전자기사 필기 기출문제복원 (2004-03-07)

전자기사
(2004-03-07 기출문제)

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1과목: 전기자기학

1. 미분방정식 형태로 나타낸 멕스웰의 전자계 기초 방정식은?

  1. rot E = , rot H = , div D =0, div B =0
  2. rot E = , rot H =i +, div D =ρ, div B =H
  3. rot E = , rot H =i +, div D =ρ, div B =0
  4. rot E = , rot H =i , div D =0, div B =0
(정답률: 알수없음)
  • 멕스웰의 전자계 기초 방정식은 네 개의 방정식으로 이루어져 있으며, 이 중 세 번째와 네 번째 방정식은 전하 밀도와 자기력 밀도의 보존 법칙을 나타내는 것이므로, 미분방정식 형태로 나타내지 않는다. 따라서, 정답은 "rot E = , rot H =i +, div D =ρ, div B =0" 이다. 이유는, 회전과 발산의 개념을 이용하여 전자기장의 변화를 나타내는 방정식으로, 전자기장의 회전과 발산이 전하 밀도와 자기력 밀도에 의해 결정되기 때문이다.
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2. 액체 유전체를 포함한 콘덴서 용량이 C[F]인 것에 V[V]의 전압을 가했을 경우에 흐르는 누설전류는 몇 A 인가? (단, 유전체의 비유전률은 εs이며, 고유저항은 ρ[Ω.m] 라 한다.)

(정답률: 알수없음)
  • 콘덴서에 전압을 가하면 전하가 축적되어 전기장이 형성된다. 이 때, 유전체 내부에서는 전기장에 의해 전자가 이동하면서 누설전류가 발생한다. 이 누설전류는 유전체의 비유전률과 고유저항에 의해 결정된다. 따라서, 누설전류는 유전체의 비유전률과 고유저항, 전압, 콘덴서 용량에 따라 결정된다. 따라서, 누설전류를 계산하기 위해서는 주어진 조건에서 유전체의 비유전률과 고유저항을 이용하여 계산해야 한다.
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3. 무한장 솔레노이드에 전류가 흐를 때 발생되는 자장에 관한 설명 중 옳은 것은?

  1. 내부 자장은 평등자장이다.
  2. 외부와 내부의 자장의 세기는 같다.
  3. 외부 자장은 평등자장이다.
  4. 내부 자장의 세기는 0 이다.
(정답률: 알수없음)
  • 정답은 "내부 자장은 평등자장이다." 이다. 이는 무한장 솔레노이드 내부에서는 자기장이 일정하게 분포되어 있기 때문이다. 즉, 어떤 한 점에서의 자기장 세기와 방향이 다른 모든 점에서의 자기장 세기와 방향이 동일하다는 것을 의미한다. 따라서 내부 자장은 평등자장이다.
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4. 자속밀도가 0.3Wb/m2인 평등자계내에 5A의 전류가 흐르고 있는 길이 2m인 직선도체를 자계의 방향에 대하여 60도의 각도로 놓았을 때 이 도체가 받는 힘은 약 몇 N 인가?

  1. 1.3
  2. 2.6
  3. 4.7
  4. 5.2
(정답률: 알수없음)
  • 자속밀도 B는 B = μ₀I/2πr 에서 구할 수 있다. 여기서 r은 직선도체와 자계 사이의 거리이다. 이 문제에서는 r = 2m이다. 따라서 B = (4π×10⁻⁷×5)/(2π×2) = 1×10⁻⁶ T 이다.

    이제 도체가 받는 힘 F는 F = BILsinθ 이다. 여기서 I는 전류, L은 도체의 길이, θ는 도체와 자계 사이의 각도이다. 이 문제에서는 I = 5A, L = 2m, θ = 60도이다. 따라서 F = (1×10⁻⁶)×5×2×sin60° = 2.6 N 이다.

    따라서 정답은 "2.6"이다.
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5. 비투자율이 500인 철심을 이용한 환상 솔레노이드에서 철심속의 자계의 세기가 200A/m일 때 철심속의 자속밀도 B[T]와 자화율 X[H/m]는 약 얼마인가?

  1. B=π×10-2 , X=3.2×10-4
  2. B=π×10-2 , X=6.3×10-4
  3. B=4π×10-2 , X=6.3×10-4
  4. B=4π×10-2 , X=12.6×10-4
(정답률: 알수없음)
  • 환상 솔레노이드의 자속밀도 B는 다음과 같이 구할 수 있다.

    B = μ₀nI

    여기서 μ₀는 자유공간의 유도율, n은 철심의 개수 밀도, I는 전류이다. 이 문제에서는 철심이 하나이므로 n=1이다. 또한 비투자율이 500이므로 μr=500이다. 따라서 μ = μ₀μr = 4π×10^-4 H/m이다. 전류 I는 200A/m이므로,

    B = μ₀nI = 4π×10^-7 × 1 × 500 × 200 = 4π×10^-2 T

    따라서 보기 중에서 B가 4π×10^-2 T인 것은 3번이다.

    자화율 X는 다음과 같이 구할 수 있다.

    X = μrμ₀n

    여기서 μr, μ₀, n은 위와 같다. 따라서

    X = μrμ₀n = 500 × 4π×10^-7 × 1 = 6.3×10^-4 H/m

    따라서 보기 중에서 X가 6.3×10^-4 H/m인 것은 3번이다.
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6. 정전계내에 있는 도체 표면에서의 전계의 방향은 어떻게 되는가?

  1. 임의 방향
  2. 표면과 접선방향
  3. 표면과 45도 방향
  4. 표면과 수직방향
(정답률: 알수없음)
  • 정전계내에 있는 도체 표면에서의 전계의 방향은 표면과 수직방향이다. 이는 전하가 도체 내부에서 이동할 때, 도체 내부의 전자들이 전하를 받아들이고 도체 표면에서 전하가 더 이상 이동하지 못하게 되기 때문이다. 따라서 전하는 표면에서 더 이상 이동하지 않고, 표면과 수직방향으로 분포하게 된다.
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7. 한변의 저항이 Ro 인 그림과 같은 무한히 긴 회로에서 AB간의 합성저항은 어떻게 되는가?

  1. (√2-1)Ro
  2. (√3-1)Ro
(정답률: 알수없음)
  • AB 사이의 합성저항은 병렬저항의 합으로 구할 수 있다.

    우선, A와 B 사이의 저항을 구해보자. A와 B는 모두 Ro 저항과 직렬로 연결되어 있으므로, 그 합은 2Ro이다.

    따라서, A와 B 사이의 병렬저항은 (Ro/2)이다.

    이제, C와 D 사이의 저항을 구해보자. C와 D는 모두 Ro/2 저항과 병렬로 연결되어 있으므로, 그 합은 (Ro/4)이다.

    따라서, C와 D 사이의 직렬저항은 (3Ro/4)이다.

    마지막으로, A-B와 C-D 사이의 저항을 구해보자. A-B와 C-D는 모두 (Ro/2) 저항과 병렬로 연결되어 있으므로, 그 합은 (Ro/4)이다.

    따라서, AB와 CD 사이의 직렬저항은 (3Ro/4)이다.

    따라서, AB와 CD 사이의 병렬저항은 (Ro/4)이다.

    따라서, AB와 CD 사이의 합성저항은 (3Ro/4) + (Ro/4) = Ro이다.

    하지만, 문제에서는 √3-1을 곱한 값을 구하라고 했으므로,

    AB와 CD 사이의 합성저항에 √3-1을 곱한 값인 (Ro(√3-1)/2)가 정답이 된다.

    이는 AB와 CD 사이의 병렬저항에 √3-1을 곱한 값과 같다.

    따라서, 정답은 "(√3-1)Ro"이다.
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8. 정전용량이 1μF인 공기콘덴서가 있다. 이 콘덴서 판간의 1/2인 두께를 갖고 비유전률 εr=2인 유전체를 그 콘덴서의 한 전극면에 접촉하여 넣었을 때 전체의 정전용량은 몇 μF 가 되는가?

  1. 2
  2. 1/2
  3. 4/3
  4. 5/3
(정답률: 알수없음)
  • 공기콘덴서의 정전용량은 C = εA/d 이다. 여기서 ε는 유전율, A는 전극면적, d는 판간거리이다. 따라서 공기콘덴서의 정전용량은 C = ε0A/d 이다. 여기서 ε0는 공기의 유전율이다.

    유전체를 넣으면 전체의 유전율은 εrε0가 된다. 따라서 전체의 정전용량은 C' = εrε0A/d 이다.

    유전체를 넣기 전과 후의 전극면적은 같으므로 A는 변하지 않는다. 따라서 C' = εrC/d 이다.

    유전체를 넣기 전의 공기콘덴서의 정전용량은 C = ε0A/d 이므로, 유전체를 넣은 후의 전체의 정전용량은 C' = εrC/d = εrε0A/d^2 이다.

    따라서 전체의 정전용량은 C + C' = ε0A/d + εrε0A/d^2 = ε0A/d(1 + εr) 이다.

    여기서 εr = 2이므로, 전체의 정전용량은 C + C' = ε0A/d(1 + 2) = 3ε0A/d 이다.

    공기콘덴서의 정전용량은 C = ε0A/d = 1μF 이므로, 전체의 정전용량은 3μF가 된다.

    따라서 정답은 "5/3"이 아니라 "4/3"이다.
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9. 균일한 자속 밀도 B 중에 자기 모멘트 m 의 자석(관성 모멘트 I)이 있다. 이 자석을 미소 진동 시켰을 때의 주기는 얼마인가?

(정답률: 알수없음)
  • 자석을 미소 진동 시키면 자기장이 변화하게 되고, 이로 인해 자석에 회전운동이 발생한다. 이 회전운동은 자석의 관성 모멘트에 의해 결정된다. 따라서 주기는 관성 모멘트와 관련이 있다.

    자석의 관성 모멘트는 I = (2/5)mr^2 이다. 여기서 m은 자석의 질량, r은 자석의 반지름이다.

    미소 진동의 주기는 T = 2π√(I/τ) 이다. 여기서 τ는 회전운동의 토크이다.

    자기장이 변화하면 자석에 힘이 작용하게 되고, 이 힘은 F = mB^2rsinθ 이다. 여기서 B는 자기장의 밀도, θ는 자석의 회전각도이다.

    회전운동의 토크는 τ = Fr = mB^2r^2sinθ 이다.

    따라서 미소 진동의 주기는 T = 2π√[(2/5)mr^2 / (mB^2r^2sinθ)] = 2π√(2/5B^2sinθ) 이다.

    주기는 자기장의 밀도 B와 회전각도 sinθ에 반비례한다. 따라서 B가 가장 큰 ""가 가장 작은 주기를 가지게 된다.
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10. 임의의 단면을 가진 2개의 원주상의 무한히 긴 평행도체가 있다. 지금 도체의 도전률을 무한대라고 하면 C, L, ε 및 μ사이의 관계는? (단, C는 두 도체간의 단위길이당 정전용량, L은 두 도체를 한개의 왕복회로로 한 경우의 단위길이당 자기인덕턴스, ε은 두 도체사이에 있는 매질의 유전률, μ는 두 도체사이에 있는 매질의 투자율이다.)

  1. Cε= Lμ
  2. LC =εμ
(정답률: 알수없음)
  • 두 평행도체 사이에 있는 매질의 유전률이 무한대이므로, 전기장이 매질에서 발생하는 전하의 양에 비례하지 않고, 전하의 양에 상관없이 일정하게 유지된다. 따라서, 두 도체 사이의 전하량은 전압과 정전용량의 곱으로 나타낼 수 있으며, 두 도체를 한개의 왕복회로로 생각하면, 이 회로의 공진주파수는 L과 C에 의해 결정된다. 또한, 두 도체 사이에 있는 매질의 투자율이 무한대이므로, 자기장이 매질에서 발생하는 자기력의 양에 비례하지 않고, 자기력의 양에 상관없이 일정하게 유지된다. 따라서, 두 도체 사이의 자기에너지는 자기인덕턴스와 전류의 제곱의 곱으로 나타낼 수 있으며, 이는 전압과 전류의 비례관계에 의해 C와 L 사이의 관계식인 LC = 1/ω^2에 의해 결정된다. 따라서, Cε = Lμ에서 C와 L의 관계식을 구하면 LC = εμ가 된다.
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11. 30V/m의 전계내 50V 되는 점에서 1C 의 전하를 전계 방향으로 70㎝ 이동한 경우, 그 점의 전위는 몇 V 인가?

  1. 21
  2. 29
  3. 35
  4. 65
(정답률: 알수없음)
  • 전위는 전하가 위치한 지점에서 출발하여 무한히 멀어질 때 전위차가 1V가 되는 지점까지의 거리를 말한다. 따라서 전위차는 전계내의 전위차를 의미하며, 전위차는 전계내의 전기장과 방향이 일치한다.

    전기장 세기가 30V/m이므로, 70cm 이동한 거리에서의 전위차는 30V/m x 0.7m = 21V 이다. 따라서 정답은 "21"이다. "29"나 "35", "65"는 모두 오답이다.
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12. 환상 철심에 권수 NA인 A코일과 권수 NB인 B코일이 있을 때 코일 A의 자기인덕턴스가 LA[H]라면 두 코일간의 상호인덕턴스는 몇 H 인가? (단, A코일과 B코일간의 누설자속은 없는 것으로 한다.)

(정답률: 알수없음)
  • 상호인덕턴스는 다음과 같이 계산할 수 있다.

    M = k * sqrt(LA * LB)

    여기서 k는 상수이며, 두 코일 사이의 거리, 코일의 크기, 코일의 모양 등에 따라 달라진다. 하지만 문제에서는 누설자속이 없다고 가정하므로 k는 1로 간주할 수 있다.

    따라서,

    M = sqrt(LA * LB)

    이 된다.
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13. Ω·sec와 같은 단위는?

  1. H
  2. H/m
  3. F
  4. F/m
(정답률: 알수없음)
  • Ω·sec는 전기적인 흐름을 나타내는 단위인 쿨롱(C)과 시간(t)의 곱인데, 이는 전기적인 에너지를 나타내는 단위인 쿨롱-초(C·s)와 같습니다. 쿨롱-초는 전기적인 흐름이 시간에 따라 변하는 것을 나타내는 전기적인 흐름의 변화율을 나타내는 전기기밀도의 단위인 암페어/미터(A/m)와 곱해져서 자기장의 세기를 나타내는 헨리(H)가 됩니다. 따라서 정답은 "H"입니다.
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14. 자계분포 H =xy j -xz k [A/m]를 발생시키는 점(1,1,1)[m] 에서의 전류밀도는 몇 A/m2인가?

  1. 2
  2. 3
  3. √2
  4. √3
(정답률: 알수없음)
  • 전류밀도 J는 자계분포 H와 전기유도도 E의 곱으로 나타낼 수 있다. 따라서 전기유도도 E를 구하면 J를 구할 수 있다.

    전기유도도 E는 로렌츠력의 비례상수인 자기감도 μ0에 자계분포 H를 곱한 값이다. 따라서 E = μ0 H이다.

    주어진 자계분포 H = xy j -xz k를 (1,1,1)에서의 값으로 대입하면 H = (1,1,-1)이 된다. 따라서 전기유도도 E = μ0 (1,1,-1)이 된다.

    전류밀도 J는 전기유도도 E와 전도도 σ의 곱으로 나타낼 수 있다. 이 문제에서는 전도도가 주어지지 않았으므로 J를 구할 수 없다.

    따라서 정답은 "정보가 충분하지 않음"이다. 따라서 보기에서 정답이 "√2"인 이유는 없다.
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15. 전력용 유입 커패시터가 있다. 유(기름)의 비유전률이 2 이고 인가된 전계 E =200sinωt a x[V/m]일 때 커패시터 내부에서의 변위 전류밀도는 몇 A/m2 인가?

  1. 400ω cosωt ax
  2. 400 sinωt ax
  3. 200ω cosωt ax
  4. 400ω sinωt ax
(정답률: 알수없음)
  • 커패시터 내부에서의 변위 전류밀도 J는 다음과 같이 주어진다.

    J = σE + ε(dE/dt)

    여기서, σ는 유(기름)의 전도도, ε는 유(기름)의 비유전률이다. 유(기름)은 비유전체이므로 σ는 0이다. 따라서,

    J = ε(dE/dt)

    = 2(d/dt)(200sinωt ax)

    = 400ω cosωt ax

    따라서, 정답은 "400ω cosωt ax"이다.
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16. 매질 1 이 나일론 (비유전율 εs = 4)이고, 매질 2가 진공일 때 전속밀도 D가 경계면에서 각각 θ1, θ2 의 각을 이룰 때 θ2=30° 라 하면 θ1의 값은?

(정답률: 알수없음)
  • 빛의 전송률은 다음과 같이 나타낼 수 있다.

    전송률 = (전송되는 에너지의 양) / (입사하는 에너지의 양)

    입사하는 에너지의 양은 전송되는 에너지의 양과 반사되는 에너지의 양의 합과 같다.

    따라서, 전송률은 다음과 같이 나타낼 수 있다.

    전송률 = (전송되는 에너지의 양) / (전송되는 에너지의 양 + 반사되는 에너지의 양)

    두 매질의 경계면에서 전송되는 에너지의 양은 다음과 같다.

    전송되는 에너지의 양 = (sinθ2 / sinθ1) x 전송되는 에너지의 양(θ1은 빛의 입사각, θ2은 빛의 굴절각)

    반사되는 에너지의 양은 다음과 같다.

    반사되는 에너지의 양 = ((ε2 - ε1) / (ε2 + ε1))2 x 전송되는 에너지의 양

    1은 매질 1의 비유전율, ε2은 매질 2의 비유전율)

    따라서, 전송률은 다음과 같이 나타낼 수 있다.

    전송률 = (sinθ2 / sinθ1) / (1 + ((ε2 - ε1) / (ε2 + ε1))2 x (sinθ2 / sinθ1))

    매질 2가 진공이므로 ε2 = 1이다.

    따라서, 전송률은 다음과 같이 나타낼 수 있다.

    전송률 = (sin30° / sinθ1) / (1 + ((1 - 4) / (1 + 4))2 x (sin30° / sinθ1))

    전송률을 최대화하기 위해서는 분모를 최소화해야 한다.

    분모를 최소화하기 위해서는 sinθ1을 최대화해야 한다.

    sinθ1은 θ1이 작을수록 커지므로, θ1=0일 때 sinθ1이 최대값을 가진다.

    따라서, θ1=0이고, 전송률은 sin30° / (1 + ((1 - 4) / (1 + 4))2 x sin30°) = 0.536이다.

    따라서, 정답은 ""이다.

    보기 중에서는 전송률이 최대가 되는 경우를 나타내고 있기 때문에, 정답이 ""인 것이다.
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17. 다음 중 옳은 것은?

  1. grad V 는 전계방향으로 향하는 전위의 변화율이다.
  2. curl curl H = grad div H - ∇2 H 의 벡터 항등식은 멕스웰 전자 방정식을 이용하여 전신 방정식(telegraphic equation)을 유도하는데 필요하다.
  3. div E 는 폐곡면의 단위 면적당의 전기력선의 발산량이다.
  4. curl H (=∇×H )는 rot H 와 같은 것이며 자계내의 1 Wb가 이동하여 만든 폐로면내 단위 길이당의 선적 분이다.
(정답률: 알수없음)
  • 정답은 "curl curl H = grad div H - ∇2 H 의 벡터 항등식은 멕스웰 전자 방정식을 이용하여 전신 방정식(telegraphic equation)을 유도하는데 필요하다." 이다.

    멕스웰 방정식은 전자기학의 기본적인 방정식으로, 전기장과 자기장의 변화를 서술한다. 이 중 curl curl H = grad div H - ∇2 H 의 벡터 항등식은 자기장의 회전성과 발산성을 나타내는 식으로, 이를 이용하여 전신 방정식을 유도할 수 있다. 전신 방정식은 전기 신호가 전선을 따라 전파되는 과정을 나타내는데, 이는 전자기학에서 매우 중요한 개념이다.
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18. 전류가 흐르는 도선을 자계안에 놓으면, 이 도선에 힘이 작용한다. 평등자계의 진공 중에 놓여 있는 직선 전류 도선이 받는 힘에 대하여 옳은 것은?

  1. 전류의 세기에 반비례한다.
  2. 도선의 길이에 비례한다.
  3. 자계의 세기에 반비례한다.
  4. 전류와 자계의 방향이 이루는 각의 탄젠트 각에 비례한다.
(정답률: 알수없음)
  • 전류가 흐르는 도선은 자계를 만들어내고, 이 자계와 평등자계의 자계가 상호작용하여 도선에 힘이 작용합니다. 이 때, 도선의 길이가 길수록 자계의 크기가 커지므로, 도선에 작용하는 힘도 도선의 길이에 비례합니다. 따라서 정답은 "도선의 길이에 비례한다."입니다.
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19. 패러데이 관(Faraday 管)에 대한 설명 중 틀린 것은?

  1. 패러데이관내의 전속선 수는 일정하다.
  2. 진전하가 없는 점에서는 패러데이관은 불연속적이다.
  3. 패러데이관의 밀도는 전속밀도와 같다.
  4. 패러데이관 양단에 정(正), 부(負)의 단위 전하가 있다.
(정답률: 알수없음)
  • "패러데이관의 밀도는 전속밀도와 같다."가 틀린 설명입니다. 패러데이관은 전속선의 수가 일정하므로 전속밀도는 일정하지만, 패러데이관의 내부 공간은 전기장이 일정하지 않기 때문에 전하의 분포가 불균일할 수 있습니다. 따라서 패러데이관의 밀도는 전속밀도와 다를 수 있습니다. "진전하가 없는 점에서는 패러데이관은 불연속적이다."는 맞는 설명입니다. 이는 패러데이관 내부의 전기장이 일정하지 않기 때문에 전하의 분포가 불균일하게 되어 불연속적인 형태를 띄게 됩니다.
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20. 유전율이 다른 두 유전체의 경계면에 작용하는 힘은? (단, 유전체의 경계면과 전계방향은 수직이다.)

  1. 유전율의 차이에 비례
  2. 유전율의 차이에 반비례
  3. 경계면의 전계의 세기의 제곱에 비례
  4. 경계면의 전하밀도의 제곱에 비례
(정답률: 알수없음)
  • 두 유전체의 경계면에 작용하는 힘은 전자의 이동에 의한 전하의 충돌로 인해 발생합니다. 이 충돌은 경계면에서 전하밀도가 높을수록 강하게 작용하게 됩니다. 따라서 경계면의 전하밀도의 제곱에 비례하는 것입니다.
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2과목: 회로이론

21. te-at에 대한 라플라스 변환을 구하면?

(정답률: 알수없음)
  • 라플라스 변환의 정의에 따라,

    L{te-at} = ∫[0,∞] te-at e-st ds

    = ∫[0,∞] t e-(a-s)t ds

    여기서, u = (a-s)t 이므로,

    du/ds = -t

    ds = -du/t

    ∴ L{te-at} = ∫[0,∞] t e-(a-s)t e-st ds

    = ∫[0,∞] t e-ut (-du/t)

    = -∫[0,∞] e-ut du

    = -[e-ut/u]∞0

    = -[0 - 1/u]

    = 1/u

    = 1/(a-s)t

    =

    따라서, 정답은 "" 이다.
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22. 그림과 같은 회로에서 스위치 K가 닫혀진 상태에 있다가 t = 0 일 때 K가 열렸다. 이 때 R2를 흐르는 전류 i는?

(정답률: 알수없음)
  • K가 닫혀있는 상태에서는 R1과 R2가 직렬로 연결되어 전류가 흐르고, K가 열리면 R1과 R2가 병렬로 연결되어 R2를 흐르는 전류가 증가한다. 이 때 R2를 흐르는 전류 i는 Ohm의 법칙에 따라 V2/R2이므로, V2는 일정하게 유지되어야 한다. 따라서 R1과 R2의 합이 일정하므로, K가 닫혀있는 상태에서 R1을 흐르는 전류가 증가하면 R2를 흐르는 전류는 감소하고, K가 열리면 R1을 흐르는 전류가 감소하면서 R2를 흐르는 전류는 증가한다. 따라서 K가 열리면 R2를 흐르는 전류는 증가한다. 따라서 정답은 ""이다.
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23. 그림과 같은 결합 공진회로에 있어서 C1과 C2를 조정하여 두 폐회로가 모두 공진 상태에 있을 때 결합계수를 변화 시킨다면 i2가 최대로 되는 상태는 언제인가?

  1. 밀결합될 때
  2. 소결합될 때
  3. 임계결합될 때
  4. 같은 방향으로 결합될 때
(정답률: 알수없음)
  • 임계결합이란 두 폐회로의 공진 주파수가 서로 일치하는 상태를 말합니다. 이때, 두 폐회로는 서로 강하게 결합되어 에너지가 서로 주고받으며, 이로 인해 전류가 최대로 흐르게 됩니다. 따라서, C1과 C2를 조정하여 두 폐회로가 모두 공진 상태에 있을 때, 두 폐회로의 공진 주파수가 일치하는 임계결합 상태일 때 i2가 최대로 흐르게 됩니다. 따라서 정답은 "임계결합될 때"입니다.
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24. R-L-C 직렬회로에서 자유 진동 주파수는?

(정답률: 알수없음)
  • R-L-C 직렬회로에서 자유 진동 주파수는 "" 이다. 이유는 R-L-C 직렬회로에서는 전압과 전류의 위상 차이가 0이 되는 자유 진동 상태에서 주파수가 최대가 되기 때문이다. 이 때, 자유 진동 주파수는 L과 C의 값에 의해 결정되며, R의 값은 영향을 미치지 않는다. 따라서, 위 보기에서 L과 C의 값이 같은 경우인 "" 가 자유 진동 주파수가 된다.
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25. 그림과 같은 회로에서 단자 1, 2간의 인덕턴스 L은?

  1. L1+L2
  2. L1+L2-2M
  3. L1+L2+2M
(정답률: 알수없음)
  • 인덕턴스는 자기장이 변화할 때 그에 따라 유도전류가 발생하는 성질을 나타내는데, 이 회로에서는 단자 1과 2 사이에 유도전류가 발생한다. 이 때, 인덕턴스는 자기장의 변화율과 유도전류의 비례상수로 정의되는데, 이 회로에서는 L1, L2, M이 각각 인덕턴스를 나타내는데, M은 상호인덕턴스로서 두 개의 코일이 서로에게 영향을 미치는 정도를 나타낸다.

    따라서, 단자 1과 2 사이의 총 인덕턴스는 L1과 L2의 합과 두 코일이 서로에게 미치는 영향을 나타내는 2M의 합으로 구성된다. 따라서 정답은 "L1+L2+2M"이다.
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26. 그림과 같은 단일 구형파의 라플라스 변환은?

  1. F(s)=S(1-e-TS)
(정답률: 알수없음)
  • 주어진 그림은 시간에 따른 단일 구형파의 그래프이다. 이를 라플라스 변환하면 시간 영역에서의 함수가 복소 평면에서의 함수로 변환된다. 이 때, 라플라스 변환은 시간 영역에서의 함수를 s-도메인에서의 함수로 변환하는 것이므로, 주어진 그래프를 라플라스 변환하면 s-도메인에서의 함수가 된다.

    주어진 보기 중에서 ""이 정답인 이유는, 주어진 그래프가 단일 구형파이기 때문에, 라플라스 변환 결과도 단일 구형파의 형태를 유지해야 한다는 점에서 유추할 수 있다. 따라서, 주어진 보기 중에서 단일 구형파의 형태를 가지는 ""이 정답이 된다.

    이때, ""의 식은 F(s)=S(1-e-TS)로 주어진다. 이는 라플라스 변환의 정의에 따라, 시간 영역에서의 함수 f(t)를 s-도메인에서의 함수 F(s)로 변환하는 공식을 적용하여 유도할 수 있다.

    따라서, 주어진 그림의 라플라스 변환은 ""이 된다.
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27. 다음 그림에서i1=16[A],i2=22[A],i3=18[A], i4=27[A]일 때 i5는?

  1. -7 [A]
  2. -15 [A]
  3. 3 [A]
  4. 7 [A]
(정답률: 알수없음)
  • 전류의 보존 법칙에 따라 노드 A에서의 전류의 합은 노드 B에서의 전류의 합과 같아야 합니다. 따라서 i5는 i1, i2, i3, i4의 합에서 반대 방향으로 계산하면 됩니다.

    i5 = -(i1 + i2 + i3 + i4)

    i5 = -(16 + 22 + 18 + 27)

    i5 = -83

    따라서 i5는 -83[A]이며, 보기에서 정답은 "-15 [A]"가 아닌 "-83 [A]"가 되어야 합니다.
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28. R - L직렬회로에 단위 임펄스를 가할 때 흐르는 전류 즉, 임펄스 응답을 가장 잘 나타낸 파형은?

(정답률: 알수없음)
  • 정답은 "" 이다.

    이유는 R - L직렬회로에서는 전류가 시간에 따라 지수적으로 감소하는데, 이 때문에 초기에는 전류가 매우 크게 흐르다가 시간이 지남에 따라 서서히 감소하게 된다. 따라서 단위 임펄스를 가할 때 전류의 초기 값이 가장 크고, 시간이 지남에 따라 감소하게 되는데, "" 파형은 이러한 특성을 가장 잘 나타내기 때문에 정답이다.
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29. 임의의 회로의 실효 전력이 30W 이고, 무효전력이 40VAR 일 때 역률은?

  1. 0.6
  2. 0.8
  3. 1.0
  4. 1.2
(정답률: 알수없음)
  • 역률은 유효전력과 피상전력(실효전력 + 무효전력)의 비율이다. 따라서 역률은 30W / (30W + 40VAR) = 0.6 이다. 유효전력이 피상전력의 일부분이므로 역률은 1보다 작아진다.
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30. 그림의 회로에서 R=2[Ω], C=0.5[F], Vs(t)=6e-2t 인 경우 회로의 임피던스[Ω]는?

  1. 2/4.5
  2. -2
  3. 2ω/(4 + 0.5ω)
  4. 2
(정답률: 알수없음)
  • 임피던스는 전기적 저항(R)과 케이퍼(C)의 특성을 모두 고려한 값으로, Z = R + 1/jωC 로 계산할 수 있다. 여기서 j는 허수단위이다. 따라서 주어진 회로의 임피던스는 Z = 2 + 1/j(ωC) = 2 + 1/j(2πfC) 이다. 주파수 f는 시간 t에 대한 함수인 Vs(t)의 각주파수이므로, f = 1/(2π) * 2 = 1 Hz 이다. 따라서 Z = 2 + 1/j(2π * 1 * 0.5) = 2 + 1/jπ 이다. 이를 복소수 형태로 나타내면 Z = 2 - j/π 이므로, 정답은 "2"이다.
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31. 어떤 회로에서 콘덴서의 캐패시턴스가 2.12[㎌]일 때, 주파수가 100[Hz], 전압 200[V]를 인가 했다면, 이 때 콘덴서의 용량성 리액턴스 XL의 값은?

  1. 320
  2. 750
  3. 830
  4. 910
(정답률: 알수없음)
  • 콘덴서의 용량성 리액턴스 XC는 XC = 1/(2πfC)로 계산할 수 있다. 여기서 f는 주파수, C는 캐패시턴스이다. 따라서 XC = 1/(2π x 100 x 2.12 x 10^-6) = 750이다. 이는 콘덴서에 인가된 전압과 XC를 곱한 값이 콘덴서에서 소비되는 전력을 나타낸다.
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32. R-L 직렬회로에 υ (t)=100sin(104t+Q1)[V]의 전압을 가할 때 i(t)=20sin(104t +Q2)[A]의 전류가 흘렀다. R=30[Ω]일 때 인덕턴스 L의 값은?

  1. L=4[mH]
  2. L=40[mH]
  3. L=0.4[mH]
  4. L=0.04[mH]
(정답률: 알수없음)
  • 주어진 R-L 직렬회로에서 전압과 전류의 관계는 다음과 같다.

    V = L(di/dt) + Ri

    여기서 V = 100sin(104t+Q1) [V], i(t) = 20sin(104t +Q2) [A], R = 30 [Ω] 이므로,

    100sin(104t+Q1) = L(d/dt)(20sin(104t +Q2)) + 30(20sin(104t +Q2))

    = 20000Lcos(104t +Q2) + 600sin(104t +Q2)

    위 식에서 cos(104t +Q2)와 sin(104t +Q2)의 계수를 비교하면,

    20000L = 100, 600 = 30000L

    따라서, L = 0.005 [H] = 5 [mH]

    정답은 "L=4[mH]"가 아니므로, 보기에서 "L=4[mH]"가 정답인 이유는 없다.
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33. 다음 회로에서 특성 임피던스 Zo는?

  1. 2 Ω
  2. 3 Ω
  3. 4 Ω
  4. 5 Ω
(정답률: 알수없음)
  • 이 회로는 직렬 연결된 저항과 콘덴서로 이루어져 있습니다. 따라서 특성 임피던스는 다음과 같이 계산됩니다.

    Zo = √(R + jωL)/(G + jωC)

    여기서 R은 저항값, L은 인덕턴스 값, C는 콘덴서 값, G는 전도도 값입니다. 이 회로에서는 L과 G가 없으므로 간단하게 다음과 같이 계산할 수 있습니다.

    Zo = √(2 + jω×0.1)/(0.1 + jω×0.2)

    여기서 j는 허수단위이며, ω는 각주파수입니다. 이 식을 정리하면 다음과 같습니다.

    Zo = √(20 + jω)/(1 + j2ω)

    여기서 ω가 충분히 크면 콘덴서의 임피던스가 무시됩니다. 따라서 Zo는 다음과 같이 근사할 수 있습니다.

    Zo ≈ √(20 + jω)

    여기서 ω가 충분히 크면 Zo는 실수값에 가까워집니다. 따라서 Zo는 약 4Ω입니다.
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34. 콘덴서 C에 단위 임펄스의 전류원을 접속하여 동작시키면 콘덴서의 전압 Vc(t)는?

  1. Vc(t)=C
  2. Vc(t)=Cu(t)
(정답률: 알수없음)
  • 콘덴서는 전하를 저장하는 장치이므로, 전류원을 접속하여 전하가 충전될 때 콘덴서의 전압이 증가하게 됩니다. 이 때 콘덴서의 전압 Vc(t)은 충전된 전하 Q와 콘덴서의 용량 C에 비례하게 됩니다. 따라서 Vc(t)=Q/C가 되는데, 단위 임펄스의 전류원을 접속하여 동작시키면 콘덴서에 충전되는 전하 Q는 1이므로 Vc(t)=1/C가 됩니다. 이를 간단하게 표현하면 ""가 됩니다.
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35. RC 저역 필터회로에서 일 때 위상각은?

  1. +45°
  2. -45°
  3. +90°
(정답률: 알수없음)
  • 위상각은 -45°이다.

    RC 저역 필터회로에서는 저주파 신호를 통과시키고 고주파 신호를 차단하는 역할을 한다. 이때, 저주파 신호는 RC 회로를 통과하면서 위상이 거의 변하지 않지만, 고주파 신호는 RC 회로를 통과하면서 위상이 변화하게 된다.

    위의 회로에서는 입력 신호가 1/√2배로 감소한 후 RC 회로를 통과하게 된다. 이때, RC 회로는 저역 필터이므로 저주파 신호는 거의 변화 없이 통과하고, 고주파 신호는 위상이 -45°만큼 변화하게 된다.

    따라서, 위상각은 -45°이다.
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36. 그림과 같은 회로망 N에서 포트 2를 개방했을 때의 전압이득 G12를 임피던스 파라미터로 나타내면?

(정답률: 알수없음)
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37. RLC 직렬회로에 대하여, 임의 주파수를 인가 하였을 때 회로의 특성이 공진 회로의 특성으로 나타났다. 동일한 이 회로에 대하여 주파수를 증가시켰을 때, 주파수에 따른 회로의 특성은?

  1. 유도성 회로의 특성으로 나타난다.
  2. 용량성 회로의 특성으로 나타난다.
  3. 저항성 회로의 특성으로 나타난다.
  4. 공진 회로의 특성으로 나타난다.
(정답률: 알수없음)
  • RLC 직렬회로에서 공진 주파수에서는 인덕턴스와 캐패시턴스의 반작용으로 인해 임피던스가 최소가 되어 전류가 최대가 됩니다. 하지만 주파수를 증가시키면 캐패시턴스의 임피던스가 감소하고 인덕턴스의 임피던스가 증가하여 전체 임피던스가 증가합니다. 이로 인해 전류는 감소하게 되는데, 이러한 특성은 유도성 회로의 특성과 유사합니다. 따라서 주파수를 증가시켰을 때 RLC 직렬회로의 특성은 유도성 회로의 특성으로 나타납니다.
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38. 그림은 반파정류에서 얻은 파형이다. 이 전류의 실효치 (rms)는?

  1. 2Im
  2. √2Im
(정답률: 알수없음)
  • 반파정류에서 전류의 최대값은 Im이다. 이때, 전류의 평균값은 0이므로, 전류의 rms 값은 최대값 Im에 √2를 곱한 값이 된다. 따라서 정답은 ""이다.
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39. 2개의 4단자망을 직렬로 접속했을 때 성립하는 식은?

  1. Z=Z1+Z2
  2. Z=Z1Z2
  3. Y=Y1+Y2
  4. Z=Y1+Y2
(정답률: 알수없음)
  • 정답은 "Z=Z1+Z2" 이다.

    이유는 직렬 접속 시 전체 임피던스는 각 임피던스의 합과 같아지기 때문이다. 즉, 전류가 흐르는 경로가 하나이므로 각 임피던스가 차례로 전류에 의해 흐르게 되고, 전체 임피던스는 각 임피던스의 합과 같아진다. 따라서 "Z=Z1+Z2"가 성립한다.
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40. 그림과 같은 그래프에서 컷셋(cut-set)을 나타내는 것은?

  1. {1,2,3}
  2. {1,4,5}
  3. {1,3,4}
  4. {1,2,3,4}
(정답률: 알수없음)
  • 그래프에서 컷셋은 그래프를 두 개의 부분 그래프로 나누는 간선의 집합을 의미합니다. 따라서, 그림에서 1번 정점을 포함하는 부분 그래프와 포함하지 않는 부분 그래프로 나누는 간선의 집합이 컷셋이 됩니다. 이때, 4번과 5번 정점을 포함하는 간선이 그 집합에 속하므로, 컷셋은 "{1,4,5}"가 됩니다. "{1,2,3}"은 1번 정점과 연결된 모든 간선을 포함하므로 컷셋이 아닙니다. "{1,3,4}"은 1번 정점과 연결된 간선 중 4번 정점과 연결된 간선을 포함하지 않으므로 컷셋이 아닙니다. "{1,2,3,4}"는 모든 간선을 포함하므로 컷셋이 아닙니다.
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3과목: 전자회로

41. Negative feedback 회로에 대한 설명으로 옳지 않은 것은?

  1. 이득 감소
  2. sensitivity 감소
  3. 대역폭 감소
  4. 잡음 감소
(정답률: 알수없음)
  • 정답은 "잡음 감소"입니다.

    Negative feedback 회로는 입력 신호와 출력 신호 사이에 반대 방향으로 피드백을 주어 이득을 감소시키는 회로입니다. 이로 인해 sensitivity는 감소하지만, 대역폭은 감소하지 않습니다. 대역폭은 회로의 빠른 응답 속도를 결정하는 중요한 요소 중 하나이기 때문에, 대역폭 감소는 회로의 성능을 저하시키는 결과를 가져올 수 있습니다.
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42. 궤환증폭회로에서 전압증폭도 라 할 때 부궤환의 조건은?(단, A는 부궤환시의 증폭도이다.)

  1. |1 - Aβ|< 1
  2. Aβ = ∞
  3. Aβ = 1
  4. |1 - Aβ|>1
(정답률: 알수없음)
  • 궤환증폭회로에서 부궤환 조건은 부궤환의 증폭도가 1보다 크거나 같아야 한다는 것입니다.

    즉, Aβ ≥ 1 이어야 합니다.

    하지만 이 조건만으로는 안정적인 부궤환을 구성할 수 없습니다.

    따라서 부궤환의 안정성을 보장하기 위해서는 Aβ 값이 1보다 크면서도 |1 - Aβ| 값이 1보다 커야 합니다.

    이는 궤환증폭회로에서 출력이 부정확하게 발생하는 것을 방지하기 위한 조건입니다.

    따라서 정답은 "|1 - Aβ|>1" 입니다.
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43. α 차단주파수에 관한 사항으로 옳지 않은 것은?

  1. α 가 원래값의 0.7배가 되는 곳의 주파수이다.
  2. Base 주행 시간에 반비례한다.
  3. Base 폭의 자승에 반비례한다.
  4. 확산 정수에 반비례한다.
(정답률: 알수없음)
  • "확산 정수에 반비례한다."가 옳지 않은 것이다. 이유는 α 차단주파수는 확산 정수와 비례한다. 즉, 확산 정수가 작을수록 α 차단주파수가 작아지고, 확산 정수가 클수록 α 차단주파수가 커진다.
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44. 증폭 회로의 고주파 응답을 결정하는 요소는?

  1. 이득-대역폭적
  2. 롤-오프(Roll-Off)
  3. 바이패스 커패시턴스
  4. 트랜지스터의 내부 커패시턴스
(정답률: 알수없음)
  • 증폭 회로에서 고주파 응답을 결정하는 요소는 트랜지스터의 내부 커패시턴스입니다. 이는 고주파 신호가 트랜지스터 내부를 통과할 때 발생하는 전하 충돌로 인해 발생하는 것으로, 이 커패시턴스가 높을수록 고주파 신호의 전달이 어려워지므로 고주파 응답이 떨어지게 됩니다. 따라서 증폭 회로에서는 이 내부 커패시턴스를 최소화하기 위해 적절한 회로 설계와 트랜지스터 선택이 필요합니다.
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45. 다음 회로는 무엇인가?

  1. 2진수를 그레이코드로 변환하는 회로
  2. 2진수를 3초과 코드로 변환하는 회로
  3. 그레이코드를 2진수로 변환하는 회로
  4. 3초과 코드를 2진수로 변환하는 회로
(정답률: 알수없음)
  • 이 회로는 2진수를 그레이코드로 변환하는 회로이다. 입력된 2진수의 각 자리수와 그 전 자리수를 XOR 연산하여 그레이코드로 변환한다.
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46. 다음 그림은 무엇을 위한 회로인가?

  1. 저역통과 여파기
  2. 고역통과 여파기
  3. AC - DC 변환기
  4. 시미트 트리거
(정답률: 알수없음)
  • 이 회로는 저역통과 여파기이다. 이유는 입력 신호의 저역수분을 통과시키고 고역수분을 차단하기 때문이다. 이를 통해 입력 신호의 저역수분을 추출할 수 있다.
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47. 저주파 증폭기의 직류 입력은 2[kV], 400[mA]이고 효율은 80[%]로 보면 부하에서 나타나는 전력은?

  1. 640[W]
  2. 600[W]
  3. 480[W]
  4. 320[W]
(정답률: 알수없음)
  • 전력 = 직류 입력 전압 × 직류 입력 전류 × 효율
    = 2[kV] × 400[mA] × 80[%]
    = 0.002[kW] × 0.4[A] × 0.8
    = 0.00064[kW] = 640[W]

    따라서, 부하에서 나타나는 전력은 640[W]이다.
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48. 논리 회로의 출력 X는?

  1. AB
  2. A
  3. B
(정답률: 알수없음)
  • 입력 A와 B가 모두 1일 때, AND 게이트를 통해 출력 X는 1이 된다. 따라서 "AB"가 정답이다.
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49. 음귀환에 의한 입曺출력 임피던스 변화의 설명 중 옳은 것은?

  1. 직렬-전압 귀환 회로의 출력 임피던스는 증가한다.
  2. 직렬-전류 귀환 회로의 입력 임피던스는 감소한다.
  3. 병렬-전압 귀환 회로의 출력 임피던스는 증가한다.
  4. 병렬-전류 귀환 회로의 입력 임피던스는 감소한다.
(정답률: 알수없음)
  • 음귀환은 회로의 입력과 출력을 바꾸는 것을 말한다. 이 때, 입력 임피던스와 출력 임피던스는 서로 바뀌게 된다.

    병렬-전류 귀환 회로에서는 입력 임피던스가 감소하게 된다. 이는 입력 전압이 일정하다면 입력 전류가 증가하기 때문이다. 따라서, 입력 임피던스는 입력 전압에 대한 입력 전류의 비율로 정의되므로, 입력 전류가 증가하면 입력 임피던스는 감소하게 된다.

    따라서, "병렬-전류 귀환 회로의 입력 임피던스는 감소한다."가 옳은 설명이다.
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50. 0 바이어스(zero bias)로 된 B급 푸시풀 증폭기에서 일어나기 쉬운 중력 파형의 일그러짐 현상을 무엇이라고 하는가?

  1. 주파수 일그러짐
  2. 진폭 일그러짐
  3. 교차 일그러짐
  4. 위상 일그러짐
(정답률: 알수없음)
  • 교차 일그러짐은 입력 신호의 양수 부분과 음수 부분이 각각 다른 증폭기를 거치면서 발생하는 일그러짐 현상입니다. 이는 바이어스가 없는 B급 푸시풀 증폭기에서 특히 일어나기 쉽습니다.
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51. 그림과 같은 논리회로의 출력은?

  1. Y = AB
(정답률: 알수없음)
  • 이 논리회로는 AND 게이트와 OR 게이트로 이루어져 있다. 입력 A와 B가 AND 게이트에 들어가서 출력이 AB가 되고, 입력 C와 AB가 OR 게이트에 들어가서 출력이 C+AB가 된다. 따라서 입력이 1, 1, 0일 때, AB는 1이 되고, C+AB는 1+1=1이 된다. 따라서 출력은 1이 된다.
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52. 부궤환 증폭기의 특징 중 옳지 않은 것은?

  1. 증폭도가 증가한다.
  2. 주파수 특성이 좋다.
  3. 일그러짐과 잡음이 감소한다.
  4. 부하 변동에 의한 이득 변동이 감소한다.
(정답률: 알수없음)
  • 정답: "증폭도가 증가한다."는 부궤환 증폭기의 특징 중 옳은 것이다.

    부궤환 증폭기는 특정 주파수 대역에서 증폭을 수행하는데, 이 때 증폭도가 증가하면 입력 신호의 크기가 출력 신호의 크기보다 더욱 커지게 되므로 증폭기의 성능이 더욱 우수해진다. 이는 부궤환 증폭기가 입력 신호를 증폭할 때, 출력 신호의 크기가 입력 신호의 크기보다 더욱 크게 증폭되도록 설계되어 있기 때문이다. 따라서 "증폭도가 증가한다."는 부궤환 증폭기의 특징 중 옳은 것이다.
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53. 다음과 같은 comparator 회로에서 입력에 정현파를 인가하면 출력파형은?

  1. 구형파형
  2. 정현파형
  3. 톱니파형
  4. ramp 파형
(정답률: 알수없음)
  • 이 comparator 회로는 입력 신호가 Vref보다 크면 출력이 High, 작으면 Low가 되는 회로이다. 따라서 입력으로 정현파를 인가하면 Vref와 비교하여 High, Low 신호가 번갈아가며 출력되는데 이는 구형파형과 유사한 모양을 가지게 된다. 따라서 정답은 "구형파형"이다.
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54. 턴-오프 시간(turn-off time)은?

  1. 축적시간과 하강시간의 합이다.
  2. 상승시간과 지연시간의 합이다.
  3. 상승시간과 축적시간의 합이다.
  4. 상승시간과 하강시간의 합이다.
(정답률: 알수없음)
  • 턴-오프 시간은 전자 부품에서 전류가 끊어지는 시간을 의미합니다. 이때, 전류가 끊어지는 과정은 축적시간과 하강시간으로 이루어지기 때문에, "축적시간과 하강시간의 합이다."가 정답입니다.
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55. 반파 정류된 파형의 평균 값은? (단, 입력 전압은 VPsinθ 이다.)

(정답률: 알수없음)
  • 반파 정류된 파형은 양의 반주기와 음의 반주기가 번갈아 나타나는데, 이때 음의 반주기에서는 입력 전압이 음수이므로 평균 값이 음수가 된다. 따라서 평균 값은 0보다 작은 값이 된다. 이 중에서 유일하게 음수 값을 가지는 보기는 "" 이므로 정답은 "" 이다.
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56. 불 대수식 (A+B)ㆍ(A+C)와 등가인 것은?

  1. BㆍC
  2. AㆍBㆍC
  3. A+B+C
  4. A+BㆍC
(정답률: 알수없음)
  • (A+B)ㆍ(A+C)를 전개하면 AxA + AxC + BxA + BxC가 된다. 이를 정리하면 A(A+C+B) + BxC가 된다. 따라서 등가인 식은 A+BㆍC이다.
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57. 다음 회로 Qn = 0인 상태에서 S=1, R=0이 가해지면 그 직후의 출력은?

  1. Q = 1, = 0
  2. Q = 0, = 1
  3. Q = 1, = 1
  4. Q = 0, = 0
(정답률: 알수없음)
  • SR 래치 회로에서 S=1, R=0이면 Q는 1이 되고, 는 0이 된다. 이는 S 입력이 우선적으로 처리되기 때문이다. 따라서 정답은 "Q = 1, = 0"이다.
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58. 다음 회로에서VCE = 6.5[V]가 되기 위한 Rb값으로 가장 적당한 것은?(단, 여기서 VBE=0.7[V], β =100 이다.)

  1. 약 129 [㏀]
  2. 약 275 [㏀]
  3. 약 320 [㏀]
  4. 약 421 [㏀]
(정답률: 알수없음)
  • VCE = VCC - ICRC - VBE 이므로, Rb = (VCC - VCE - VBE) / IB 이다.

    여기서 IB = IC / β 이므로, Rb = (VCC - VCE - VBE) / (IC / β) 이다.

    따라서, Rb = (12[V] - 6.5[V] - 0.7[V]) / (1[mA] / 100) = 320[㏀] 이다.

    따라서, 정답은 "약 320 [㏀]" 이다.
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59. 다음 그림과 같은 이득이 Av인 연산 증폭회로에서 출력전압 Vo를 나타내는 것은?(단, V1, V2 및 V3는 입력 신호 전압이다.)

(정답률: 알수없음)
  • Av인 연산 증폭회로에서 출력전압 Vo는 다음과 같이 계산된다.

    Vo = Av(V2 - V1) + Av(V3 - V1)

    따라서, V1에 대한 영향을 제거하기 위해서는 V2와 V3의 영향만을 고려해야 한다. 이를 위해 V2와 V3를 고정하고 V1을 변화시켜보면,

    - V1이 증가하면, (V2 - V1)과 (V3 - V1)은 모두 감소하므로, Vo는 감소한다.
    - V1이 감소하면, (V2 - V1)과 (V3 - V1)은 모두 증가하므로, Vo는 증가한다.

    따라서, V1에 대한 영향을 제거하기 위해서는 V2와 V3의 영향이 서로 상쇄되어야 하며, 이는 ""의 경우에만 성립한다.
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60. 미분기의 출력과 입력은 어떤 관계인가?

  1. 출력은 입력의 변화율에 반비례한다.
  2. 출력은 입력의 변화율에 비례한다.
  3. 출력은 입력의 변화율에 무관하다.
  4. 출력은 입력의 변화율의 제곱에 비례한다.
(정답률: 알수없음)
  • 미분기의 출력은 입력의 변화율에 비례한다. 이는 미분기가 입력 신호의 변화율을 측정하여 출력으로 내보내기 때문이다. 따라서 입력 신호의 변화율이 클수록 미분기의 출력도 커지게 된다.
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4과목: 물리전자공학

61. 제 4과목: 물리전자공학 Si P-N 다이오드에서의 cut-in 전압은 약 얼마인가?

  1. 0[V]
  2. 0.7[V]
  3. 7[V]
  4. 70[V]
(정답률: 알수없음)
  • Si P-N 다이오드에서 cut-in 전압은 0.7[V]이다. 이는 Si P-N 다이오드의 내부 구조에서 P와 N 영역 사이의 전위차가 0.7[V]가 되어야 전류가 흐를 수 있기 때문이다. 이 전위차는 다이오드의 재질과 온도에 따라 약간씩 변할 수 있지만, 대체로 0.7[V] 정도의 값이 유지된다.
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62. PN접합의 역전압 의존성을 이용한 소자는?

  1. Tunnel 다이오드
  2. Zener 다이오드
  3. Varistor
  4. Varactor 다이오드
(정답률: 알수없음)
  • Varactor 다이오드는 PN접합의 역전압 의존성을 이용하여 캐패시턴스를 제어하는 소자이다. 역전압이 커질수록 캐패시턴스가 작아지고, 역전압이 작아질수록 캐패시턴스가 커지는 특성을 가지고 있어 주파수 변조, 필터링, 발진회로 등에 이용된다.
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63. 정격 100[V], 50[W] 백열 전구의 필라멘트를 0.1[sec] 사이에 통과하는 전자수는? (단, 전자의 전하량 e=1.6×10-19[C])

  1. 3.125×1017[개/초]
  2. 6.24×1016[개/초]
  3. 62.4×1017[개/초]
  4. 3.125×1016[개/초]
(정답률: 알수없음)
  • 전구의 전압과 전력으로부터 전류를 구할 수 있습니다.

    전류 = 전력 ÷ 전압 = 50[W] ÷ 100[V] = 0.5[A]

    전류와 전자의 전하량으로부터 전자수를 구할 수 있습니다.

    전자수 = 전류 ÷ 전자의 전하량 = 0.5[A] ÷ 1.6×10-19[C] = 3.125×1017[개/초]

    따라서 정답은 "3.125×1017[개/초]" 입니다.
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64. PN 접합에 순방향 바이어스를 공급할 때 특징이 아닌것은?

  1. 전장이 약해진다.
  2. 전위장벽이 높아진다.
  3. 공간전하영역의 폭이 좁아진다.
  4. 다수캐리어에 의한 확산전류는 증대한다.
(정답률: 알수없음)
  • 정답: "전위장벽이 높아진다."

    순방향 바이어스를 공급하면 PN 접합에서 N 영역의 전위가 높아지고 P 영역의 전위가 낮아져 전위차가 커지게 됩니다. 이로 인해 전자와 양자가 PN 접합을 통해 재결합하게 되고, 이 과정에서 발생하는 결합 에너지는 열로 방출됩니다. 이러한 열은 PN 접합을 통해 흐르는 전류를 방해하게 되어 전위장벽이 높아지게 됩니다. 따라서 "전위장벽이 높아진다."는 특징이 아닙니다.
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65. 0℃, 1기압(atm)에 대한 기체 분자 밀도는 약 얼마인가?(단, 볼츠만 상수 K=1.38×10-23[J/°K]이다.)

  1. 2.69×1025[m-3]
  2. 7.2×1025[m-3]
  3. 5.45×1020[m-3]
  4. 11.4×1022[m-3]
(정답률: 알수없음)
  • 기체 분자 밀도는 PV=nRT에서 n/V로 구할 수 있다. 여기서 P는 압력, V는 체적, n은 몰수, R은 기체상수, T는 온도이다. 0℃는 273K이므로 T=273K이다. 또한 1기압은 1.013×105[Pa]이므로 P=1.013×105[Pa]이다. 기체상수 R은 8.31[J/(mol·K)]이지만, 여기서는 볼츠만 상수를 사용하므로 K=1.38×10-23[J/°K]를 사용한다. 따라서,

    n/V = P/RT = (1.013×105[Pa]) / (1.38×10-23[J/°K] × 273K)
    ≈ 2.69×1025[m-3]

    따라서 정답은 "2.69×1025[m-3]"이다.
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66. 파울리(Pauli)의 배타율 원리가 만족하는 분포 함수는?

  1. Schrodinger
  2. Maxwell-Boltzmann
  3. Fermi-Dirac
  4. Poisson
(정답률: 알수없음)
  • 파울리의 배타율 원리는 동일한 양자 상태를 가진 두 개의 입자가 동시에 존재할 수 없다는 원리입니다. 이 원리는 전자와 같은 페르미온에 적용됩니다. 따라서, 전자와 같은 페르미온의 분포 함수는 Fermi-Dirac 분포 함수여야 합니다. 따라서 정답은 "Fermi-Dirac"입니다. Schrodinger, Maxwell-Boltzmann, Poisson 분포 함수는 모두 페르미온에 적용되지 않습니다.
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67. 확산 전류 밀도에 관계있는 것은?

  1. 농도의 기울기(gradient)에만 의존한다.
  2. 이동도에만 의존한다.
  3. 농도의 기울기와 이동도에 의존한다.
  4. 위의 가,나,다 모두 관계없다.
(정답률: 알수없음)
  • 확산 전류 밀도는 물질 내부의 농도 차이에 의존하며, 이 농도 차이는 농도의 기울기와 이동도에 의해 결정된다. 따라서 정답은 "농도의 기울기와 이동도에 의존한다."이다.
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68. 어느 열음극의 일함수(work function)의 값이 1/2로 되면 열전자 전류밀도는 어떻게 되는가?

(정답률: 알수없음)
  • 열전자 전류밀도는 일함수와 온도에 비례하므로, 일함수가 1/2로 줄어들면 전류밀도도 1/2로 줄어들게 된다. 따라서 정답은 "" 이다.
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69. 부성 저항 특성을 나타내는 다이오드는?

  1. 터널 다이오드
  2. 바랙터
  3. 제너 다이오드
  4. 정류용 다이오드
(정답률: 알수없음)
  • 터널 다이오드는 부성 저항 특성을 가지는 다이오드 중 하나입니다. 이는 다이오드의 전압-전류 특성이 일정 범위에서 음의 저항을 가지는 것을 의미합니다. 이러한 특성은 전자가 터널링 현상을 일으키면서 발생하는 것으로, 이를 이용해 고속 스위칭 등에 활용됩니다.
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70. 전류 제어용 소자는?

  1. 3극 진공관
  2. 접합 트랜지스터
  3. 접합 전계효과 트랜지스터
  4. 절연 게이트 전계효과 트랜지스터
(정답률: 알수없음)
  • 접합 트랜지스터는 작은 전류로도 큰 전류를 제어할 수 있기 때문에 전류 제어용 소자로 많이 사용됩니다. 또한 작은 크기와 높은 신뢰성으로 인해 다양한 전자기기에서 사용됩니다.
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71. "레이저란 원자가 ( ① )에너지 상태에서 ( ② )에너지 상태로 전이할 때 발생되는 ( ③ )방출이다." ( )안에 들어갈 옳은 표현은? (순서대로 ①, ②, ③)

  1. 낮은, 높은, 유도
  2. 높은, 낮은, 유도
  3. 낮은, 높은, 자연
  4. 높은, 낮은, 자연
(정답률: 알수없음)
  • 정답은 "높은, 낮은, 유도"이다.

    ① 원자가 높은 에너지 상태에서 전이하기 때문에 "높은"이 옳다.
    ② 전이 후에는 원자가 낮은 에너지 상태가 되므로 "낮은"이 옳다.
    ③ 레이저는 유도 방출을 이용하기 때문에 "유도"가 옳다.

    따라서, "높은, 낮은, 유도"가 정답이다.
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72. 선형적인 증폭을 위해서 트랜지스터의 동작점은?

  1. 포화영역 부근에 세워져야 한다.
  2. 차단영역 부근에 세워져야 한다.
  3. 활성영역 부근에 세워지기만 하면 된다.
  4. 차단영역과 포화영역 중간 지점에 세워져야 한다.
(정답률: 알수없음)
  • 트랜지스터가 선형적인 증폭을 위해서는 입력 신호의 작은 변화에도 출력 신호가 일정하게 변화해야 한다. 이를 위해서는 트랜지스터의 동작점이 차단영역이나 포화영역에 위치하면 안 된다. 차단영역에 위치하면 작은 입력 신호가 들어와도 출력 신호가 거의 변화하지 않기 때문에 증폭 효과가 없고, 포화영역에 위치하면 입력 신호의 크기에 상관없이 출력 신호가 최대값에 도달하여 증폭 효과가 더 이상 없어진다. 따라서 차단영역과 포화영역 중간 지점에 트랜지스터의 동작점을 세워야 작은 입력 신호에도 일정한 출력 신호를 얻을 수 있어 선형적인 증폭이 가능하다.
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73. 일반적인 드리프트 트랜지스터 장ㆍ단점에 대한 설명 중 그 내용이 가장 부적당한 것은?

  1. 컬렉터 용량이 감소한다.
  2. 이미터 효율이 적어진다.
  3. 이미터 용량이 증가한다.
  4. 컬렉터 항복 전압이 낮아진다.
(정답률: 알수없음)
  • 답: "컬렉터 용량이 감소한다."

    설명: 드리프트 트랜지스터는 고주파 신호를 증폭시키기 위해 사용되는데, 이때 컬렉터와 베이스 사이의 용량이 작을수록 더 높은 주파수에서 증폭이 가능하다. 따라서 컬렉터 용량이 감소하는 것은 드리프트 트랜지스터의 장점이다.

    컬렉터 항복 전압이 낮아지는 이유는 드리프트 트랜지스터가 고주파 신호를 증폭시키는 과정에서 컬렉터와 베이스 사이의 전압이 감소하기 때문이다. 이는 드리프트 트랜지스터의 단점 중 하나이다.
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74. 물질의 구성과 관계없는 입자는?

  1. 전자
  2. 중성자
  3. 양자
  4. 광자
(정답률: 알수없음)
  • 광자는 전자, 중성자, 양자와 달리 전기적이거나 자기적인 성질을 가지지 않는 입자로, 물질의 구성과는 관계없이 존재할 수 있습니다. 이는 광자가 전자기파의 일종으로서 전기장과 자기장이 진동하는 것으로 이해할 수 있습니다. 따라서 광자는 물질과 상호작용하여 광학적 현상을 일으키는 등의 역할을 수행합니다.
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75. Hall 계수에 의해서 구할 수 있는 사항을 가장 잘 표현한 것은?

  1. 캐리어의 종류만을 구할 수 있다.
  2. 캐리어 농도와 도전율을 알 수 있다.
  3. 캐리어 종류와 도전율을 구할 수 있다.
  4. 캐리어의 종류, 농도는 물론 도전율을 알 경우 이동도도 구할 수 있다.
(정답률: 알수없음)
  • Hall 계수는 반도체 소자에서 전기적, 자기적 특성을 파악하는 데 사용되는 값으로, 캐리어의 이동도를 구하는 데 사용된다. 따라서, 캐리어의 종류, 농도, 도전율을 알 경우 Hall 계수를 이용하여 이동도를 구할 수 있으며, 이동도를 구하면 캐리어의 이동속도와 전기전도도 등을 파악할 수 있다. 따라서, "캐리어의 종류, 농도는 물론 도전율을 알 경우 이동도도 구할 수 있다."가 가장 잘 표현한 것이다.
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76. 페르미 준위에 대한 설명으로 옳은 것은?

  1. 불순물의 양과 온도가 증가할수록 금지대의 중앙으로부터 멀어진다.
  2. 불순물의 양과 온도가 증가할수록 진성반도체의 페르미 준위에 가까워진다.
  3. 불순물의 양이 증가하면 금지대의 중앙으로부터 멀어지고, 온도가 증가하면 그와 반대이다.
  4. 불순물의 양이 증가하면 금지대의 중앙으로 가까워지고, 온도가 증가하면 그와 반대이다.
(정답률: 알수없음)
  • 페르미 준위는 금속과 반도체의 경계면에서 전자의 이동성이 급격히 변화하는 지점을 말한다. 이 때, 불순물의 양이 증가하면 금지대의 중앙으로부터 멀어지게 되는데, 이는 불순물이 전자의 이동성을 낮추기 때문이다. 반면에 온도가 증가하면 전자의 이동성이 증가하게 되므로 금지대의 중앙으로부터 멀어지게 된다. 따라서 "불순물의 양이 증가하면 금지대의 중앙으로부터 멀어지고, 온도가 증가하면 그와 반대이다."가 옳은 설명이다.
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77. 균등자계 B내에 수직으로 속도 υ로 입사한 전자의 속도를 2배로 증가시켰을 때, 전자의 운동은 어떻게 변하는가?

  1. 원운동의 주기는 4배가 된다.
  2. 원운동의 각속도는 2배가 된다.
  3. 원운동의 주기는 변하지 않는다.
  4. 원운동의 반경은 변하지 않는다.
(정답률: 알수없음)
  • 균등자계 B내에서 전자는 등속 직선 운동을 하게 된다. 따라서 전자의 운동은 원운동이 아니므로, 주어진 상황에서 원운동의 주기, 각속도, 반경은 변하지 않는다.
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78. 정자계 내에서 자계와 평행한 방향으로 운동하는 하전체는?

  1. 원 운동을 한다.
  2. 나선 운동을 한다.
  3. 지그재그 운동을 한다.
  4. 상호 작용이 없다.
(정답률: 알수없음)
  • 정자계 내에서는 상호작용이 없기 때문에 모든 물체는 등속운동을 하게 되며, 따라서 하전체도 상호작용이 없는 경우에는 등속운동을 하게 된다.
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79. 열전자 방출 현상에서 전류와 일함수와의 관계를 나타낸 식은?

  1. Einstein의 관계식
  2. Langmuir - Child의 관계식
  3. richardson - dushmann의 관계식
  4. Schottky의 관계식
(정답률: 알수없음)
  • 열전자 방출 현상에서 전류와 일함수와의 관계를 나타낸 식은 richardson - dushmann의 관계식입니다. 이 식은 열전자에서 방출되는 전자의 속도와 일함수 사이의 관계를 나타내며, 이를 통해 열전자 방출 현상의 원리를 이해할 수 있습니다. 이 식은 1901년에 Richardson과 1908년에 Dushmann에 의해 발견되었으며, 열전자 방출 현상의 이론적 기반을 제공하는 중요한 식 중 하나입니다.
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80. 트랜지스터의 제조에서 에피텍셜 층(epitaxial layer)이 많이 사용되는 이유는?

  1. 베이스 전극을 만들기 위해서
  2. 베이스 영역을 좁게 만들기 위해서
  3. 낮은 저항의 이미터 영역을 만들기 위해서
  4. 낮은 저항의 기판에 같은 도전성 형태를 가진 높은 저항의 컬렉터 영역을 만들기 위해서
(정답률: 알수없음)
  • 에피텍셜 층은 낮은 저항의 기판에 같은 도전성 형태를 가진 높은 저항의 컬렉터 영역을 만들기 위해서 사용됩니다. 이는 전류의 흐름을 원활하게 하기 위해 필요한 것입니다.
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5과목: 전자계산기일반

81. 스택(stack) 구조가 갖는 명령 형식은?

  1. 0-주소명령형식
  2. 1-주소명령형식
  3. 2-주소명령형식
  4. 3-주소명령형식
(정답률: 알수없음)
  • 스택(stack) 구조는 "0-주소명령형식"을 갖습니다. 이는 스택에서 데이터를 push하거나 pop할 때, 스택 포인터(SP)를 조작하여 주소를 직접 지정하지 않고, 스택의 맨 위에 있는 데이터를 가리키는 상대 주소(relative address)를 사용하기 때문입니다. 따라서 명령어에서는 주소 필드가 없고, 스택 포인터(SP)를 조작하는 명령어가 포함됩니다.
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82. 레지스터(Register)의 설명 중 옳지 않은 것은?

  1. 누산기(accumulator)도 레지스터의 일종이다.
  2. CPU 내부에 있으며, 자료를 기억하는 기능을 가지고 있다.
  3. 레지스터 상호 간에 자료의 전달은 버스를 이용한다.
  4. 레지스터의 수가 많으면 컴퓨터의 효율이 떨어진다.
(정답률: 알수없음)
  • "레지스터의 수가 많으면 컴퓨터의 효율이 떨어진다."라는 설명이 옳지 않다. 레지스터의 수가 많을수록 CPU가 처리할 수 있는 데이터 양이 늘어나므로 컴퓨터의 성능이 향상된다. 그러나 레지스터의 수가 많을수록 전력 소모가 증가하고, 레지스터 간의 연결이 복잡해지므로 설계 및 제작 비용이 증가할 수 있다. 따라서 레지스터의 수를 적절하게 조절하는 것이 중요하다.
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83. 명령(instruction)의 구성 부분이 될 수 없는 것은?

  1. operand
  2. operation code
  3. condition code
  4. address
(정답률: 알수없음)
  • 명령(instruction)의 구성 부분으로는 "operand", "operation code", "address"가 포함되지만, "condition code"는 명령의 실행 결과에 따라 다음 명령을 실행할지 말지를 결정하는 제어 플래그이므로 구성 부분이 될 수 없다.
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84. 서브루틴의 리턴 어드레스를 저장하기 위한 데이터 구조는?

  1. STACK
  2. QUEUE
  3. Linked List
  4. Tree 구조
(정답률: 알수없음)
  • 서브루틴의 리턴 어드레스를 저장하기 위한 데이터 구조는 스택이다. 이는 서브루틴이 호출될 때 호출한 함수의 리턴 어드레스를 스택에 저장하고, 서브루틴이 종료될 때 스택에서 리턴 어드레스를 꺼내어 호출한 함수로 돌아가기 때문이다. 이러한 과정을 스택 프레임이라고 하며, 스택은 후입선출(LIFO) 구조를 가지므로 가장 최근에 저장된 리턴 어드레스가 가장 먼저 꺼내어진다.
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85. 다음 중 순서 논리 회로에 해당되는 것은?

  1. 부호기(encoder)
  2. 반가산기(half adder)
  3. 플립-플롭(flip-flop)
  4. 멀티플렉서(multiplexer)
(정답률: 알수없음)
  • 순서 논리 회로는 이전 상태에 따라 다음 상태가 결정되는 회로를 말한다. 이러한 특성을 가진 회로 중에서 가장 대표적인 것이 플립-플롭이다. 플립-플롭은 이전 상태에 따라 현재 상태가 결정되는 회로로, 순서 논리 회로의 대표적인 예시이다.
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86. 컴퓨터로 업무를 처리할 때 처리할 업무를 분석하여 최종 결과가 나오기까지의 작업 절차를 지시하는 명령문의 집합체를 무엇이라고 하는가?

  1. 컴파일(Compile)
  2. 프로그램(program)
  3. 알고리즘(algorithm)
  4. 프로그래머(Programmer)
(정답률: 알수없음)
  • 프로그램은 컴퓨터로 처리할 업무를 분석하여 최종 결과가 나오기까지의 작업 절차를 지시하는 명령문의 집합체입니다. 따라서 컴퓨터가 이해할 수 있는 언어로 작성된 프로그램은 컴파일러에 의해 기계어로 변환되어 실행됩니다. 알고리즘은 문제를 해결하기 위한 절차나 방법을 말하며, 프로그래머는 프로그램을 작성하는 사람을 의미합니다.
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87. 2의 보수 표현방식에 의해 n 비트의 정수를 표현할 때 허용 범위로 옳은 것은?

  1. -(2n-1) ∼ (2n-1)
  2. -(2n-1) ∼ (2n-1-1)
  3. -(2n-1) ∼ -(2n-1-1)
  4. -(2n-1-1) ∼ (2n-1-1)
(정답률: 알수없음)
  • 2의 보수 표현방식에서 음수는 최상위 비트가 1이고, 양수는 최상위 비트가 0인 것으로 나타낸다. 따라서 n 비트의 정수에서 최상위 비트는 2n-1의 값을 가진다.

    음수의 경우, 최상위 비트가 1이므로 2의 보수를 취하면 최상위 비트를 제외한 나머지 비트들은 모두 반전되고, 최상위 비트는 그대로 유지된다. 따라서 최소값은 -2n-1이 된다.

    양수의 경우, 최상위 비트가 0이므로 2의 보수를 취해도 값에 변화가 없다. 따라서 최대값은 2n-1-1이 된다.

    따라서 옳은 허용 범위는 "-(2n-1) ∼ (2n-1-1)"이다.
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88. 다음에서 컴퓨터의 특징이라고 볼 수 없는 것은?

  1. 범용성이 우수하다.
  2. 창의성, 응용성이 있다.
  3. 데이터 처리를 신속, 정확하게 할 수 있다.
  4. 대용량의 데이터를 기억, 저장, 처리를 할 수 있다.
(정답률: 알수없음)
  • 정답은 "창의성, 응용성이 있다." 이다. 이는 컴퓨터의 기술적인 특징이 아닌 인간의 능력과 관련된 것이기 때문이다. 컴퓨터는 프로그래밍된 명령을 수행하고, 데이터를 처리하며, 대용량의 데이터를 저장할 수 있는 등의 기술적인 특징을 가지고 있다. 하지만 창의성과 응용성은 인간의 능력이며, 컴퓨터는 이를 도와주는 도구일 뿐이다.
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89. 다음 그림의 병렬 가산기에서 출력되는 F의 값은? (단, 여기에서 는 B의 1'S complement이며, 음수는 2의 보수로 표현한다.)

  1. A-B
  2. A-B+1
  3. A-B-1
  4. A-1
(정답률: 알수없음)
  • 먼저, 병렬 가산기는 입력된 두 개의 이진수를 더한 후, 그 결과를 이진수로 출력하는 회로이다. 이 문제에서는 A와 B가 입력되었으므로, 병렬 가산기는 A+B를 계산하게 된다.

    그러나 B가 1의 보수로 주어졌기 때문에, B를 더하기 전에 1을 더해줘야 한다. 이는 B의 1의 보수가 음수를 나타내기 때문이다. 따라서, 병렬 가산기는 A+(B+1)을 계산하게 된다.

    이제 계산 결과인 F를 구해보자. 병렬 가산기에서는 각 자리수마다 전가산기(Full Adder)를 사용하여 덧셈을 수행한다. 따라서, F는 다음과 같이 계산된다.

    F = (A0 + B0 + 1) % 2
    (A1 + B1 + C0) % 2
    (A2 + B2 + C1) % 2
    (A3 + B3 + C2) % 2

    여기에서 %는 2로 나눈 나머지를 의미하며, C0, C1, C2는 자리올림(Carry) 값을 나타낸다. 초기값으로 C0 = 0을 설정하고, 각 자리수마다 C값을 업데이트해준다.

    따라서, 위의 식을 계산하면 다음과 같다.

    F = 1 1 0 1

    즉, F의 값은 1101이다.

    따라서, 정답은 "A-B-1"이다. 이유는 B가 1의 보수로 주어졌기 때문에, 병렬 가산기에서는 B+1을 계산해줘야 한다. 따라서, A-(B+1)을 계산한 후, 1의 보수를 취해줘야 한다. 이는 A-B-1과 같은 결과를 얻게 된다.
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90. 다음의 어셈블리 프로그램을 실행하는 동작은?

  1. AND
  2. Exclusive OR
  3. NAND
  4. OR
(정답률: 알수없음)
  • 이 프로그램은 레지스터 A와 B를 OR 연산한 결과를 레지스터 A에 저장하는 것입니다. OR 연산은 두 비트 중 하나라도 1이면 결과가 1이 되는 연산이므로, A와 B 중 하나라도 1이면 A에 1이 저장됩니다. 따라서 정답은 "OR"입니다.
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91. 자료의 덧셈, 뺄셈 등의 기능을 수행하는 장치는?

  1. 레지스터
  2. 제어장치
  3. 연산장치
  4. 기억장치
(정답률: 알수없음)
  • 연산장치는 컴퓨터에서 데이터의 덧셈, 뺄셈, 곱셈, 나눗셈 등의 산술 연산과 논리 연산을 수행하는 장치입니다. 따라서 자료의 덧셈, 뺄셈 등의 기능을 수행하는 장치는 연산장치입니다.
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92. 캐시(cache) 메모리에 관한 설명 중 옳은 것은?

  1. hard disk에 비해서 가격이 저렴하다.
  2. 주기억장치에 비해서 속도가 느리지만 오류 수정 기능이 있다.
  3. 주기억장치에 비해서 속도가 빠르고, 가격이 비싸다.
  4. 병렬 처리 컴퓨터에 필수적이다.
(정답률: 알수없음)
  • 캐시(cache) 메모리는 CPU가 자주 사용하는 데이터를 미리 저장해 놓는 고속 버퍼 메모리로, 주기억장치에 비해서 속도가 빠르고, 가격이 비싸기 때문에 용량이 작다. 이는 CPU가 데이터를 빠르게 처리하기 위해 사용되며, 주기억장치와 하드디스크에 비해 빠른 속도를 제공하기 때문에 성능 향상에 중요한 역할을 한다.
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93. 연산장치의 일시적 결과 또는 제어 장치가 필요한 제어 정보를 저장하는 장소는?

  1. 보조기억장치
  2. 레지스터
  3. 자기테이프
  4. 중앙처리장치
(정답률: 알수없음)
  • 레지스터는 연산장치의 일시적 결과나 제어 장치가 필요한 제어 정보를 저장하는 장소이기 때문에 정답입니다. 다른 보기들은 보조기억장치는 데이터를 장기적으로 저장하는 장소, 자기테이프는 데이터를 순차적으로 읽고 쓰는데 사용되는 저장장치, 중앙처리장치는 컴퓨터의 핵심적인 부분으로 연산, 제어, 저장 등의 작업을 수행하는 부분입니다.
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94. 흐름도 작성시 주의사항이 아닌 것은?

  1. 모든 문장을 하나의 블럭으로 상세히 그린다.
  2. 되도록이면 선이 얽히지 않게 그린다.
  3. 적당한 설명을 덧 붙인다.
  4. 서브루틴은 따로 그린다.
(정답률: 알수없음)
  • 정답: "모든 문장을 하나의 블럭으로 상세히 그린다."

    흐름도는 프로그램의 흐름을 이해하기 쉽게 그래픽으로 표현한 것이다. 따라서 모든 문장을 하나의 블럭으로 그리면 전체적인 흐름을 파악하기 쉽고, 선이 얽히지 않게 그리면 가독성이 좋아진다. 또한 적당한 설명을 덧붙이면 이해하기 쉽고, 서브루틴은 따로 그려서 전체적인 구조를 파악하기 쉽게 해야한다.
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95. 타이머(timer)에 의하여 발생하는 인터럽트는?

  1. 외부적 인터럽트
  2. 내부적 인터럽트
  3. 트랩(trap)
  4. 프로그램 인터럽트
(정답률: 알수없음)
  • 타이머(timer)는 CPU 내부에서 동작하는 하드웨어 장치가 아니라 외부적인 장치이기 때문에, 타이머에 의해 발생하는 인터럽트는 외부적 인터럽트(external interrupt)로 분류됩니다.
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96. 가상 기억체제에서 주소 공간이 1024K 이고, 기억 공간은 64K라고 가정할 때, 주기억장치의 주소 레지스터는 몇 비트로 구성되는가?

  1. 10
  2. 12
  3. 14
  4. 16
(정답률: 알수없음)
  • 1024K는 2의 10승을 2번 곱한 값이므로, 20비트가 필요하다. 기억 공간이 64K이므로, 16비트가 필요하다. 따라서, 주소 레지스터는 20비트와 16비트를 합한 36비트가 필요하다. 따라서, 정답은 "16"이다.
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97. 레이스(race) 현상을 방지하기 위하여 사용되는 플립플롭 (F/F)은?

  1. JK
  2. RS
  3. RST
  4. Master-slave
(정답률: 알수없음)
  • Master-slave는 레이스(race) 현상을 방지하기 위해 사용되는 플립플롭(F/F)의 한 종류입니다. 이는 하나의 플립플롭(F/F)이 다른 플립플롭(F/F)의 입력으로 사용되는 구조로, 입력 신호가 동시에 들어오더라도 하나의 플립플롭(F/F)이 먼저 동작하여 레이스(race) 현상을 방지할 수 있습니다.
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98. 조건에 따라 처리를 반복 실행하는 플로우 차트의 기본형은?

  1. 분기형
  2. 분류형
  3. 루프형
  4. 직선형
(정답률: 알수없음)
  • 루프형은 조건에 따라 처리를 반복 실행하는 플로우 차트의 기본형이다. 이는 반복문과 유사한 구조를 가지며, 조건이 참일 경우 반복하여 처리를 실행하고, 조건이 거짓이면 반복을 종료하는 구조를 가지기 때문이다. 따라서, 루프형은 조건에 따라 처리를 반복 실행하는 플로우 차트의 기본형이라고 할 수 있다.
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99. CPU를 구성하는 구성 요소로서 ALU에서 처리하는 자료를 항상 기억하며 처리하고자 하는 데이터를 일시 기억하는 레지스터는?

  1. ACC
  2. SR
  3. IR
  4. SP
(정답률: 알수없음)
  • ACC는 Arithmetic and Logic Unit(ALU)에서 처리하는 자료를 항상 기억하며, CPU가 처리하고자 하는 데이터를 일시 기억하는 레지스터이기 때문에 정답입니다. ACC는 CPU의 중심부에 위치하며, 연산 결과를 저장하고 다음 연산에 필요한 데이터를 저장하기도 합니다. 따라서 ACC는 CPU의 핵심적인 구성 요소 중 하나입니다. SR은 상태 레지스터, IR은 명령어 레지스터, SP는 스택 포인터를 나타내며, 이들은 ACC와는 다른 역할을 수행합니다.
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100. 어셈블리어 프로그램을 기계어로 바꾸어 주는 것은?

  1. 어셈블러
  2. 인터프리터
  3. 로더
  4. 컴파일러
(정답률: 알수없음)
  • 어셈블러는 어셈블리어로 작성된 프로그램을 기계어로 번역해주는 프로그램입니다. 어셈블리어는 사람이 이해하기 쉬운 언어이지만, 컴퓨터가 직접 실행할 수 있는 기계어로 변환되어야 합니다. 이러한 변환 작업을 수행하는 것이 어셈블러입니다. 따라서 어셈블러가 없다면, 어셈블리어로 작성된 프로그램을 실행할 수 없습니다.
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