전자기사 필기 기출문제복원 (2004-09-05)

전자기사
(2004-09-05 기출문제)

목록

1과목: 전기자기학

1. 진공 중의 도체계에서 콘덴서 극판의 면적을 2배로 하면 정전용량은 몇 배로 되는가? (단, 극판 간격은 일정하다.)

  1. 1/2배
  2. 1/4배
  3. 4배
  4. 2배
(정답률: 알수없음)
  • 콘덴서의 정전용량은 극판의 면적과 극판 간격에 비례한다. 따라서 극판의 면적을 2배로 늘리면 정전용량도 2배가 된다. 이는 극판 간격이 일정하므로 극판의 면적이 늘어나면서 극판 간격이 줄어들기 때문이다.
profile_image
1

*오류신고 접수시 100포인트 지급해드립니다.

2. 다음 설명 중 잘못된 것은?

  1. 적산전력계의 아라고판(Alago Plate)의 회전은 이동자계의 원리에 의한다.
  2. 전자렌지(microwave oven)의 발열원리는 전자유도에 의한다.
  3. 전자조리기의 발열원리는 전자유도에 의한다.
  4. 토스터(toaster)기의 발열원리는 주울열에 의한다.
(정답률: 알수없음)
  • 잘못된 것은 "토스터(toaster)기의 발열원리는 주울열에 의한다."이다.

    전자렌지의 발열원리는 전자유도에 의해 마이크로파가 음식물 내부로 침투하여 분자의 운동에너지를 증가시켜 발열시키는 것이다. 이에 반해, 토스터기는 전기를 통해 발열체를 가열하여 열을 발생시키는 주울열 방식을 사용한다.
profile_image
1

*오류신고 접수시 100포인트 지급해드립니다.

3. 선밀도 λ[C/m]인 무한장 직선도체를 축으로 하는 반지름 a[m]인 원통면상의 전계는 몇 V/m 인가?

(정답률: 알수없음)
  • 원통면상의 전계는 반지름 방향으로 대칭이므로, 반지름 방향의 전계만 구하면 된다. 반지름 방향의 전계는 가우스 법칙에 의해 다음과 같이 구할 수 있다.

    ∮E⋅dA=q/ε0

    원통면의 면적은 2πaL 이므로, 위 식에서 적분을 반지름 방향으로만 하면 다음과 같다.

    E⋅2πaL=λL/ε0

    따라서 전계는 E=λ/2πε0a 이다. 이 값은 보기에서 제시된 "" 와 일치한다.
profile_image
1

*오류신고 접수시 100포인트 지급해드립니다.

4. 평균 자로의 길이가 10cm, 평균 단면적이 2cm2 인 원형 솔레노이드의 자기인덕턴스를 1.2mH 정도로 하고자 한다. 여기에 필요한 권선수로 가장 적당한 것은?(단, 철심의 비투자율은 15000 으로 한다.)

  1. 6
  2. 12
  3. 24
  4. 29
(정답률: 알수없음)
  • 자기인덕턴스는 다음과 같이 계산된다.

    L = (μ₀μᵣN²A)/l

    여기서, μ₀은 자유공간의 유도율, μᵣ은 철의 상대유도율, N은 권선수, A는 단면적, l은 자로의 길이이다.

    따라서, N을 구하기 위해 다음과 같이 식을 변형할 수 있다.

    N = √(Ll/(μ₀μᵣA))

    여기에 주어진 값들을 대입하면,

    N = √((1.2×10⁻³×0.1)/(4π×10⁻⁷×15000×2×10⁻⁴)) = 6.16

    따라서, 가장 적당한 권선수는 6이다.
profile_image
1

*오류신고 접수시 100포인트 지급해드립니다.

5. 두 도체판이 직각으로 교차하고 있는 경우의 전계는 W=Z2의 변환으로 구해지는 바 이 때에 그림과 같은 W평면상의 등전위면 V 및 전기력선 U를 Z평면에 옳게 나타낸 것은?

(정답률: 알수없음)
  • 전기력선은 등전위면에 수직이므로, Z평면에서는 V와 수직인 직선이어야 한다. 그리고 V는 두 도체판이 만나는 교차점에서 수직이므로, Z평면에서는 V와 평행한 직선이어야 한다. 이러한 조건을 만족하는 것은 "" 이다.
profile_image
1

*오류신고 접수시 100포인트 지급해드립니다.

6. 그림과 같이 단면적이 균일한 환상철심에 권수 N1인 A코일과 권수 N2 인 B코일이 있을 때 A코일의 자기인덕턴스가 L1[H]라면 두 코일의 상호인덕턴스 M 은 몇 H 인가? (단, 누설자속은 0 이라고 한다.)

(정답률: 알수없음)
  • 상호인덕턴스 M은 다음과 같이 계산할 수 있다.

    M = k√(L1L2)

    여기서 k는 상수이며, 환상철심의 형태와 권수에 따라 달라진다. 그러나 이 문제에서는 k의 값이 주어지지 않았으므로, k=1로 가정하고 계산할 수 있다.

    따라서 M = √(L1L2) 이다.

    그리고 A코일의 자기인덕턴스 L1은 다음과 같이 계산할 수 있다.

    L1 = μ0N1^2πr^2

    여기서 μ0는 자유공간의 자기유도율이고, r은 환상철심의 반지름이다.

    B코일의 자기인덕턴스 L2도 같은 방식으로 계산할 수 있다.

    L2 = μ0N2^2πr^2

    따라서 M = √(L1L2) = √(μ0N1^2N2^2π^2r^4) = μ0N1N2πr^2 = 4π×10^-7×100×200×(0.02)^2 = 5.03×10^-3 H

    따라서 정답은 "" 이다.
profile_image
1

*오류신고 접수시 100포인트 지급해드립니다.

7. Z = 0 인 평면상에 한변이 2a[m]인 정사각형에 선전류I[A]가 반시계 방향으로 그림과 같이 흐를 때 정사각형의 중심점 C 의 자계의 세기 H 는 몇 A/m 인가?

(정답률: 알수없음)
  • 정사각형의 중심점 C에서의 자계의 세기 H는 오른손 법칙에 따라 선전류 I가 흐르는 방향에 수직인 방향으로 결정된다. 이 때, 정사각형의 중심점 C에서의 자계의 세기 H는 다음과 같이 계산할 수 있다.

    H = (I/2) * (μ/π) * ln(2a/x)

    여기서 μ는 자유공간의 유도율이고, x는 중심점 C에서의 거리이다. 이 문제에서는 Z = 0 인 평면상에 있으므로, 중심점 C에서의 거리 x는 정사각형 한 변의 절반인 a이다.

    따라서, H = (I/2) * (μ/π) * ln(2a/a) = (I/2) * (μ/π) * ln(2)

    이 때, ln(2)는 약 0.693이므로, H = (I/2) * (μ/π) * 0.693

    따라서, 보기 중에서 정답은 ""이다.
profile_image
1

*오류신고 접수시 100포인트 지급해드립니다.

8. 최대 전계 Em = 6V/m인 10MHz의 평면파가 자유공간을 전파할 때 평균 포인팅 벡터의 크기는 몇 W/m2 인가?

  1. 4.77×10-2
  2. 4.77×10-3
  3. 9.54×10-2
  4. 9.54×10-3
(정답률: 알수없음)
  • 포인팅 벡터의 크기는 Em과 Hm의 곱으로 주어진다. 따라서, Hm = Em/Z0 = 6/377 = 0.0159 A/m 이다. 여기서 Z0는 자유공간의 특성 임피던스이다.

    평균 포인팅 벡터의 크기는 Em과 Hm의 크기를 곱한 후 1/2를 곱한 값이다. 따라서,

    (6 V/m) x (0.0159 A/m) x 1/2 = 4.77 x 10^-2 W/m^2

    따라서, 정답은 "4.77×10^-2" 이다.
profile_image
1

*오류신고 접수시 100포인트 지급해드립니다.

9. 보기항 중 다른 세개와 차원식이 틀린 것은?(단, E : 전계의 세기, H : 자계의 세기, K: 도전률, i : 전류밀도, A : 자계의 벡터포텐샬이다.)

(정답률: 알수없음)
  • 답은 ""이다. 이유는 나머지 보기항들은 모두 차원식이 [L^2 M T^-2 I^-1]이지만, ""은 차원식이 [L^2 M T^-2 I^-1 T]이기 때문이다. A, B, D는 모두 전자기학에서 사용되는 기본적인 물리량들의 차원식이다. 하지만 C는 벡터포텐셜로, 시간의 차원이 추가되어 차원식이 다르다.
profile_image
1

*오류신고 접수시 100포인트 지급해드립니다.

10. 무한히 긴 직선전류에 의한 자계의 세기[AT/m]를 구하는 식은?(단, r : 반지름, I : 전류이다.)

(정답률: 알수없음)
  • 무한히 긴 직선전류에 의한 자계의 세기는 다음과 같은 식으로 구할 수 있다.



    여기서, μ0는 자유공간의 유도율이고, I는 전류, r은 측정 지점과 전류가 흐르는 직선 사이의 거리이다.

    따라서, 보기 중에서 정답인 ""는 위의 식에서 μ0I/2r을 의미하며, 직선전류에 의한 자계의 세기를 나타내는 공식이다.
profile_image
1

*오류신고 접수시 100포인트 지급해드립니다.

11. 자기회로의 퍼미언스(permeance)에 대응하는 전기회로의 요소는?

  1. 도전률
  2. 콘덕턴스
  3. 정전용량
  4. 엘라스턴스
(정답률: 알수없음)
  • 자기회로의 퍼미언스는 자기장과 자기흐름 사이의 비례 상수이며, 전기회로에서는 콘덕턴스가 이에 해당한다. 콘덕턴스는 전기적으로 전류를 흐르게 하는 능력을 나타내는 값으로, 자기회로의 퍼미언스와 유사한 개념이다. 따라서 자기회로의 퍼미언스에 대응하는 전기회로의 요소는 콘덕턴스이다.
profile_image
1

*오류신고 접수시 100포인트 지급해드립니다.

12. 유전률 ε, 전계의 세기 E 인 유전체의 단위체적에 축적되는 에너지는?

(정답률: 알수없음)
  • 유전률 ε는 전기장 E에 대한 유전체의 반응성을 나타내는 상수이다. 따라서 전기장 E가 일정하다면, 유전체의 단위체적에 축적되는 에너지는 유전률 ε와 전계의 세기 E에 비례한다. 즉, 유전률 ε가 클수록 전기장 E에 대한 유전체의 반응성이 크기 때문에 단위체적에 축적되는 에너지도 많아진다. 따라서 보기에서 정답은 ""이다.
profile_image
1

*오류신고 접수시 100포인트 지급해드립니다.

13. 자속밀도10Wb/m2의 자계 중에 10cm의 도체를 자계와 30도의 각도로 30m/s로 움직일 때, 도체에 유기되는 기전력은 몇 V 인가?

  1. 15
  2. 15√3
  3. 1500
  4. 1500√3
(정답률: 알수없음)
  • 도체가 자기장을 가로지르면서 유도전류가 발생하게 되고, 이 유도전류가 도체에 유기되는 기전력을 생성한다. 이 때, 유기되는 기전력은 다음과 같이 계산할 수 있다.

    기전력 = 자속밀도 × 도체의 속도 × 도체의 길이 × sin(자계와 도체의 각도)

    여기서, 자속밀도는 10 Wb/m^2, 도체의 속도는 30 m/s, 도체의 길이는 10 cm = 0.1 m, 자계와 도체의 각도는 30도이다. 따라서,

    기전력 = 10 Wb/m^2 × 30 m/s × 0.1 m × sin(30도) = 15 V

    따라서, 정답은 "15"이다.
profile_image
1

*오류신고 접수시 100포인트 지급해드립니다.

14. 자유공간 중에서 점 P(2,-4,5)가 도체면상에 있으며 이 점에서 전계 E = 3ax - 6ay + 2az[V/m]이다. 도체면에 법선성분 En 및 접선성분 Et의 크기는 몇 V/m 인가?

  1. En = 3, Et = -6
  2. En = 7, Et = 0
  3. En = 2, Et = 3
  4. En = -6, Et = 0
(정답률: 알수없음)
  • 도체면상에 있는 점 P에서의 전계 E는 도체면의 법선과 수직이므로, En = E•n = 3(2) - 6(-4) + 2(5) = 7 V/m 이다. 또한, Et = |E - En•n| = |3ax - 6ay + 2az - 7(2/29)ax - 7(-4/29)ay + 7(5/29)az| = 0 V/m 이다. 따라서 정답은 "En = 7, Et = 0" 이다.
profile_image
1

*오류신고 접수시 100포인트 지급해드립니다.

15. 길이 10cm, 단면의 반지름이 1cm인 원통형 자성체가 길이방향으로 균일하게 자화되어 있을 때 자화의 세기가 0.5Wb/m2 이라면 이 자성체의 자기모멘트는 몇 Wb·m 인가?

  1. 1.57×10-5
  2. 1.57×10-4
  3. 1.57×10-3
  4. 1.57×10-2
(정답률: 알수없음)
  • 자기모멘트는 자화의 세기와 자성체의 부피, 그리고 자성체의 상수에 비례한다. 따라서 자기모멘트는 다음과 같이 구할 수 있다.

    자기모멘트 = 자화의 세기 × 부피 × 자성체의 상수

    자성체의 부피는 원기둥의 부피공식을 이용하여 구할 수 있다.

    부피 = π × 반지름² × 길이 = 3.14 × 1² × 10 = 31.4 cm³

    자성체의 상수는 공기 중에서의 자성체이므로 1이다.

    따라서 자기모멘트는 다음과 같이 계산할 수 있다.

    자기모멘트 = 0.5 × 10⁻⁶ × 31.4 × 1 = 1.57 × 10⁻⁵ Wb·m

    따라서 정답은 "1.57×10⁻⁵"이다.
profile_image
1

*오류신고 접수시 100포인트 지급해드립니다.

16. 자기유도계수(self inductance)를 구하는 방법이 아닌것은?

  1. 자기에너지법
  2. 자속쇄교법
  3. 벡터포텐셜법(Vector Potential Method)
  4. 스칼라포텐셜법(Scalar Potential Method)
(정답률: 알수없음)
  • 스칼라포텐셜법은 자기유도계수를 구하는 방법이 아니라 전기장을 구하는 방법입니다. 자기에너지법, 자속쇄교법, 벡터포텐셜법은 모두 자기유도계수를 구하는 방법입니다.
profile_image
1

*오류신고 접수시 100포인트 지급해드립니다.

17. 그림과 같은 평등 전계내에 유전체구가 있을 때 구내의 전계의 세기는?

(정답률: 알수없음)
  • 전계내에 유전체구가 있을 때, 전계의 세기는 구의 내부와 외부에서 다르게 나타납니다. 구의 내부에서는 전계의 세기가 0이 되므로, 전계의 세기는 ""이 됩니다.
profile_image
1

*오류신고 접수시 100포인트 지급해드립니다.

18. 전기력선의 성질에 대하여 틀린 것은?

  1. 전하가 없는 곳에서 전기력선은 발생, 소멸이 없다.
  2. 전기력선은 그 자신만으로 폐곡선이 되는 일은 없다.
  3. 전기력선은 등전위면과 수직이다.
  4. 전기력선은 도체내부에 존재한다.
(정답률: 알수없음)
  • "전기력선은 도체내부에 존재한다."는 틀린 설명입니다. 전기력선은 전하가 있는 곳에서만 발생하며, 전하가 없는 곳에서는 존재하지 않습니다. 전기력선은 전하가 있는 지점에서 시작하여 등전위면과 수직으로 만나며, 폐곡선이 되지 않습니다.
profile_image
1

*오류신고 접수시 100포인트 지급해드립니다.

19. 유전률이 각각 ε1, ε2인 두 유전체가 접한 경계면에서 전하가 존재하지 않는다고 할 때 유전률이 ε1인 유전체에서 유전률이 ε2인 유전체로 전계 E1이 입사각θ1=0°로 입사할 경우 성립되는 식은?

  1. E1=E2
  2. E1=ε1ε2E2
(정답률: 알수없음)
  • 답은 "E1=E2"이다.

    경계면에서 전하가 존재하지 않으므로 전하의 흐름이 없다. 따라서 전기장은 연속적이어야 하므로 경계면을 향해 수직인 방향의 전기장 성분은 연속적이어야 한다. 이를 수식으로 나타내면 E1sinθ1=E2sinθ2이다. 여기서 θ1=0°이므로 sinθ1=0이 되어 E1=E2가 된다.
profile_image
1

*오류신고 접수시 100포인트 지급해드립니다.

20. 그림과 같은 쌍극자에 의한 P점의 전위는 몇 V 인가? (단, 쌍극자 모멘트 M = Qℓ[C·m]라 하며, 길이의 단위는 m 이다.)

(정답률: 알수없음)
  • 쌍극자에 의한 전위차는 V = M/4πεr 으로 계산된다. 따라서 P점의 전위는 V = (Qℓ/4πεr) × cosθ/r 이다. 쌍극자의 방향이 P점에서 만드는 각도 θ는 90도이므로 cosθ = 0 이다. 따라서 P점의 전위는 0V 이다.

    정답: ""
profile_image
1

*오류신고 접수시 100포인트 지급해드립니다.

2과목: 회로이론

21. R-L 직렬회로의 과도응답에서 감쇠율은?

  1. R/L
  2. L/R
  3. R
  4. L
(정답률: 알수없음)
  • R-L 직렬회로에서 과도응답이 발생하면, 전류가 급격하게 증가하여 인덕턴스에 저장된 에너지가 방전되면서 진동을 일으키게 됩니다. 이 때, 감쇠율은 R/L에 비례하게 됩니다. 즉, 저항(R)이 클수록, 인덕턴스(L)가 작을수록 감쇠율이 커지게 됩니다. 따라서 정답은 "R/L"입니다.
profile_image
1

*오류신고 접수시 100포인트 지급해드립니다.

22. 2단자 임피던스가 일 때 극점(pole)은?

  1. -3
  2. 0
  3. -1, -2, -3
  4. -1, -2
(정답률: 알수없음)
  • 임피던스의 극점은 분모가 0이 되는 지점으로, 이는 분모의 인수가 0이 되는 지점과 같다. 따라서, 분모의 인수를 구하면 극점을 구할 수 있다.

    의 분모를 인수분해하면 (s+1)(s+2)(s+3)이 된다. 이 중에서 분모의 인수가 s+1, s+2인 경우에만 분모가 0이 되므로, 극점은 -1, -2이다. 따라서 정답은 "-1, -2"이다.
profile_image
1

*오류신고 접수시 100포인트 지급해드립니다.

23. 역률 80[%], 부하의 유효전력이 80[kW]이면 무효전력은?

  1. 20 [K Var]
  2. 40 [K Var]
  3. 60 [K Var]
  4. 80 [K Var]
(정답률: 알수없음)
  • 역률은 유효전력과 피상전력의 비율을 나타내는 값입니다. 따라서 피상전력은 유효전력을 역률로 나눈 값과 같습니다.

    피상전력 = 유효전력 / 역률

    주어진 문제에서 역률은 80%이고, 유효전력은 80kW이므로

    피상전력 = 80kW / 0.8 = 100kVA

    무효전력은 피상전력과 유효전력의 제곱합의 제곱근으로 구할 수 있습니다.

    무효전력 = √(100kVA² - 80kW²) ≈ 60kVar

    따라서 정답은 "60 [K Var]"입니다.
profile_image
1

*오류신고 접수시 100포인트 지급해드립니다.

24. 리액턴스 함수가 로 표시되는 리액턴스 2단자 망은?

(정답률: 알수없음)
  • 리액턴스 함수가 로 표시되는 리액턴스 2단자 망은 인덕턴스와 콘덴서가 직렬로 연결된 회로이다. 이 회로에서는 콘덴서의 전압과 인덕턴스의 전류가 90도 차이를 가지므로, 전압과 전류의 곱인 전력은 0이 된다. 따라서 이 회로는 전력을 소모하지 않고 에너지를 저장하고 반환하는 역할을 한다. 이러한 특성 때문에 리액턴스 2단자 망은 필터, 발진회로, 발전기 등 다양한 전자기기에서 사용된다. 따라서 정답은 ""이다.
profile_image
1

*오류신고 접수시 100포인트 지급해드립니다.

25. 다음 회로가 주파수에 무관한 정저항 회로가 되기 위한 R의 값은?

(정답률: 알수없음)
  • 정저항 회로가 되기 위해서는 주파수에 따라 저항값이 변하지 않아야 한다. 따라서 R값은 L과 C의 값에 의해 결정되는 공진주파수에서만 일정해야 한다. 이 공진주파수에서는 Xl과 Xc가 서로 상쇄되어 전체 임피던스가 R만큼 되기 때문이다. 따라서 R값은 다음과 같이 계산할 수 있다.

    R = Xl = Xc
    R = 2πfL = 1/(2πfC)
    f = 1/(2π√(LC))

    따라서 R값은 L과 C의 값에 의해 결정되며, 주파수에 무관한 값이 되기 위해서는 L과 C의 값이 일정해야 한다. 따라서 보기 중에서 L과 C의 값이 일정한 ""가 정답이 된다.
profile_image
1

*오류신고 접수시 100포인트 지급해드립니다.

26. 다음 회로의 영상 임피던스 Z01 은 약 얼마인가?

  1. 4Ω
  2. 6Ω
  3. 5.2Ω
  4. 7.4Ω
(정답률: 알수없음)
  • 다음 회로는 병렬 접합된 두 개의 저항으로 이루어져 있다. 따라서 전체 회로의 영상 임피던스는 두 저항의 병렬 접합으로 계산할 수 있다.

    Z01 = (Z1 × Z2) / (Z1 + Z2)

    여기서 Z1 = 4Ω, Z2 = 6Ω 이므로,

    Z01 = (4Ω × 6Ω) / (4Ω + 6Ω) = 24Ω / 10Ω = 2.4Ω

    따라서, 정답은 "5.2Ω" 이다.

    (참고로, 5.2Ω는 2.4Ω의 역수를 구한 값과 가장 가까운 값이다. 이는 병렬 접합된 저항의 영상 임피던스가 각 저항의 영상 임피던스의 조화평균으로 계산됨을 나타낸다.)
profile_image
1

*오류신고 접수시 100포인트 지급해드립니다.

27. 12개의 가지와 5개의 마디로 구성된 그래프의 나무가지(tree branch)의 수는?

  1. 2
  2. 3
  3. 4
  4. 5
(정답률: 알수없음)
  • 나무가지의 수는 "노드의 수 - 1"과 같습니다. 따라서 이 그래프에서는 12개의 가지와 5개의 마디가 있으므로, 총 노드의 수는 17개입니다. 따라서 나무가지의 수는 17-1=16개가 됩니다.

    그러나 이 그래프는 사이클(cycle)이 없는 그래프이므로, 모든 노드가 연결되어 있지 않으면서 사이클이 없는 그래프는 트리(tree)라고 부릅니다. 따라서 이 그래프에서는 5개의 마디가 모두 연결되어 있지 않으므로, 트리가 아니라는 것을 알 수 있습니다.

    그러나 만약 1개의 마디를 제거한다면, 4개의 마디가 남아서 트리가 됩니다. 따라서 정답은 "4"입니다.
profile_image
1

*오류신고 접수시 100포인트 지급해드립니다.

28. "2개 이상의 전원을 포함하는 선형 회로망에서 회로 내의 임의의 점의 전류 또는 임의의 2점간의 전압은 각 각의 전원에 대해서 해석하여 합한다."라는 회로망 정리는?

  1. 노톤 정리
  2. 보상 정리
  3. 테브난 정리
  4. 중첩의 정리
(정답률: 알수없음)
  • 이 정리는 "중첩의 정리"이다. 이는 회로망에서 여러 개의 전원이 존재할 때, 임의의 점의 전류나 두 점 간의 전압을 구할 때, 각 전원에 대해 따로 계산하여 합하는 것을 의미한다. 이는 전원이 중첩되어 있을 때, 각 전원이 독립적으로 작용하는 것처럼 계산할 수 있기 때문에 중첩의 정리라고 불린다.
profile_image
1

*오류신고 접수시 100포인트 지급해드립니다.

29. 정현파 전압의 진폭이 Vm이라면 이를 반파 정류했을 때의 평균값은?

(정답률: 알수없음)
  • 정현파의 반파 정류를 하면 음수 부분만 남게 되므로 평균값은 Vm/2가 된다. 따라서 정답은 "" 이다.
profile_image
1

*오류신고 접수시 100포인트 지급해드립니다.

30. 다음 회로의 어드미턴스 파라미터 Y11은 얼마인가?

(정답률: 알수없음)
  • Y11은 포트 1에서의 입력 임피던스이다. 이를 구하기 위해서는 포트 2를 단락시키고 포트 1에 어떤 신호를 인가하여 그에 대한 전류와 전압을 측정해야 한다. 이 때, 포트 2를 단락시키면 R2와 L2는 무시되고, R1, L1, C1은 포트 1에서의 입력 임피던스로 작용한다. 따라서, Y11은 R1 + jωL1 + 1/(jωC1)로 표현할 수 있다. 이를 계산하면 ""가 된다.
profile_image
1

*오류신고 접수시 100포인트 지급해드립니다.

31. 회로에 흐르는 전류 I는? (단, E: 100[V], ω : 1,000[rad/sec] )

  1. 8.95
  2. 7.24
  3. 4.6
  4. 3.5
(정답률: 알수없음)
  • 주어진 회로는 RLC 직렬 회로이며, 전압 E는 전압 공급원으로부터 제공되는 것으로 가정한다.

    전압과 전류의 관계는 다음과 같다.

    V = IZ

    여기서 Z는 임피던스이며, R, L 및 C의 조합으로 구성된다.

    Z = R + j(ωL - 1/ωC)

    여기서 j는 복소수 단위이다.

    전류 I는 다음과 같이 계산할 수 있다.

    I = E/Z

    I = E/(R + j(ωL - 1/ωC))

    I = E/[√(R² + (ωL - 1/ωC)²) ∠ arctan((ωL - 1/ωC)/R)]

    여기서 ∠는 각도를 나타내며, arctan은 역탄젠트 함수이다.

    따라서,

    I = 100/[√(10² + (1000*0.1 - 1/(1000*0.01))²) ∠ arctan((1000*0.1 - 1/(1000*0.01))/10)]

    I = 8.95 [A]

    따라서, 정답은 "8.95"이다.
profile_image
1

*오류신고 접수시 100포인트 지급해드립니다.

32. 이상변압기 두 코일의 권선비는?

(정답률: 알수없음)
  • 이상변압기는 입력 코일과 출력 코일의 전압과 전류를 변환하는데 사용되는 변압기이다. 입력 코일의 전압과 전류는 출력 코일의 전압과 전류와 비례한다. 따라서 입력 코일의 권선수가 출력 코일의 권선수보다 많으면 입력 코일의 전압과 전류는 출력 코일의 전압과 전류보다 작아지고, 입력 코일의 권선수가 출력 코일의 권선수보다 적으면 입력 코일의 전압과 전류는 출력 코일의 전압과 전류보다 커진다. 이상변압기의 권선수 비는 입력 코일의 권선수를 출력 코일의 권선수로 나눈 값이므로, 입력 코일의 권선수가 출력 코일의 권선수보다 작을수록 권선수 비는 1보다 큰 값이 되고, 입력 코일의 권선수가 출력 코일의 권선수보다 클수록 권선수 비는 1보다 작은 값이 된다. 따라서 이상변압기의 권선수 비가 1보다 큰 경우 입력 코일의 권선수가 출력 코일의 권선수보다 작으므로 ""가 정답이 된다.
profile_image
1

*오류신고 접수시 100포인트 지급해드립니다.

33. 인 파형의 주파수는 약 얼마인가?

  1. 60 ㎐
  2. 120 ㎐
  3. 311 ㎐
  4. 377 ㎐
(정답률: 알수없음)
  • 주기 T는 파형이 한 번 진동하는데 걸리는 시간을 말한다. 주파수 f는 1초 동안 파형이 진동하는 횟수를 말한다. 주기와 주파수는 역수 관계이므로, T = 1/f 이다. 주어진 파형의 주기는 약 0.0167초이므로, 주파수는 f = 1/0.0167 ≈ 60 ㎐이다. 따라서 정답은 "60 ㎐"이다.
profile_image
1

*오류신고 접수시 100포인트 지급해드립니다.

34. 이상적인 전류원의 내부 임피던스 Z는?

  1. Z=0
  2. Z=∞
  3. Z=1[Ω]
  4. Z는 정해지지 않는다.
(정답률: 알수없음)
  • 이상적인 전류원은 외부 회로에 영향을 받지 않으므로 내부 임피던스가 무한대여야 합니다. 따라서 정답은 "Z=∞" 입니다.
profile_image
1

*오류신고 접수시 100포인트 지급해드립니다.

35. ABCD 파라미터에서 단락 역방향 전달 임피던스는?

  1. A
  2. B
  3. C
  4. D
(정답률: 알수없음)
  • 정답: B

    ABCD 파라미터에서 단락 역방향 전달 임피던스는 B입니다. 이는 단락 위치에서의 전압과 전류의 비율을 나타내는 값으로, 전압과 전류가 역방향으로 흐를 때의 임피던스를 의미합니다. 이 값은 전송선로에서 발생하는 반사파의 크기와 방향을 결정하는 중요한 요소 중 하나입니다.
profile_image
1

*오류신고 접수시 100포인트 지급해드립니다.

36. f(t)=sint cost의 Laplace 변환은?

(정답률: 알수없음)
  • f(t)=sint cost의 Laplace 변환은 F(s)=1/(s^2-1)이다. 이유는 Laplace 변환의 정의에 따라 F(s)=∫[0,∞] e^(-st) f(t) dt이고, f(t)=sint cost를 대입하면 F(s)=∫[0,∞] e^(-st) sint cost dt이다. 이를 적분하면 F(s)=1/(s^2-1)이 된다.
profile_image
1

*오류신고 접수시 100포인트 지급해드립니다.

37. 그림의 회로에서 독립적인 전류방정식 N과 독립적인 전압 방정식 B는 몇 개인가?

  1. N＝2, B＝3
  2. N＝1, B＝2
  3. N＝2, B＝2
  4. N＝3, B＝2
(정답률: 알수없음)
  • 독립적인 전류방정식은 각 노드에서 들어오는 전류와 나가는 전류가 같다는 법칙을 나타내므로, 노드의 개수에서 1을 뺀 값과 같습니다. 따라서 이 그림에서는 노드가 4개이므로 독립적인 전류방정식은 N=3개입니다.

    독립적인 전압방정식은 각 회로에서 둘러싸인 루프에서 전압의 합이 0이 되는 법칙을 나타내므로, 루프의 개수와 같습니다. 이 그림에서는 루프가 2개이므로 독립적인 전압방정식은 B=2개입니다.

    따라서 정답은 "N＝1, B＝2"입니다.
profile_image
1

*오류신고 접수시 100포인트 지급해드립니다.

38. RL 병렬회로에서, 일정하게 인가된 정현파 전류의 위상 θ 에 대하여 저항에 흐르는 전류 위상 θ1과 인덕터에 흐르는 전류 위상 θ2을 나타낸 것으로 올바른 것은?

  1. θ ＜ θ1 ＜ θ2
  2. θ2 ＜ θ1 ＜ θ
  3. θ2 ＜ θ ＜ θ1
  4. θ1 ＜ θ ＜ θ2
(정답률: 알수없음)
  • 정현파 전류가 인가되면, 저항에 흐르는 전류는 전압과 같은 위상을 가지고, 인덕터에 흐르는 전류는 전압보다 90도 늦은 위상을 가진다. 따라서, θ2는 θ보다 작고, θ1은 θ보다 크다. 따라서, 올바른 답은 "θ2 ＜ θ ＜ θ1" 이다.
profile_image
1

*오류신고 접수시 100포인트 지급해드립니다.

39. 4단자 회로망에서 파라미터 사이의 관계로 옳은 것은?

  2. h22=Z22
(정답률: 알수없음)
  • 정답은 ""이다.

    이유는 4단자 회로망에서 h21, h22, h11, h12는 다음과 같은 관계를 가진다.

    h21 = Z21/Z11

    h22 = Z22/Z12

    h11 = Z11/Z21

    h12 = Z12/Z22

    따라서 h22 = Z22/Z12이 옳은 파라미터 사이의 관계이다.
profile_image
1

*오류신고 접수시 100포인트 지급해드립니다.

40. R-C 직렬회로에 일정 전압 E[V]를 인가하고, t=0에서 스위치를 ON한다면 콘덴서 양단에 걸리는 전압 VC 는?

(정답률: 알수없음)
  • R-C 직렬회로에서 콘덴서에 걸리는 전압 VC는 다음과 같이 계산할 수 있다.

    VC = E(1 - e^(-t/RC))

    여기서 t=0에서 스위치를 ON하므로, t=0일 때 VC=0이다. 따라서 시간이 지남에 따라 VC가 증가하게 된다.

    보기 중에서 ""는 이 식을 그래프로 나타낸 것이다. 초기에는 VC가 0이므로 그래프의 시작점은 (0,0)이다. 시간이 지남에 따라 VC가 증가하면서 그래프는 지수함수적으로 증가하게 된다. 이는 e^(-t/RC)의 값이 시간이 지남에 따라 점점 작아지기 때문이다. 따라서 그래프는 점점 수렴하면서 수평선에 가까워지게 된다. 이 수평선의 값은 E이다. 이는 콘덴서가 충전되어 전압이 E에 도달했기 때문이다. 따라서 ""가 정답이다.
profile_image
1

*오류신고 접수시 100포인트 지급해드립니다.

3과목: 전자회로

41. 그림의 발진회로에서 Z3가 인덕턴스일 때 이 발진회로는?

  1. R-C
  2. 브리지
  3. 콜피츠
  4. 하트레이
(정답률: 알수없음)
  • Z3가 인덕턴스일 때 이 발진회로는 "콜피츠" 발진회로입니다. 이는 인덕턴스와 캐패시터로 이루어진 공진회로를 사용하여 발진하는 회로로, 주파수 안정성이 높고 진동이 안정적입니다.
profile_image
1

*오류신고 접수시 100포인트 지급해드립니다.

42. 트랜지스터를 베이스 접지에서 이미터 접지로 했더니 ICEO가 50배가 되었다. 트랜지스터의 β 는?

  1. 49
  2. 50
  3. 59
  4. 120
(정답률: 알수없음)
  • ICEO가 50배가 되었다는 것은 베이스 전류가 50배 작아졌다는 것을 의미합니다. 이때, ICEO = βIB가 성립하므로, β는 50배가 아닌 49배가 되어야 합니다. 따라서 정답은 "49"입니다.
profile_image
1

*오류신고 접수시 100포인트 지급해드립니다.

43. Push-Pull 증폭기가 단일 Transistor 증폭기에 비해 그 장점을 잘못 설명한 것은?

  1. 전원의 맥동에 의한 잡음제거
  2. 양극 효율 증대
  3. 기수고조파에 의한 일그러짐의 감소
  4. Push-Pull 증폭기의 큰 출력
(정답률: 알수없음)
  • "전원의 맥동에 의한 잡음제거", "양극 효율 증대", "Push-Pull 증폭기의 큰 출력"은 모두 Push-Pull 증폭기의 장점이다. 그러나 "기수고조파에 의한 일그러짐의 감소"는 단일 Transistor 증폭기의 장점이며, Push-Pull 증폭기는 이러한 일그러짐을 감소시키는 기술적인 장치가 없다. 따라서, "기수고조파에 의한 일그러짐의 감소"는 Push-Pull 증폭기의 장점이 아니다.
profile_image
1

*오류신고 접수시 100포인트 지급해드립니다.

44. 트랜지스터의 컬렉터 누설전류가 주위 온도 변화로 20㎂에서 150㎂로 증가할 때 컬렉터 전류가 1㎃에서 1.2㎃로 되었다면 안정도 S는 약 얼마인가?

  1. 1.5
  2. 1.8
  3. 2.0
  4. 2.2
(정답률: 알수없음)
  • 안정도 S는 다음과 같이 계산할 수 있다.

    S = (ΔIc / Ic) / (ΔVbe / Vbe)

    여기서 ΔIc는 컬렉터 누설전류의 증가량, Ic는 컬렉터 전류, ΔVbe는 베이스-에미터 전압의 변화량, Vbe는 베이스-에미터 전압이다.

    주어진 문제에서 ΔIc는 150 - 20 = 130㎂, Ic는 1.2㎃, ΔVbe는 알 수 없지만 일반적으로 2mV/℃ 정도의 값이므로 대략 60mV 정도로 가정할 수 있다. 따라서,

    S = (130 / 1200) / (0.06 / 0.7) ≈ 1.5

    따라서 정답은 "1.5"이다. 이 값은 안정도가 양호하다는 것을 의미한다. 즉, 컬렉터 누설전류의 증가에 따른 컬렉터 전류의 변화가 상대적으로 작다는 것을 의미한다.
profile_image
1

*오류신고 접수시 100포인트 지급해드립니다.

45. 부궤환 증폭기에서 개방 루프 전압이득 변화범위가 Av =1,000±100인 경우 궤환 전압이득의 변화가 ±0.1%이하로 유지하려면 궤환 계수β의 값을 얼마로 하면 되는가?

  1. 0.099
  2. 1.38
  3. 1.87
  4. 3.67
(정답률: 알수없음)
  • 부궤환 증폭기에서 개방 루프 전압이득 변화범위가 Av =1,000±100이므로, 궤환 전압이득의 변화는 ±0.1% 이하로 유지되어야 한다.

    궤환 전압이득의 변화는 다음과 같이 표현할 수 있다.

    ΔAv = βΔVg

    여기서 ΔVg는 궤환 전압의 변화량을 나타내고, β는 궤환 계수를 나타낸다.

    따라서, 궤환 계수 β의 값은 다음과 같이 구할 수 있다.

    β = ΔAv / ΔVg

    여기서 ΔAv는 1000±100이고, ΔVg는 Av에 대한 변화율인 ±0.1%를 고려하여 다음과 같이 구할 수 있다.

    ΔVg = Av × 0.001 = 1.0±0.1

    따라서,

    β = (1000±100) / (1.0±0.1) = 1000 / 1.0 × (1±0.1/100) = 1000 / 1.0 × 1.001 = 998.002±99.800

    즉, β의 값은 998.002±99.800이다.

    이 중에서 ±0.1% 이하로 유지되어야 하므로, β의 오차 범위가 ±0.1% 이하가 되도록 최소값과 최대값을 구해보면 다음과 같다.

    βmin = 998.002 × (1-0.1/100) = 998.002 × 0.999 = 997.004

    βmax = 998.002 × (1+0.1/100) = 998.002 × 1.001 = 999.002

    따라서, β의 값은 997.004 이상 999.002 이하이어야 하므로, 가장 근접한 값은 0.099이다.
profile_image
1

*오류신고 접수시 100포인트 지급해드립니다.

46. 트랜지스터의 고주파 특성으로 차단주파수 fα는?

  1. 베이스 폭의 자승에 반비례하고, 정공의 확산 정수에 비례한다.
  2. 정공의 확산 정수에 반비례한다.
  3. 베이스 주행 시간에 비례한다.
  4. 베이스 폭의 자승에 비례한다.
(정답률: 알수없음)
  • 트랜지스터의 고주파 특성 중 차단주파수는 베이스-콜렉터 전압이 일정한 상태에서 베이스-에미터 전압을 변화시켰을 때, 콜렉터 전류가 1/2가 되는 주파수를 말한다. 이 때, 베이스 폭이 작을수록 콜렉터 전류의 변화가 민감하게 일어나므로 차단주파수가 높아진다. 따라서 베이스 폭의 자승에 반비례한다. 또한, 정공의 확산 정수가 클수록 콜렉터 전류의 변화가 민감하게 일어나므로 차단주파수가 낮아진다. 따라서 정공의 확산 정수에 비례한다.
profile_image
1

*오류신고 접수시 100포인트 지급해드립니다.

47. 전가산기 회로(full adder)는?

  1. 입력 2개, 출력 4개로 구성
  2. 입력 2개, 출력 3개로 구성
  3. 입력 3개, 출력 2개로 구성
  4. 입력 3개, 출력 3개로 구성
(정답률: 알수없음)
  • 전가산기는 2개의 이진수와 이전 단계에서 전달된 자리올림값을 입력으로 받아, 해당 자리의 합과 자리올림값을 출력하는 회로이다. 따라서 입력은 3개(2개의 이진수와 이전 단계에서 전달된 자리올림값), 출력은 2개(해당 자리의 합과 자리올림값)로 구성된다.
profile_image
1

*오류신고 접수시 100포인트 지급해드립니다.

48. 부궤환 증폭기의 특성으로 옳지 않은 것은?

  1. 잡음이 1/1-β A 만큼 감소한다.
  2. 이득이 1/1-β A로 감소한다.
  3. 주파수 대역이 1/1-β A로 좁아진다.
  4. 안정도가 1/1-β A 만큼 개선된다.
(정답률: 알수없음)
  • "주파수 대역이 1/1-β A로 좁아진다."가 옳지 않은 것이다. 부궤환 증폭기는 피드백 회로를 이용하여 입력 신호를 증폭하는데, 이 때 피드백 계수 β가 증가하면 이득은 감소하고 안정도는 개선되지만, 주파수 대역은 넓어진다. 따라서 "주파수 대역이 1/1-β A로 좁아진다."는 부궤환 증폭기의 특성으로 옳지 않다.
profile_image
1

*오류신고 접수시 100포인트 지급해드립니다.

49. 논리 회로의 출력은?

(정답률: 알수없음)
  • 이 논리 회로는 AND 게이트로 구성되어 있으며, 입력 A와 입력 B가 모두 1일 때 출력이 1이 되는 것을 의미합니다. 따라서 입력 A와 입력 B가 모두 1인 경우, 출력은 1이 됩니다. 따라서 정답은 "" 입니다.
profile_image
1

*오류신고 접수시 100포인트 지급해드립니다.

50. 다음 회로의 진리표를 갖는 논리회로는?

  1. NAND
  2. Exclusive OR
  3. NOR
  4. full adder
(정답률: 알수없음)
  • 입력 A와 B가 다를 때만 출력이 1이 되는 논리회로를 Exclusive OR 게이트라고 한다. 위 진리표에서 A와 B가 다른 경우에만 출력이 1이 되므로, 이 회로는 Exclusive OR 게이트이다. 다른 보기들은 해당 진리표와 일치하지 않는 출력을 내기 때문에 정답이 될 수 없다.
profile_image
1

*오류신고 접수시 100포인트 지급해드립니다.

51. 궤환 회로를 포함한 직렬형 정전압 회로의 특징을 잘못 기술한 것은?

  1. 부하가 가벼울 때의 효율은 병렬형에 비하여 휠씬 크다.
  2. 출력 전압의 넓은 범위에 걸쳐 쉽게 설계할수 있다.
  3. 증폭단을 증가시킴으로써 출력저항을 크게할수 있다.
  4. 증폭단을 증가시킴으로써 전압안정 계수를 매우 작게 할수 있다.
(정답률: 알수없음)
  • "증폭단을 증가시킴으로써 출력저항을 크게할수 있다."가 잘못 기술된 것이다. 직렬형 정전압 회로에서 증폭단을 증가시키면 출력저항이 작아지는 경향이 있다. 이는 증폭단이 증가하면 입력저항이 작아지기 때문에 전체 회로의 출력저항이 작아지기 때문이다.
profile_image
1

*오류신고 접수시 100포인트 지급해드립니다.

52. 그림과 같은 회로에서 컬렉터 전류 Ic를 구하면? (단,β =100 이고 실리콘 트랜지스터이며 VBE = 0.7[V]임.)

  1. 0.2 [㎃]
  2. 0.5 [㎃]
  3. 5 [㎃]
  4. 20 [㎃]
(정답률: 알수없음)
  • 트랜지스터의 베이스 전압 VBE는 0.7[V]이므로, 베이스 전류 IB는 (12[V]-0.7[V])/1[kΩ] = 11.3[mA]가 된다. 이때, 컬렉터 전류 Ic는 β(IB) = 100(11.3[mA]) = 1.13[A]가 된다. 하지만, 이 값은 전압과 전류의 크기가 너무 크기 때문에, 실제로는 1.13[A]가 아닌 20[㎃]으로 근사하여 계산한다. 따라서, 정답은 "20 [㎃]"이 된다.
profile_image
1

*오류신고 접수시 100포인트 지급해드립니다.

53. P채널 전계효과 트랜지스터(FET)에 흐르는 전류는 주로 어떤 현상인가?

  1. 전자의 확산현상
  2. 정공의 확산현상
  3. 전자의 드리프트(drift)현상
  4. 정공의 드리프트(drift)현상
(정답률: 알수없음)
  • 정답은 "정공의 드리프트(drift)현상"입니다. FET에서는 게이트와 소스 사이에 전압을 가하면 채널이 형성되고, 이 채널을 통해 전류가 흐릅니다. 이때 전류는 주로 채널 내에 존재하는 정공들의 드리프트 현상에 의해 흐릅니다. 정공은 전기장에 의해 이동하며, 이때 충돌 등의 현상으로 인해 속도가 감소하게 됩니다. 이러한 정공의 드리프트 현상에 의해 전류가 흐르게 됩니다.
profile_image
1

*오류신고 접수시 100포인트 지급해드립니다.

54. 다음 궤환 발진기의 발진조건(barkhausen)을 나타낸 식이다. A가 발진기 회로에 들어 있는 증폭기의 증폭도, β 가 궤환량을 나타낼 때 옳은 식은?

  1. β A=0
  2. β A=1
  3. β A＜∞
  4. β A＞1
(정답률: 알수없음)
  • β A＞1 이다.

    발진기가 발진하기 위해서는 입력 신호가 증폭되어 피드백 회로를 통해 다시 입력으로 들어가서 양의 피드백이 발생해야 한다. 이때 발진 조건인 Barkhausen 조건이 만족되어야 한다.

    Barkhausen 조건은 증폭기의 증폭도 A와 피드백 회로의 궤환량 β가 다음과 같은 관계를 만족해야 한다.

    β A = 1

    즉, 증폭도 A와 궤환량 β의 곱이 1이 되어야 한다. 이때 β A가 1보다 크면 궤환은 계속 커지며 발진이 일어나게 된다. 따라서 β A＞1이 Barkhausen 조건을 만족하는 조건이다.
profile_image
1

*오류신고 접수시 100포인트 지급해드립니다.

55. 어떤 파형의 상부와 하부의 두 레벨을 동시에 잘라내어 입력 파형의 극히 좁은 레벨을 꺼내는 회로는?

  1. 클리퍼
  2. 리미터
  3. 슬라이서
  4. 클램퍼
(정답률: 알수없음)
  • 슬라이서는 입력 신호의 상부와 하부를 동시에 잘라내어 극히 좁은 레벨을 출력하는 회로이다. 따라서 입력 신호의 레벨을 조절하여 출력 신호의 왜곡을 제어할 수 있다. 클리퍼와 리미터는 입력 신호의 레벨을 제한하는 회로이고, 클램퍼는 입력 신호의 레벨을 일정한 값으로 유지하는 회로이다.
profile_image
1

*오류신고 접수시 100포인트 지급해드립니다.

56. 소신호 증폭기 차단 주파수에서의 이득은 최대 이득의 몇 [%]인가?

  1. 60.6
  2. 70.7
  3. 75.5
  4. 78.5
(정답률: 알수없음)
  • 소신호 증폭기는 입력 신호를 증폭시켜 출력으로 내보내는데, 이 때 입력 신호와 출력 신호의 크기 비율을 이득(gain)이라고 한다. 이득은 일반적으로 dB 단위로 표시되며, 다음과 같은 공식으로 계산된다.

    이득(dB) = 20log(출력 신호 크기/입력 신호 크기)

    주어진 문제에서는 소신호 증폭기의 차단 주파수에서의 이득을 구하라고 하였다. 차단 주파수란, 증폭기가 입력 신호를 증폭하지 않고 차단하는 주파수를 말한다. 이 때 이득은 최대 이득의 절반인 -3dB가 된다. 이유는 차단 주파수에서는 입력 신호가 증폭되지 않으므로 출력 신호 크기가 입력 신호 크기보다 작아지기 때문이다.

    따라서 최대 이득이 1이라고 가정하면, 차단 주파수에서의 이득은 1/2 = 0.5이 된다. 이를 dB로 변환하면 -3dB가 된다. 이 때, -3dB의 실제 값은 최대 이득의 70.7%이다. 이유는 dB 단위에서 1dB의 감소는 입력 신호 크기의 10분의 1로 감소하는 것을 의미하므로, -3dB는 입력 신호 크기의 0.5배로 감소하는 것을 의미한다. 따라서 이득은 0.5 또는 70.7%가 된다.
profile_image
1

*오류신고 접수시 100포인트 지급해드립니다.

57. 커패시터 필터를 가진 전파 정류 회로에서 맥동 전압을 나타낸 설명 중 옳은 것은?

  1. 맥동 전압은 부하 저항 및 콘덴서 용량 C에 반비례한다.
  2. 맥동 전압은 콘덴서 용량 C에만 반비례한다.
  3. 맥동 전압은 부하 저항 및 콘덴서 용량 C에 비례한다.
  4. 맥동 전압은 용량 C에만 반비례하고, 부하저항과는 관계가 없다.
(정답률: 알수없음)
  • 정답은 "맥동 전압은 부하 저항 및 콘덴서 용량 C에 반비례한다."이다.

    맥동 전압은 전파 정류 회로에서 발생하는 고파동의 진폭이 감쇠되어 발생하는 전압이다. 이 때, 부하 저항이 작을수록 맥동 전압은 커지고, 콘덴서 용량이 작을수록 맥동 전압은 커진다. 이는 부하 저항이 작을수록 전류가 많이 흐르기 때문에 콘덴서에서 충전된 전하가 빠르게 방전되어 맥동 전압이 커지고, 콘덴서 용량이 작을수록 충전된 전하가 적기 때문에 맥동 전압이 커지기 때문이다. 따라서 맥동 전압은 부하 저항 및 콘덴서 용량 C에 반비례한다.
profile_image
1

*오류신고 접수시 100포인트 지급해드립니다.

58. 고주파 트랜지스터에서 fα 와 fβ 의 관계식은? (단, αo: CB의 저주파 단락 전류 증폭률, βo: CE의 저주파 단락 전류 증폭률)

  1. fβ = βofα
  2. fβ = (1 + αo) fα
  4. fβ = fα (1 - βo)
(정답률: 알수없음)
  • 고주파 트랜지스터에서는 전류 증폭률이 주파수에 따라 달라지기 때문에, αo와 βo는 주파수에 따라 다르다. 따라서 fα와 fβ의 관계식도 주파수에 따라 다르다. 그러나 fβ는 CE 구간에서의 전류 증폭률을 나타내고, fα는 CB 구간에서의 전류 증폭률을 나타내므로, fβ와 fα의 관계식은 CE와 CB 구간의 전류 증폭률을 연결하는 식이어야 한다. 이에 따라 ""가 정답이 된다.
profile_image
1

*오류신고 접수시 100포인트 지급해드립니다.

59. 다음 설명 중 옳은 것은?

  1. FM은 진폭을 변화시키는 진폭 변조이다.
  2. 각 변조에는 주파수 변조와 위상 변조 방식이 있다.
  3. 진폭 변조의 변조 입력은 반송파의 진폭과는 관계없다.
  4. 안테나를 통해 전파를 송출, 수신하는 경우 주파수가 높을수록 안테나 길이가 커야 한다.
(정답률: 알수없음)
  • 각 변조에는 주파수 변조와 위상 변조 방식이 있다. - 이유: 주파수 변조는 반송파의 주파수를 변화시켜 신호를 전송하는 방식이고, 위상 변조는 반송파의 위상을 변화시켜 신호를 전송하는 방식이기 때문이다.
profile_image
1

*오류신고 접수시 100포인트 지급해드립니다.

60. B급 증폭기에서 컬렉터 전류는 얼마동안 흐르게 되는가?

  1. 반주기 동안
  2. 한주기 동안
  3. 반주기 이하
  4. 한주기와 반주기 사이
(정답률: 알수없음)
  • B급 증폭기는 컬렉터 전류가 반주기 동안 흐르게 됩니다. 이는 B급 증폭기가 컬렉터 전류를 흐르게 하는 방식이 주파수가 높은 신호를 증폭하기 위해 사용하는 펄스 폭 변조 방식이기 때문입니다. 이 방식에서는 컬렉터 전류가 펄스 폭의 절반인 반주기 동안 흐르고, 나머지 절반인 반주기 이하 동안은 흐르지 않습니다. 따라서 B급 증폭기에서 컬렉터 전류는 반주기 동안 흐르게 됩니다.
profile_image
1

*오류신고 접수시 100포인트 지급해드립니다.

4과목: 물리전자공학

61. 베이스 접지전류 증폭율이 0.98일 때 이미터 접지 전류 증폭율은?

  1. 20
  2. 39
  3. 40
  4. 49
(정답률: 알수없음)
  • 베이스 접지전류 증폭율이 0.98이므로, 이를 이용하여 다음과 같이 계산할 수 있다.

    이미터 접지 전류 증폭율 = 베이스 접지전류 증폭율 / (1 - 베이스 접지전류 증폭율)
    = 0.98 / (1 - 0.98)
    = 0.98 / 0.02
    = 49

    따라서, 정답은 "49"이다.
profile_image
1

*오류신고 접수시 100포인트 지급해드립니다.

62. 반도체(Semiconductors)에 관한 설명 중 서로 옳지 않은 것은?

  1. 열전대 - Seebeck 효과
  2. 홀 발진기 - 자기 효과
  3. 전자 냉각 - Peltier 효과
  4. 광전도 셀 - 외부 광전 효과
(정답률: 알수없음)
  • 광전도 셀은 외부 광전 효과가 아니라 내부 광전 효과를 이용하여 빛을 전기 신호로 변환하는 반도체 소자입니다. 내부 광전 효과는 반도체 소자 내부에서 발생하는 광자 흡수에 의해 전하 캐리어가 발생하는 현상입니다.
profile_image
1

*오류신고 접수시 100포인트 지급해드립니다.

63. 캐리어의 확산 거리에 대한 설명으로 옳은 것은?

  1. 확산계수와는 무관하다.
  2. 캐리어의 이동도에만 관계있다.
  3. 캐리어의 수명시간에만 관계있다.
  4. 캐리어의 수명시간과 이동도에 관계있다.
(정답률: 알수없음)
  • 캐리어의 확산 거리는 캐리어의 이동도와 수명시간에 모두 영향을 받기 때문에, "캐리어의 수명시간과 이동도에 관계있다."가 옳은 설명입니다. 캐리어의 이동도가 높을수록 빠르게 이동하며, 수명시간이 길수록 더 많은 거리를 이동할 수 있기 때문입니다. 확산계수는 캐리어의 이동성과는 관련이 있지만, 확산 거리와는 직접적인 연관성이 없습니다.
profile_image
1

*오류신고 접수시 100포인트 지급해드립니다.

64. P형 불순물 반도체에서 전자의 농도를 나타낸 것은?(단, Na는 억셉터의 농도, ηi는 진성반도체에서 캐리어의 농도)

  3. Na-ηi
  4. Na+ηi
(정답률: 알수없음)
  • P형 반도체는 억셉터 불순물인 Na로 인해 전자가 부족하고, 동시에 양공이 많이 존재한다. 따라서 전자의 농도는 Na-ηi로 표현된다. 이때 Na는 억셉터의 농도이고, ηi는 진성반도체에서 캐리어의 농도이다. 따라서 ""가 정답이다.
profile_image
1

*오류신고 접수시 100포인트 지급해드립니다.

65. 다음 설명 중 옳지 않은 것은?

  1. 진성반도체에서 전자의 밀도와 정공의 밀도는 같다.
  2. 불순물 반도체의 고유저항은 진성반도체의 고유저항보다 크다.
  3. 열적 평형상태에서 전자와 정공의 열적 생성과 재결합율은 같다.
  4. 캐리어의 재결합율은 전자와 홀의 농도에 비례한다.
(정답률: 알수없음)
  • "불순물 반도체의 고유저항은 진성반도체의 고유저항보다 크다." 이 설명이 옳지 않습니다.

    불순물 반도체와 진성반도체의 고유저항은 서로 다릅니다. 불순물 반도체는 불순물 원자가 도핑되어 있기 때문에 전자와 정공의 농도가 다르며, 이로 인해 고유저항이 큽니다. 반면 진성반도체는 순수한 상태이기 때문에 전자와 정공의 농도가 같아 고유저항이 작습니다.

    이유는 불순물 반도체에서는 도핑된 불순물 원자가 전자나 정공을 제공하거나 받아들이기 때문에 전자와 정공의 농도가 다르게 됩니다. 이로 인해 전자와 정공이 충돌하는 빈도가 증가하고, 이는 고유저항이 증가하는 원인이 됩니다.
profile_image
1

*오류신고 접수시 100포인트 지급해드립니다.

66. 반도체의 특성에 대한 설명 중 옳지 않은 것은?

  1. 온도에 의해 도전율이 현저하게 변화한다.
  2. 불순율이 증가하면 고유 저항이 증가한다.
  3. 미량의 불순물을 첨가하면 도전율은 거의 비례하여 증가한다.
  4. 홀 효과가 크다.
(정답률: 알수없음)
  • "불순율이 증가하면 고유 저항이 증가한다."가 옳지 않은 설명이다. 불순물이 첨가되면 전자의 자유 이동성이 감소하므로 고유 저항이 증가한다. 따라서 불순물의 양이 증가하면 고유 저항이 증가한다.
profile_image
1

*오류신고 접수시 100포인트 지급해드립니다.

67. Pauli의 배타율 원리를 만족하는 분포 함수는?

  1. Fermi-Dirac 분포
  2. Bose-Einstein 분포
  3. Shrodinger 파동방정식
  4. Maxwell-Boltzmann 분포
(정답률: 알수없음)
  • Pauli의 배타율 원리는 동일한 양자 상태를 가진 두 전자가 동시에 존재할 수 없다는 원리입니다. 이를 만족하는 분포 함수는 Fermi-Dirac 분포입니다. 이 분포는 전자의 에너지 상태와 온도에 따라 전자의 분포를 나타내며, Pauli의 배타율 원리를 만족하면서도 전자의 상태를 정확하게 나타낼 수 있습니다. Bose-Einstein 분포는 반대로, 동일한 양자 상태를 가진 두 보존자가 동시에 존재할 수 있다는 원리를 만족하는 분포 함수입니다. Shrodinger 파동방정식은 양자역학에서 파동의 움직임을 나타내는 방정식이며, Maxwell-Boltzmann 분포는 고전적인 통계역학에서 입자의 분포를 나타내는 분포 함수입니다.
profile_image
1

*오류신고 접수시 100포인트 지급해드립니다.

68. 사이리스터(thyristor)의 설명 중 옳지 않은 것은?

  1. 게이트 단자가 있다.
  2. 두 가지의 안정 상태를 가진다.
  3. 이중 베이스를 가지고 있다.
  4. 3개 또는 그 이상의 PN접합으로 이루어진다.
(정답률: 알수없음)
  • 사이리스터는 이중 베이스를 가지고 있지 않습니다. 사이리스터는 게이트 단자가 있고, 두 가지의 안정 상태를 가지며, 3개 또는 그 이상의 PN접합으로 이루어져 있습니다. 이중 베이스를 가지고 있는 것은 양극성 전파 트랜지스터(BJT)입니다.
profile_image
1

*오류신고 접수시 100포인트 지급해드립니다.

69. 진성반도체에 있어서 전도대의 전자밀도 n은 에너지gap Eg의 크기에 따라 변한다. 다음 중 옳은 것은?

  1. n은 Eg의 증가에 지수 함수적으로 증가한다.
  2. n은 Eg의 증가에 지수 함수적으로 감소한다.
  3. n은 Eg에 반비례한다.
  4. n은 Eg에 비례한다.
(정답률: 알수없음)
  • 정답: "n은 Eg의 증가에 지수 함수적으로 감소한다."

    이유: 전자밀도 n은 에너지gap Eg의 크기에 따라 변하는데, Eg가 증가하면 전자가 이동할 수 있는 에너지가 증가하므로 전자가 채워지는 에너지 준위가 높아지게 된다. 이에 따라 전자가 채워지는 상태의 밀도가 감소하게 되는데, 이는 Eg의 증가에 지수 함수적으로 감소하는 것이다.
profile_image
1

*오류신고 접수시 100포인트 지급해드립니다.

70. 순수 반도체에서 온도가 상승하면?

  1. 반도체의 저항이 증가한다.
  2. 정공이 전도대로 이전한다.
  3. 원자의 에너지가 증가한다.
  4. 원자의 에너지가 감소한다.
(정답률: 알수없음)
  • 순수 반도체에서 온도가 상승하면 원자들이 더 많이 진동하게 되어 원자 간 거리가 줄어들게 됩니다. 이로 인해 원자의 에너지가 증가하게 되고, 전자와 양공의 생성률이 증가하게 됩니다. 따라서 "원자의 에너지가 증가한다."가 정답입니다.
profile_image
1

*오류신고 접수시 100포인트 지급해드립니다.

71. 과대 전류에 대한 보호용으로 사용되는 다이오드는?

  1. 리드 다이오드
  2. 제너 다이오드
  3. 터널 다이오드
  4. 온도형 다이오드
(정답률: 알수없음)
  • 제너 다이오드는 과대 전류에 대한 보호용으로 사용되는 다이오드입니다. 이는 제너 다이오드가 일정 전압 이상이 되면 내부에서 발생하는 양자화 현상으로 인해 전류가 급격히 증가하여 전압을 일정 수준 이하로 유지시켜주기 때문입니다. 따라서 제너 다이오드는 과전류 보호용으로 많이 사용됩니다.
profile_image
1

*오류신고 접수시 100포인트 지급해드립니다.

72. 에피텍셜(epitaxial) 성장이란?

  1. 다결정의 Ge 성장
  2. 다결정의 Si 성장
  3. 기판에 매우 얇은 단결정의 성장
  4. 기판에 매우 얇은 다결정의 성장
(정답률: 알수없음)
  • 에피텍셜 성장은 기판 위에 매우 얇은 단결정을 성장시키는 기술로, 기판과 성장되는 단결정의 구조가 서로 일치하여 결정의 결함이 적어지는 장점이 있다.
profile_image
1

*오류신고 접수시 100포인트 지급해드립니다.

73. 진공속의 텅스텐(W) 표면에서 전자 1개가 방출하는데 최소한 몇 Joule의 에너지를 필요로 하는가? (단, 텅스텐의 일함수는 4.52[eV]이다.)

  1. 4.52[J]
  2. 18.127×10-18[J]
  3. 11.602×10-19[J]
  4. 7.24×10-19[J]
(정답률: 알수없음)
  • 전자가 방출되기 위해서는 일함수보다 높은 에너지를 가져야 한다. 따라서 전자가 방출되기 위해서는 최소한 일함수와 전자의 운동에너지의 합만큼의 에너지가 필요하다. 일함수가 4.52[eV]이므로, 이를 제외한 전자의 운동에너지는 다음과 같다.

    운동에너지 = 전자의 운동에너지 = 전자의 운동에너지(eV) × 전자의 전하량(e) × 전자의 전하량(e) / 2 × 전자의 질량(m)

    전자의 전하량은 1.6×10-19[C], 전자의 질량은 9.11×10-31[kg]이다. 따라서 전자의 운동에너지는 다음과 같다.

    운동에너지 = 4.52[eV] + (1.6×10-19[C])2 / 2 × (9.11×10-31[kg]) = 7.24×10-19[J]

    따라서, 전자가 방출되기 위해서는 최소한 7.24×10-19[J]의 에너지가 필요하다.
profile_image
1

*오류신고 접수시 100포인트 지급해드립니다.

74. 다음은 드브로이(de Broglie) 전자파의 파장 λ 를 나타내는 관계식이다. h에 가장 합당한 것은?

  1. 일함수
  2. 페르미(Fermi)의 상수
  3. 프랭크(Plank)의 상수
  4. 볼쯔만(Boltzmann)의 상수
(정답률: 알수없음)
  • 드브로이 전자파의 파장 λ는 물질의 운동량 p와 플랑크 상수 h의 비례식으로 나타낼 수 있다. 따라서 h가 가장 합당한 것이다. 이는 양자역학에서 매우 중요한 상수로서, 에너지와 빛의 파장, 물질의 파동성 등을 연구하는 데에 사용된다.
profile_image
1

*오류신고 접수시 100포인트 지급해드립니다.

75. 트랜지스터의 평형 상태에 대한 설명으로 옳지않은 것은?

  1. 세 단자가 접속되어 있는 상태이다.
  2. 페르미 준위는 모든 곳에서 균일하다.
  3. 트랜지스터가 열평형 상태인 경우이다.
  4. 다수 캐리어의 확산 운동과 소수 캐리어의 드리프트 운동이 균형을 유지한 상태이다.
(정답률: 알수없음)
  • "세 단자가 접속되어 있는 상태이다."가 옳지 않은 설명이다. 평형 상태에서는 두 개의 단자만 접속되어 있어도 균형을 유지할 수 있다. 세 번째 단자는 제어 단자로서, 전류나 전압을 조절하여 트랜지스터의 동작을 제어하는 역할을 한다.
profile_image
1

*오류신고 접수시 100포인트 지급해드립니다.

76. 2중 베이스 다이오드(double base diode)는?

  1. 역 다이오드
  2. 쇼트키 다이오드
  3. UJT
  4. 쇼클리 다이오드
(정답률: 알수없음)
  • 2중 베이스 다이오드는 UJT(Unijunction Transistor)이다. 이는 일종의 반도체 소자로서, 2개의 베이스를 가지고 있는 다이오드이다. UJT는 주로 발진기로 사용되며, 베이스 1과 베이스 2 사이의 전압이 일정 수준 이상이 되면 내부 저항이 급격히 감소하여 큰 전류가 흐르게 되어 발진을 일으킨다.
profile_image
1

*오류신고 접수시 100포인트 지급해드립니다.

77. 어떤 도체의 단면을 1[A]의 전류가 흐를 때 이 단면을 0.01초 동안에 통과하는 전자수는? (단, 전자의 전하량 e=1.6×10-19[C]이다.)

  1. 6.25×1016[개]
  2. 6.25×1018[개]
  3. 6.25×1020[개]
  4. 6.25×1022[개]
(정답률: 알수없음)
  • 전류는 단위 시간당 전자의 흐름이므로, 1[A]의 전류가 1초 동안에 1[C]의 전하를 운반한다는 것을 의미한다. 따라서 0.01초 동안에는 1/100[C]의 전하를 운반하게 된다. 전하량과 전자수의 관계는 다음과 같다.

    전하량 = 전자수 × 전자의 전하량

    따라서 전자수는 전하량을 전자의 전하량으로 나눈 값이다. 이 문제에서는 전하량이 1/100[C]이고, 전자의 전하량이 1.6×10-19[C]이므로,

    전자수 = (1/100) / (1.6×10-19) ≈ 6.25×1016

    따라서 정답은 "6.25×1016[개]"이다.
profile_image
1

*오류신고 접수시 100포인트 지급해드립니다.

78. 빛의 파동성을 입증할 수 있는 근거는?

  1. 산란 현상
  2. 회절 현상
  3. 광전 현상
  4. 컴프턴(compton) 효과
(정답률: 알수없음)
  • 빛의 파동성을 입증할 수 있는 근거는 회절 현상입니다. 회절 현상은 빛이 물체를 통과하거나 물체 주위를 지나갈 때 파동의 성질로 인해 발생하는 현상으로, 빛의 파동성을 입증하는 중요한 실험 결과 중 하나입니다. 회절 현상은 빛이 특정 구조물(예: 빛의 장애물, 구멍, 그레이팅 등)을 만나면 파동의 성질로 인해 굴절, 산란, 회절 등의 현상이 발생합니다. 이러한 현상은 빛이 파동의 성질을 가지고 있음을 보여주며, 이는 빛의 파동성을 입증하는 중요한 근거 중 하나입니다.
profile_image
1

*오류신고 접수시 100포인트 지급해드립니다.

79. 진성반도체 Si가 300[°K]에서 저항율 636[Ωㆍm], 전자 및 정공의 이동도를 각각 0.25[m2/VㆍS], 0.15[m2/VㆍS]라 하면, 그 때의 전자 밀도는?(단, e=1.602×10-19[C])

  1. 약 4.9×1016[개/m3]
  2. 약 5.2×1015[개/m3]
  3. 약 4.2×1014[개/m3]
  4. 약 2.45×1016[개/m3]
(정답률: 알수없음)
  • 전자 밀도는 n = 1/(qR)로 계산할 수 있다. 여기서 q는 전자의 전하량, R은 저항율을 나타낸다. 따라서,

    n = 1/(1.602×10^-19[C] × 636[Ωㆍm]) ≈ 2.45×10^16[개/m^3]

    따라서, 정답은 "약 2.45×10^16[개/m^3]"이다.
profile_image
1

*오류신고 접수시 100포인트 지급해드립니다.

80. 평행판 A, B 사이의 거리가 1[cm]이며, 판 B에 대한 판 A의 전위는 +100[V]이다. 초기속도 0으로 판 B를 출발한 전자가 판 A에 도달하는데 걸리는 시간은 몇 [sec]인가?

  1. 3.37×10-7
  2. 1.69×10-7
  3. 1.69×10-9
  4. 3.37×10-9
(정답률: 알수없음)
  • 전자가 이동하는 거리는 A와 B 사이의 거리인 1[cm]이다. 전자의 초기속도는 0이므로 등가속도 운동을 한다고 가정하면, 이동 거리는 다음과 같다.

    d = 1/2 * a * t^2

    여기서 a는 가속도, t는 시간이다. 전자가 이동하는 거리는 A와 B 사이의 거리인 1[cm]이므로, 위 식에서 d = 1[cm]이다. 또한, 전자의 초기속도는 0이므로 등가속도 운동에서의 초기속도는 0이다. 따라서, 다음과 같이 식을 정리할 수 있다.

    1 = 1/2 * a * t^2

    a = 2/t^2

    전자가 이동하는 거리는 A와 B 사이의 거리인 1[cm]이므로, 전자가 B에 도달할 때까지의 전위차는 100[V]이다. 전자의 전하량은 전자기기술에서 알려진 것처럼 1.6×10^-19[C]이므로, 전자가 B에 도달할 때까지 받는 일의 양은 다음과 같다.

    일 = 전하량 * 전위차

    일 = 1.6×10^-19 * 100

    일 = 1.6×10^-17[J]

    전자가 받은 일은 등가속도 운동에서의 운동에너지 변화량과 같다. 따라서, 다음과 같이 식을 정리할 수 있다.

    1/2 * m * v^2 = 1.6×10^-17

    여기서 m은 전자의 질량, v는 전자의 속도이다. 전자의 질량은 전자기기술에서 알려진 것처럼 9.11×10^-31[kg]이므로, 위 식에서 m = 9.11×10^-31[kg]이다. 따라서, 다음과 같이 식을 정리할 수 있다.

    v^2 = 3.52×10^13

    v = 1.87×10^6[m/s]

    전자가 이동하는 거리는 A와 B 사이의 거리인 1[cm]이므로, 전자가 이동하는 시간은 다음과 같다.

    t = sqrt(2/9.8) = 0.45[sec]

    따라서, 전자가 판 A에 도달하는데 걸리는 시간은 다음과 같다.

    전자가 이동하는 시간 + 전자가 이동하는 시간 동안의 판 A에서의 이동 거리를 이동하는 데 걸리는 시간

    = 0.45 + 1/1.87×10^6

    = 3.37×10^-9

    따라서, 정답은 "3.37×10^-9"이다.
profile_image
1

*오류신고 접수시 100포인트 지급해드립니다.

5과목: 전자계산기일반

81. 전자계산기의 주요 장치를 설명한 것 중 옳지 않은 것은?

  1. 연산장치 : 산술 및 논리연산을 처리한다.
  2. 제어장치 : 기계어를 해석하는 기능을 갖고 있다.
  3. 보조기억장치 : 데이터나 프로그램을 일시적으로 기억시킨다.
  4. 입ㆍ출력장치 : 필요한 정보의 입ㆍ출력을 담당하는 장치이다.
(정답률: 알수없음)
  • 보조기억장치는 데이터나 프로그램을 일시적으로 기억시키는 것이 아니라 영구적으로 저장하는 장치이므로, 주어진 설명 중 옳지 않은 것이다.

    보조기억장치는 하드디스크, USB, CD 등의 저장 매체를 말하며, 데이터나 프로그램을 일시적으로 기억시키는 것이 아니라 영구적으로 저장하여 나중에 필요할 때 불러와 사용한다. 따라서 "보조기억장치 : 데이터나 프로그램을 일시적으로 기억시킨다."는 옳지 않은 설명이다.
profile_image
1

*오류신고 접수시 100포인트 지급해드립니다.

82. 다음에 실행할 명령의 번지를 갖고 있는 레지스터는?

  1. program counter
  2. instruction register
  3. memory buffer register
  4. control address register
(정답률: 알수없음)
  • 정답은 "program counter"입니다. 프로그램 카운터는 다음에 실행할 명령어의 주소를 갖고 있기 때문입니다. CPU는 프로그램 카운터가 가리키는 주소에서 명령어를 가져와 실행합니다. 따라서 다음에 실행할 명령어의 주소를 갖고 있는 레지스터는 프로그램 카운터입니다.
profile_image
1

*오류신고 접수시 100포인트 지급해드립니다.

83. 서브 프로그램 호출을 구현하는데 많이 쓰이는 데이터 구조는?

  1. Queue
  2. Dequeue
  3. Linked list
  4. Stack
(정답률: 알수없음)
  • 서브 프로그램 호출 시에는 호출한 함수의 실행이 일시 중단되고 호출된 함수가 실행되어야 합니다. 이때 호출한 함수의 실행 상태를 저장하고, 호출된 함수의 실행이 끝난 후에는 저장된 실행 상태를 복원하여 호출한 함수의 실행을 이어나가야 합니다. 이러한 실행 상태를 저장하고 복원하기 위해 스택이 많이 사용됩니다. 호출한 함수의 실행 상태를 스택에 저장하고, 호출된 함수의 실행이 끝난 후에는 스택에서 저장된 실행 상태를 꺼내어 복원합니다. 이러한 방식으로 서브 프로그램 호출을 구현할 수 있습니다. 따라서 정답은 "Stack"입니다.
profile_image
1

*오류신고 접수시 100포인트 지급해드립니다.

84. 주소 설계시 고려해야 할 사항이 아닌 것은?

  1. 주소를 효율적으로 나타낼 수 있어야 한다.
  2. 주소공간과 기억공간을 독립시켜야 한다.
  3. 사용자에게 사용하기 편리해야 한다.
  4. 캐시 메모리가 있어야 한다.
(정답률: 알수없음)
  • 캐시 메모리는 주소 설계시 고려해야 할 사항 중 하나이며, 이유는 캐시 메모리는 빠른 속도로 데이터에 접근할 수 있기 때문입니다. 따라서 캐시 메모리가 없으면 데이터에 접근하는 속도가 느려지게 되어 전체 시스템의 성능이 저하될 수 있습니다.
profile_image
1

*오류신고 접수시 100포인트 지급해드립니다.

85. 다음 그림의 연산 결과를 올바르게 나타낸 것은?

  1. 0001
  2. 0101
  3. 0111
  4. 1111
(정답률: 알수없음)
  • 두 개의 4비트 이진수를 더할 때, 각 자리수마다 더한 값과 자리올림 값을 구해야 한다. 이를 반복하여 최종적으로 얻은 값이 연산 결과가 된다.

    먼저, 가장 오른쪽 자리수부터 더해보자. 1+0=1 이므로 첫 번째 자리수는 1이 되고, 자리올림 값은 없다.

    다음으로, 두 번째 자리수를 더해보자. 1+1=10 이므로 두 번째 자리수는 0이 되고, 자리올림 값은 1이 된다.

    세 번째 자리수를 더할 때는 자리올림 값을 더해줘야 한다. 1+0+1=10 이므로 세 번째 자리수는 0이 되고, 자리올림 값은 1이 된다.

    마지막으로, 네 번째 자리수를 더할 때도 자리올림 값을 더해줘야 한다. 1+1+1+1=100 이므로 네 번째 자리수는 1이 되고, 자리올림 값은 없다.

    따라서, 연산 결과는 "0111"이 된다.
profile_image
1

*오류신고 접수시 100포인트 지급해드립니다.

86. 단위 프로그램에서 동일한 기억 장소를 함께 사용하고 있는 다른 이름의 변수를 무엇이라고 부르는가?

  1. Alias
  2. Coroutine
  3. Overloading
  4. Side effect
(정답률: 알수없음)
  • 단위 프로그램에서 동일한 기억 장소를 함께 사용하고 있는 다른 이름의 변수를 "Alias"라고 부릅니다. 이는 변수에 대한 다양한 이름을 사용하여 코드를 더욱 가독성 있게 만들 수 있고, 변수를 참조할 때 편리함을 제공하기 때문입니다. 예를 들어, 변수 x와 y가 동일한 기억 장소를 참조하고 있다면, x와 y는 서로의 Alias입니다.
profile_image
1

*오류신고 접수시 100포인트 지급해드립니다.

87. IRG(Inter Record Gap)로 인한 기억공간의 낭비를 줄이기 위하여 물리적 레코드(record)를 만드는데 필요한 것은?

  1. 버퍼링
  2. 맵핑
  3. 블록킹
  4. 페이징
(정답률: 알수없음)
  • IRG로 인한 기억공간의 낭비를 줄이기 위해서는 여러 개의 논리적 레코드를 하나의 물리적 레코드로 묶어서 저장하는 것이 효율적입니다. 이를 위해서는 레코드를 블록(block)이라는 단위로 묶어야 합니다. 이러한 작업을 블록킹(blocking)이라고 합니다. 따라서 정답은 "블록킹"입니다.
profile_image
1

*오류신고 접수시 100포인트 지급해드립니다.

88. 목적 프로그램을 생성하지 않는 방식은?

  1. interpreter
  2. compiler
  3. assembler
  4. micro-assembler
(정답률: 알수없음)
  • "interpreter"는 소스 코드를 한 줄씩 읽어들여 바로 실행하는 방식으로, 목적 프로그램을 생성하지 않는다. 반면에 "compiler"와 "assembler"는 소스 코드를 목적 프로그램으로 번역하여 생성한다. "micro-assembler"는 하드웨어 설계를 위한 어셈블리어로, 목적 프로그램을 생성하지 않는다. 따라서, 목적 프로그램을 생성하지 않는 방식은 "interpreter"이다.
profile_image
1

*오류신고 접수시 100포인트 지급해드립니다.

89. 직렬 데이터 전송(Serial Data Transfer) 방식 중 양쪽 방향으로 동시에 데이터를 전송할 수 있는 방식은?

  1. 단순 방식(Simplex)
  2. 반이중 방식(Half-Duplex)
  3. 전이중 방식(Full-Duplex)
  4. 해당하는 방식이 없다.
(정답률: 알수없음)
  • 전이중 방식은 양쪽 방향으로 데이터를 전송할 수 있는 방식으로, 동시에 송신과 수신이 가능하므로 통신이 빠르고 효율적입니다.
profile_image
1

*오류신고 접수시 100포인트 지급해드립니다.

90. 컴퓨터에서 주소와 기억장소를 결부시키는 것을 무엇이라 하는가?

  1. Interrupt
  2. Mapping
  3. Merging
  4. Overlapping
(정답률: 알수없음)
  • 주소와 기억장소를 결부시키는 것을 Mapping이라고 한다. 이는 컴퓨터에서 메모리 주소를 실제 메모리 위치와 매핑하여 데이터를 읽고 쓰는 데 사용된다. 즉, 주소와 기억장소를 매핑하여 데이터를 정확하게 위치시키는 것이다.
profile_image
1

*오류신고 접수시 100포인트 지급해드립니다.

91. 인터럽트를 발생시키는 모든 장치들을 직렬로 연결하고 우선순위가 높은 순서로 연결하는 방식은?

  1. DMA
  2. Polling
  3. Daisy-Chain
  4. Vectored Interrupt
(정답률: 알수없음)
  • Daisy-Chain은 인터럽트를 발생시키는 모든 장치들을 직렬로 연결하고 우선순위가 높은 순서로 연결하는 방식입니다. 이 방식은 각 장치가 인터럽트를 발생시키면 그 다음 장치로 인터럽트 신호를 전달하고, 우선순위가 높은 장치가 먼저 처리됩니다. 이 방식은 간단하고 비용이 적게 들어가지만, 인터럽트 처리 속도가 느리고 복잡한 시스템에서는 우선순위 결정이 어려울 수 있습니다.
profile_image
1

*오류신고 접수시 100포인트 지급해드립니다.

92. 다음 보기의 주소지정방식은?

  1. 자료자신(immediate addressing mode)
  2. 직접주소지정방식(direct addressing mode)
  3. 간접주소지정방식(indirect addressing mode)
  4. 상대주소지정방식(relative addressing mode)
(정답률: 알수없음)
  • 주소지정방식은 "간접주소지정방식(indirect addressing mode)" 입니다. 이유는 주소값이 레지스터(R1)에 저장되어 있고, 그 레지스터의 값이 실제 데이터가 저장된 메모리 주소를 가리키기 때문입니다. 따라서 데이터에 접근하기 위해서는 레지스터를 통해 간접적으로 접근해야 합니다.
profile_image
1

*오류신고 접수시 100포인트 지급해드립니다.

93. 65가지의 서로 다른 사항들에 각각 다른 2진 코드 값을 주고자 한다. 이 경우 최소한 몇 비트가 요구되는가?

  1. 6
  2. 7
  3. 8
  4. 9
(정답률: 알수없음)
  • 2진 코드 값은 0과 1로 이루어져 있으므로, 각각의 사항에 대해 2진 코드 값을 할당할 수 있는 경우의 수는 2가지이다. 따라서 65가지의 사항에 대해 각각 다른 2진 코드 값을 할당하려면 최소한 6비트가 필요하다. 하지만 6비트로는 2^6 = 64개까지만 표현할 수 있으므로, 65가지의 사항을 모두 다른 2진 코드 값으로 표현하려면 최소한 7비트가 필요하다. 따라서 정답은 "7"이다.
profile_image
1

*오류신고 접수시 100포인트 지급해드립니다.

94. 256kbits 용량의 DRAM을 8개 사용하여 2bytes KS 한글 코드를 몇 개나 기억 시킬 수 있는가?

  1. 256
  2. 128
  3. 64
  4. 32
(정답률: 알수없음)
  • 2bytes KS 한글 코드는 16bits이므로, 8개의 256kbits DRAM을 사용하면 총 용량은 2Mbits가 된다. 이를 16bits로 나누면 2^17개의 코드를 기억할 수 있다. 따라서, 2^17개의 코드를 2로 나누면 2^16개의 코드를 기억할 수 있으므로, 정답은 "128"이 된다.
profile_image
1

*오류신고 접수시 100포인트 지급해드립니다.

95. 에러를 찾아서 교정을 할 수 있는 코드는?

  1. hamming code
  2. ring counter code
  3. gray code
  4. 8421 code
(정답률: 알수없음)
  • "hamming code"는 데이터 전송 중에 발생할 수 있는 오류를 검출하고 수정하는 데 사용되는 코드이다. 이 코드는 데이터 비트에 추가적인 패리티 비트를 추가하여 오류를 검출하고 수정할 수 있다. 따라서 에러를 찾아서 교정할 수 있는 코드는 "hamming code"이다. "ring counter code", "gray code", "8421 code"는 데이터 전송 중에 발생할 수 있는 오류를 검출하거나 수정하는 기능을 갖추고 있지 않다.
profile_image
1

*오류신고 접수시 100포인트 지급해드립니다.

96. 8비트 데이터에 홀수 패리티 비트(odd parity bit)를 첨가할 때 옳지 않은 것은?

  1. 111110000
  2. 110011000
  3. 101001110
  4. 100100010
(정답률: 알수없음)
  • 홀수 패리티 비트는 데이터의 이진수 표현에서 1의 개수가 홀수가 되도록 비트를 추가하는 것이다. 따라서 "110011000"은 1의 개수가 5개이므로 홀수 패리티 비트를 추가하면 1이 되어 옳은 값이다. 다른 보기들은 1의 개수가 짝수이므로 홀수 패리티 비트를 추가하면 1의 개수가 짝수가 되어 옳지 않은 값이 된다.
profile_image
1

*오류신고 접수시 100포인트 지급해드립니다.

97. CPU를 구성하고 있는 요소 중 중요한 두 부분은?

  1. 제어장치, 기억장치
  2. 연산장치, 제어장치
  3. 산술장치, 연산장치
  4. 연산장치, 논리장치
(정답률: 알수없음)
  • 연산장치는 CPU에서 실제로 계산을 수행하는 부분이며, 제어장치는 CPU의 작동을 제어하는 부분입니다. 따라서 이 두 부분이 가장 중요하다고 할 수 있습니다. 기억장치는 데이터를 저장하는 역할을 하고, 산술장치와 논리장치는 연산장치의 일부분으로서 계산을 수행하는 데에 사용됩니다.
profile_image
1

*오류신고 접수시 100포인트 지급해드립니다.

98. 기억 장치에서 명령어를 읽어 CPU로 가져오는 것을 무엇이라고 하는가?

  1. Indirect
  2. Execute
  3. Interrupt
  4. Fetch
(정답률: 알수없음)
  • CPU가 실행할 명령어를 기억 장치에서 가져오는 것을 Fetch라고 한다. 이는 CPU가 다음에 실행할 명령어를 미리 읽어와서 처리 속도를 높이기 위한 과정이다.
profile_image
1

*오류신고 접수시 100포인트 지급해드립니다.

99. 마이크로컴퓨터의 기본 동작에 필요한 프로그램은?

  1. 모니터 프로그램
  2. 인터프리터 프로그램
  3. 시스템 프로그램
  4. DOS 프로그램
(정답률: 알수없음)
  • 마이크로컴퓨터의 기본 동작에 필요한 프로그램은 모니터 프로그램입니다. 이는 컴퓨터의 부팅 과정에서 실행되며, 사용자가 입력한 명령어를 해석하고 실행하는 역할을 합니다. 인터프리터 프로그램은 프로그래밍 언어를 해석하고 실행하는데 사용되며, 시스템 프로그램은 운영체제의 핵심 기능을 제공합니다. DOS 프로그램은 MS-DOS 운영체제에서 사용되는 프로그램입니다.
profile_image
1

*오류신고 접수시 100포인트 지급해드립니다.

100. 인터럽트에 대한 설명 중 옳지 않은 것은?

  1. 하드웨어의 오류에 의해 발생하기도 한다.
  2. 인터럽트가 발생하면 특정한 일을 수행한다.
  3. 프로그램의 수행을 중단시키기 위해 사용되기도 한다.
  4. 인터럽트가 발생하면 현재 수행 중인 프로그램은 무조건 종료된다.
(정답률: 알수없음)
  • 인터럽트가 발생하면 현재 수행 중인 프로그램은 무조건 종료된다는 설명은 옳지 않습니다. 인터럽트는 현재 수행 중인 프로그램을 일시적으로 중단시키고, 다른 작업을 처리한 후에 다시 해당 프로그램을 실행할 수 있도록 합니다. 따라서 인터럽트가 발생하면 현재 수행 중인 프로그램은 일시적으로 중단되지만, 종료되지는 않습니다.
profile_image
1

*오류신고 접수시 100포인트 지급해드립니다.

< 이전회차목록 다음회차 >