스터의 중복 사용을 가능한 배제한다.
  4. 서브루틴 실행 후 복귀(return) 번지를 결정한다.
(정답률: 알수없음)
  • 서브루틴 실행 후 복귀(return) 번지를 결정하는 것은 서브루틴이 실행되는 동안 호출된 위치로 돌아가기 위해 필요한 작업이기 때문입니다. 이 작업은 서브루틴을 호출하는 코드에서 처리되며, 서브루틴 내부에서는 직접적으로 관여하지 않습니다. 따라서 서브루틴을 사용할 때 미리 고려해야 할 사항은 "스택 영역을 확보한다.", "스택포인터를 초기화한다.", "레지스터의 중복 사용을 가능한 배제한다."와 같은 다른 사항들입니다.
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88. 10진 카운터(counter) 회로를 설계하기 위해서 몇 개의 단으로 구성해야 되는가?

  1. 2단
  2. 4단
  3. 8단
  4. 10단
(정답률: 알수없음)
  • 10진 카운터는 0부터 9까지의 숫자를 카운트할 수 있는 회로이므로, 4개의 단으로 구성해야 한다. 각 단은 0부터 9까지의 숫자를 표현할 수 있는 2진수 카운터로 구성되며, 4개의 단을 연결하여 10진수로 표현할 수 있다. 따라서 10진 카운터 회로를 설계하기 위해서는 4개의 단으로 구성해야 한다.
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89. 어드레싱(addressing) 방법이 아닌 것은?

  1. direct addressing
  2. indirect addressing
  3. relative addressing
  4. temporary addressing
(정답률: 알수없음)
  • 나머지 세 가지 어드레싱 방법은 모두 메모리 주소를 참조하는 방법이지만, temporary addressing은 메모리 주소가 아닌 레지스터나 스택 등의 임시적인 저장 공간을 참조하는 방법이기 때문에 어드레싱 방법이 아니다.
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90. 데이터 흐름을 중심으로 시스템 전체의 작업 내용을 총괄적으로 표시하는 순서도는?

  1. 개략 순서도
  2. 시스템 순서도
  3. 상세 순서도
  4. 프로그램 순서도
(정답률: 알수없음)
  • 시스템 순서도는 데이터 흐름을 중심으로 시스템 전체의 작업 내용을 총괄적으로 표시하는 순서도이다. 다른 순서도들은 보다 세부적인 작업 내용을 다루는데 비해, 시스템 순서도는 전체적인 시스템의 구조와 작업 흐름을 파악하는 데에 더욱 적합하다. 따라서 시스템 순서도가 정답이다.
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91. C-언어의 특징 중 옳지 않은 것은?

  1. 연산자가 풍부하지 못하다.
  2. C는 포인터와 주소를 계산할 수 없다.
  3. C 언어 자체에는 입ㆍ출력 기능이 없다.
  4. 데이터에는 반드시 형(type) 선언을 해야 한다.
(정답률: 알수없음)
  • "연산자가 풍부하지 못하다."는 옳지 않은 설명이다. C 언어는 다양한 연산자를 제공하며, 이를 활용하여 다양한 계산을 수행할 수 있다. 예를 들어, 산술 연산자(+, -, *, /), 비교 연산자(>, <, ==, !=), 논리 연산자(&&, ||, !) 등이 있다. 따라서 "연산자가 풍부하지 못하다."는 설명은 옳지 않다.

    C 언어의 특징 중에서 "C는 포인터와 주소를 계산할 수 없다."는 옳은 설명이다. C 언어에서는 포인터와 주소를 계산할 수 없으며, 이를 계산하기 위해서는 명시적인 형 변환을 해주어야 한다.

    "C 언어 자체에는 입ㆍ출력 기능이 없다."는 옳은 설명이다. C 언어에서는 입출력 기능을 위해 표준 라이브러리 함수인 printf()와 scanf()를 제공하며, 이를 사용하여 입출력을 수행할 수 있다.

    "데이터에는 반드시 형(type) 선언을 해야 한다."는 옳은 설명이다. C 언어에서는 변수나 상수를 사용할 때 반드시 그 데이터의 형(type)을 선언해주어야 한다. 이는 변수나 상수가 어떤 종류의 데이터를 저장하는지를 명확하게 하기 위함이다.
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92. 인터럽트의 종류 중 입ㆍ출력장치, 타이밍장치, 전원등의 요인에 의해 발생되는 인터럽트는?

  1. 기계 인터럽트
  2. 외부 인터럽트
  3. 내부 인터럽트
  4. 소프트웨어 인터럽트
(정답률: 알수없음)
  • 외부 인터럽트는 입ㆍ출력장치, 타이밍장치, 전원 등 외부적인 요인에 의해 발생되는 인터럽트이다. 즉, 컴퓨터 시스템 외부에서 발생하는 이벤트에 의해 발생하는 인터럽트이다. 예를 들어, 마우스나 키보드 입력, 전원 이상 등이 이에 해당한다.
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93. 프로세서를 경유하지 않고 데이터를 직접 메모리와 입ㆍ출력하는 방식은?

  1. Strobe 방식
  2. Flag 검사 방식
  3. DMA 방식
  4. Hand-Shaking 방식
(정답률: 알수없음)
  • DMA 방식은 프로세서를 경유하지 않고 데이터를 직접 메모리와 입ㆍ출력하는 방식입니다. 이 방식은 데이터 전송 속도를 높이고 프로세서의 부담을 줄일 수 있어 효율적인 데이터 전송이 가능합니다. 따라서 DMA 방식이 정답입니다.
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94. 인터럽트를 발생시키는 모든 장치들을 직렬로 연결하고 우선 순위가 높은 순서로 연결하는 방식은?

  1. Vectored Interrupt
  2. DMA
  3. Daisy-Chain
  4. Polling
(정답률: 알수없음)
  • Daisy-Chain은 인터럽트를 발생시키는 모든 장치들을 직렬로 연결하고 우선 순위가 높은 순서로 연결하는 방식입니다. 이 방식은 각 장치가 인터럽트를 발생시키면 그 다음 장치로 인터럽트 신호를 전달하고, 우선 순위가 높은 장치가 먼저 처리됩니다. 이 방식은 하드웨어 구성이 간단하고 비용이 저렴하며, 우선 순위가 높은 장치가 먼저 처리되므로 처리 속도가 빠릅니다.
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95. 희박한 행렬(sparse matrix)을 표현하는 방법으로 적합한 자료구조는?

  1. 큐(queue)
  2. 연결 리스트(linked list)
  3. 스택(stack)
  4. 트리(tree)
(정답률: 알수없음)
  • 희박한 행렬은 대부분의 원소가 0인 행렬을 의미합니다. 이러한 경우에는 0이 아닌 원소들만을 저장하는 것이 효율적입니다. 이를 위해 연결 리스트를 사용할 수 있습니다. 연결 리스트는 각 노드가 다음 노드를 가리키는 포인터를 가지고 있기 때문에 0이 아닌 원소들만을 저장하면서도 메모리를 효율적으로 사용할 수 있습니다. 또한, 연결 리스트는 삽입과 삭제가 빠르기 때문에 원소를 추가하거나 삭제하는 경우에도 유용합니다.
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96. 65가지의 서로 다른 사항들에 각각 다른 2진 코드 값을 주고자 한다. 이 경우 최소한 몇 비트가 요구되는가?

  1. 6
  2. 7
  3. 8
  4. 9
(정답률: 알수없음)
  • 2진 코드 값은 0과 1로 이루어져 있으므로, 각각의 사항에 대해 2가지의 선택지가 있다. 따라서 2의 6승 (64)은 65개의 서로 다른 사항을 표현하기에는 부족하다. 따라서 최소한 7비트가 요구된다.
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97. 레지스터에 계수의 기능을 갖춘 것은?

  1. 레지스터
  2. 스택 포인터
  3. PC
  4. AC
(정답률: 알수없음)
  • 레지스터 중에서도 PC(Program Counter)는 다음에 실행할 명령어의 주소를 저장하는 레지스터로, 계수의 기능을 갖추고 있습니다. 따라서 PC가 정답입니다. 스택 포인터는 스택의 가장 위쪽 주소를 가리키는 레지스터이고, AC(Accumulator)는 산술 연산을 수행하는 레지스터입니다.
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98. 특정의 비트 또는 문자를 삭제하기 위한 적의 연산 방법은?

  1. Complement 연산
  2. OR 연산
  3. AND 연산
  4. MOVE 연산
(정답률: 알수없음)
  • AND 연산은 두 비트가 모두 1일 때만 결과가 1이 되는 연산이다. 따라서 AND 연산을 이용하면 특정 비트나 문자를 삭제할 수 있다. 예를 들어, 삭제하고자 하는 비트를 0으로 설정하고, 나머지 비트를 1로 설정한 후 AND 연산을 수행하면 해당 비트가 0으로 바뀌어 삭제된다.
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99. 다음의 구성은 무엇을 나타내는가?

  1. 중앙처리장치
  2. 산술논리연산장치
  3. 제어장치
  4. 입ㆍ출력 처리기
(정답률: 알수없음)
  • 위의 구성은 컴퓨터의 기본 구성 요소 중 하나인 중앙처리장치(CPU)를 나타낸다. 그 중에서도 산술논리연산장치(ALU)는 CPU의 핵심 부품 중 하나로, 산술 연산(덧셈, 뺄셈, 곱셈, 나눗셈 등)과 논리 연산(AND, OR, NOT 등)을 수행하는 역할을 한다. 따라서 위의 보기에서 정답은 "산술논리연산장치"이다. 제어장치는 ALU와 함께 CPU를 구성하는 부품 중 하나로, 명령어를 해석하고 실행하는 역할을 한다. 입ㆍ출력 처리기는 컴퓨터와 외부 장치(키보드, 마우스, 모니터 등) 간의 데이터 전송을 담당한다.
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100. 조합(combinational) 논리 회로에 대해 설명한 것은?

  1. 출력 신호가 입력 신호에 의해서만 결정되는 논리 회로이다.
  2. 플립플롭과 같은 기억 소자를 갖고 있는 논리 회로이다.
  3. 출력 신호가 입력 신호와 현재의 논리 회로의 상태에 의해 결정되는 논리 회로이다.
  4. 기억 능력을 가진 논리 회로이다.
(정답률: 알수없음)
  • 조합 논리 회로는 입력 신호에 의해서만 출력 신호가 결정되는 논리 회로입니다. 이는 현재의 논리 회로의 상태나 기억 능력과는 관계가 없으며, 단순히 입력 신호의 조합에 따라 출력 신호가 결정됩니다. 따라서 조합 논리 회로는 기억 소자를 갖고 있지 않으며, 플립플롭과 같은 기억 소자를 갖고 있는 순차 논리 회로와 구분됩니다.
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