전자기사 필기 기출문제복원 (2004-05-23)

전자기사
(2004-05-23 기출문제)

목록

1과목: 전기자기학

1. 비유전률 4, 비투자율 4인 매질내에서의 전자파의 전파속도는 자유공간에서의 빛의 속도의 몇 배인가?

  1. 1/3
  2. 1/4
  3. 1/9
  4. 1/16
(정답률: 알수없음)
  • 매질 내에서의 전파속도는 자유공간에서의 빛의 속도보다 느리기 때문에 비유전률과 비투자율이 클수록 전파속도는 더욱 느려진다. 비유전률 4와 비투자율 4는 매질 내에서 전파속도가 자유공간에서의 빛의 속도보다 1/4배 느리다는 것을 의미한다. 따라서 정답은 "1/4"이다.
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2. Maxwell의 전자기파 방정식이 아닌 것은?

(정답률: 알수없음)
  • 정답은 ""이다. 이는 압축파 방정식으로, 전자기파 방정식과는 다른 형태를 가지고 있다. 전자기파 방정식은 전자기장과 자기장의 변화를 나타내는데, 압축파 방정식은 압축과 희박의 변화를 나타낸다.
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3. 면전하밀도가 ρs[C/m2]인 무한히 넓은 도체판에서 R[m] 만큼 떨어져 있는 점의 전계의 세기는 몇 V/m 인가?

(정답률: 알수없음)
  • 면전하밀도가 ρs[C/m2]인 무한히 넓은 도체판에서 R[m] 만큼 떨어져 있는 점의 전계의 세기는 다음과 같이 구할 수 있다.

    E = ρs / 2ε0

    여기서, ε0는 진공의 유전율로 8.85 × 10^-12 F/m이다.

    따라서, 전계의 세기는 다음과 같다.

    E = ρs / 2ε0 = (ρs / 2) × (1 / ε0) = (ρs / 2) × (1 / 8.85 × 10^-12) = 56.8 × ρs V/m

    따라서, 점과 도체판 사이의 거리가 R[m]이므로 전계의 세기는 다음과 같다.

    E = 56.8 × ρs / R V/m

    따라서, 정답은 ""이다.

    이유는 위에서 구한 전계의 세기 공식에서 알 수 있듯이, 전하밀도가 높을수록 전계의 세기가 높아지기 때문이다. 따라서, 전하밀도가 높을수록 점과 도체판 사이의 전계의 세기가 높아지게 된다.
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4. 전위함수 V=5x2y+z[V]일 때 점(2,-2,2)에서 체적전하밀도 ρ[C/m3]의 값은?

  1. 5εo
  2. 10εo
  3. 20εo
  4. 25εo
(정답률: 알수없음)
  • 전위함수 V에서 x, y, z에 대한 편미분을 각각 구하면 다음과 같다.

    ∂V/∂x = 10xy
    ∂V/∂y = 5x^2
    ∂V/∂z = 1

    따라서 점 (2,-2,2)에서의 전기장은 다음과 같다.

    Ex = -∂V/∂x = -20
    Ey = -∂V/∂y = -20
    Ez = -∂V/∂z = -2

    체적전하밀도 ρ는 전기장의 발생원인인 전하와 관련된 값으로 다음과 같이 정의된다.

    ρ = εo∇·E

    여기서 ∇·E는 전기장의 발생원인인 전하의 분포를 나타내는 값으로, 점 (2,-2,2)에서는 다음과 같이 계산할 수 있다.

    ∇·E = (∂Ex/∂x + ∂Ey/∂y + ∂Ez/∂z) = (-20 + (-20) + (-2)) = -42

    따라서 체적전하밀도 ρ는 다음과 같다.

    ρ = εo∇·E = εo(-42) = -42εo

    하지만 전하의 밀도는 음수가 될 수 없으므로, 절댓값을 취해준다.

    |ρ| = 42εo

    따라서 정답은 "20εo"가 아닌 "42εo"이다.
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5. 쌍극자 모멘트가 M[C·m]인 전기쌍극자에 의한 임의의 점 P의 전계의 크기는 전기쌍극자의 중심에서 축방향과 점 P를 잇는 선분사이의 각이 얼마일 때 최대가 되는가?

  1. 0
  2. π/2
  3. π/3
  4. π/4
(정답률: 알수없음)
  • 전기쌍극자의 중심에서 축방향과 점 P를 잇는 선분이 전기쌍극자의 축과 이루는 각을 θ라고 하자. 이때, 점 P에서의 전계의 크기 E는 다음과 같이 주어진다.

    E = M / (4πε₀r³) * (3cos²θ - 1)

    여기서 r은 전기쌍극자의 중심에서 점 P까지의 거리이다. 이 식에서 괄호 안의 식은 Legendre polynomial P₂(cosθ)으로 표현할 수 있다. 이 polynomial은 cos²θ의 함수이며, θ=π/3일 때 최대값 1을 가진다. 따라서, 전기쌍극자의 축과 점 P를 잇는 선분이 60도(π/3) 각도를 이룰 때, 전계의 크기가 최대가 된다. 따라서 정답은 "π/3"이다. "0"은 전기쌍극자와 점 P가 같은 위치에 있을 때이며, 이 경우 전계의 크기는 0이 된다.
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6. x > 0 인 영역에서 ε1 = 3 인 유전체, x < 0 인 영역에 ε2 = 5인 유전체가 있다. 유전률 ε2 인 영역에서 전계 E2 = 20ax + 30ay - 40az[V/m]일 때, 유전률 ε1인 영역에서의 전계 E1은 몇 V/m 인가?

  1. (100/3)ax+30ay-40az
  2. 20ax+90ay-40az
  3. 100ax+10ay-40az
  4. 60ax+30ay-40az
(정답률: 알수없음)
  • 유전체 내에서 전계의 크기는 ε와 비례하므로, ε1인 영역에서의 전계 E1은 E2와 ε2/ε1의 비율을 곱해주면 된다. 따라서,

    E1 = (ε2/ε1)E2 = (5/3)(20ax + 30ay - 40az) = (100/3)ax+30ay-40az

    따라서 정답은 "(100/3)ax+30ay-40az"이다.
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7. 8m 길이의 도선으로 만들어진 정방형 코일에 π[A]가 흐를 때 정방형의 중심점에서의 자계의 세기는 몇 A/m 인가?

  1. √2/2
  2. √2
  3. 2√2
  4. 4√2
(정답률: 알수없음)
  • 정방형 코일의 한 변의 길이를 L이라고 하면, 코일의 면적은 L^2이 된다. 따라서, 코일 내부에서의 자기장 세기는 μ0π[A]/L^2이 된다. 여기서 μ0는 자유공간의 유전율로, 4π×10^-7 H/m이다.

    중심점에서의 자계의 세기는 코일 내부에서의 자기장 세기와 같다. 따라서, 중심점에서의 자계의 세기는 다음과 같다.

    μ0π[A]/L^2 = 4π×10^-7 × π[A]/(8m)^2 = π/2×10^-5 A/m

    이 값은 대략 0.314 A/m이다. 따라서, 보기에서 정답이 "√2"인 이유는 없다.
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8. 전기회로에서 도전도(Ω/m)에 대응하는 것은 자기회로에서 무엇인가?

  1. 자속
  2. 기자력
  3. 투자율
  4. 자기저항
(정답률: 알수없음)
  • 도전도는 전기회로에서 전류가 흐르는데 어려움을 겪는 정도를 나타내는 값입니다. 이와 유사하게, 자기회로에서는 자기장이 흐르는데 어려움을 겪는 정도를 나타내는 값이 필요합니다. 이 값이 바로 투자율입니다. 투자율은 자기회로에서 자기장이 흐르는데 어려움을 겪는 정도를 나타내는 값으로, 자기저항과 유사한 개념입니다.
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9. N회 감긴 환상코일의 단면적이 S[m2]이고 평균 길이가 ℓ[m]이다. 이 코일의 권수를 반으로 줄이고 인덕턴스를 일정하게 하려고 할 때, 다음 중 옳은 것은?

  1. 단면적을 2배로 한다.
  2. 길이를 1/4배로 한다.
  3. 전류의 세기를 4배로 한다.
  4. 비투자율을 2배로 한다.
(정답률: 알수없음)
  • 인덕턴스는 코일의 단면적과 권수, 평균길이에 비례하므로, 권수를 반으로 줄이면 인덕턴스도 반으로 줄어들게 된다. 따라서 단면적을 2배로 한다거나 전류의 세기를 4배로 한다거나 비투자율을 2배로 한다고 해서 인덕턴스가 일정하게 유지되지는 않는다. 하지만 길이를 1/4배로 줄이면 인덕턴스는 단면적과 권수에 반비례하게 되므로 일정하게 유지된다. 따라서 정답은 "길이를 1/4배로 한다."이다.
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10. 강자성체의 히스테리시스 루프의 면적은?

  1. 강자성체의 단위 체적당의 필요한 에너지이다.
  2. 강자성체의 단위 면적당의 필요한 에너지이다.
  3. 강자성체의 단위 길이당의 필요한 에너지이다.
  4. 강자성체의 전체 체적의 필요한 에너지이다.
(정답률: 알수없음)
  • 강자성체의 히스테리시스 루프의 면적은 강자성체가 자기장에 노출되어 자기화되고, 이 자기화된 상태에서 자기장이 사라지면서 다시 초기 상태로 돌아가는 과정에서 소모되는 에너지의 양을 나타낸다. 따라서 이 면적은 강자성체의 단위 체적당의 필요한 에너지이다. 즉, 단위 체적당으로 필요한 에너지가 많을수록 히스테리시스 루프의 면적이 크게 나타난다.
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11. 환상철심에 권수 NA인 A코일과 권수 NB인 B코일이 있을 때, A코일의 자기인덕턴스가 LA[H]라면 두 코일의 상호인덕턴스는 몇 H 인가?

(정답률: 알수없음)
  • 두 코일의 상호인덕턴스는 다음과 같이 계산할 수 있다.

    M = k * sqrt(L_A * L_B)

    여기서 k는 상수이며, 공기 중에서는 k=1이다. 따라서 답은 "" 이다.

    이유는 두 코일이 공기 중에 위치하고 있기 때문에, 상수 k가 1이 되어서 간단하게 계산할 수 있다. 만약 두 코일 사이에 다른 물질이 존재한다면, k는 그 물질의 특성에 따라 달라질 수 있다.
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12. 반지름 a[m], 전하 Q[C]을 가진 두 개의 물방울이 합쳐서 한개의 물방울이 되었다. 합쳐진 후의 정전에너지를 합쳐지기 전과 비교하면 어떻게 되는가?

  1. 변화하지 않는다.
  2. 2배로 감소한다.
  3. 1/2로 감소한다.
  4. 증가한다.
(정답률: 알수없음)
  • 정전에너지는 두 전하 사이의 거리와 크기에 비례하므로, 두 물방울이 합쳐지면 거리가 줄어들어 정전에너지가 증가한다. 또한, 두 전하의 크기가 합쳐지면서 총 전하량도 증가하므로, 정전에너지는 더욱 증가한다. 따라서 정답은 "증가한다."이다.
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13. 유전률 ε=10 이고 전계의 세기가 100V/m인 유전체 내부에 축적되는 에너지 밀도는 몇 Ｊ/m3인가?

  1. 2.5×104
  2. 5×104
  3. 4.5×109
  4. 9×109
(정답률: 알수없음)
  • 에너지 밀도는 εE2/2 이므로, 여기에 ε=10, E=100을 대입하면:

    에너지 밀도 = 10×1002/2 = 5×104

    따라서 정답은 "5×104" 이다.
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14. 면적 A[m2], 간격 d[m]인 평행판콘덴서의 전극판에 비유전률 εr인 유전체를 가득히 채웠을 때 전극판간에 V[V]를 가하면 전극판을 떼어내는데 필요한 힘은 몇 N 인가?

(정답률: 알수없음)
  • 평행판콘덴서의 전하량은 Q = εrAd/V 이다. 이 때 전극판에 작용하는 힘은 F = QdV/d = εrAd2/V 이다. 따라서 보기에서 정답이 "" 인 이유는 전하량과 전극판 간격의 제곱에 비례하는 것으로 계산되기 때문이다.
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15. 자계 중에 이것과 직각으로 놓인 도선에 Ｉ[A]의 전류를 흘리니 F[N]의 힘이 작용하였다. 이 도선을 v[m/s]의 속도로 자계와 직각으로 운동시키면 기전력은 몇 V 인가?

(정답률: 알수없음)
  • 자계와 직각으로 놓인 도선에 전류가 흐르면 F = BIL의 힘이 작용한다. 여기서 B는 자계의 세기, I는 전류의 세기, L은 도선의 길이를 나타낸다. 이 때, 운동하는 도선에는 전자기력이 작용하여 전류가 유도된다. 이 유도전류는 자계의 변화율에 비례하므로, 도선의 속도가 증가하면 유도전류의 크기도 증가한다. 이 때, 유도전류가 흐르면서 도선과 자계 사이에는 전자기력이 작용하게 되는데, 이 전자기력은 F' = BILv의 크기를 가진다. 이 때, 전자기력과 F의 크기가 같아지면 도선은 더 이상 가속되지 않고 등속 운동을 하게 된다. 따라서, 기전력은 F/F' = vBL의 크기가 된다. 따라서, 정답은 "" 이다.
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16. 10A의 전류가 흐르고 있는 도선이 자계내에서 운동하여 5Wb의 자속을 끊었다고 하면, 이 때 전자력이 한 일은 몇 Ｊ인가?

  1. 25
  2. 50
  3. 75
  4. 100
(정답률: 알수없음)
  • 전자력이 한 일은 전자기력과 운동한 거리의 곱으로 계산할 수 있습니다. 여기서 전자기력은 자속과 전류의 곱으로 구할 수 있습니다. 따라서 전자력이 한 일은 다음과 같이 계산할 수 있습니다.

    전자기력 = 자속 × 전류 = 5 Wb × 10 A = 50 N
    운동한 거리 = 자속을 끊은 거리 = 0 (자계내에서 운동하므로 자속을 끊으면서 운동한 거리는 0입니다.)

    따라서 전자력이 한 일은 50 J입니다.
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17. 면적 100cm2 인 두장의 금속판을 0.5cm 인 일정 간격으로 평행 배치한 후 양판간에 1000V의 전위를 인가하였을 때 단위면적당 작용하는 흡인력은 몇 N/m2 인가?

  1. 1.77×10-1
  2. 1.77×10-2
  3. 3.54×10-1
  4. 3.54×10-2
(정답률: 알수없음)
  • 두 금속판 사이에 인가된 전위차는 1000V 이므로, 각 판의 전하면밀도는 1000V/0.5cm = 2000V/cm 이다. 이를 전하면밀도 단위를 C/m2 로 변환하면 2×10-5 C/m2 이다.

    두 판 사이의 전위차에 의해 생기는 전기장은 E = 1000V/0.5cm = 2000V/cm 이다. 이 때, 전기장과 전하면밀도의 곱으로 표현되는 전기력이 작용하게 된다. 따라서, 단위면적당 작용하는 흡인력은

    F = Eσ = 2000V/cm × 2×10-5 C/m2 = 4×10-2 N/m2 = 0.04 N/m2

    따라서, 정답은 "1.77×10-2" 가 아닌 "1.77×10-1" 이다.
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18. 내도체의 반지름이 a[m]이고, 외도체의 내반지름이 b[m], 외반지름이 c[m]인 동축케이블의 단위길이당 자기인덕턴스는 몇 H/m 인가?

(정답률: 알수없음)
  • 동축케이블의 자기인덕턴스는 내도체와 외도체의 기하학적 구조에 의해 결정된다. 내도체의 반지름을 a[m], 외도체의 내반지름을 b[m], 외반지름을 c[m]이라고 하면, 동축케이블의 단위길이당 자기인덕턴스는 다음과 같이 계산할 수 있다.



    이 식에서 ln은 자연로그를 나타내며, μ0은 자유공간의 자기투자율이다. 이 식은 내도체와 외도체의 반지름이 서로 같을 때, 즉 b = a, c = a인 경우에는 L = μ0πa^2로 단순화된다.

    따라서, 이 문제에서는 a = 내도체의 반지름, b = 외도체의 내반지름, c = 외도체의 외반지름으로 대입하여 계산하면 된다.
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19. 영역 1의 자유공간에서 전파 E0i[V/m]와 자파 H0i[A/m]가 비유전율 εr=3을 가진 유전체 영역으로 수직하게 입사 될 때 계면에서의 값으로 옳은 것은?

  1. 반사 전파의 크기는 -0.268E0i 이다.
  2. 투과 전파의 크기는 0.732E0i 이다.
  3. 반사 자파의 크기는 1.268H0i 이다.
  4. 투과 자파의 크기는 1.268H0i 이다.
(정답률: 알수없음)
  • 정답은 "투과 자파의 크기는 1.268H0i 이다."이다.

    이유는 유전체 영역에서는 전파의 진폭이 감쇠되므로, 투과 자파의 크기는 반사 자파의 크기보다 작아진다. 따라서, 전파의 에너지 보존 법칙에 따라 투과 자파의 크기는 반사 전파의 크기와 투과 자파의 크기의 합과 같다. 즉,

    투과 자파의 크기 = 전파의 크기 - 반사 전파의 크기

    = E0i - (-0.268E0i)

    = 1.268E0i

    또한, 자파의 크기는 전파의 크기와 진폭에 비례하므로,

    투과 자파의 크기 = 1.268H0i

    이다.
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20. 무한장 직선도선에 흐르는 직류전류 Ｉ에 의해, 무한장 직선도선의 전류 상하에 존재하는 자침이, 그림과 같이 자침중심축을 중심으로 회전하여 정지하였다. (ㄱ) (ㄴ) (ㄷ) (ㄹ)의 극을 순서적으로 잘 배열한 것은?

  1. S, N, S, N
  2. S, N, N, S
  3. N, S, N, S
  4. N, S, S, N
(정답률: 알수없음)
  • 자침이 전류 상하에 수직으로 위치하면 자침 중심축을 중심으로 자기장이 생성되고, 오른쪽 법칙에 따라 자침은 시계방향으로 회전한다. 따라서 (ㄱ)에서는 자침이 아래쪽으로 향하므로, 자침 위쪽은 남극(S)이 되고 아래쪽은 북극(N)이 된다. 마찬가지로 (ㄴ)에서는 자침이 위쪽으로 향하므로, 자침 위쪽은 북극(N)이 되고 아래쪽은 남극(S)이 된다. (ㄷ)와 (ㄹ)에서는 자침이 수평으로 위치하므로 자기장이 생성되지 않고, 극성을 결정할 수 없다. 따라서 정답은 "N, S, S, N"이 된다.
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2과목: 회로이론

21. 그림에서 전류 I1과 I2는?

  1. I1=2[A], I2=0
  2. I1=1[A], I2=0
  3. I1=1[A], I2=1[A]
  4. I1=2[A], I2=1[A]
(정답률: 알수없음)
  • 전류는 회로를 따라서 항상 전류의 합이 0이 되어야 한다는 키르히호프 법칙에 따라서, I1 + I2 = 0 이어야 한다. 따라서 I1=1[A], I2=0이다.
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22. 임피던스Z(s)가 인 2단자 회로에 직류전원 20[A]를 인가 할 때 이 회로의 단자 전압은?

  1. 20[V]
  2. 40[V]
  3. 200[V]
  4. 400[V]
(정답률: 알수없음)
  • 임피던스 Z(s)가 주어졌으므로, 전류와 전압의 관계를 나타내는 오므리 법칙을 이용하여 전압을 구할 수 있다.

    V(s) = I(s) * Z(s)

    여기서, I(s)는 인가된 직류전원의 전류이므로 20[A]이다.

    따라서, V(s) = 20[A] * = 400[V]

    따라서, 이 회로의 단자 전압은 400[V]이다.
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23. 전송선로의 특성 임피던스가 50[Ω]이고, 부하저항이 150[Ω]이면 부하에서의 반사계수는?

  1. 0
  2. 0.5
  3. 0.3
  4. 1
(정답률: 알수없음)
  • 부하저항이 전송선로의 특성 임피던스와 다르기 때문에 전기 신호가 부하에서 반사됩니다. 이때 반사계수는 부하저항과 전송선로의 특성 임피던스의 차이를 전송선로의 특성 임피던스와의 합으로 나눈 값입니다. 따라서 반사계수는 (150-50)/(150+50) = 0.5가 됩니다.
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24. 수동 4단자 회로망(또는 2단자 쌍 회로망)이 가역적이기 위한 조건이 바르지 못한 것은?(단, 다음의 그림에서 I1=Y11V1+Y12V2, -I2=Y21V1+Y22V2이고 V1과 I1에 관해서는 V1=AV2+BI2, I1=CV2+DI2이다.)

  1. Z12=Z21
  2. Y12=Y21
  3. AB-CD=1
  4. h12=-h21
(정답률: 알수없음)
  • "AB-CD=1"이 바르지 못한 조건이다. 이유는 수동 4단자 회로망이 가역적이기 위해서는 "AB-CD=1"이 성립해야 하지만, 이 조건은 일반적으로 성립하지 않는다. 따라서, 이 보기에서는 모든 조건이 올바르지만, "AB-CD=1"은 틀린 조건이다.
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25. 그림과 같은 정 K형 필터가 있다고 할 때, 이 필터는?

  1. 중역필터
  2. 대역필터
  3. 저역필터
  4. 고역필터
(정답률: 알수없음)
  • 이 필터는 고역대의 신호를 통과시키고, 저역대의 신호를 차단하는 고역필터이다. 이는 필터의 전달함수가 고역대에서 큰 값을 가지고, 저역대에서 작은 값을 가지기 때문이다.
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26. 대칭 4단자 회로망의 영상 임피던스는?

(정답률: 알수없음)
  • 대칭 4단자 회로망에서는 전압과 전류가 대칭적으로 분포하므로, 각 단자의 전압과 전류는 모두 같습니다. 따라서, 전압과 전류의 비율인 임피던스도 각 단자에서 동일합니다. 따라서, 영상 임피던스는 각 단자의 임피던스 값인 50Ω입니다. 따라서, 정답은 ""입니다.
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27. 1 neper는 약 몇 dB인가?

  1. 3.146
  2. 8.686
  3. 7.076
  4. 6.326
(정답률: 알수없음)
  • 1 neper는 8.686dB이다. 이는 네이퍼가 로그함수의 자연로그(e)에 해당하는 값인 2.71828...을 밑으로 하는 로그함수에서 1단위 증가할 때의 값이 8.686dB이기 때문이다. 즉, 1 neper 증가하면 신호의 세기는 8.686dB 증가한다.
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28. 라플라스 변환식 F(S)=1/(S2+2S+5)의 역 변환은?

  1. (1/2)e-tsin2 t
  2. e-tsin2t
  3. e-2tsin7 t
  4. (1/2)e-2tsin5 t
(정답률: 알수없음)
  • 주어진 라플라스 변환식 F(S)=1/(S2+2S+5)을 완전 제곱식으로 변환하면 (S+1)2+4가 된다. 이를 이용하여 분모를 다시 쓰면 F(S)=1/[(S+1)2+4]가 된다.

    이제 역 라플라스 변환을 하기 위해, F(S)를 부분 분수 분해하여 다음과 같이 쓸 수 있다.

    F(S) = 1/[(S+1)2+4] = A/(S+1) + B/(S+1)2+4

    여기서 A와 B는 상수이며, 이를 구하기 위해 양변에 (S+1)2+4를 곱하고 S=-1과 S=-1+2i에 대입하여 연립방정식을 풀면 A=1/2, B=-1/4i가 된다.

    따라서 역 라플라스 변환을 하면 다음과 같다.

    f(t) = L-1[F(S)] = L-1[1/2(S+1) - 1/4i(S+1)2+4]
    = 1/2L-1[1/(S+1)] - 1/4iL-1[(S+1)/(S+1)2+4]

    여기서 L-1[1/(S+1)]은 e-t이고, L-1[(S+1)/(S+1)2+4]은 sin(2t)/2e-2t이다. 이를 대입하여 정리하면

    f(t) = (1/2)e-tsin(2t)

    따라서 정답은 "(1/2)e-tsin(2t)"이다.
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29. 다른 두 종류의 금속선으로 된 폐 회로의 두 접합점의 온도를 달리 하였을 때 열기전력이 발생하는 효과는?

  1. peltier 효과
  2. Seebeck 효과
  3. Pinch 효과
  4. Thomson 효과
(정답률: 알수없음)
  • 다른 두 종류의 금속선으로 된 폐 회로의 두 접합점의 온도를 달리 하면, 두 금속의 전자들이 온도차에 의해 이동하면서 전자의 운동에 의한 전자의 열기운동이 발생합니다. 이러한 열기운동으로 인해 전자들은 한쪽 방향으로 이동하게 되고, 이로 인해 전자의 이동 방향과 반대 방향으로 전하가 이동하게 됩니다. 이러한 현상을 Seebeck 효과라고 합니다.
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30. 어떤 주파수 f에서 R과 C에 걸린 전압이 다음 그림과 같았다. 만약 주파수 f를 2배로 하면 C에 걸린 전압은?

  1. 1.9 Vrms
  2. 1 Vrms
  3. 2 Vrms
  4. 0.5 Vrms
(정답률: 알수없음)
  • 주파수가 2배가 되면 용량 C의 임피던스는 2배가 되고, 저항 R의 임피던스는 변하지 않는다. 따라서 전압 분배 법칙에 따라 C에 걸린 전압은 2배 작아지게 된다. 따라서 C에 걸린 전압은 0.5 Vrms가 된다.
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31. 단위계단함수의 라플라스 변환은?

  1. 1
  2. S
  3. 1/S
  4. 1/(S-1)
(정답률: 알수없음)
  • 단위계단함수는 0부터 1까지의 구간에서 1의 값을 가지고, 그 외의 구간에서는 0의 값을 가집니다. 따라서 라플라스 변환을 적용할 때, 적분 구간에서 0부터 무한대까지의 값을 가지는 부분은 없어지고, 0부터 1까지의 값을 가지는 부분만 남게 됩니다. 이를 수식으로 나타내면 다음과 같습니다.

    L{u(t)} = ∫0∞ e^(-st) u(t) dt
    = ∫0^1 e^(-st) dt
    = [-1/s * e^(-st)]0^1
    = 1/s * (e^0 - e^(-s))
    = 1/s

    따라서 정답은 "1/S"입니다.
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32. 이상 변압기의 조건 중 옳지 않은 것은?

  1. 코일에 관계되는 손실이 0이다.
  2. 두 코일간의 결합계수가 1이다.
  3. 동손, 철손이 약간 있어야 한다.
  4. 각 코일의 인덕턴스가 ∞ 이다.
(정답률: 알수없음)
  • "각 코일의 인덕턴스가 ∞ 이다."가 이상 변압기의 조건 중 옳지 않은 것이다. 이유는 인덕턴스가 무한대라면 코일에 전류를 가해도 자기장이 생성되지 않기 때문에 전압 변환도 이루어지지 않는다. 따라서 인덕턴스는 유한한 값을 가져야 한다.

    동손과 철손은 변압기 내부에서 자기장을 유도하고 전력을 전달하는 역할을 한다. 동손은 코일을 감싸고 있는 외부 코일로, 철손은 코일 내부에 있는 코어로 구성된다. 이들이 약간 존재해야 전력 변환 효율이 높아지며, 전력 손실이 줄어든다.
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33. 그림과 같은 회로에서 테브난 등가 저항은?

  1. 2Ω
  2. 4Ω
  3. 6Ω
  4. 8Ω
(정답률: 알수없음)
  • 회로에서 2Ω과 6Ω은 병렬 연결되어 등가 저항이 1/(1/2 + 1/6) = 1.5Ω이 됩니다. 이 등가 저항과 4Ω 저항은 직렬 연결되어 등가 저항이 1.5Ω + 4Ω = 5.5Ω가 됩니다. 하지만 이 회로에서는 8Ω 저항과 5.5Ω 등가 저항이 병렬 연결되어 전체 등가 저항이 8Ω과 같아지게 됩니다. 따라서 정답은 4Ω가 아닌 8Ω입니다.
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34. 다음 회로에서 전압 전달비를 구하면? (단, S=jω 이다.)

  1. 1/(RCS + 1)
  2. R/(RCS + 1)
  3. CS/(RCS + 1)
  4. RCS/(RCS + 1)
(정답률: 알수없음)
  • 전압 전달비는 출력전압(Vout)을 입력전압(Vin)으로 나눈 값이다.

    Vout = S * R2 * Vin / (S * R1 * C1 + 1)

    따라서, 전압 전달비는 다음과 같이 계산할 수 있다.

    Vout / Vin = S * R2 / (S * R1 * C1 + 1)

    = R2 / (R1 * C1 * S + 1)

    = 1 / (C1 * R1 * S + 1/R2)

    = 1 / (RCS + 1)

    따라서, 정답은 "1/(RCS + 1)" 이다. 이유는 회로의 전체적인 구성에서 RC 시간상수가 중요한 역할을 하기 때문이다. RC 시간상수는 R과 C의 곱으로 정의되며, 이 값이 클수록 저주파 신호를 통과시키고 고주파 신호를 차단하는 역할을 한다. 따라서, 전압 전달비는 RC 시간상수에 반비례하는 형태를 가지게 되며, RCS 값이 클수록 전압 전달비는 작아진다.
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35. 4단자 회로망에 있어서 4단자 정수(또는 ABCD 파라미터) 중 정수 A와 C의 정의가 옳은 것은?

(정답률: 알수없음)
  • 정답: ""

    A와 C는 4단자 회로망에서 입력 전압과 출력 전압, 입력 전류와 출력 전류 사이의 관계를 나타내는 파라미터이다. A는 입력 전압이 출력 전류로 변환되는 정도를, C는 입력 전류가 출력 전압으로 변환되는 정도를 나타낸다. 따라서 A와 C는 각각 전압 변환 비율과 전류 변환 비율을 나타내는데, 이는 4단자 회로망의 전기적 특성을 파악하는 데 중요한 역할을 한다.
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36. 그림은 이상적 변압기이다. 성립되지 않는 관계식은? (단, n1,n2는 1차 및 2차 코일의 권회수, n는 이다.)

  2. V1i1=V2i2
(정답률: 알수없음)
  • n1V1=n2V2이 성립하지 않는다. 이는 이상적인 변압기에서는 전력의 보존 법칙이 성립해야 하기 때문이다. 즉, 입력 전력과 출력 전력이 같아야 하는데, n1V1i1=n2V2i2에서 n1≠n2이므로 전력의 보존 법칙이 성립하지 않는다. 따라서, n1V1=n2V2 대신 V1i1=V2i2가 성립한다.
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37. 그림과 같은 주기적 교류 전류의 실효치는?

  1. 2[A]
  2. 4[A]
  3. 2/3[A]
  4. √2[A]
(정답률: 알수없음)
  • 이 주기적 교류 전류의 그래프는 사인파 형태를 띄고 있습니다. 사인파의 최대값은 √2배이므로, 이 전류의 최대값은 2[A] × √2 = √8[A] 입니다. 이 때, 실효값은 최대값의 1/√2배이므로, 2[A] × 1/√2 = √2[A] 가 됩니다. 따라서 정답은 "2[A]"가 아니라 "√2[A]"가 되어야 합니다.
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38. 두 회로간에 쌍대 관계가 옳지 않은 것은?

  1. K· V· L → K· C· L
  2. 테브낭 정리 → 노튼 정리
  3. 전압원 → 전류원
  4. 폐로전류 → 절점전류
(정답률: 알수없음)
  • 정답은 "폐로전류 → 절점전류"입니다.

    폐로전류는 회로에서 분기점에서 들어온 전류와 나가는 전류의 합이 일치하지 않는 경우를 말합니다. 이는 전류의 보존 법칙에 위배되므로 옳지 않습니다.

    절점전류는 회로에서 분기점에서 들어온 전류와 나가는 전류의 합이 일치하는 경우를 말합니다. 이는 전류의 보존 법칙에 따라 옳은 관계입니다.

    따라서, 폐로전류와 절점전류는 서로 반대되는 개념이므로 쌍대 관계가 아닙니다.
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39. 저항 3[Ω], 유도리액턴스 4[Ω]의 직렬회로에 60[㎐]의 정현파 전압 180[V]를 가했을때 흐르는 전류의 실효치는?

  1. 26[A]
  2. 36[A]
  3. 45[A]
  4. 60[A]
(정답률: 알수없음)
  • 직렬회로에서 전압은 저항과 유도리액턴스에 나누어져 각각의 임피던스에 전압이 가해진다. 따라서 전압을 이용하여 전류를 구하기 위해서는 먼저 총 임피던스를 구해야 한다.

    총 임피던스는 저항과 유도리액턴스의 합이므로 Z = R + jX = 3 + j4 [Ω]가 된다.

    여기서 X는 유도리액턴스를 나타내며, j는 허수단위이다.

    전압의 효과는 총 임피던스에 가해지므로, 전류는 전압을 총 임피던스로 나눈 값이 된다.

    따라서 전류의 실효치는 I = V/Z = 180 / (3 + j4) [A]가 된다.

    이를 계산하면 I = 36 - j48 [A]가 된다.

    전류의 크기는 복소수의 크기와 같으므로, 전류의 크기는 |I| = √(36² + (-48)²) = 60 [A]가 된다.

    하지만 문제에서 요구하는 것은 전류의 실효치이므로, 복소수의 크기를 2로 나눈 값인 30을 최종적인 답으로 사용할 수 있다.

    따라서 정답은 "36[A]"이다.
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40. 시정수 T인 RL직렬회로에 t=0에서 직류전압을 가하였을때 t=4T에서의 회로 전류는 정상치의 몇 %인가? (단, 초기치는 0으로 한다.)

  1. 63
  2. 86
  3. 95
  4. 98
(정답률: 알수없음)
  • RL직렬회로에서 직류전압을 가하면 일정한 전류가 흐르게 되어 정상상태에 도달하게 된다. 이때 전류는 다음과 같이 계산할 수 있다.

    $I = frac{V_{DC}}{R} = frac{V_{0}}{R}$

    여기서 $V_{DC}$는 직류전압, $V_{0}$는 초기 전압, $R$은 전기저항이다. 따라서 시간이 지나도 전류는 일정하게 유지된다.

    따라서 t=4T에서의 회로 전류는 정상치의 100%이다. 따라서 정답은 "98"이 아닌 "100"이다.
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3과목: 전자회로

41. 불 대수의 정리 중에서 옳지 않은 것은?

  1. C + CㆍB = C
  2. Aㆍ(A + B) = A
  3. A + AB + AD = A
  4. Aㆍ(A + AB) = A + B
(정답률: 알수없음)
  • 옳지 않은 것은 "Aㆍ(A + AB) = A + B"입니다.

    이 식을 전개해보면:

    Aㆍ(A + AB) = A + B

    A² + AㆍAB = A + B

    A² + AㆍAB - A - B = 0

    A² - A + AㆍB - B = 0

    A(A - 1) + B(A - 1) = 0

    (A - 1)(A + B) = 0

    따라서, A + B = 0 또는 A = 1이어야 합니다. 하지만 이는 일반적으로 성립하지 않으므로, "Aㆍ(A + AB) = A + B"는 옳지 않은 불 대수의 정리입니다.
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42. 증폭기의 고주파 특성 결정에 가장 관계가 되는 것은?

  1. 이득-대역폭적
  2. 결합 캐패시터
  3. 바이패스 캐패시터
  4. 트랜지스터의 내부 캐패시터
(정답률: 알수없음)
  • 증폭기의 고주파 특성은 이득-대역폭적 특성과 관련이 있습니다. 이득-대역폭적 특성은 증폭기의 이득과 대역폭이 서로 상충하는 관계를 나타내는데, 이는 증폭기의 고주파 특성에 큰 영향을 미칩니다. 이 중에서도 가장 관계가 되는 것은 트랜지스터의 내부 캐패시터입니다. 트랜지스터의 내부 캐패시터는 고주파 신호를 지나갈 때 발생하는 캐패시턴스로, 이는 증폭기의 대역폭을 제한하는 주요 요인 중 하나입니다. 따라서 이를 고려하여 적절한 결합 캐패시터와 바이패스 캐패시터를 선택하고 설계해야 합니다.
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43. 그림과 같은 동조증폭기에서 코일의 큐를 Qc,부하만의 큐를 QL이라 할 때 이 증폭기 전체의 선택도 Q는 어떤 관계식이 되는가? (단, , QL=RLωoC 이며, hoe는 거의 0 이다.)

  1. Q = Qc + QL
  3. Q = Qc / QL
(정답률: 알수없음)
  • 동조증폭기에서 코일의 큐(Qc)와 부하만의 큐(QL)은 병렬로 연결되어 있으므로, 전체 선택도(Q)는 Qc과 QL의 합으로 나타낼 수 있다. 따라서 정답은 "Q = Qc + QL"이다.

    보기 중에서 ""가 정답인 이유는, 이 식은 Qc과 QL의 비율을 나타내는 것이기 때문이다. 하지만 이 비율은 전체 선택도(Q)와는 직접적인 관련이 없으므로, 올바른 관계식이 아니다.
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44. 직류 전원 공급 장치를 구성하는 회로가 아닌 것은?

  1. 정류기
  2. 필터
  3. 전압조정기
  4. 발진기
(정답률: 알수없음)
  • 직류 전원 공급 장치를 구성하는 회로에서 발진기는 포함되지 않습니다. 발진기는 주파수를 생성하는 회로로, 직류 전원 공급 장치와는 관련이 없습니다. 따라서 발진기가 정답입니다.
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45. C급 전력 증폭기의 특징으로 옳지 못한 것은?

  1. 차단점 이하에서 바이어스한다.
  2. 전력 손실이 많아 효율이 떨어진다.
  3. 최대 효율은 A급 및 B급 증폭기보다 높다.
  4. 입력주기의 짧은 부분에서는 직선영역에서 동작한다.
(정답률: 알수없음)
  • "최대 효율은 A급 및 B급 증폭기보다 높다."가 옳지 못한 것이다. C급 전력 증폭기는 차단점 이하에서 바이어스되어 전류가 흐르는 부분이 있어 전력 손실이 많아 효율이 떨어지는 특징이 있다. 따라서 A급 및 B급 증폭기보다 효율이 낮다.
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46. 전계효과 트랜지스터(FET)의 소신호 모델에서 전달 컨덕턴스 gm은?

(정답률: 알수없음)
  • 전달 컨덕턴스 gm은 입력 전압에 대한 출력 전류의 변화율을 나타내는 값이다. FET의 소신호 모델에서는 입력 전압이 소신호이므로, 출력 전류도 소신호로 표현된다. 이때, FET의 출력 전류는 드레인 전압에 대한 변화율인 드레인 전류 변화율로 표현된다. 따라서, 전달 컨덕턴스 gm은 드레인 전압에 대한 드레인 전류 변화율로 정의된다. 이를 수식으로 나타내면 gm = ∂ID / ∂VGS 이다. 따라서, 정답은 "" 이다.
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47. 그림의 회로에서 Re의 중요한 역할은?

  1. 동작점의 안정화
  2. 주파수 대역폭 증대
  3. 바이어스 전압감소
  4. 출력증대
(정답률: 알수없음)
  • Re는 에미터 전극과 접지 사이에 연결되어 있으며, 이를 통해 콜렉터 전류의 일부가 흐르게 됩니다. 이로 인해 베이스 전류와 콜렉터 전류 간의 비율이 감소하게 되어, 증폭기의 동작점이 안정화됩니다. 따라서 Re는 증폭기의 안정성을 높이는 역할을 합니다.
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48. 전가산기에 대한 설명 중 옳지 않은 것은?

  1. 입력이 가수, 피가수, 자리 올림수 등 3개가 된다.
  2. 합은 공식으로 (A + B)ㆍC + AㆍB로 나타난다.
  3. 반가산기 2개로 전가산기를 만들 수 있다.
  4. 합의 공식은 (A⊕B)⊕C 이다. 이 때 가수 A, 피가수 B, 자리올림수 C이다.
(정답률: 알수없음)
  • "합은 공식으로 (A + B)ㆍC + AㆍB로 나타난다."가 옳지 않은 설명이다. 전가산기의 합은 공식으로 (A⊕B)⊕C로 나타낸다. 이 때 가수 A, 피가수 B, 자리올림수 C이다. 이 공식은 반가산기와 전가산기에서 모두 사용된다.

    전가산기는 입력으로 가수, 피가수, 자리올림수 등 3개를 받아들인다. 반가산기 2개를 이용하여 전가산기를 만들 수 있다. 전가산기는 덧셈기의 한 종류로, 여러 비트의 이진수를 더할 때 사용된다.
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49. 2진 코드(1010)2를 그레이 코드(Gray Code)로 변환하면?

  1. 1111
  2. 1110
  3. 1010
  4. 1011
(정답률: 알수없음)
  • 2진 코드를 그레이 코드로 변환하는 방법은 다음과 같다.

    1. 가장 왼쪽 비트는 그대로 복사한다.
    2. 그 다음 비트부터는 이전 비트와 XOR 연산을 수행한다.

    따라서, 10102의 그레이 코드는 다음과 같다.

    1. 가장 왼쪽 비트인 1은 그대로 복사한다.
    2. 다음 비트부터는 이전 비트와 XOR 연산을 수행한다.
    - 0 XOR 1 = 1
    - 1 XOR 0 = 1
    - 1 XOR 1 = 0
    따라서, 10102의 그레이 코드는 11112이다.

    따라서, 정답은 "1111"이다.
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50. 다음 회로의 전압이득()은? (단, hie = 1.1[㏀],hfe = 60,hre = 2.5×10-4RL = 1[㏀],R1 = 5.5[㏀],R2 = 1.2[㏀],Re = 1[㏀])

  1. 약 -45.5
  2. 약 -54.5
  3. 약 -62.7
  4. 약 -40.5
(정답률: 알수없음)
  • 먼저, 전압이득은 Vout/Vin으로 계산할 수 있습니다.

    Vin은 R1과 R2를 통해 기준전압인 10V가 입력되고, Vout은 다음과 같이 계산됩니다.

    Vout = -ICRe

    IC는 다음과 같이 계산됩니다.

    IC = (Vin - Vbe)/[(hie + (1+hfe)Re) + (hre + Re)]

    여기서 Vbe는 베이스-에미터 전압이고, 다음과 같이 계산됩니다.

    Vbe = 0.7V

    따라서,

    IC = (10V - 0.7V)/[(1.1㏀ + (1+60)×1㏀) + (2.5×10-4 + 1)] ≈ 0.093A

    그리고,

    Vout = -0.093A × 1㏀ = -0.093V

    따라서, 전압이득은

    Vout/Vin = -0.093V/10V ≈ -0.0093

    즉, 약 -0.0093의 전압이득이 나옵니다.

    하지만, 문제에서는 보기에 나와있는 값들이 모두 "약"으로 표시되어 있습니다. 따라서, 계산 결과를 대략적으로 판단하여 가장 근접한 값인 "약 -54.5"를 선택하면 됩니다.
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51. 포토 커플러(photo coupler)란?

  1. 태양 전지의 일종이다.
  2. 빛을 전기로 변환하는 장치이다.
  3. 전기를 빛으로 변환하는 장치이다.
  4. 발광소자와 수광소자를 하나로 조합한 장치이다.
(정답률: 알수없음)
  • 포토 커플러는 빛을 전기로 변환하거나 전기를 빛으로 변환하는 장치가 아니라, 발광소자와 수광소자를 하나로 조합한 장치입니다.
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52. 궤환 발진기에서 바크하우젠(Bark hausen)의 발진 조건을 표시한 것 중 옳은 것은?

  1. β A = 0
  2. β A ＜ 1
  3. -β A = 1
  4. β A ＞1
(정답률: 알수없음)
  • 옳은 것은 "-β A = 1"이다.

    바크하우젠 발진 조건은 궤환 발진기에서 발진이 일어나기 위해 필요한 조건을 나타내는데, 이는 다음과 같다.

    -β A = 1

    여기서 β A는 궤환 발진기의 총 증폭계수를 나타내며, 이 값이 1이 되어야 발진이 일어난다는 것을 의미한다. 이는 궤환 발진기에서 발생하는 진동이 자기장을 증폭시켜서 다시 진동이 일어나는 현상인 자기장 증폭 효과를 나타내는데, 이 효과가 충분히 일어나야 발진이 일어난다는 것을 의미한다.

    따라서 β A가 0이거나 1보다 작으면 발진이 일어나지 않으며, β A가 1보다 크면 발진이 일어날 수 있지만 불안정한 상태가 될 수 있다.
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53. 다음 회로의 이름은?

  1. Cascade 회로
  2. Darlington 회로
  3. Double Ended P-P
  4. Single Ended P-P
(정답률: 알수없음)
  • 정답은 "Darlington 회로"입니다.

    Darlington 회로는 두 개의 전계 증폭기를 연결하여 전체 증폭을 높이는 회로입니다. 이 회로는 고감도 및 고증폭 특성을 가지며, 작은 입력 신호에 대해 큰 출력 신호를 생성할 수 있습니다. 이 회로는 일반적으로 전력 증폭기나 스위칭 회로에서 사용됩니다.

    이 회로는 입력 신호가 Q1의 베이스로 들어가면 Q1은 Q2의 베이스로 신호를 전달하고, Q2는 출력 신호를 생성합니다. 이렇게 함으로써 전체 증폭이 가능해집니다.

    따라서, 위의 회로는 Darlington 회로입니다.
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54. 적분 회로로 사용 가능한 회로는?

  1. 저역 통과 RC 회로
  2. 고역 통과 RC 회로
  3. 대역 소거 RC 회로
  4. 대역 통과 RC 회로
(정답률: 알수없음)
  • 저역 통과 RC 회로는 저주파 신호를 통과시키고 고주파 신호를 차단하는 특성을 가지고 있기 때문에 적분 회로로 사용 가능합니다. 이는 RC 회로에서 저주파 신호는 RC 회로를 통과하면서 충전 및 방전이 일어나는 반면, 고주파 신호는 RC 회로를 통과할 때 충전 및 방전이 거의 일어나지 않기 때문입니다. 따라서 저역 통과 RC 회로는 적분 회로로 사용 가능합니다.
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55. 변조도가 100[%]인 AM파의 전력이 30[kW]라면 반송파 성분의 전력은 몇 [kW]가 되는가?

  1. 20
  2. 30
  3. 40
  4. 50
(정답률: 알수없음)
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56. 그림의 연산증폭기에서 입력 Vi= -V이면 출력 Vo는? (단, 연산증폭기는 이상적인 것이라 한다.)

  1. -Ve-t/RC
  2. Ve-t/RC
(정답률: 알수없음)
  • 연산증폭기는 이상적인 것으로 가정하므로 입력 전압이 -V일 때, 출력 전압은 -A×(-V) = AV가 된다. 따라서 정답은 "" 이다.
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57. 전력 이득을 가장 크게 얻을 수 있는 결합 방식은?

  1. RC 결합
  2. 변성기 결합
  3. 임피던스 결합
  4. 이득이 모두 같다.
(정답률: 알수없음)
  • 변성기 결합은 입력 신호와 출력 신호의 진폭을 변환하여 전력 이득을 얻을 수 있는 방식입니다. 이에 비해 RC 결합과 임피던스 결합은 신호의 주파수에 따라 전력 이득이 달라지거나 전력 손실이 발생할 수 있습니다. 따라서 변성기 결합이 전력 이득을 가장 크게 얻을 수 있는 결합 방식입니다.
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58. 다음 Karnaugh 도로 된 함수를 최소화 하면?

  1. AB
  4. AC
(정답률: 알수없음)
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59. 트랜지스터의 고주파 특성으로 α 차단 주파수(fα)는 어느 것에 의하여 결정되는가?

  1. 컬렉터 용량에만 반비례한다.
  2. 컬렉터에 인가하는 전압에 비례한다.
  3. 베이스폭과 컬렉터 용량에 각각 비례한다.
  4. 베이스폭의 자승에 반비례하고 확산계수에 비례한다.
(정답률: 알수없음)
  • α 차단 주파수는 트랜지스터 내부에서 발생하는 캐리어의 확산과 재결합에 의해 결정된다. 이 때, 베이스폭이 작을수록 캐리어의 확산 거리가 짧아지므로 α 차단 주파수는 베이스폭의 자승에 반비례한다. 또한, 확산계수가 클수록 캐리어의 확산 속도가 빨라지므로 α 차단 주파수는 확산계수에 비례한다. 따라서 정답은 "베이스폭의 자승에 반비례하고 확산계수에 비례한다."이다.
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60. 수정 발진회로의 특징 중 옳은 것은?

  1. 효율을 높일 수 있다.
  2. 출력을 높일 수 있다.
  3. 잡음을 감소시킬 수 있다.
  4. 발진 주파수의 안정도가 높다.
(정답률: 알수없음)
  • 수정 발진회로는 발진 주파수의 안정도가 높은 특징이 있습니다. 이는 수정의 고유한 물성으로 인해 발진 주파수가 안정적으로 유지되기 때문입니다. 따라서 다른 보기들과는 달리, 발진 주파수의 안정성이 이 회로의 가장 큰 장점 중 하나입니다.
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4과목: 물리전자공학

61. 실리콘 단결정 반도체에서 N형 불순물로 사용될 수 있는 것은?

  1. 인듐(In)
  2. 갈륨(Ga)
  3. 인(P)
  4. 알루미늄(Al)
(정답률: 알수없음)
  • 인(P)는 N형 불순물로 사용될 수 있는 이유는, 인(P) 원자가 5개의 전자를 가지고 있어서 실리콘 단결정의 4개의 전자와 결합할 수 있기 때문입니다. 이로 인해, 인(P)가 실리콘 단결정에 도핑되면, 추가적인 자유 전자가 생성되어 N형 반도체로 만들어집니다.
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62. 어느 광전 음극의 한계 파장 λ0가 5700[A]이라 한다. 이 광전 음극의 일 함수는 약 몇 V인가?

  1. 0.92
  2. 0.46
  3. 2.18
  4. 1.09
(정답률: 알수없음)
  • 일 함수는 광전효과로 인해 전자가 광전 음극에서 빠져나가기 위해 필요한 최소한의 일(에너지)이다. 이 일 함수는 광전 음극의 한계 파장과 플랑크 상수를 이용하여 다음과 같이 구할 수 있다.

    일 함수 = (광전 음극의 한계 파장 x 플랑크 상수) / 전자의 전하량

    여기서 플랑크 상수는 6.626 x 10^-34 J·s이고, 전자의 전하량은 1.602 x 10^-19 C이다. 따라서 일 함수를 계산하면 다음과 같다.

    일 함수 = (5700 x 10^-10 m x 6.626 x 10^-34 J·s) / (1.602 x 10^-19 C) ≈ 2.18 eV

    따라서 정답은 "2.18"이다.
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63. α 차단 주파수가 10㎒인 트랜지스터에서 이것을 이미터 접지로 사용할 경우 β차단 주파수는 약 몇 ㎑인가? (단, α =0.98이다.)

  1. 100
  2. 150
  3. 204
  4. 408
(정답률: 알수없음)
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64. 금속 표면에 빛을 조사하면 금속 내의 전자가 방출하는 현상은?

  1. 열전자 방출
  2. 냉음극 방출
  3. 2차전자 방출
  4. 광전자 방출
(정답률: 알수없음)
  • 금속 표면에 빛을 조사하면 빛의 에너지가 금속 내의 전자를 충돌시켜 전자가 금속에서 빠져나오는데, 이를 광전자 방출이라고 합니다.
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65. 트랜지스터의 안정도(stability factor)는?

(정답률: 알수없음)
  • 트랜지스터의 안정도는 안정성 지수(stability factor)로 표현되며, 이는 입력 신호의 작은 변화에도 출력 신호가 크게 변화하는 정도를 나타내는 값입니다. 안정성 지수가 작을수록 트랜지스터는 안정적이며, 큰 신호 변화에도 출력 신호가 일정하게 유지됩니다. 따라서, ""가 정답이 됩니다.
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66. 트랜지스터에서 발생하는 잡음이 아닌 것은?

  1. 열 잡음
  2. 산탄 잡음
  3. 플리커 잡음
  4. 분배 잡음
(정답률: 알수없음)
  • 분배 잡음은 전자기기의 내부 구성 요소들의 불균형으로 인해 발생하는 잡음으로, 특정한 주파수 대역에서 발생하는 것이 아니라 전체 주파수 대역에서 발생합니다. 따라서 다른 세 가지 잡음은 특정한 주파수 대역에서 발생하는 반면, 분배 잡음은 전체 주파수 대역에서 발생하므로 트랜지스터에서 발생하는 잡음 중에서 분배 잡음은 아닙니다.
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67. 트랜지스터 증폭기에서 부하 저항이 클수록 전류 이득은?

  1. 변함없다.
  2. 감소한다.
  3. 증가한다.
  4. 베이스 접지에서만 증가하고, 이미터 접지나 컬렉터 접지에서는 감소한다.
(정답률: 알수없음)
  • 부하 저항이 클수록 전류가 흐르는 경로가 다양해지기 때문에 전류 이득이 감소한다. 이는 부하 저항이 증가함에 따라 전압 강하가 커지고, 이에 따라 증폭된 신호의 크기가 작아지기 때문이다.
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68. 2종의 금속을 접속하고 직류를 흘리면 그 접합부에 온도 차이가 생기는 효과는?

  1. Early 효과
  2. Hall 효과
  3. Seebeck 효과
  4. Peltier 효과
(정답률: 알수없음)
  • 두 종류의 금속을 접합하여 직류를 흘리면, 전자의 이동으로 인해 열이 발생하거나 흡수되는 현상이 일어납니다. 이를 Peltier 효과라고 합니다.
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69. Fermi-Dirac의 분포 함수는? (단,E는 에너지준위,α ,β 는 Lagrangean multiplier 이다.)

  2. eα +β -1
  4. P=ε α +β +1
(정답률: 알수없음)
  • Fermi-Dirac 분포 함수는 Fermi-Dirac 통계에 따라 전자의 분포를 나타내는 함수이다. 이 함수는 전자의 에너지준위(E)와 온도(T)에 따라 결정된다. Lagrangean multiplier인 α와 β는 전자의 수가 보존되는 조건을 만족시키기 위해 도입된다.

    따라서 Fermi-Dirac 분포 함수는 전자의 분포를 나타내는 함수이므로, 전자의 수가 보존되어야 하기 때문에 전자의 수를 나타내는 P와 관련이 있다. 따라서 ""가 정답이다.
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70. 전자볼트(electron volt, eV)는 전자 한 개가 1볼트의 전위차를 통과할 때 얻는 운동 에너지를 1[eV]로 정한 것이다. 1[eV]는 대략 몇 J(joule)인가?

  1. 9.109 × 10-31
  2. 1.759 × 10-11
  3. 1.602 × 10-19
  4. 6.547 × 10-34
(정답률: 알수없음)
  • 전자의 질량은 9.109 × 10^-31 kg이고, 전자가 1볼트의 전위차를 통과할 때의 운동 에너지는 1/2mv^2 = (1/2) × 9.109 × 10^-31 × (1 m/s)^2 = 4.45 × 10^-18 J이다. 따라서, 1[eV]는 4.45 × 10^-18 J / 1.602 × 10^-19 J/eV = 2.78 eV이다. 즉, 1[eV]는 대략 1.602 × 10^-19 J이다.
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71. n채널 전계 효과 트랜지스터(Field Effect Transister)에 흐르는 전류는 주로 어느 현상에 의한 것인가?

  1. 전자의 확산 현상
  2. 정공의 확산 현상
  3. 정공의 드리프트 현상
  4. 전자의 드리프트(drift) 현상
(정답률: 알수없음)
  • 정답은 "전자의 드리프트(drift) 현상"입니다. 이는 전자가 전계에 의해 이동하면서 충돌과 상호작용을 겪으며 일어나는 현상으로, 전자의 운동에 방해가 되는 요인들이 존재하므로 전류의 이동 속도가 느리다는 특징이 있습니다. 따라서 FET에서 전류는 전자의 드리프트 현상에 의해 흐르게 됩니다.
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72. 정자계내에서 자계와 수직이 아닌 임의의 각도로 운동 하는 전자의 궤도는?

  1. 직선 운동
  2. 원 운동
  3. 나선 운동
  4. 포물선 운동
(정답률: 알수없음)
  • 정자계 내에서 자계와 수직이 아닌 임의의 각도로 운동하는 전자는 지구 자전과 태양 공전의 영향을 받아 전자의 운동 궤도가 일정하지 않고, 시간이 지남에 따라 회전축 주위를 나선 형태로 운동하게 됩니다. 따라서 정답은 "나선 운동"입니다.
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73. 전자가 광속도로 운동을 할 때, 이 전자의 질량은?

  1. 0이 된다.
  2. 무한대가 된다.
  3. 정지 질량과 같다.
  4. 정지 질량보다 감소한다.
(정답률: 알수없음)
  • 전자의 질량은 무한대가 된다. 이는 상대성 이론에 따라 전자가 광속도로 운동할 때, 에너지는 무한대로 증가하고 질량도 무한대로 증가하기 때문이다. 이는 질량과 에너지가 서로 상호변환 가능하다는 질량-에너지 등가식에 의해 설명될 수 있다. 따라서 전자의 질량은 광속도로 운동할 때 무한대가 된다.
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74. n채널 J-FET와 그 특성이 비슷한 진공관은?

  1. 2극관
  2. 3극관
  3. 4극관
  4. 5극관
(정답률: 알수없음)
  • n채널 J-FET는 게이트와 소스 사이에 pn 접합이 형성되어 있고, 게이트 전압에 따라 소스-드레인 전류가 제어되는 반도체 소자이다. 이와 비슷하게, 5극관은 그리드와 캐소드 사이에 양극관이 형성되어 있고, 그리드 전압에 따라 캐소드-애노드 전류가 제어되는 진공관이다. 따라서 두 소자는 전류를 제어하는 방식이 유사하므로, 그 특성이 비슷하다고 볼 수 있다.
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75. 반도체에 대한 설명 중 옳은 것은?

  1. P형 반도체에서 majority carrier는 정공이다.
  2. P형 반도체에서 첨가한 3가의 불순물을 Donor라고 한다.
  3. N형 반도체에서 첨가한 5가의 불순물을 Acceptor라고 한다.
  4. N형 반도체에서 majority carrier는 양이온과 자유 전자이다.
(정답률: 알수없음)
  • P형 반도체에서 majority carrier는 정공이다. 이는 P형 반도체가 첨가한 3가의 불순물인 Donor로 인해 전자가 부족하고, 결합 전자가 떨어져서 생긴 정공이 majority carrier가 되기 때문이다.
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76. 터널 다이오드(tunnel diode)의 특징 중 옳지 않은 것은?

  1. 부성 저항 특성이다.
  2. 역바이어스 상태에서는 도체이다.
  3. 작은 정바이어스 상태에서 저항은 대단히 크다.
  4. 고속 스위칭 회로와 마이크로 웨이브 발진기에 응용 된다.
(정답률: 알수없음)
  • "작은 정바이어스 상태에서 저항은 대단히 크다."가 옳지 않은 것이다. 터널 다이오드는 정바이어스 상태에서 저항이 매우 작아지는 특징이 있다. 이는 터널 다이오드의 부성 저항 특성 때문이다. 부성 저항 특성은 정바이어스가 증가함에 따라 저항이 감소하는 현상을 말한다. 따라서 작은 정바이어스 상태에서도 저항이 작아진다.
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77. 확산 정수 D, 이동도 μ , 절대 온도 T 간의 관계식을 옳게 나타낸 것은?

(정답률: 알수없음)
  • 정답은 ""이다.

    이유는 확산 정수 D는 온도 T와 이동도 μ의 곱에 비례하며, 절대 온도 T는 이동도 μ의 제곱에 비례하기 때문이다. 이를 수식으로 나타내면 D ∝ μT, T ∝ μ^2 이다. 따라서 D ∝ μT/μ^2 = T/μ 이므로 ""가 옳은 관계식이다.
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78. 온도가 상승하면 불순물 반도체의 페르미 준위는?

  1. 전도대쪽으로 접근한다.
  2. 가전대쪽으로 접근한다.
  3. 금지대 중앙에 위치한다.
  4. 금지대 중앙으로 접근한다.
(정답률: 알수없음)
  • 온도가 상승하면 불순물 반도체 내부의 캐리어(전하를 운반하는 입자)의 수가 증가하게 되어, 금속과 비슷한 전도성을 갖게 된다. 이에 따라 페르미 준위는 전체적으로 상승하게 되며, 금지대 중앙으로 접근하게 된다.
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79. 300[eV]로 가속된 전자가 0.01[Wb/m2]인 균등한 자계중에 자계의 방향과 60° 의 각도를 이루며 사출되었다. 전자가 그리는 궤도의 직경은? (단, 전자의 전하 e = 1.602×10-19[coul], 전자의 질량 m = 9.106×10-31[㎏]이다.)

  1. 약 2.02×10-2[m]
  2. 약 1.01×10-2[m]
  3. 약 2.02×10-4[m]
  4. 약 1.01×10-4[m]
(정답률: 알수없음)
  • 전자가 가속되어 운동에너지를 가지고 있으므로, 이 운동에너지는 자기장에서 일하는 힘으로 인해 전자의 운동방향에 수직인 방향으로 원형 궤도를 그리게 된다. 이 때, 전자의 운동방향과 자기장의 방향이 60°의 각도를 이루므로, 전자는 자기장의 세기에 비례하는 원주율을 가지는 원형 궤도를 그리게 된다.

    전자의 운동에너지 E는 전자의 전하 e와 자기장의 세기 B에 의해 결정된다. 따라서, E = eBd2/2m 이 성립한다. 여기서 d는 전자의 궤도 지름이다.

    이를 d에 대해 정리하면, d = √(2E/m)/B 이다. E와 m은 문제에서 주어졌으므로, B만 구하면 d를 계산할 수 있다. B는 0.01[Wb/m2]로 주어졌으므로, d를 계산하면 약 1.01×10-2[m]가 된다. 따라서, 정답은 "약 1.01×10-2[m]"이다.
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80. Ge의 진성 캐리어 밀도는 상온에서 Si보다 높다. 그 이유의 설명으로 가장 옳은 것은?

  1. Ge의 에너지갭이 Si의 에너지갭보다 좁기 때문에
  2. Si의 에너지갭이 Ge의 에너지갭보다 좁기 때문에
  3. Ge의 캐리어 이동도가 Si보다 크기 때문에
  4. Ge의 캐리어 이동도가 Si보다 작기 때문에
(정답률: 알수없음)
  • Ge의 에너지갭이 Si의 에너지갭보다 좁기 때문에 Ge의 진성 캐리어 밀도는 상온에서 Si보다 높다.
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5과목: 전자계산기일반

81. 순차 접근(Sequential Access) 방식을 사용하는 장치는?

  1. 반도체 메모리
  2. 자기드럼
  3. 자기테이프
  4. 자기디스크
(정답률: 알수없음)
  • 순차 접근 방식은 데이터를 순서대로 읽거나 쓰는 방식으로, 자기테이프는 데이터를 테이프에 기록하고 읽는 데에 순차 접근 방식을 사용하기 때문에 정답입니다. 자기드럼과 자기디스크는 랜덤 접근 방식을 사용하고, 반도체 메모리는 전자적인 방식으로 데이터를 읽고 쓰기 때문에 순차 접근 방식을 사용하지 않습니다.
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82. 연산 결과를 일시적으로 기억하고 있는 레지스터는?

  1. 누산기(accumulator)
  2. 기억 레지스터(storage register)
  3. 메모리 레지스터(memory register)
  4. 인스트럭션 카운터(instruction counter)
(정답률: 알수없음)
  • 누산기는 연산 결과를 일시적으로 기억하고 있는 레지스터로, 다른 레지스터나 메모리에 저장하지 않고 연산 결과를 바로 저장할 수 있습니다. 따라서 계산 작업을 수행할 때 매우 유용하며, CPU의 핵심적인 구성 요소 중 하나입니다.
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83. 중앙처리장치에서 하는 일이 아닌 것은?

  1. 산술 연산을 한다.
  2. 센서(sensor) 신호의 변환을 담당한다.
  3. 명령 레지스터에 기억된 명령을 해독한다.
  4. 명령 처리 순서를 결정하는 각종 제어 신호를 만들어 낸다.
(정답률: 알수없음)
  • 중앙처리장치는 센서 신호의 변환을 담당하지 않습니다. 이는 센서와 같은 외부 장치에서 처리되며, 중앙처리장치는 이러한 신호를 입력받아 적절한 처리를 수행합니다. 따라서 "센서(sensor) 신호의 변환을 담당한다."가 정답입니다.
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84. 다음의 코드 시스템 중에서 성질이 다른, 즉 오류 수정 기능이 있는 것은?

  1. Gray 코드
  2. 한글 완성형 코드
  3. parity 코드
  4. Hamming 코드
(정답률: 알수없음)
  • Hamming 코드는 다른 코드와 달리 오류 수정 기능이 있습니다. Hamming 코드는 데이터에 일정한 패리티 비트를 추가하여 오류 검출 및 수정을 가능하게 합니다. 따라서 Hamming 코드가 다른 코드와 성질이 다릅니다.
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85. 서브 루틴을 호출할 때 복귀 주소(return address)를 기억하는데 주로 사용하는 것은?

  1. 플래그
  2. 프로그램 카운터
  3. 스택
  4. ALU
(정답률: 알수없음)
  • 서브 루틴을 호출하면 호출한 위치의 다음 명령어 주소를 기억해야 한다. 이를 위해 호출하기 전에 복귀 주소를 스택에 저장하고, 서브 루틴이 끝나면 스택에서 복귀 주소를 꺼내어 다음 명령어를 실행한다. 따라서 복귀 주소를 기억하는데 주로 사용하는 것은 "스택"이다.
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86. 컴퓨터 주기억장치의 용량을 1M 바이트의 크기로 구성하려고 한다.1바이트가 8비트이고 패리티 비트를 포함한다면 64Kbit DRAM 칩이 몇 개가 필요한가?

  1. 16
  2. 17
  3. 128
  4. 144
(정답률: 알수없음)
  • 1M 바이트는 8M 비트이므로, 64Kbit DRAM 칩 하나로는 1/128 M 바이트를 저장할 수 있다. 따라서 128개의 칩이 필요하다. 그러나 패리티 비트를 포함하면 9비트가 되므로, 1바이트를 저장하기 위해서는 9개의 칩이 필요하다. 따라서 전체적으로는 128 * 9 = 1152개의 칩이 필요하다. 그러나 이 중에서 패리티 비트는 필요하지 않으므로, 1152 / 8 = 144개의 칩이 필요하다.
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87. 인터럽트(interrupt)의 발생 원인으로 옳지 않은 것은?

  1. 부 프로그램 호출
  2. 오퍼레이터에 의한 동작
  3. 불법적인 인스트럭션(instruction)의 수행
  4. 정전 또는 자료 전달 과정에서 오류의 발생
(정답률: 알수없음)
  • 부 프로그램 호출은 인터럽트의 발생 원인 중 하나이기 때문에 옳지 않은 것이 아닙니다.

    인터럽트는 CPU가 현재 실행 중인 작업을 중단하고 다른 작업을 처리하기 위해 발생하는 것입니다. 이러한 인터럽트는 다양한 원인으로 발생할 수 있습니다.

    오퍼레이터에 의한 동작은 사용자가 컴퓨터를 조작하는 과정에서 발생하는 인터럽트입니다.

    불법적인 인스트럭션의 수행은 CPU가 처리할 수 없는 명령어를 수행하려고 할 때 발생하는 인터럽트입니다.

    정전 또는 자료 전달 과정에서 오류의 발생은 하드웨어나 소프트웨어의 오류로 인해 발생하는 인터럽트입니다.

    따라서, "부 프로그램 호출"은 인터럽트의 발생 원인 중 하나이며, 옳지 않은 것이 아닙니다.
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88. 10진법 11을 16진법으로 표현하면?

  1. 11
  2. A
  3. B
  4. C
(정답률: 알수없음)
  • 10진법 11을 16진법으로 표현하면 "B"이다. 이는 16진법에서 10부터는 A, 11부터는 B, 12부터는 C로 표현하기 때문이다. 따라서 10진법 11은 16진법에서 B로 표현된다.
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89. 마이크로컴퓨터 시스템 구성에 관련된 내용으로 옳지 않은 것은?

  1. CPU의 실행 속도는 메모리 액세스(access)시간과 무관하다.
  2. 데이터의 전송 선로인 데이터 버스는 쌍방향이다.
  3. 인터럽트는 소프트웨어적으로 발생시킬 수 있다.
  4. DMA는 데이터의 고속 전송을 담당한다.
(정답률: 알수없음)
  • "CPU의 실행 속도는 메모리 액세스(access)시간과 무관하다."는 옳지 않은 내용이다. CPU가 메모리에 접근하여 데이터를 읽거나 쓰는 경우, 메모리 액세스 시간이 짧을수록 CPU의 실행 속도가 빨라진다. 따라서 메모리 액세스 시간은 CPU의 실행 속도에 영향을 미치는 중요한 요소 중 하나이다.
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90. 완충 기억기구(Buffer Storage)의 설명 중 옳지 않은 것은?

  1. 내부 처리 속도를 올리기 위한 기구이다.
  2. 모든 기종에 따라 완충기억기구는 동일한 모델이다.
  3. 완충기억기구는 시스템의 성능을 대폭 향상시켜준다.
  4. 주기억장치와 CPU 사이의 동작속도 불균형을 보완하는 기구이다.
(정답률: 알수없음)
  • "모든 기종에 따라 완충기억기구는 동일한 모델이다."는 옳지 않은 설명이다. 완충기억기구는 시스템의 종류나 목적에 따라 다양한 모델이 존재하며, 각각의 모델은 내부적으로 다른 구조와 기능을 가지고 있다.
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91. 시프트 레지스터에서 가장 시간이 적게 걸리는 입ㆍ출력 방식은?

  1. 직렬입력-직렬출력
  2. 직렬입력-병렬출력
  3. 병렬입력-직렬출력
  4. 병렬입력-병렬출력
(정답률: 알수없음)
  • 병렬입력-병렬출력 방식은 모든 비트를 동시에 입력하고 출력하기 때문에 가장 시간이 적게 걸립니다. 직렬입력-직렬출력 방식은 비트를 하나씩 입력하고 출력하기 때문에 시간이 더 걸리고, 직렬입력-병렬출력 방식은 입력은 하나씩 받지만 출력은 동시에 하기 때문에 시간이 더 걸립니다. 마지막으로, 병렬입력-직렬출력 방식은 입력은 동시에 받지만 출력은 하나씩 하기 때문에 시간이 더 걸립니다.
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92. 운영체제의 구성 요소와 거리가 가장 먼 것은?

  1. 파일 관리(File Management)
  2. 작업 관리(Job Management)
  3. 작업 계획(Job Scheduler)
  4. 라이브러리(Library)
(정답률: 알수없음)
  • 운영체제의 구성 요소는 주로 하드웨어와 소프트웨어를 관리하고 제어하는 기능을 포함합니다. 파일 관리, 작업 관리, 작업 계획은 모두 운영체제의 핵심 기능 중 하나로, 각각 파일 시스템, 프로세스 관리, 스케줄링 등을 담당합니다.

    반면에 라이브러리는 운영체제의 구성 요소는 아니지만, 소프트웨어 개발에 필요한 기능을 모아놓은 코드의 집합입니다. 라이브러리는 운영체제에서 제공하는 기능이 아니라, 개발자가 필요에 따라 사용하는 것이므로 구성 요소와 거리가 가장 먼 것입니다.
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93. 메모리 장치와 주변 장치 사이에서 데이터의 입ㆍ출력 전송이 직접 이루어지는 것은?

  1. MIMD
  2. UART
  3. MIPS
  4. DMA
(정답률: 알수없음)
  • DMA는 Direct Memory Access의 약자로, 메모리와 주변 장치 사이에서 데이터의 입ㆍ출력 전송이 직접 이루어지는 기술을 말합니다. 따라서 DMA가 정답입니다. MIMD는 병렬 컴퓨팅 구조를 말하며, UART는 시리얼 통신을 위한 장치, MIPS는 컴퓨터 성능 측정 단위입니다.
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94. n개의 비트(bit)로 정수를 표시할 때 2의 보수 표현법에 의한 범위를 적절히 나타낸 것은?

  1. -2n ∼ 2n-1
  2. -2n-1 ∼ 2n-1
  3. -2n-1 ∼ (2n-1-1)
  4. -(2n-1-1) ∼ (2n-1-1)
(정답률: 알수없음)
  • 2의 보수 표현법에서 가장 왼쪽 비트는 부호를 나타내므로, n-1개의 비트로 나타낼 수 있는 최대값은 2n-1-1이다. 따라서 범위는 -2n-1부터 2n-1-1까지이다.
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95. 중앙처리장치가 수행하는 명령어들을 기능별 네가지로 분류하였을 때 속하지 않는 것은?

  1. 함수연산기능
  2. 전달기능
  3. 기억기능
  4. 입ㆍ출력기능
(정답률: 알수없음)
  • 중앙처리장치가 수행하는 명령어들을 기능별로 분류하면 다음과 같다.

    1. 함수연산기능: 산술 연산, 논리 연산, 비교 연산 등을 수행하는 기능
    2. 전달기능: 데이터를 레지스터와 캐시 메모리 등에서 전달하는 기능
    3. 기억기능: 메모리에 데이터를 저장하거나 불러오는 기능
    4. 입ㆍ출력기능: 외부 기기와 데이터를 주고받는 기능

    따라서, 속하지 않는 것은 "기억기능"이다.
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96. 스택 구조의 컴퓨터에 사용되는 명령어 방식은?

  1. 0-주소 명령어 방식
  2. 1-주소 명령어 방식
  3. 3-주소 명령어 방식
  4. 인덱스드 주소 모드 방식
(정답률: 알수없음)
  • 스택 구조의 컴퓨터에서는 데이터를 스택에 쌓고, 스택에서 데이터를 꺼내어 연산을 수행하는 방식을 사용합니다. 이때 명령어는 스택에서 꺼낸 데이터를 대상으로 하는 것이므로, 주소를 명시할 필요가 없습니다. 따라서 "0-주소 명령어 방식"을 사용합니다.
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97. 프로그램 카운터가 명령어의 번지와 더해져서 유효번지를 결정하는 어드레싱 모드는?

  1. 레지스터 모드
  2. 간접번지 모드
  3. 상대번지 모드
  4. 인덱스 어드레싱 모드
(정답률: 알수없음)
  • 상대번지 모드는 프로그램 카운터(PC)에 저장된 값과 명령어에 포함된 상대적인 주소를 더하여 유효한 주소를 계산하는 어드레싱 모드입니다. 이 모드에서는 명령어가 저장된 위치와 상대적인 거리만큼 이동하여 주소를 계산하기 때문에 프로그램이 메모리 상에서 이동하더라도 주소를 계산하는 데에 문제가 없습니다. 따라서 상대번지 모드는 프로그램의 이동성을 높이는 데에 유용합니다.
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98. 순서도를 작성하는 일반 규칙으로 옳지 않은 것은?

  1. 한국산업규격의 표준 기호를 사용한다.
  2. 제어 흐름에 따라 위에서 아래로, 왼쪽에서 오른쪽으로 그린다.
  3. 기호 내부에 처리내용을 자세하게 기술하고, 주석은 기술하지 않도록 한다.
  4. 문제가 복잡하고 어려울 때는 블록 별로 나누어 단계적으로 그린다.
(정답률: 알수없음)
  • "기호 내부에 처리내용을 자세하게 기술하고, 주석은 기술하지 않도록 한다."은 옳지 않은 규칙이다. 주석은 필요한 경우에는 기술할 수 있으며, 기호 내부에 처리내용을 자세하게 기술하는 것은 가독성을 해치기 때문이다. 따라서 주석과 기호 내부의 처리내용은 적절하게 사용해야 한다.
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99. 어셈블리 언어로 프로그램을 작성할 때 절대 번지 대신에 간단한 기호명칭을 사용할 수 있는데 이러한 번지를 무엇이라 하는가?

  1. self address
  2. symbolic address
  3. relative address
  4. symbolic relative address
(정답률: 알수없음)
  • 정답은 "symbolic address"이다. 이는 번지를 기호명칭으로 대체하여 프로그램을 작성하는 것을 의미한다. 이는 프로그램의 가독성과 유지보수성을 높이는 데 도움이 된다. "self address"는 자기 자신의 번지를 의미하며, "relative address"는 상대적인 번지를 의미한다. "symbolic relative address"는 상대적인 번지를 기호명칭으로 대체하여 사용하는 것을 의미한다.
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100. CPU는 4개의 사이클 반복으로 동작을 행한다. 이 중 4개의 사이클에 속하지 않는 것은?

  1. Fetch cycle
  2. Execute cycle
  3. Interrupt cycle
  4. Branch cycle
(정답률: 알수없음)
  • Branch cycle은 CPU가 분기 명령어를 처리할 때 발생하는 사이클로, 다른 세 사이클은 모두 기본적인 명령어 처리에 관련된 사이클이다. 따라서 Branch cycle은 4개의 사이클 중에 속하지 않는다.
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